專利名稱：用以指示存儲器中的編程失敗的信號線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置及一種操作所述存儲器裝置的方法。
背景技術(shù)：
存儲器裝置用于許多類型的電子裝置中，例如計算機(jī)、蜂窩電話、PDA、數(shù)據(jù)記錄器及導(dǎo)航設(shè)備，此處僅列舉幾個實例。在此類電子裝置當(dāng)中，可采用各種類型的非易 失性存儲器裝置，例如NAND或NOR快閃存儲器、SRAM、DRAM及相變存儲器，此處僅列舉幾個實例。一般來說，可使用寫入或編程過程將信息存儲于此類存儲器裝置中，而可使用讀取過程來檢索所存儲的信息。有時，在存儲器裝置的操作期間，將信息寫入及/或編程到存儲器陣列的過程可能會失敗。舉例來說，如果存儲器裝置包含例如錯誤校正及/或重新起始讀取及/或?qū)懭脒^程的能力的安全措施，那么此故障未必一定導(dǎo)致致命的操作錯誤。然而，此類安全措施的效率及/或可靠性可至少部分地依賴于寫入/編程故障的檢測。


將參考以下各圖描述非限制性及非窮盡性實施例，其中除非另外說明，否則所有各圖中相似參考編號指代相似部件。圖1是根據(jù)一實施例的存儲器裝置的示意性框圖。圖2是根據(jù)另一實施例的存儲器裝置的示意性框圖。圖3是根據(jù)一實施例用以編程存儲器裝置的過程的流程圖。圖4是根據(jù)一實施例的計算系統(tǒng)及存儲器裝置的示意性框圖。
具體實施例方式此說明書通篇中對“一個實施例”或“一實施例”的提及意指結(jié)合所述實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在所主張的標(biāo)的物的至少一個實施例中。因此，在此說明書通篇中的各個地方出現(xiàn)的短語“在一個實施例中”或“一實施例”未必完全指代同一實施例。 此外，可將所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個或一個以上實施例中。在一實施例中，存儲器裝置可產(chǎn)生異步電子失敗信號來指示未決編程或?qū)懭氩僮饕阎辽俨糠值厥?。此故障可能是由于所述存儲器裝置的存儲器媒體中的故障所致。舉例來說，非易失性存儲器(NVM)裝置可包含可為磨損的及/或有缺陷的相對小數(shù)目個不可編程存儲器元件或存儲器單元。因此，用以指示未決編程操作的故障的異步失敗信號可提供用于在不涉及其中控制器及/或處理器輪詢?nèi)舾蓚€NVM裝置的狀態(tài)寄存器以確定成功編程完成的過程的情況下管理此類故障的技術(shù)。避免此輪詢過程的能力可為有益的，在于輪詢可占用在編程操作期間原本可用于其它存儲器操作的存儲器總線。因此，通過利用異步電子失敗信號來指示未決編程操作的故障而避免輪詢過程可改進(jìn)存儲器速度。舉例來說，隨著存儲器裝置中的并行NVM裝置的數(shù)目的增加，此經(jīng)改進(jìn)的速度可越來越顯著。
在特定實施例中，如果存儲器的一部分未能響應(yīng)于編程操作而被成功地編程，那么可產(chǎn)生異步失敗信號來通知控制器及/或處理器所述故障。在此通知之后，控制器及/ 或處理器可以若干方式來管理故障。舉例來說，控制器及/或處理器可重新映射存儲器的失敗部分且重復(fù)向經(jīng)重新映射的存儲器寫入的編程操作。在一個實施方案中，可使用具有開集配置的失敗信號線來實施異步失敗信號。此失敗信號線可連接到個別NVM裝置及控制器及/或處理器。在特定實施方案中，舉例來說，失敗信號線可連接到構(gòu)成共享共用芯片啟用信號的裝置群組的個別NVM裝置。因此，如果寫入失敗事件中涉及特定群組中的此類NVM 裝置中的任何一者或一者以上，那么可將所述失敗信號線拉為低。 在一實施例中，存儲器系統(tǒng)可包括用以載運R/B信號的就緒/繁忙(R/B)信號線。 此R/B信號可指示編程操作為未決的且尚未完成(成功或不成功)。舉例來說，可使用開漏配置來實施R/B信號，使得邏輯低值可指示未決編程操作。在所述編程操作已結(jié)束之后，所述R/B信號可轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺咧狄灾甘揪幊滩僮魍瓿?。類似于失敗信號線的情況，R/B信號線可連接到個別NVM裝置。此R/B信號線可適用于(舉例來說)涉及隨時間變化的寫入等待時間的存儲器裝置，例如適用于N0R、NAND及PCM存儲器裝置，此處僅列舉幾個實例。在一實施例中，操作存儲器系統(tǒng)的方法可包括維持用以指示一個或一個以上存儲器裝置的未決編程操作的R/B信號及確定在所述未決編程操作期間所述一個或一個以上存儲器裝置中的任一者的編程失敗事件。盡管維持就緒/繁忙信號，但特定實施方案也可包括產(chǎn)生異步失敗信號來指示編程操作不成功。在特定實施方案中，在產(chǎn)生此失敗信號之后，R/B信號的值可轉(zhuǎn)變以指示編程操作的結(jié)束。在另一實施例中，存儲器系統(tǒng)可包括一個或一個以上存儲器裝置；R/B信號線， 其用以載運R/B信號以指示編程操作是否為未決的；及失敗信號線，其用以載運異步失敗信號以指示所述未決編程操作是否尚未能將信息寫入到所述一個或一個以上存儲器裝置的至少一部分。在一個實施方案中，存儲器系統(tǒng)可進(jìn)一步包括存儲器控制器，其用以分別從 R/B信號線及失敗信號線接收R/B信號及失敗信號。在另一實施方案中，存儲器裝置可包括一個或一個以上存儲器陣列及一寫入狀態(tài)機(jī)，其中所述寫入狀態(tài)機(jī)可產(chǎn)生失敗信號。圖1是根據(jù)一實施例的存儲器系統(tǒng)100的示意性框圖。舉例來說，存儲器系統(tǒng)100 可從外部主機(jī)(未展示)接收信息及/或指令(例如讀取/編程命令)。存儲器系統(tǒng)100 可包含用以存儲由控制器150及/或處理器160提供的信息的NVM裝置110。舉例來說， NVM裝置110可包括非易失性存儲器單元陣列及用以監(jiān)視最近的未決編程操作的通過/失敗狀態(tài)的寫入狀態(tài)機(jī)115。在一個實施方案中，失敗信號線125可載運由寫入狀態(tài)機(jī)115提供的異步失敗信號。失敗信號線125可電連接到控制器150處的通過/失敗輸入端口 P/F 及/或處理器160處的通過/失敗輸入端口 P/F。在特定實施例中，失敗信號可包括由寫入狀態(tài)機(jī)115提供且通過電源Vdd經(jīng)由上拉電阻器132實施的開漏信號，但所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。因此，如果編程操作失敗，那么寫入狀態(tài)機(jī)115可將失敗信號線125拉為低，而如果編程操作通過，那么寫入狀態(tài)機(jī)115可允許失敗信號線125浮動。舉例來說，編程操作的故障可包含將與所述編程操作相關(guān)聯(lián)的信息寫入到NVM裝置110中的一個或一個以上存儲器單元的故障。然而，編程操作的故障可由不同類型的事件產(chǎn)生，且所主張的標(biāo)的物在這點上并不受限制。在一個實施方案中，失敗信號線125可聯(lián)合載運就緒/繁忙信號的R/B信號線122一同操作。類似于失敗信號線125，R/B信號線122可電連接到控制器150處的就緒/繁忙輸入端口 R/B及/或處理器160處的就緒/繁忙輸入端口 R/B。在特定實施例中，R/B信號可包括由寫入狀態(tài)機(jī)115提供且通過電源Vdd經(jīng)由上拉電阻器134實施的開漏信號，但所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。因此，如果控制器150及/或處理器160向?qū)懭霠顟B(tài)機(jī)115 發(fā)出編程操作，那么寫入狀態(tài)機(jī)115可將R/B信號線122拉為低，而在所述編程操作完成之后寫入狀態(tài)機(jī)115可允許R/B信號線122浮動。如果編程操作在完成之后即為不成功的， 那么寫入狀態(tài)機(jī)115可在允許R/B信號線122浮動之前將失敗信號線125拉為低。舉例來說，在寫入狀態(tài)機(jī)115指示編程故障且失敗信號線125被拉為低之后，控制器150可對失敗信號線125進(jìn)行復(fù)位以為后續(xù)編程操作做準(zhǔn)備。在一實施方案中，失敗信號線125不需要包括專用于此失敗信號的信號線。舉例來說，失敗信號線125可包括可由存儲器系統(tǒng)100 用于各種目的的通用I/O信號線。通用I/O信號可用作P/F信號或R/B信號。舉例來說， 通用I/O信號還可用于額外信號以增加存儲器裝置的數(shù)據(jù)寬度。當(dāng)然，存儲器系統(tǒng)的此些細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。圖2是根據(jù)一實施例的存儲器系統(tǒng)200的示意性框圖。舉例來說，存儲器系統(tǒng)200 可從外部主機(jī)(未展示)接收信息及/或指令(例如讀取/編程命令)。存儲器系統(tǒng)200 可包含布置成群組220a、220b、220c、220d等等的多個NVM裝置210。雖然圖2中展示了四個群組220，但存儲器系統(tǒng)200中可包含任一數(shù)目個此類群組，且所主張的標(biāo)的物在這點上并不受限制。特定群組220可包括連接到共用芯片選擇信號線212的NVM裝置210。舉例來說，群組220a可包括連接到芯片選擇信號線212a的NVM裝置210，而群組220b可包括連接到芯片選擇信號線212b的NVM裝置210等等。NVM裝置210可存儲由控制器250及/ 或處理器260提供的信息。舉例來說，NVM裝置210可包括非易失性存儲器單元陣列及用以監(jiān)視最近的未決編程操作的通過/失敗狀態(tài)的寫入狀態(tài)機(jī)215。在一個實施方案中，失敗信號線225可載運由個別NVM裝置210的任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215提供的異步失敗信號。來自特定群組220的個別NVM裝置210的失敗信號線225可電耦合在一起且連接到控制器250處的通過/失敗輸入端口 P/F及/或處理器260處的通過/失敗輸入端口 P/F。特定來說，NVM裝置210群組220a可包含電耦合在一起且連接到控制器250處的輸入端口 P/F1及/或處理器260處的輸入端口 P/F1的失敗信號線225。類似地，NVM裝置210 群組220b可包含電耦合在一起且連接到控制器250處的輸入端口 P/F2及/或處理器260 處的輸入端口 P/F2的失敗信號線225。如上文所提及，存儲器系統(tǒng)200可包括額外NVM裝置群組，例如圖2中所展示的群組220c及220d，總計達(dá)η個群組。因此，舉例來說，控制器 250及/或處理器260可包括η個輸入端口 P/Fn。因此，舉例來說，失敗信號線225上的失敗信號可指示群組220中的任何一個或一個以上NVM裝置210的編程故障。在特定實施例中，失敗信號可包括由寫入狀態(tài)機(jī)215提供且通過電源Vdd經(jīng)由上拉電阻器232實施的開漏信號，但所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。因此，如果編程操作失敗，那么特定群組220的任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215可將失敗信號線225拉為低，而如果編程操作通過，那么任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī) 215可允許失敗信號線225浮動。舉例來說，編程操作的故障可包含將與所述編程操作相關(guān)聯(lián)的信息寫入到任何一個或一個以上NVM裝置210中的一個或一個以上存儲器單元的故障。在一個實施方案中，失敗信號線225可聯(lián)合載運就緒/繁忙信號的R/B信號線222一同操作。類似于失敗信號線225，來自特定群組220的個別NVM裝置210的R/B信號線 222可耦合在一起且電連接到控制器250處的就緒/繁忙輸入端口 R/B及/或處理器260 處的就緒/繁忙輸入端口 R/B。特定來說，NVM裝置210群組220a可包含電耦合在一起且連接到控制器250處的輸入端口 R/B1及/或處理器260處的輸入端口 R/B1的R/B信號線 222。類似地，NVM裝置210群組220b可包含電耦合在一起且連接到控制器250處的輸入端口 R/B2及/或處理器260處的輸入端口 R/B2的R/B信號線222。如上文所提及，存儲器裝置200可包括額外NVM裝置群組，例如圖2中所展示的群組220c及220d，總計達(dá)η個群組。因此，舉例來說，控制器250及/或處理器260可包括η個輸入端口 R/Bn。在特定實施例中，R/B信號可包括由任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215提供且通過電源Vdd經(jīng)由上拉電阻器234實施的開漏信號，但所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。因此，如果控制器250及 /或處理器260向?qū)懭霠顟B(tài)機(jī)215發(fā)出編程操作，那么任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215 可將R/B信號線222拉為低，而在編程操作完成之后任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215 可允許R/B信號線222浮動。如果編程操作在完成之后即為不成功的，那么任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215可在允許R/B信號線222浮動之前將失敗信號線225拉為低。舉例來說，在任何一個或一個以上寫入狀態(tài)機(jī)215指示編程故障且失敗信號線225被拉為低之后，控制器250可對失敗信號線225進(jìn)行復(fù)位以為后續(xù)編程操作做準(zhǔn)備。舉例來說，如果控制器250及/或處理器260檢測到R/B信號線222上的R/B信號為邏輯高值同時檢測到失敗信號線225上的邏輯高失敗信號，那么對于特定群組220中的NVM裝置210來說編程操作可能已成功地完成。在一實施方案中，如上文所論述，失敗信號線225不需要包括專用于此失敗信號的信號線。舉例來說，失敗信號線225可包括可由存儲器裝置200用于各種目的的通用I/O信號線。當(dāng)然，存儲器系統(tǒng)的此些細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。 圖3是根據(jù)一實施例用以編程存儲器系統(tǒng)的過程300的流程圖。在框310處，舉例來說，處理器可起始將信息存儲于例如圖1中所展示的NVM裝置110的NVM陣列中的編程操作。在此編程操作期間，在框320處，與特定NVM裝置相關(guān)聯(lián)的寫入狀態(tài)機(jī)可將R/B信號維持于向控制器或處理器指示未決編程操作的值。在框330處，在編程操作期間或之后， 此寫入狀態(tài)機(jī)可確定所述寫入狀態(tài)機(jī)位于其中的特定NVM裝置處是否已發(fā)生編程失敗事件。在框340處，如果尚未發(fā)生編程失敗，那么過程300可繼續(xù)進(jìn)行到框350，其中一個或一個以上特定NVM裝置群組的寫入狀態(tài)機(jī)可將指示編程完成的信號提供到控制器及/或處理器。此信號可包括異步R/B信號及/或異步失敗信號。舉例來說，可將R/B信號維持于邏輯高值以指示編程操作完成。同時，還可將失敗信號維持于邏輯高值以指示成功的編程操作。在框340處，如果已發(fā)生編程失敗，那么過程300可繼續(xù)進(jìn)行到框360，其中一個或一個以上特定NVM裝置群組的寫入狀態(tài)機(jī)可將指示編程故障的信號提供到控制器及/或處理器。此信號可包括R/B信號及/或失敗信號。舉例來說，在框370處，可將R/B信號維持于邏輯高值以指示未決編程操作或編程操作完成。在特定實施方案中，舉例來說，可使用開漏配置來實施R/B信號使得邏輯高值可指示編程操作完成。同時，失敗信號可從邏輯高值轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷椭狄灾甘臼〉木幊滩僮?。多個NVM裝置中的一者或一者以上處可能已發(fā)生失敗事件，但由于來自個別NVM裝置的失敗信號線可耦合在一起，因此控制器及/或處理器可尚不知道特定的哪一個或一個以上NVM裝置造成所述故障。因此，在框380處，控制器及/或處理器可輪詢一個或一個以上群組的NVM裝置以確定特定的哪一個或一個以上NVM裝置導(dǎo)致了所述故障。當(dāng)然，過程300的此些細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。在一 實施例中，存儲器系統(tǒng)可施加錯誤校正碼(ECC)過程以嘗試校正產(chǎn)生編程失敗事件的一個或一個以上錯誤。舉例來說，可從存儲器裝置內(nèi)實施的此ECC過程可在產(chǎn)生失敗信號之前施加。換句話說，在通知控制器及/或處理器編程操作不成功之前，狀態(tài)機(jī)可管理ECC過程以嘗試修復(fù)導(dǎo)致不成功的編程操作的一個或一個以上錯誤。如果此ECC過程能夠修復(fù)所述錯誤，那么不需要產(chǎn)生失敗信號且編程操作可成功地結(jié)束。另一方面，舉例來說，如果此ECC過程不能夠修復(fù)所述錯誤，那么可如過程300的框360中那樣地產(chǎn)生失敗信號。圖4是根據(jù)一實施例的計算系統(tǒng)400及存儲器裝置的示意圖。舉例來說，此計算裝置可包括執(zhí)行應(yīng)用程序及/或其它代碼的一個或一個以上處理器。舉例來說，存儲器裝置 410可包括圖1中所展示的NVM裝置110。計算裝置404可表示可為可配置以管理存儲器裝置410的任一裝置、器具或機(jī)器。存儲器裝置410可包含存儲器控制器415及存儲器422。 借助實例而非限制的方式，計算裝置404可包含一個或一個以上計算裝置及/或平臺，例如，桌上型計算機(jī)、膝上型計算機(jī)、工作站、服務(wù)器裝置或類似裝置；一個或一個以上個人計算或通信裝置或器具，例如，個人數(shù)字助理、移動通信裝置或類似裝置；計算系統(tǒng)及/或相關(guān)聯(lián)服務(wù)提供者能力，例如數(shù)據(jù)庫或數(shù)據(jù)存儲服務(wù)提供者/系統(tǒng)；及/或其任一組合。認(rèn)識到，系統(tǒng)400中所展示的各種裝置以及如本文中進(jìn)一步描述的過程及方法的全部或部分可使用或以其它方式包含硬件、固件、軟件或其任一組合來實施。因此，借助實例而非限制的方式，計算裝置404可包含通過總線440以操作方式耦合到存儲器422及主機(jī)或存儲器控制器415的至少一個處理單元420。處理單元420表示可配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)計算程序或過程的至少一部分的一個或一個以上電路。借助實例而非限制的方式，處理單元 420可包含一個或一個以上處理器、控制器、微處理器、微控制器、專用集成電路、數(shù)字信號處理器、可編程邏輯裝置、現(xiàn)場可編程門陣列及類似裝置或其任一組合。處理單元420可包含經(jīng)配置以與存儲器控制器415通信的操作系統(tǒng)。舉例來說，此操作系統(tǒng)可產(chǎn)生待經(jīng)由總線440發(fā)送到存儲器控制器415的命令。此類命令可包括讀取及/或?qū)懭朊?。舉例來說， 響應(yīng)于寫入命令，存儲器控制器415可提供偏置信號(例如設(shè)定或復(fù)位脈沖)以將與所述寫入命令相關(guān)聯(lián)的信息寫入到存儲器分區(qū)(舉例來說)。存儲器422表示任一數(shù)據(jù)存儲機(jī)構(gòu)。舉例來說，存儲器422可包含主要存儲器424 及/或輔助存儲器426，舉例來說，其中的每一者可分割成多個如上文所論述的分區(qū)。舉例來說，主要存儲器424可包含隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器等。盡管在此實例中被圖解說明為與處理單元420分離，但應(yīng)理解主要存儲器424的全部或部分可提供于處理單元420內(nèi)或以其它方式與其共同定位/耦合。在一個實施方案中，一個或一個以上數(shù)據(jù)線475可包括以電子方式互連存儲器控制器415與存儲器422的失敗信號線及/或R/B信號線。另外， 一個或一個以上數(shù)據(jù)線480可包括以電子方式互連處理單元420與存儲器422的失敗信號線及/或R/B信號線，但所主張的標(biāo)的物并不受如此限制。舉例來說，輔助存儲器426可包含與主要存儲器相同或類似類型的存儲器及/或一個或一個以上數(shù)據(jù)存儲裝置或系統(tǒng)，例如，磁盤驅(qū)動器、光盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器、固態(tài)存儲器驅(qū)動器等。在某些實施方案中，輔助存儲器426可以操作方式接納或可以其它方式配置以耦合到計算機(jī)可讀媒體428。舉例來說，計算機(jī)可讀媒體428可包含載運及/或使得可存取用于系統(tǒng)400中的裝置中的一者或一者以上的數(shù)據(jù)、代碼及/或指令的任一媒體。 在一個實施例中，舉例來說，系統(tǒng)400可包括一個或一個以上存儲器裝置，例如圖 2中所展示的存儲器裝置210。舉例來說，此存儲器裝置可包括一個或一個以上存儲器陣列及寫入狀態(tài)機(jī)215。系統(tǒng)400可包括用以載運R/B信號以指示編程操作是否為未決的R/ B信號線222及用以載運異步失敗信號以指示未決編程操作是否尚未能將信息寫入到一個或一個以上存儲器裝置210的至少一部分的失敗信號線225。系統(tǒng)400可進(jìn)一步包括用以接收R/B信號及失敗信號的存儲器控制器250以及用以托管一個或一個以上應(yīng)用程序及起始編程操作的處理器260。舉例來說，計算裝置404可包含輸入/輸出432。輸入/輸出432表示可為可配置以接受或以其它方式引入人類及/或機(jī)器輸入的一個或一個以上裝置或特征，及/或可為可配置以遞送或以其它方式提供人類及/或機(jī)器輸出的一個或一個以上裝置或特征。借助實例而非限制的方式，輸入/輸出裝置432可包含以操作方式配置的顯示器、揚聲器、鍵盤、 鼠標(biāo)、軌跡球、觸摸屏、數(shù)據(jù)端口等。盡管已圖解說明及描述了目前被視為實例性實施例的實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解可做出各種其它修改且可替代等效物，此并不背離所主張的標(biāo)的物。另外，可做出許多修改以使特定情形適于所主張的標(biāo)的物的教示內(nèi)容，此并不背離本文中所描述的中心概念。因此，打算所主張的標(biāo)的物不限于所揭示的特定實施例，而是此所主張的標(biāo)的物還可包含歸屬于所附權(quán)利要求書及其等效物的范圍內(nèi)的所有實施例。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包括維持第一信號以指示一個或一個以上存儲器陣列的未決編程操作；確定在所述未決編程操作期間所述一個或一個以上存儲器陣列中的至少一者的編程失敗事件；及產(chǎn)生電子信號以指示所述編程操作不成功。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述產(chǎn)生所述電子信號以指示所述編程操作不成功之后，轉(zhuǎn)變所述第一信號以指示所述一個或一個以上存儲器陣列的所述編程操作的結(jié)束。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或一個以上存儲器陣列包括相變存儲器 (PCM)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述不成功操作之后，即刻確定所述一個或一個以上存儲器陣列當(dāng)中的哪些存儲器陣列產(chǎn)生了所述編程失敗事件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述產(chǎn)生所述電子信號以指示所述編程操作不成功之前，施加錯誤校正碼(ECC)以嘗試校正產(chǎn)生了所述編程失敗事件的一個或一個以上錯誤。
6.一種存儲器裝置，其包括一個或一個以上存儲器陣列；及就緒/繁忙(R/B)信號線，其用以載運R/B信號以指示寫入操作是否為未決的；及失敗信號線，其用以載運失敗信號以指示所述未決寫入操作是否尚未能將信息寫入到所述一個或一個以上存儲器陣列的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述R/B信號線及所述失敗信號線連接到所述一個或一個以上存儲器陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其進(jìn)一步包括用以分別從所述R/B信號線及所述失敗信號線接收所述R/B信號及所述失敗信號的存儲器控制器。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其進(jìn)一步包括用以分別從所述R/B信號線及所述失敗信號線接收所述R/B信號及所述失敗信號的處理器。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其進(jìn)一步包括與所述一個或一個以上存儲器陣列相關(guān)聯(lián)的狀態(tài)機(jī)，其中所述狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生所述失敗信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述一個或一個以上存儲器陣列包括相變存儲器(PCM)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其進(jìn)一步包括用以嘗試在產(chǎn)生所述失敗信號之前校正一個或一個以上寫入錯誤的錯誤校正碼(ECC)部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述R/B信號及所述失敗信號包括開漏信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述一個或一個以上存儲器陣列布置成若干群組，所述群組具有共用芯片選擇線以為所述寫入操作選擇所述一個或一個以上存儲器陣列。
15.一種系統(tǒng)，其包括存儲器裝置，其包括一個或一個以上存儲器陣列；及就緒/繁忙(R/B)信號線，其用以載運R/B信號以指示寫入操作是否為未決的；及失敗信號線，其用以載運失敗信號以指示所述未決寫入操作是否尚未能將信息寫入到所述一個或一個以上存儲器陣列的至少一部分；存儲器控制器，其用以接收所述R/B信號及所述失敗信號；及處理器，其用以托管一個或一個以上應(yīng)用程序及起始所述寫入操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，所述處理器與所述存儲器控制器并行地接收所述R/ B信號及所述失敗信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括與所述一個或一個以上存儲器陣列相關(guān)聯(lián)的狀態(tài)機(jī)，其中所述狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生所述失敗信號。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用以嘗試在產(chǎn)生所述失敗信號之前校正一個或一個以上寫入錯誤的錯誤校正碼(ECC)部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述一個或一個以上存儲器陣列包括相變存儲器(PCM)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述一個或一個以上存儲器陣列布置成若干群組，所述群組具有共用芯片選擇線以為所述寫入操作選擇所述一個或一個以上存儲器陣列。
全文摘要
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置及一種操作所述存儲器裝置的方法。
文檔編號G11C16/10GK102324251SQ20111011361
公開日2012年1月18日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月29日
發(fā)明者克里斯·比布, 普爾納·卡利 申請人:美光科技公司