一種存儲(chǔ)器編程方法和系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲(chǔ)器編程方法和一種存儲(chǔ)器編程系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。
[0003]在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作時(shí)，為滿足編程需求通常需要使用較高的編程電壓，但是一般存儲(chǔ)器的電源電壓所提供的電壓強(qiáng)度較低，無法滿足對(duì)存儲(chǔ)器的編程需求。因此，通常會(huì)在存儲(chǔ)器內(nèi)部設(shè)置升壓電路以將電源電壓提供的電壓強(qiáng)度升高至對(duì)存儲(chǔ)器編程時(shí)所需要的電壓。目前的升壓電路普遍采用電荷泵(charge pump)，電荷泵的升壓電路中包括多個(gè)電容和多個(gè)二極管，通過兩相時(shí)鐘信號(hào)控制電荷傳輸?shù)礁鱾€(gè)電容上，電荷的累積使得電荷泵的輸出電壓強(qiáng)度升高，升高后的電壓即可滿足對(duì)存儲(chǔ)器的編程需求。
[0004]隨著存儲(chǔ)器的發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器編程速度的要求也在不斷提高，為了提高編程速度，可以采用多字節(jié)同時(shí)編程的方式，即同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器中的多字節(jié)存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作。但是要實(shí)現(xiàn)多字節(jié)同時(shí)編程，則需要強(qiáng)度(強(qiáng)度指的是提供電流的能力)更高的編程電壓。針對(duì)上述問題，目前的技術(shù)中通常是增大存儲(chǔ)器內(nèi)部電荷泵的能量，提高電荷泵提供電流的能力，例如，增加電荷泵中電容和二極管數(shù)量，使得電荷累積更多。
[0005]但是，上述方法中增加電荷泵中電容和二極管數(shù)量，將會(huì)占用更大的存儲(chǔ)器面積，從而增加存儲(chǔ)器的成本，甚至影響存儲(chǔ)器內(nèi)其他器件的使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器編程方法和系統(tǒng)，以解決在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行多字節(jié)同時(shí)編程時(shí)，增加電荷泵中電容和二極管數(shù)量，導(dǎo)致占用更大的存儲(chǔ)器面積，增加存儲(chǔ)器的成本，甚至影響存儲(chǔ)器內(nèi)其他器件使用的問題。
[0007]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器編程方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器外接有預(yù)先設(shè)置的外部電源轉(zhuǎn)接板，所述存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，
[0008]所述方法包括:
[0009]所述存儲(chǔ)器在接收到編程指令后，確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元；
[0010]所述存儲(chǔ)器向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送針對(duì)所述編程指令生成的編程使能信號(hào);
[0011 ] 所述存儲(chǔ)器接收所述外部電源轉(zhuǎn)接板在接收到所述編程使能信號(hào)之后輸出的，與所述編程使能信號(hào)相對(duì)應(yīng)的編程電壓；
[0012]所述存儲(chǔ)器將所述編程電壓施加到所述多字節(jié)存儲(chǔ)單元的漏極，對(duì)所述多字節(jié)存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作。
[0013]優(yōu)選地，所述編程指令包括編程數(shù)據(jù)，所述存儲(chǔ)器上設(shè)有第一接口，所述外部電源轉(zhuǎn)接板上設(shè)有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相連接，
[0014]所述存儲(chǔ)器向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送針對(duì)所述編程指令生成的編程使能信號(hào)的步驟包括:
[0015]所述存儲(chǔ)器獲取所述編程數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，并根據(jù)預(yù)先設(shè)置的字節(jié)數(shù)與漏極編程電壓強(qiáng)度的映射關(guān)系確定與所述字節(jié)數(shù)對(duì)應(yīng)的漏極編程電壓強(qiáng)度，將所述漏極編程電壓強(qiáng)度確定為對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作所需的漏極編程電壓強(qiáng)度；
[0016]所述存儲(chǔ)器生成包括所述漏極編程電壓強(qiáng)度的編程使能信號(hào)，并通過所述第一接口和所述第二接口向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送所述編程使能信號(hào)。
[0017]優(yōu)選地，所述外部電源轉(zhuǎn)接板的輸出電壓包括多個(gè)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓，每個(gè)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓分別具有自身對(duì)應(yīng)的開關(guān)，
[0018]所述編程電壓通過如下方式輸出:
[0019]所述外部電源轉(zhuǎn)接板確定所述漏極編程電壓強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓，并開啟所述級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓所對(duì)應(yīng)的開關(guān)，將所述級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓輸出至所述存儲(chǔ)器。
[0020]優(yōu)選地，所述編程指令中包括編程起始地址和編程數(shù)據(jù)，
[0021]所述確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元的步驟包括:
[0022]所述存儲(chǔ)器將所述編程起始地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元確定為當(dāng)前存儲(chǔ)單元，將所述編程數(shù)據(jù)的第一個(gè)比特確定為當(dāng)前比特；
[0023]所述存儲(chǔ)器將當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)與當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)；
[0024]如果所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)為邏輯1，所述當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)為邏輯0，則所述存儲(chǔ)器確定所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元為需要被執(zhí)行編程操作的存儲(chǔ)單元；
[0025]將下一個(gè)存儲(chǔ)單元確定為當(dāng)前存儲(chǔ)單元，將下一個(gè)比特確定為當(dāng)前比特，并返回所述將當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)與當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)的步驟，直至所述編程數(shù)據(jù)的所有比特全部比對(duì)完為止。
[0026]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)器還包括靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM，
[0027]在所述確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元的步驟之前，還包括:
[0028]所述存儲(chǔ)器將所述編程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述SRAM ；
[0029]所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)為所述存儲(chǔ)器從所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)，所述當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)為所述存儲(chǔ)器從所述SRAM讀出的數(shù)據(jù)。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還公開了一種存儲(chǔ)器編程系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器外接有預(yù)先設(shè)置的外部電源轉(zhuǎn)接板，所述存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，
[0031]所述系統(tǒng)包括:
[0032]確定模塊，用于在接收到編程指令后，確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元；
[0033]發(fā)送模塊，用于向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送針對(duì)所述編程指令生成的編程使能信號(hào);
[0034]接收模塊，用于接收所述外部電源轉(zhuǎn)接板在接收到所述編程使能信號(hào)之后輸出的，與所述編程使能信號(hào)相對(duì)應(yīng)的編程電壓；
[0035]編程模塊，用于將所述編程電壓施加到所述多字節(jié)存儲(chǔ)單元的漏極，對(duì)所述多字節(jié)存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作。
[0036]優(yōu)選地，所述編程指令包括編程數(shù)據(jù)，所述存儲(chǔ)器上設(shè)有第一接口，所述外部電源轉(zhuǎn)接板上設(shè)有第二接口，所述第一接口和所述第二接口相連接，
[0037]所述發(fā)送模塊包括:
[0038]確定子模塊，用于獲取所述編程數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，并根據(jù)預(yù)先設(shè)置的字節(jié)數(shù)與漏極編程電壓強(qiáng)度的映射關(guān)系確定與所述字節(jié)數(shù)對(duì)應(yīng)的漏極編程電壓強(qiáng)度，將所述漏極編程電壓強(qiáng)度確定為對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作所需的漏極編程電壓強(qiáng)度；
[0039]發(fā)送子模塊，用于生成包括所述漏極編程電壓強(qiáng)度的編程使能信號(hào)，并通過所述第一接口和所述第二接口向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送所述編程使能信號(hào)。
[0040]優(yōu)選地，所述外部電源轉(zhuǎn)接板的輸出電壓包括多個(gè)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓，每個(gè)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓分別具有自身對(duì)應(yīng)的開關(guān)，
[0041]所述編程電壓通過如下方式輸出:
[0042]所述外部電源轉(zhuǎn)接板確定所述漏極編程電壓強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓，并開啟所述級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓所對(duì)應(yīng)的開關(guān)，將所述級(jí)別強(qiáng)度的編程電壓輸出至所述存儲(chǔ)器。
[0043]優(yōu)選地，所述編程指令中包括編程起始地址和編程數(shù)據(jù)，
[0044]所述確定模塊包括:
[0045]第一確定子模塊，用于將所述編程起始地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元確定為當(dāng)前存儲(chǔ)單元，將所述編程數(shù)據(jù)的第一個(gè)比特確定為當(dāng)前比特；
[0046]比對(duì)子模塊，用于將當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)與當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)；
[0047]第二確定子模塊，用于在所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)為邏輯1，所述當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)為邏輯O時(shí)，確定所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元為需要被執(zhí)行編程操作的存儲(chǔ)單元；
[0048]第三確定子模塊，用于將下一個(gè)存儲(chǔ)單元確定為當(dāng)前存儲(chǔ)單元，將下一個(gè)比特確定為當(dāng)前比特，并調(diào)用所述比對(duì)子模塊，直至所述編程數(shù)據(jù)的所有比特全部比對(duì)完為止。
[0049]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)器還包括靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM，
[0050]所述系統(tǒng)還包括:
[0051]存儲(chǔ)模塊，用于在所述確定模塊確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元之前，將所述編程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述SRAM ；
[0052]所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)為所述存儲(chǔ)器從所述當(dāng)前存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)，所述當(dāng)前比特的數(shù)據(jù)為所述存儲(chǔ)器從所述SRAM讀出的數(shù)據(jù)。
[0053]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0054]本發(fā)明中可以預(yù)先設(shè)置一外部電源轉(zhuǎn)接板，然后將該外部電源轉(zhuǎn)接板外接于存儲(chǔ)器上，當(dāng)存儲(chǔ)器在接收到編程指令后，可以確定所述編程指令對(duì)應(yīng)的，需要被執(zhí)行編程操作的多字節(jié)存儲(chǔ)單元，并向所述外部電源轉(zhuǎn)接板發(fā)送針對(duì)所述編程指令生成的編程使能信號(hào)；外部電源轉(zhuǎn)接板可以輸出