技術(shù)編號：6740145
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器，特別涉及一種字線偏置電路及存儲器。背景技術(shù)存儲器(例如，快閃存儲器Flash Memory)的存儲單元通常包括四個(gè)引線位線(BL, Bit-Line)、字線(WL, Word-Line)、源線(SL, Source-Line)和基線(SBL, Sub-Line),分別對應(yīng)耦接MOS晶體管的漏極、柵極、源極和基極。一般，在對存儲器的存儲單元進(jìn)行擦除(erase)操作時(shí)，需要對字線施加高電壓。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)存儲器中存儲單元陣列及字線譯碼電...
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