專利名稱：存儲器裝置及其負位線信號產生裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種存儲器裝置，且特別涉及一種存儲器裝置的負位線信號產生裝置。
背景技術：
隨著電子技術的精進，電子產品成為人們日常生活中必備的工具。而在電子產品用來記錄信息的存儲器裝置，也成為其中的一個重要的部分。以靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)為范例,在電子裝置所接收的操作電壓越來越低，存取速度的要求越來越快的情況下，在針對靜態(tài)隨機存取存儲器進行存取時，為提升其位線(bit line)以及字線(word line)間的電壓差，一種使負位線信號降低至零電壓電平以下的負位線信號的技術于是被提出。已知的負位線信號產生技術常發(fā)生在高操作電壓時，會對應產生具有較大電壓絕對值的負位線信號。如此一來，會使得接收位線信號以及字線信號的晶體管的柵源極間的電壓差過大。在長時間的使用下，這個晶體管可能發(fā)生損毀而產生漏電或無法正常工作的現(xiàn)象。也造成了靜態(tài)隨機存取存儲器的可靠度下降的現(xiàn)象。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種負位線信號產生裝置，在不同大小的操作電壓的條件下，提供穩(wěn)定的電壓電平的負位線信號。本發(fā)明提供一種存儲器裝置，其所屬的負位線信號產生裝置，可在不同大小的操作電壓的條件下，提供穩(wěn)定的電壓電平的負位線信號。本發(fā)明提出一種負位線信號產生裝置，包括預充電通道、放電通道以及電容。預充電通道耦接至操作電壓以及負推動端點間，受控于電壓推動致能信號以在第一時間區(qū)間對負推動端點進行充電。放電通道則耦接在負推動端點以及參考電壓間，依據電壓推動致能信號以及電壓推動終止信號以在第二時間區(qū)間提供負推動端點放電路徑。電容的一端耦接至負推動端點，其另一端耦接至位線以產生負位線信號。其中，第一時間區(qū)間與第二時間區(qū)間不相重疊，操作電壓大于參考電壓，且第二時間區(qū)間的時間長短與操作電壓的大小成反比(The time scale of the second time period is in inverse proportion to thevoltage level of the operating voltage)。本發(fā)明另提出一種存儲器裝置，存儲器裝置具有多條位線，并包括多個負位線信號產生裝置，其中各負位線信號產生裝置則包括預充電通道、放電通道以及電容。預充電通道耦接至操作電壓以及負推動端點間，受控于電壓推動致能信號以在第一時間區(qū)間對負推動端點進行充電。放電通道則耦接在負推動端點以及參考電壓間，依據電壓推動致能信號以及電壓推動終止信號以在第二時間區(qū)間提供負推動端點放電路徑。電容的一端耦接至負推動端點，其另一端耦接至對應連接的位線以產生負位線信號。其中，第一時間區(qū)間與第二時間區(qū)間不相重疊，操作電壓大于參考電壓，且第二時間區(qū)間的時間長短與操作電壓的大小成反比?；谏鲜?，本發(fā)明通過負位線信號產生裝置中，放電通道依據電壓推動終止信號來改變其所提供的電阻值，使在不同大小的操作電壓的狀況下，可以使其所產生的負位線信號的電壓電平不致有大幅度的變動。如此一來，在高操作電壓下造成的過低的負位線信號的現(xiàn)象將可以被避免，也就是說，因過低的負位線信號所產生的電子元件的破壞現(xiàn)象也將可有效的消除，提升存儲器裝置的可靠度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1繪示本發(fā)明的一實施例的負位線信號產生裝置100的示意圖。圖2繪示圖1的負位線信號產生裝置100的波形圖。圖3繪示本發(fā)明另一實施例的負位線信號產生裝置300的示意圖。圖4A繪示本發(fā)明再一實施例的負位線信號產生裝置400的示意圖。圖4B繪示本發(fā)明實施例的負位線信號產生裝置400的另一實施方式。圖5繪示本發(fā)明更一實施例的負位線信號產生裝置500的示意圖。圖6繪示本發(fā)明一實施例的存儲器裝置600的示意圖。主要元件符號說明

100、300、400、500、610 61N :負位線信號產生裝置110、310、410、510 :預充電通道120、320、420、520 :放電通道330、430、530 :電壓推動終止信號產生電路331、431、531 :控制信號產生電路600 :存儲器裝置601 60M :存儲單元Cl、C2、Cbst :電容VCC:操作電壓BSTEN 電壓推動致能信號NBST :負推動端點BSTEND 電壓推動終止信號BL、BLl BLN、BLlB BLNB :位線NSBL :負位線信號MP、Ml M7 :晶體管GND:參考電壓T1、T2:時間區(qū)間PBST :控制信號INVO INV2 :反相器Dl :二極管
具體實施例方式請參照圖1，圖1繪示本發(fā)明的一實施例的負位線信號產生裝置100的示意圖。負位線信號產生裝置100包括預充電通道110、放電通道120以及電容Cbst。預充電通道110耦接至操作電壓VCC以及負推動端點NBST間，預充電通道110另接收電壓推動致能信號BSTEN并受控于電壓推動致能信號BSTEN以在第一時間區(qū)間中，對負推動端點NBST進行充電。放電通道120則耦接在負推動端點NBST以及參考電壓GND間。放電通道120接收電壓推動致能信號BSTEN以及電壓推動終止信號BSTEND，并依據電壓推動致能信號BSTEN以及電壓推動終止信號BSTEND以在與第一時間區(qū)間不相重疊的第二時間區(qū)間內提供參考電壓GND至負推動端點NBST，使負推動端點NBST進行放電動作。在本實施例中，參考電壓GND例如為接地電壓，并且，參考電壓GND的電壓電平小于操作電壓VCC的電壓電平。電容Cbst的一端耦接至負推動端點NBST，其另一端則耦接至位線BL并在位線上產生負位線信號NSBL。在本實施例中，預充電通道110由上拉晶體管MP所建構，其中，上拉晶體管MP的控制端(例如柵極)接收電壓推動致能信號BSTEN，而其第一端(例如源極或漏極)接收操作電壓VCC，其第二端(例如漏極或源極)則耦接至負推動端點NBST。放電通道120則由晶體管Ml以及M2所建構的兩個開關相互串接而成。其中，晶體管Ml的柵極接收電壓推動致能信號BSTEN，而晶體管M2的柵極則接收電壓推動終止信號BSTEND。以下請同時參照圖1以及圖2，其中圖2繪示圖1的負位線信號產生裝置100的波形圖。在第一時間區(qū)間Tl中，電壓推動致能信號BSTEN為低電平信號(例如等于接地電壓)，而電壓推動終止信號BSTEND相對于電壓推動致能信號BSTEN則為高電平信號。此時，上拉晶體管MP被導通并使電容Cbst上的負推動端點NBST被充電至等于操作電壓VCC。接著進入第二時間區(qū)間T2，電壓推動致能信號BSTEN被轉態(tài)為高電平信號，并使上拉晶體管MP被關閉，且晶體管Ml以及M2都被導通。在此情況下，放電通道120會使接地電壓GND通過晶體管Ml以及M2耦接至負推動端點NBST。相對于此，位線BL上的電壓則會因為電容Cbst所產生的推動(boost)效應而向下拉扯，并據以產生負位線信號NSBL。在此請注意，負位線信號NSBL的電壓可以依據以下的數學式(I)來獲得NSBL =-(VCC-VO) *Cbst/(Cbst+Cbl) (I)其中，VO為在第二時間區(qū)間T2中，負推動端點NBST所可下降的電壓值，而Cbl則為位線BL上的電容值。值得注意的是，數學式(I)中的VO是可以通過控制放電通道120在第二時間區(qū)間T2的時間長短來改變的。簡單來說，如果放電通道120在第二時間區(qū)間T2的時間較短，則VO的值會是相對高電壓，相對的，如果放電通道120在第二時間區(qū)間T2的時間較長，則VO的值會是相對低的電壓(較靠近參考電壓GND)。由此可以輕易的得知，當操作電壓VCC的電壓值發(fā)生變化時，本實施例的負位線信號產生裝置100可以通過控制第二時間區(qū)間T2的長短來改變VO的值，并進以維持負位線信號NSBL的大小不致有過大的變化。簡單來說，就是通過電壓推動終止信號BSTEND來控制晶體管M2的導通時間的長短。以下請參照圖3，圖3繪示本發(fā)明另一實施例的負位線信號產生裝置300的示意圖。負位線信號產生裝置300除包括預充電通道310、放電通道320以及電容Cbst，還包括電壓推動終止信號產生電路330。電壓推動終止信號產生電路330耦接預充電通道310以及放電通道320。電壓推動終止信號產生電路330接收電壓推動致能信號BSTEN，并在第二時間區(qū)間中依據等于操作電壓VCC的電壓推動致能信號BSTEN來產生電壓推動終止信號BSTENDo請注意，在圖3繪示的實施例中，電壓推動終止信號產生電路330包括晶體管M3、M4以及控制信號產生電路331。晶體管M3的控制端(柵極)接收電壓推動致能信號BSTEN，其第一端(源極/漏極)耦接至操作電壓VCC，其第二端(漏極/源極)產生電壓推動終止信號BSTEND。晶體管M4的第一端(源極/漏極)耦接晶體管M3的第二端，晶體管M4的第二端(漏極/源極)耦接至參考電壓GND，其控制端(柵極)則耦接至控制信號產生電路331以接收控制信號PBST?？刂菩盘柈a生電路331耦接至操作電壓VCC以及參考電壓GND，并依據操作電壓VCC來產生控制信號PBST，其中，在本實施例中，控制信號產生電路331針對操作電壓VCC進行分壓來產生控制信號PBST?？刂菩盘柈a生電路331包括電容Cl以及C2以及晶體管DMl。電容Cl以及C2串接在反相器INV2的輸出與參考電壓GND間。在第二時間區(qū)間時，電壓推動致能信號BSTEN等于操作電壓VCC，因此，反相器INV2的輸出也等于操作電壓VCC。電容Cl以及C2則針對反相器INV2的輸出(操作電壓VCC)進行分壓，并藉以產生控制信號PBST。在此，控制信號PBST的電壓電平可以依據電容Cl以及C2的容值比來獲得。請注意，操作電壓VCC為較低的電壓時，控制信號PBST的電壓電平會接近于晶體管M4的臨界電壓，此時，晶體管M4所能提供的放電電流會較小，并使電壓推動終止信號BSTEND的電壓下降的速度趨緩。因此，第二時間區(qū)間的時間長度可以被拉長，而使負推動端點NBST上的電壓在晶體管M2關閉前可以降至接近參考電壓GND的電壓電平。相反的，當操作電壓VCC為較高的電壓時，控制信號PBST的電壓會被提升，此時，晶體管M4所提供放電電流大于晶體管Ml及M2所能提供的放電電流。因此，電壓推動終止信號BSTEND可以快速地降至等于參考電壓GND，而減短了負推動端點NBST通過晶體管M2進行放電的放電時間(第二時間區(qū)間)，使負推動端點NBST上的電壓不至于降得過低，以便免產生過低的負位線信號NSBL。晶體管DMl的控制端通過反相器INVl接收電壓推動致能信號BSTEN的反相信號，其第一端耦接至電容Cl與電容C2的耦接點，其第二端耦接至參考電壓GND。在第一時間區(qū)間中，晶體管DMl響應所接收的電壓推動致能信號BSTEN的反相信號而導通，而電容Cl及C2則可以通過晶體管DMl來釋放其中所存儲的電荷。這樣一來，可以確保電容Cl及C2在進入第二時間區(qū)間前，是沒有殘存電荷的。以下請參照圖4A，圖4A繪示本發(fā)明再一實施例的負位線信號產生裝置400的示意圖。負位線信號產生裝置400除包括預充電通道410、放電通道420以及電容Cbst,還包括電壓推動終止信號產生電路430。電壓推動終止信號產生電路430耦接預充電通道410以及放電通道420。在本實施例中，電壓推動終止信號產生電路430包括晶體管M3、M4以及控制信號產生電路431。與前一實施例不相同的，控制信號產生電路431是針對操作電壓VCC進行降壓，并藉以產生控制信號PBST。其中，控制信號產生電路431包括晶體管M5、M6以及M7，晶體管M5的第一端接收操作電壓VCC，其控制端接收電壓推動致能信號BSTEN的反相信號，其第二端耦接至晶體管M6的第一端。并且，晶體管M6的控制端耦接至操作電壓VCC，其第二端耦接至晶體管M7的第一端。晶體管WJ的第二端耦接至參考電壓GND而其控制端則與晶體管M5的控制端共同接收電壓推動致能信號BSTEN的反相信號。在此請注意，晶體管M6用以作為降壓元件，并使控制信號PBST在第二時間區(qū)間中等于操作電壓VCC減去晶體管M6的臨界電壓值。這個被降壓的控制信號PBST是可以隨著操作電壓VCC的上升或下降來會使得晶體管M4的放電能力上升或下降，并藉以縮短或延長第二時間區(qū)間的時間長度。也就是說，當操作電壓VCC升高時，第二時間區(qū)間的時間長度會隨之減短，而當操作電壓VCC降低時，第二時間區(qū)間的時間長度則會隨之增長。如此一來，位線BL上的負位線信號NSBL則可以被維持在一個較穩(wěn)定的電壓電平上，不致于隨著操作電壓VCC的高低而有大幅的變化。另外請參照圖4B，圖4B繪示本發(fā)明實施例的負位線信號產生裝置400的另一實施方式。在本實施方式中，其中，圖4A的晶體管M6可以被二極管Dl取代，并利用二極管Dl來做為降壓元件。以下請參照圖5，圖5繪示本發(fā)明更一實施例的負位線信號產生裝置500的示意圖。負位線信號產生裝置500除包括預充電通道510、放電通道520以及電容Cbst，還包括電壓推動終止信號產生電路530。電壓推動終止信號產生電路530耦接預充電通道510以及放電通道520。在本實施例中，電壓推動終止信號產生電路530包括反相器INVO以及晶體管M3 M5。反相器INVO的輸出端產生電壓推動終止信號BSTEND，晶體管M3的第一端耦接至操作電壓VCC，其第二端耦接至反相器INVO的輸入端，其控制端耦接至晶體管M4的第一端。晶體管M4的第二端則耦接至負推動端點NBST，其控制端接收參考電壓GND。晶體管M5的控制端耦接至反相器INVl的輸出端，并藉以接收電壓推動致能信號BSTEN的反相信號，其第一端及第二端分別耦接至晶體管M3的第二端以及參考電壓GND。在整體操作上，在第一時間區(qū)間時，負推動端點NBST被預充電至等于操作電壓VCC，而通過晶體管M4所提供的傳輸通道，晶體管M3的控制端上的電壓則等于操作電壓VCC減去晶體管M4的臨界電壓。在操作電壓VCC為低電平電壓時，由晶體管M3以及反相器INVO所形成的路徑的反應速度不足以快速關閉晶體管M2，也就是第二時間區(qū)間會被延長。相反的，在操作電壓VCC為高電平電壓時，由晶體管M3以及反相器INVO所形成的路徑的反應速度將會對應地被增快，也因此，晶體管M2將會被快速地關閉，也就是第二時間區(qū)間會被縮短。如此一來，第二時間區(qū)間對應操作電壓的高或低來進行適應性的調整。而位線BL上的負位線信號NSBL則可以被維持在一個較穩(wěn)定的電壓電平上，不致于隨著操作電壓VCC的高低而有大幅的變化。另夕卜，晶體管M5用以在第一時間區(qū)間中，提供反相器INVO的輸入參考電壓GND。接著請參照圖6，圖6繪示本發(fā)明一實施例的存儲器裝置600的示意圖。存儲器裝置600可以是靜態(tài)隨機存取存儲器，存儲器裝置600包括多個存儲單元(memory cell，又稱之為記憶胞)601 60M以及多個負位線信號產生裝置610 61N。其中，負位線信號產生裝置610 61N分別耦接至存儲單元601 60M所連接的位線BLl BLN以及BLlB BLNB。負位線信號產生裝置610 61N可以利用前述圖1 圖5所繪示的負位線信號產生裝置100 500的其中的任一個來實施。而關于負位線信號產生裝置100 500的實施細節(jié)，在前述實施例中都有詳細的說明，在此不再重復說明。綜上所述，本發(fā)明通過依據操作電壓的大小，來調整放電通道所提供的放電動作的第二時間區(qū)間的長短。使操作電壓的高低，可以與負位線信號拉低的時間相互配合。如此一來，負位線信號被拉低的程度可以獲得控制，而負位線信號產生裝置所產生的負位線信號的電壓電平也可以有效的被穩(wěn)定，不會隨操作電壓的改變，而大幅的變化。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視所附權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種負位線信號產生裝置，包括 一預充電通道，耦接至一操作電壓以及一負推動端點間，受控于一電壓推動致能信號以在一第一時間區(qū)間對該負推動端點進行充電； 一放電通道，耦接在該負推動端點以及一參考電壓間，依據該電壓推動致能信號以及一電壓推動終止信號以在一第二時間區(qū)間提供該負推動端點一放電路徑；以及 一電容，其一端耦接至該負推動端點，其另一端耦接一位線以產生該負位線信號， 其中，該第一時間區(qū)間與該第二時間區(qū)間不相重疊，該操作電壓大于該參考電壓，且該第二時間區(qū)間的時間長短與該操作電壓的大小成反比。
2.如權利要求1所述的負位線信號產生裝置，其中該放電通道包括 一第一放電開關，其第一端耦接至該負推動端點，該第一放電開關接收該電壓推動致能信號，并受控于該電壓推動致能信號；以及 一第二放電開關，串接于該第一放電開關的第二端與該參考電壓間，接收該電壓推動終止信號，并受控于該電壓推動終止信號。
3.如權利要求2所述的負位線信號產生裝置，其中該第一放電開關以及該第二放電開關皆為晶體管開關。
4.如權利要求1所述的負位線信號產生裝置，其中該預充電通道包括 一上拉晶體管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該電壓推動致能信號，其第一端接收該操作電壓，其第二端耦接至該放電通道。
5.如權利要求1所述的負位線信號產生裝置，其中在該第一時間區(qū)間中，該預充電通道提供該操作電壓以對該電容上的該負推動端點進行充電。
6.如權利要求1所述的負位線信號產生裝置，其中在該第二時間區(qū)間中，該放電通道提供該參考電壓至該負推動端點，并使該電容未耦接該負推動端點的另一端點的電壓下降以產生該負位線信號。
7.如權利要求1所述的負位線信號產生裝置，其中還包括 一電壓推動終止信號產生電路，耦接該預充電通道以及該放電通道，接收該電壓推動致能信號，并在該第二時間區(qū)間中，依據等于該操作電壓的該電壓推動致能信號來產生該電壓推動終止信號。
8.如權利要求7所述的負位線信號產生裝置，其中該電壓推動終止信號產生電路包括 一第一晶體管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該電壓推動致能信號，其第一端耦接至該操作電壓，其第二端產生該電壓推動終止信號； 一第二晶體管，具有控制端、第一端以及第二端，其第一端耦接該第一晶體管的第二端，其第二端耦接至該參考電壓；以及 一控制信號產生電路，耦接至該操作電壓、該參考電壓以及該第二晶體管的控制端，該控制信號產生電路依據該操作電壓產生一控制信號，并提供該控制信號至該第二晶體管的控制端。
9.如權利要求8所述的負位線信號產生裝置，其中該控制信號產生電路針對該操作電壓進行分壓以產生該控制信號，該控制信號產生電路包括 一第一電容，其一端接收該操作電壓，其另一端產生該控制信號；一第二電容，串接在該第一電容產生該控制信號的端點以及該參考電壓間；以及一第三晶體管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該電壓推動致能信號的反相信號，其第一端耦接至該第一電容與該第二電容的耦接點，其第二端耦接至該參考電壓。
10.如權利要求8所述的負位線信號產生裝置，其中該控制信號產生電路針對該操作電壓進行降壓，并藉以產生該控制信號，該控制信號產生電路包括 一第三晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收該操作電壓，其控制端接收該電壓推動致能信號的反相信號； 一第四晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第三晶體管的第二端，其控制端接收該操作電壓，其第二端產生該控制信號；以及 一第五晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第四晶體管的第二端，其第二端耦接至該參考電壓，其控制端耦接至該第三晶體管的控制端。
11.如權利要求8所述的負位線信號產生裝置，其中該控制信號產生電路針對該操作電壓進行降壓，并從而產生該控制信號，該控制信號產生電路包括 一第三晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收該操作電壓，其控制端接收該電壓推動致能信號的反相信號； 一二極管，其陽極耦接至該第三晶體管的第二端；以及 一第四晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該二極管的陰極，其第二端耦接至該參考電壓，其控制端耦接至該第三晶體管的控制端。
12.如權利要求7所述的負位線信號產生裝置，其中該電壓推動終止信號產生電路包括 一反相器，其輸出端產生該電壓推動終止信號； 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該操作電壓，其第二端耦接至該反相器的輸入端； 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第一晶體管的控制端，該第二晶體管的第二端耦接至該負推動端點，該第二晶體管的控制端接收該參考電壓；以及 一第三晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其控制端接收該電壓推動致能信號的反相信號，其第二端接收該參考電壓，其第一端耦接至該反相器的輸入端。
13.一種存儲器裝置，具有多條位線，該存儲器裝置包括 多個負位線信號產生裝置，分別耦接這些位線，其中各該負位線信號產生裝置包括一預充電通道，耦接至一操作電壓以及一負推動端點間，受控于一電壓推動致能信號以在一第一時間區(qū)間對該負推動端點進行充電； 一放電通道，耦接在該負推動端點以及一參考電壓間，依據該電壓推動致能信號以及一電壓推動終止信號以在一第二時間區(qū)間提供該負推動端點一放電路徑；以及 一電容，其一端耦接至該負推動端點，其另一端耦接對應的各該位線以產生該負位線信號， 其中，該第一時間區(qū)間與該第二時間區(qū)間不相重疊，且該操作電壓大于該參考電壓，且該第二時間區(qū)間的時間長短與該操作電壓的大小成反比。
14.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中該放電通道包括 一第一放電開關，其第一端耦接至該負推動端點，接收該電壓推動致能信號，并受控于該電壓推動致能信號；以及 一第二放電開關，串接于該第一放電開關的第二端與該參考電壓間，接收該電壓推動終止信號，并受控于該電壓推動終止信號。
15.如權利要求12所述的存儲器裝置，其中該第一放電開關以及該第二放電開關皆為晶體管開關。
16.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中該預充電通道包括 一上拉晶體管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收該電壓推動致能信號，其第一端接收該操作電壓，其第二端耦接至該放電通道。
17.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中在該第一時間區(qū)間中，該預充電通道提供該操作電壓以對該電容上的該負推動端點進行充電。
18.如權利要求13所述的存儲器裝置，其中在該第二時間區(qū)間中，該放電通道提供該參考電壓至該負推動端點，并使該電容未耦接該負推動端點的另一端點的電壓下降以產生該負位線信號。
全文摘要
一種存儲器裝置及其負位線信號產生裝置。負位線信號產生裝置包括預充電通道、放電通道以及電容。預充電通道受控于電壓推動致能信號以在第一時間區(qū)間對負推動端點進行充電。放電通道依據電壓推動致能信號以及電壓推動終止信號以在第二時間區(qū)間提供負推動端點放電路徑。其中，第一時間區(qū)間與第二時間區(qū)間不相重疊，操作電壓大于參考電壓，且第二時間區(qū)間的時間長短與操作電壓的大小成反比。
文檔編號G11C7/12GK103065667SQ201110318929
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權日2011年10月19日
發(fā)明者葉有偉, 王林, 鄭堅斌 申請人:智原科技股份有限公司