專利名稱：字線偏置電路及存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種字線偏置電路及存儲器。
背景技術(shù)：
存儲器(例如，快閃存儲器Flash Memory)的存儲單元通常包括四個(gè)引線位線(BL, Bit-Line)、字線(WL, Word-Line)、源線(SL, Source-Line)和基線(SBL, Sub-Line),分別對應(yīng)耦接MOS晶體管的漏極、柵極、源極和基極。一般，在對存儲器的存儲單元進(jìn)行擦除(erase)操作時(shí)，需要對字線施加高電壓。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)存儲器中存儲單元陣列及字線譯碼電路的一種電路結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1所示，存儲器中的存儲單元陣列13由NMOS管構(gòu)成，所示各存儲單元A0、 Al、*、Ak的柵極均與字線WL相連、漏極分別與位線BL〈0>、BL〈1>、 、BL〈k>相連、源極與源線SL相連。字線譯碼電路包括預(yù)譯碼單元10、電平移位單元11和字線驅(qū)動單元12。預(yù)譯碼單元10根據(jù)輸入的地址信號選中相應(yīng)的字線，并輸出低壓控制信號。由于存儲單元的字線操作電壓都比較高，需要通過電平移位單元11將預(yù)譯碼單元10輸出的低壓控制信號切換至高壓控制信號。字線驅(qū)動單元12根據(jù)電平移位單元11輸出的高壓控制信號，輸出高電壓至預(yù)譯碼單元10選中的字線WL。在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，需要將字線WL的電壓提升到高電壓，即需要字線驅(qū)動單元12中PMOS管Pl的漏極(亦即NMOS管NI的漏極)輸出高電壓。因此，PMOS管Pl的源極接入的第一偏置電壓Vbl為高電壓,柵極接入低電壓。由于第一偏置電壓Vbl —般較高，通常在12V左右，為避免字線驅(qū)動單元12中產(chǎn)生過大的柵致漏極泄漏(GIDL，Gate-1nducedDrain Leakage)電流，需要在PMOS管Pl的柵極施加不為零電壓的第二偏置電壓Vb2。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種常見的存儲器字線偏置電路的結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖2所示，所述字線偏置電路用于產(chǎn)生第一偏置電壓Vbl和第二偏置電壓Vb2，包括電壓調(diào)整單元20、電荷泵單元21、高壓上升擺幅控制單元22、擦除控制單元23、電壓偵測單元24和驅(qū)動單元25。電壓調(diào)整單元20和電荷泵單元21用于對電源電壓進(jìn)行升壓，輸出高壓電壓HV。高壓上升擺幅控制單元22用于對高壓電壓HV的上升速度進(jìn)行限制，防止第一偏置電壓Vbl沖擊存儲單元而擊穿柵氧化層。擦除控制單元23在存儲單元需要進(jìn)行擦除操作時(shí)，將高壓上升擺幅控制單元22輸出的穩(wěn)定高壓VEP輸出為第一偏置電壓Vbl。電壓偵測單元24用于偵測穩(wěn)定高壓VEP的電壓值，當(dāng)穩(wěn)定高壓VEP上升至一個(gè)設(shè)置好的電壓值(比如4V)后，電壓偵測單元24輸出控制信號為有效信號。驅(qū)動單元25接收電壓偵測單元24輸出的控制信號，當(dāng)控制信號為有效信號時(shí)，驅(qū)動單元25輸出第二偏置電壓Vb2?，F(xiàn)有技術(shù)中的第二偏置電壓Vb2由通常由電源電壓提供，圖3所示為穩(wěn)定高壓VEP和第二偏置電壓Vb2的時(shí)序示意圖，若缺少電壓偵測單元24，穩(wěn)定高壓VEP和第二偏置電壓Vb2將同時(shí)上升，第一偏置電壓Vbl可能會低于第二偏置電壓Vb2，造成存儲單元擦除操作的邏輯混亂。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，電源電壓一般都設(shè)計(jì)得很小，例如1. 2V。利用電源電壓產(chǎn)生第二偏置電壓Vb2，在存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，施加第一偏置電壓Vbl時(shí)產(chǎn)生的GIDL電流仍然比較大。更多關(guān)于存儲器字線偏置電路的技術(shù)方案可以參考申請?zhí)枮?01110391280. X、發(fā)明名稱為一種字線偏置電路的中國專利申請文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種字線偏置電路，能夠減小在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)的GIDL電流，并且不會產(chǎn)生額外的功率損耗。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種字線偏置電路，包括第一偏置電壓輸出端和第二偏置電壓輸出端，還包括電壓偵測單元，適于偵測所述第一偏置電壓輸出端的電壓，以輸出控制信號；驅(qū)動單元，適于接收所述控制信號，輸出低壓驅(qū)動信號；第一狀態(tài)控制單元，適于接收第一使能信號和所述低壓驅(qū)動信號，在所述第一使能信號為有效信號時(shí)，由所述低壓驅(qū)動信號驅(qū)動電源電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端；第一電平移位單元，適于將所述低壓驅(qū)動信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出高壓驅(qū)動信號；第二狀態(tài)控制單元，適于接收第二使能信號和所述高壓驅(qū)動信號，在所述第二使能信號為有效信號時(shí)，由所述高壓驅(qū)動信號驅(qū)動目標(biāo)電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端，所述第二使能信號與所述第一使能信號互為反相信號，所述目標(biāo)電壓高于所述電源電壓；比較單元，適于將所述第二偏置電壓輸出端的電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，輸出比較結(jié)果，所述基準(zhǔn)電壓低于所述電源電壓；第二電平移位單元，適于根據(jù)所述比較結(jié)果輸出所述第一使能信號和所述第二使能信號?？蛇x的，所述第一狀態(tài)控制單元為第一三態(tài)門，所述第一三態(tài)門的輸入端輸入所述低壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第一使能信號、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連。可選的，所述第一狀態(tài)控制單元的驅(qū)動電源為所述電源電壓?？蛇x的，所述第一電平移位單元的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓、第二驅(qū)動電源為零電壓?？蛇x的，所述目標(biāo)電壓由第二電荷泵單元提供。可選的，所述第二狀態(tài)控制單元為第二三態(tài)門，所述第二三態(tài)門的輸入端輸入所述高壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第二使能信號、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連?？蛇x的，所述第二狀態(tài)控制單元的驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓?？蛇x的，所述比較單元包括比較器，其正端與所述第二偏置電壓輸出端連接，負(fù)端輸入所述基準(zhǔn)電壓。可選的，所述基準(zhǔn)電壓由帶隙基準(zhǔn)源提供?？蛇x的，所述第二電平移位單元的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓、第二驅(qū)動電源為零電壓。為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種存儲器，包括存儲單元陣列，還包括上述字線偏置電路，所述字線偏置電路用于向所述存儲單元陣列的字線提供第一偏置電壓和第二偏置電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案提供的字線偏置電路，在初始階段由電源電壓驅(qū)動第二偏置電壓輸出端，以向字線驅(qū)動單元提供第二偏置電壓，當(dāng)?shù)诙秒妷狠敵龆说碾妷荷仙链笥诨鶞?zhǔn)電壓后，由電荷泵電路產(chǎn)生的大于電源電壓的目標(biāo)電壓驅(qū)動第二偏置電壓輸出端，以向字線驅(qū)動單元提供第二偏置電壓。由于目標(biāo)電壓大于電源電壓，減弱了字線驅(qū)動單元中產(chǎn)生GIDL電流的電場，有效地減小了 GIDL電流。另一方面，在第二偏置電壓輸出端的電壓上升至基準(zhǔn)電壓之后才使用電荷泵電路產(chǎn)生的目標(biāo)電壓驅(qū)動第二偏置電壓輸出端，避免了直接使用高于電源電壓的目標(biāo)電壓驅(qū)動第二偏置電壓輸出端所帶來的額外的功率損耗。


圖1是現(xiàn)有的一種存儲單元陣列及字線譯碼電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種存儲器字線偏置電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2所示的穩(wěn)定高壓VEP和第二偏置電壓Vb2的時(shí)序示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施方式的字線偏置電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例的字線偏置電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例的穩(wěn)定高壓VEP和第二偏置電壓Vb2的時(shí)序示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)中所描述的，在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，需要字線驅(qū)動單元對字線施加高壓，因此會在字線驅(qū)動單元產(chǎn)生較多的GIDL電流。因此，本技術(shù)方案的發(fā)明人考慮，是否可以通過減弱產(chǎn)生GIDL電流的電場，減小GIDL電流，同時(shí)存儲陣列不會產(chǎn)生過多的功率損耗。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。圖4所示是本發(fā)明實(shí)施方式字線偏置電路的結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一偏置電壓輸出端(未標(biāo)示)和第二偏置電壓輸出端，所述第一偏置電壓輸出端的電壓即為提供給字線驅(qū)動單元的第一偏置電壓，所述第二電壓輸出端的電壓即為提供給字線驅(qū)動單元的第二偏置電壓Vb2。參考圖4，所述字線偏置電路還包括電壓偵測單兀40,適于偵測所述第一偏置電壓輸出端的電壓，以輸出控制信號；驅(qū)動單元41，適于接收所述控制信號，輸出低壓驅(qū)動信號；第一狀態(tài)控制單元431，適于接收第一使能信號ENl和所述低壓驅(qū)動信號，在所述第一使能信號ENl為有效信號時(shí)，由所述低壓驅(qū)動信號驅(qū)動電源電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端；第一電平移位單元42，適于將所述低壓驅(qū)動信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出高壓驅(qū)動信號；第二狀態(tài)控制單元432，適于接收第二使能信號EN2和所述高壓驅(qū)動信號，在所述第二使能信號EN2為有效信號時(shí)，由所述高壓驅(qū)動信號驅(qū)動目標(biāo)電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端，所述第二使能信號EN2與所述第一使能信號ENl互為反相信號，所述目標(biāo)電壓高于所述電源電壓；比較單元44，適于將所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，輸出比較結(jié)果，所述基準(zhǔn)電壓低于所述電源電壓；
第二電平移位單元45，適于根據(jù)所述比較結(jié)果輸出所述第一使能信號ENl和所述第二使能信號EN2。下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的字線偏置電路的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。圖5是本發(fā)明實(shí)施例字線偏置電路的結(jié)構(gòu)圖。參考圖5，電壓調(diào)整單元46和第一電荷泵單元47用于對電源電壓進(jìn)行升壓，輸出高壓電壓HV。高壓上升擺幅控制單元48用于對所述高壓電壓HV的上升速度進(jìn)行限制，防止在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)第一偏置電壓Vbl沖擊存儲單元而擊穿存儲單元柵的氧化層。擦除控制單元49在存儲單元需要進(jìn)行擦除操作時(shí)，將所述高壓上升擺幅控制單元48輸出的所述穩(wěn)定高壓VEP輸出至所述第一偏置電壓輸出端，以輸出所述第一偏置電壓Vbl。本實(shí)施例中，所述電壓調(diào)整單元46、第一電荷泵單元47、高壓上升擺幅控制單元48和擦除控制單元49均可以采用現(xiàn)有電路實(shí)現(xiàn)，為避免贅述，在此不作過多描述。為避免對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)產(chǎn)生邏輯混亂，字線驅(qū)動單元需要的所述第一偏置電壓Vbl和第二偏置電壓Vb2不能同時(shí)施加。因此，需要電壓偵測單元40偵測所述第一偏置電壓Vbl的電壓值，亦即偵測所述穩(wěn)定高壓VEP的電壓值，當(dāng)所述穩(wěn)定高壓VEP上升至一個(gè)設(shè)置好的電壓值(比如4V)后，所述電壓偵測單元40輸出控制信號為有效信號。驅(qū)動單元41接收所述電壓偵測單元40輸出的控制信號，當(dāng)所述控制信號為有效信號時(shí)，輸出低壓驅(qū)動信號。第一狀態(tài)控制單元431，接收第一使能信號ENl和所述驅(qū)動單元41輸出的低壓驅(qū)動信號，在所述第一使能信號ENl為有效信號時(shí)，由所述低壓驅(qū)動信號驅(qū)動電源電壓Vdd輸出至所述第二偏置電壓輸出端。在本實(shí)施例中，所述第一狀態(tài)控制單元431為第一三態(tài)門SI,所述第一三態(tài)門SI的輸入端輸入所述低壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第一使能信號EN1、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連，驅(qū)動電源為所述電源電壓Vdd，所述電源電壓為1. 2V。第一電平移位單元42，接收所述驅(qū)動單元41輸出的低壓驅(qū)動信號，將所述低壓驅(qū)動信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出高壓驅(qū)動信號。所述第一電平移位單元42的第一驅(qū)動電源為目標(biāo)電壓VD、第二驅(qū)動電源為零電壓，所述目標(biāo)電壓VD高于所述電源電壓Vdd，具體取值可以根據(jù)電路結(jié)構(gòu)和器件特性等預(yù)先設(shè)定。在本實(shí)施例中，所述目標(biāo)電壓VD的取值為2. 5V，由第二電荷泵單元421提供。第二狀態(tài)控制單元432，接收第二使能信號EN2和所述第一電平移位單元42輸出的高壓驅(qū)動信號，在所述第二使能信號EN2為有效信號時(shí)，由所述高壓驅(qū)動信號驅(qū)動所述目標(biāo)電壓VD輸出至所述第二偏置電壓輸出端，所述第二使能信號EN2與所述第一使能信號ENl互為反相信號。在本實(shí)施例中，所述第二狀態(tài)控制單元432為第二三態(tài)門S2，所述第二三態(tài)門S2的輸入端輸入所述高壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第二使能信號EN2、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連，驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓VD。比較單元44，將所述第二偏置電壓輸出端輸出的電壓Vb2和基準(zhǔn)電壓VR進(jìn)行比較，輸出比較結(jié)果，所述基準(zhǔn)電壓VR低于所述電源電壓Vdd，具體取值可以根據(jù)電路結(jié)構(gòu)和器件特性等預(yù)先設(shè)定。在本實(shí)施例中，所述基準(zhǔn)電壓VR的取值為IV，可由帶隙基準(zhǔn)源提供。所述比較單元44包括比較器A，所述比較器A的正端與所述第二偏置電壓輸出端連接，輸入所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2，負(fù)端輸入所述基準(zhǔn)電壓VR。具體地，若所述比較器A負(fù)端輸入的所述基準(zhǔn)電壓VR小于其正端輸入的所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2，則所述比較器A輸出的比較結(jié)果為高電平，即邏輯I ;反之則輸出低電平，即邏輯O。第二電平移位單元45，根據(jù)所述比較單元44輸出的比較結(jié)果輸出所述第一使能信號ENl和所述第二使能信號EN2。所述第二電平移位單元45的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓VD、第二驅(qū)動電源為零電壓。在本實(shí)施例中，若所述比較單元44輸出的比較結(jié)果為高電平，則所述第二電平移位單元45輸出的所述第一使能信號ENl為無效信號、所述第二使能信號EN2為有效信號；若所述比較單元44輸出的比較結(jié)果為低電平，則所述第二電平移位單元45輸出的所述第一使能信號ENl為有效信號、所述第二使能信號EN2為無效信號。圖6是本發(fā)明實(shí)施例字線偏置電路所述高壓上升擺幅控制單元48輸出的穩(wěn)定高壓VEP和所述第二偏置電壓Vb2的時(shí)序示意圖。為更好地對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行理解，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明技術(shù)方案字線偏置電路的工作原理進(jìn)行說明。參考圖5，當(dāng)需要對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，所述擦除控制單元49將所述高壓上升擺幅控制單元48輸出的所述穩(wěn)定高壓VEP輸出至所述第一偏置電壓輸出端，以輸出所述第一偏置電壓Vbl。由于所述高壓上升擺幅控制單元48的控制，所述穩(wěn)定高壓VEP緩慢上升，參考圖6所示的電壓波形示意圖。當(dāng)所述偵測單元40偵測到所述穩(wěn)定高壓VEP上升至一個(gè)設(shè)置好的電壓值(比如4V)時(shí)，輸出有效控制信號。驅(qū)動單元41根據(jù)所述電壓偵測單元40輸出的有效控制信號，輸出低壓驅(qū)動信號。由于所述第二偏置電壓輸出端的電壓在開始時(shí)為零，小于所述基準(zhǔn)電壓VRjPK述比較單元44中的比較器A的正端輸入小于負(fù)端輸入，輸出比較結(jié)果為低電平，所述第二電平移位單元45輸出的所述第一使能信號ENl為有效信號、所述第二使能信號EN2為無效信號。因此，所述第二狀態(tài)控制單元432中的第二三態(tài)門S2呈高阻狀態(tài)，所述第一狀態(tài)控制單元431中的第一三態(tài)門SI在所述驅(qū)動單元41輸出的低壓驅(qū)動信號控制下，將所述電源電壓Vdd輸出至所述第二偏置電壓輸出端。由于存儲單元中寄生電容的存在，參照圖6，所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2從零開始緩慢上升，當(dāng)所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2上升至大于所述比較單元44中的比較器A負(fù)端輸入的所述基準(zhǔn)電壓VR時(shí)，所述比較器A輸出比較結(jié)果為高電平。相應(yīng)地，所述第二電平移位單元45輸出的所述第一使能信號ENl為無效信號、所述第二使能信號EN2為有效信號。因此，所述第一狀態(tài)控制單元431中的第一三態(tài)門SI呈高阻狀態(tài)，所述第二狀態(tài)控制單元432中的第二三態(tài)門S2在所述第一電平移位單元42輸出的高壓驅(qū)動信號的控制下，將所述目標(biāo)電壓VD輸出至所述第二偏置電壓輸出端。為保證足夠大的驅(qū)動能力，在本實(shí)施例中，所述第一電平移位單元42的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓VD、第二驅(qū)動電源為零電壓。繼續(xù)參照圖6，所述第二偏置電壓輸出端的電壓Vb2繼續(xù)上升，直至達(dá)到所述目標(biāo)電壓VD。本發(fā)明技術(shù)方案還提供了一種存儲器，包括存儲單元陣列，還包括圖5所示的字線偏置電路，所述字線偏置電路用于向所述存儲單元陣列的字線提供第一偏置電壓和第二偏置電壓。綜上所述，本發(fā)明技術(shù)方案提供的字線偏置電路，在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，提供字線驅(qū)動單元所需的第一偏置電壓和第二偏置電壓。所述第二偏置電壓輸出端在初始階段由電源電壓驅(qū)動，當(dāng)所述第二偏置電壓上升至大于基準(zhǔn)電壓后，由電荷泵電路產(chǎn)生的大于電源電壓的目標(biāo)電壓驅(qū)動所述第二偏置電壓輸出端，以向字線驅(qū)動單元提供所述第二偏置電壓。由于所述目標(biāo)電壓大于所述電源電壓，減弱了字線驅(qū)動單元中產(chǎn)生GIDL電流的電場，有效地減小了 GIDL電流。另一方面，在所述第二偏置電壓上升至所述基準(zhǔn)電壓后才使用電荷泵電路產(chǎn)生的所述目標(biāo)電壓驅(qū)動所述第二偏置電壓輸出端，避免了直接使用電荷泵電路產(chǎn)生的高于電源電壓的目標(biāo)電壓驅(qū)動所述第二偏置電壓輸出端所產(chǎn)生的過多功率損耗。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種字線偏置電路，包括第一偏置電壓輸出端和第二偏置電壓輸出端，其特征在于， 還包括電壓偵測單兀，適于偵測所述第一偏置電壓輸出端的電壓，以輸出控制信號；驅(qū)動單元，適于接收所述控制信號，輸出低壓驅(qū)動信號；第一狀態(tài)控制單元，適于接收第一使能信號和所述低壓驅(qū)動信號，在所述第一使能信號為有效信號時(shí)，由所述低壓驅(qū)動信號驅(qū)動電源電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端； 第一電平移位單元，適于將所述低壓驅(qū)動信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換，輸出高壓驅(qū)動信號；第二狀態(tài)控制單元，適于接收第二使能信號和所述高壓驅(qū)動信號，在所述第二使能信號為有效信號時(shí)，由所述高壓驅(qū)動信號驅(qū)動目標(biāo)電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端，所述第二使能信號與所述第一使能信號互為反相信號，所述目標(biāo)電壓高于所述電源電壓；比較單元，適于將所述第二偏置電壓輸出端的電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，輸出比較結(jié)果，所述基準(zhǔn)電壓低于所述電源電壓；第二電平移位單元，適于根據(jù)所述比較結(jié)果輸出所述第一使能信號和所述第二使能信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第一狀態(tài)控制單元為第一三態(tài)門，所述第一三態(tài)門的輸入端輸入所述低壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第一使能信號、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第一狀態(tài)控制單元的驅(qū)動電源為所述電源電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第一電平移位單元的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓、第二驅(qū)動電源為零電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的字線偏置電路，其特征在于，所述目標(biāo)電壓由第二電荷泵單元提供。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第二狀態(tài)控制單元為第二三態(tài)門，所述第二三態(tài)門的輸入端輸入所述高壓驅(qū)動信號、使能端輸入所述第二使能信號、輸出端與所述第二偏置電壓輸出端相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第二狀態(tài)控制單元的驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述比較單元包括比較器，其正端與所述第二偏置電壓輸出端連接，負(fù)端輸入所述基準(zhǔn)電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓由帶隙基準(zhǔn)源提供。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字線偏置電路，其特征在于，所述第二電平移位單元的第一驅(qū)動電源為所述目標(biāo)電壓、第二驅(qū)動電源為零電壓。
11.一種存儲器，包括存儲單元陣列，其特征在于，還包括權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的字線偏置電路，所述字線偏置電路用于向所述存儲單元陣列的字線提供第一偏置電壓和第二偏置電壓。
全文摘要
一種字線偏置電路，包括電壓偵測單元，輸出控制信號；驅(qū)動單元，輸出低壓驅(qū)動信號；第一狀態(tài)控制單元，在第一使能信號為有效信號時(shí)，由所述低壓驅(qū)動信號驅(qū)動電源電壓輸出至第二偏置電壓輸出端；第一電平移位單元，輸出高壓驅(qū)動信號；第二狀態(tài)控制單元，在第二使能信號為有效信號時(shí)，由所述高壓驅(qū)動信號驅(qū)動目標(biāo)電壓輸出至所述第二偏置電壓輸出端；比較單元，適于將所述第二偏置電壓輸出端的電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，輸出比較結(jié)果；第二電平移位單元，適于根據(jù)所述比較結(jié)果輸出所述第一使能信號和所述第二使能信號。本發(fā)明技術(shù)方案提供的字線偏置電路，能夠減小在對存儲單元進(jìn)行擦除操作時(shí)的GIDL電流，并且不會產(chǎn)生額外的功率損耗。
文檔編號G11C7/12GK103021447SQ20121056440
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者楊光軍 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司