專利名稱：物鏡驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種物鏡驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
公知有一種驅(qū)動(dòng)用于使信息的記錄或再現(xiàn)用的激光會(huì)聚在 光盤(pán)的信號(hào)記錄面的物鏡的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置。在上述記錄或再現(xiàn) 時(shí)，需要使激光在相對(duì)于光盤(pán)的軌跡聚焦的同時(shí)追隨該軌跡。 因此，物鏡驅(qū)動(dòng)裝置可以沿與光盤(pán)的盤(pán)面垂直的調(diào)焦方向、及 在盤(pán)面上與軌跡垂直的循跡方向(光盤(pán)的徑向方向)驅(qū)動(dòng)物鏡。 由此，可校正激光的離焦及脫軌(調(diào)焦控制及循跡控制)。另夕卜， 物鏡驅(qū)動(dòng)裝置例如是對(duì)光盤(pán)記錄或再現(xiàn)信息的光盤(pán)裝置的 一 部 分。
但是，公知有 一種可沿上述調(diào)焦方向及循跡方向驅(qū)動(dòng)物鏡
的2軸物鏡驅(qū)動(dòng)裝置(例如參照專利文獻(xiàn)l)。
下面，參照?qǐng)D6 A及圖6 B說(shuō)明物鏡驅(qū)動(dòng)裝置91的構(gòu)成例子。 另外，圖6A是物鏡驅(qū)動(dòng)裝置91所具有的物鏡保持架910及磁鐵 96的俯視圖，圖6B是這些物鏡保持架910及磁鐵96的側(cè)視圖。
圖6 A及圖6 B所例示的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置91包括在循跡方向上 呈縱長(zhǎng)的大致長(zhǎng)方體形狀的物鏡保持架910。該物鏡保持架910 例如在大致長(zhǎng)方體形狀的主體的循跡方向的中央部保持物鏡 OBL，在該主體的循跡方向的兩端部各具有一個(gè)調(diào)焦線圏920, 共計(jì)有2個(gè)調(diào)焦線圈920;并在該主體的兩端部的兩側(cè)面各具有 2個(gè)的循跡線圏930,共計(jì)有4個(gè)循跡線圈930。在此，將調(diào)焦線 圏920的巻軸作為調(diào)焦方向，將循跡線圈930的巻軸作為切線方 向(上述軌跡的切線方向)。另外，物鏡保持架910利用規(guī)定的支承部件支承在規(guī)定的基臺(tái)上，但為了便于圖示，省略該基臺(tái) 和支承部件等。
如圖6 A及圖6 B所示，例如2個(gè)磁輒9 5以分別被2個(gè)調(diào)焦線 圏920圍繞的方式突出設(shè)置在基臺(tái)(未圖示)上。另外，4個(gè)單 極的磁鐵9 6以分別與4個(gè)循跡線圏9 3 0的循跡方向上的 一 部分 相面對(duì)的方式固定設(shè)置在基臺(tái)上。另外，在該圖中，磁鐵96的 與物鏡保持架910相面對(duì)的面例如全部祐:》茲化為N極。
在調(diào)焦控制的情況下，例如沿圖6A的箭頭所示的逆時(shí)針?lè)?向?qū)Ω髡{(diào)焦線圏920供給電流時(shí)，在磁鐵96與磁軛95之間的磁 場(chǎng)下對(duì)該各調(diào)焦線圏920施加調(diào)焦方向+側(cè)(安裝于未圖示的 轉(zhuǎn)臺(tái)的未圖示的光盤(pán)側(cè))的力，因此，物鏡保持架910向同方 向同側(cè)移動(dòng)。
在循跡控制的情況下，例如沿圖6 A及圖6 B的箭頭所示的方 向?qū)Ω餮E線圏930供給電流時(shí)，在磁鐵96與磁軛95之間的磁 場(chǎng)下對(duì)該各循跡線圏930施加循跡方向+側(cè)的力，因此，物鏡 保持架910向同方向同側(cè)移動(dòng)(日本特開(kāi)2006 - 260704號(hào)公 報(bào))。
如圖6B所示，上述循跡線圏930和磁鐵96為了對(duì)該循跡線 圏930施加循跡控制用的有效的力，不在循跡方向上完全相面 對(duì)地配置。即，在磁鐵96與磁軛95之間的磁場(chǎng)下，例如對(duì)在構(gòu) 成呈大致矩形的循跡線圈930的一對(duì)邊a、 b中的一條邊b中流動(dòng) 的電流施加循跡方向上的力Fl，但々支如在另 一條邊a也處于同 樣的磁場(chǎng)下的情況下，對(duì)在該邊a中流動(dòng)的電流施加與循跡方 向的上述F1方向反向的力，結(jié)果導(dǎo)致2個(gè)力相抵消。為了避免 這種情況，邊a成為不與磁鐵96相對(duì)的配置結(jié)構(gòu)，由此，在循 跡方向上作用于循跡線圏930的力僅主要為F1。這樣，幾乎不 會(huì)對(duì)在循跡線圈930的邊a中流動(dòng)的電流施力，不能說(shuō)將在該循跡線圏930中流動(dòng)的電流十分有效地應(yīng)用于循跡控制，因此， 難以提高循跡控制的靈敏度。結(jié)果，這一點(diǎn)有可能導(dǎo)致光拾取 裝置的記錄再現(xiàn)特性提高不充分。
另外，如圖6B所示，對(duì)在通過(guò)對(duì)調(diào)焦線圈920供給電流使 物鏡保持架910向調(diào)焦方向+側(cè)移動(dòng)而使循跡線圈930的一部 分自磁鐵96露出的狀態(tài)下，進(jìn)一步對(duì)循跡控制的情況進(jìn)行說(shuō) 明。首先，關(guān)于構(gòu)成循跡方向+側(cè)的循跡線圈930的一對(duì)邊c、 d,對(duì)在與^H失96相對(duì)的一條邊d中流動(dòng)的電流向調(diào)焦方向+側(cè) 施加力F2，但由于另一條邊c不與磁鐵96相對(duì)，因此，幾乎不 會(huì)對(duì)在該邊c中流動(dòng)的電流施力。另一方面，對(duì)于構(gòu)成循跡方向 -側(cè)的循跡線圈930的一對(duì)邊c、 d，對(duì)在與》茲鐵96相對(duì)的一條 邊d中流動(dòng)的電流向調(diào)焦方向-側(cè)(與光盤(pán)的相反側(cè))施加力 F2,但由于另 一條邊c不與磁鐵96相對(duì)，因此，幾乎不會(huì)對(duì)在 該邊c中流動(dòng)的電流施力。以上，對(duì)循跡方向+側(cè)的2個(gè)循跡線 圏930向光盤(pán)側(cè)施加力F2，而對(duì)循跡方向-側(cè)的2個(gè)循跡線圈 930的與光盤(pán)的相反側(cè)施加力F2，因此，會(huì)對(duì)物鏡保持架910 施加圖6B中的逆時(shí)針?lè)较虻牧?。在施加這樣的力矩而使物鏡 保持架910橫搖時(shí)，有可能在物鏡OBL中產(chǎn)生彗差而導(dǎo)致光拾 取裝置的記錄再現(xiàn)特性惡化。另外，存在越使光拾取裝置沿調(diào) 焦方向薄型化，上述循跡線圏930的一部分自磁鐵96露出的現(xiàn) 象越明顯的傾向。因此，會(huì)形成光拾取裝置的薄型化與其記錄 再現(xiàn)特性的維持、提高相反的狀況。
并且，如圖6A所示， 一對(duì)磁鐵96根據(jù)其與上述循跡線圏930 的關(guān)系，在切線方向上配置為在循跡方向上不完全夾著調(diào)焦線 圏920。即，在磁鐵96與磁軛95之間的磁場(chǎng)下，在構(gòu)成呈大致 矩形狀的調(diào)焦線圈920的一對(duì)邊中，沿調(diào)焦方向?qū)υ赹U茲4失96 夾著的部分e中流動(dòng)的電流施力，但幾乎不對(duì)未被磁鐵96夾著的部分f中流動(dòng)的電流施力。另 一方面，公知有該物鏡保持架910 所固有的高次彎曲振動(dòng)模式的駐波的波腹通常位于在物鏡保持 架910的循跡方向的兩端。因此，在沿調(diào)焦方向未對(duì)靠近該兩 端的上述f部分施加規(guī)定朝向的力的情況下，難以抑制在調(diào)焦控 制時(shí)激發(fā)的高次共振。在這種情況下，有可能因物鏡OBL的高 次共振而使光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置包括基臺(tái)、物鏡保 持架和第1 第4磁鐵；上述基臺(tái)與光盤(pán)的信號(hào)面相面對(duì)；上述 物鏡保持架具有物鏡、隔著上述物鏡而沿上述光盤(pán)的循跡方向 配置的第l及第2調(diào)焦線圏、隔著上述第l調(diào)焦線圈而沿上述光 盤(pán)的切線方向配置的第l及第2循跡線圈、隔著上述第2調(diào)焦線 圏而沿上述切線方向配置的第3及第4循跡線圏，以可沿上述調(diào) 焦方向及上述循跡方向移動(dòng)的方式支承在上述基臺(tái)上；上述第 1~第4磁鐵在上述切線方向上分別與上述第1 ~第4循跡線圈 相面對(duì)地配置在上述基臺(tái)上；上述第1及第2磁鐵具有沿上述循 跡方向被極化的兩極，兩極在上述循跡方向上相對(duì)于上述第1 調(diào)焦線圈的磁化寬度不同。
根據(jù)附圖及本說(shuō)明書(shū)的記載明確本發(fā)明的其他特征。


為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，發(fā)明人參照附圖進(jìn)行 以下說(shuō)明。
圖l是本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置的立體圖。 圖2A是循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架及磁鐵的俯 視圖。圖2B是循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架及磁鐵的側(cè) 視圖。
圖3A是調(diào)焦控制及循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架 及磁鐵的俯視圖。
圖3B是調(diào)焦控制及循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架 及磁鐵的側(cè)^見(jiàn)圖。
圖4A是調(diào)焦控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架及磁鐵的俯 視圖。
圖4B是調(diào)焦控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架及磁鐵的側(cè) 視圖。
圖5是表示本實(shí)施方式的調(diào)焦線圈的有效電磁力分布例子 的直方圖。
圖6A是物鏡驅(qū)動(dòng)裝置所具有的物鏡保持架及磁鐵的俯視圖。
圖6 B是物鏡驅(qū)動(dòng)裝置所具有的物鏡保持架及磁鐵的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本說(shuō)明書(shū)及附圖的記載至少明確以下事項(xiàng)。 物鏡驅(qū)動(dòng)裝置的構(gòu)造
參照?qǐng)Dl說(shuō)明本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l的構(gòu)成例子。另 外，該圖是本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l的立體圖。
本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l包括基臺(tái)2、物鏡保持架IO、 磁鐵6a和磁鐵6b;上述物鏡保持架IO保持物鏡OBL，并具有2 個(gè)調(diào)焦線圏20及4個(gè)循跡線圏30;上述石茲4失6a在切線方向上成 對(duì)，以?shī)A著調(diào)焦線圏20在循跡方向上的OBL側(cè)的部分的方式配 置在基臺(tái)2上；上述磁鐵6b在切線方向上成對(duì)，以?shī)A著調(diào)焦線圈20在循跡方向上的與OBL相反側(cè)的部分的方式配置在基臺(tái)2上。
在此，在本實(shí)施方式中，與被上述一對(duì)磁鐵6b夾著的調(diào)焦 線圈20在循跡方向上的與OBL相反側(cè)的部分相比，被上述一對(duì) 磁鐵6a夾著的調(diào)焦線圏20在循跡方向上的BOL側(cè)的部分被設(shè) 定得更長(zhǎng)。即，與一對(duì)磁鐵6b相對(duì)于調(diào)焦線圈20在循跡方向上 的磁化寬度相比， 一 對(duì)磁鐵6 a相對(duì)于調(diào)焦線圈2 0在循跡方向上 的磁化寬度被設(shè)定得更寬。另外，在本實(shí)施方式中， 一對(duì)磁鐵 6a的相面對(duì)的面被全部磁化為相同的極， 一對(duì)磁鐵6b的相面對(duì) 的面全部相同，但被磁化為與上述磁鐵6a的極不同的極。
基臺(tái)2是與安裝于轉(zhuǎn)臺(tái)(未圖示)的光盤(pán)(未圖示)的信 號(hào)記錄面相面對(duì)的、呈板形狀的金屬制的臺(tái)。該基臺(tái)2包括由 于固定設(shè)置合計(jì)4個(gè)磁鐵6a和合計(jì)4個(gè)磁鐵6b的磁軛(未圖示)， 并且包括后述的2個(gè)磁軛5和用于固定后述的彈性線7的 一 端的 固定板3。該彈性線7用于支承物鏡保持架IO。另外，該基臺(tái)2 在與物鏡保持架IO的底面相面對(duì)的部分形成有呈可圍繞該物 鏡保持架10的底面部的形狀的開(kāi)口部4。另外，在本實(shí)施方式 中，上述的未圖示的^茲軛、2個(gè)^茲軛5和固定々反3可通過(guò)彎折構(gòu) 成基臺(tái)2的金屬制的板的 一 部分而形成。
物鏡保持架10例如包括在循跡方向上呈縱長(zhǎng)的大致長(zhǎng)方 體形狀的樹(shù)脂制的主體，在該主體的循跡方向的中央部保持物 鏡OBL，在該主體的循跡方向的兩端部各具有l(wèi)個(gè)調(diào)焦線圏20, 共計(jì)有2個(gè)調(diào)焦線圈2 0;并在該主體的兩端部的兩側(cè)面各具有2 個(gè)循跡線圈30,共計(jì)有4個(gè)循跡線圈30。在此，將大致呈矩形 狀的調(diào)焦線圏20的巻軸作為調(diào)焦方向，將大致呈矩形狀的循跡 線圈30的巻軸作為切線方向。
在切線方向上成對(duì)的磁鐵6a以如上所述地夾著調(diào)焦線圏20在循跡方向上的OBL側(cè)的部分、且分別與夾著該調(diào)焦線圈20 的 一 對(duì)循跡線圏30在循跡方向上的OBL側(cè)的部分相面對(duì)的方 式固定設(shè)置在基臺(tái)2上。
在切線方向上成對(duì)的磁鐵6 b以如上所述地夾著調(diào)焦線圈 2 0在循跡方向上的與0 B L相反側(cè)的部分、且分別與夾著該調(diào)焦 線圈20的 一對(duì)循跡線圈30在循跡方向上的與OBL相反側(cè)的部 分相面對(duì)的方式固定設(shè)置在基臺(tái)2上。
在本實(shí)施方式中，分別與4個(gè)循跡線圏相面對(duì)的磁鐵6a及 磁鐵6b在循跡方向上空開(kāi)規(guī)定較小間隔而作為》茲鐵6固定設(shè)置 在基臺(tái)2上。該磁鐵6所占的循跡方向上的寬度被設(shè)定為，在進(jìn) 行后述的循跡控制時(shí)循跡線圏30不會(huì)在循跡方向上露出。
另外，在本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，在基臺(tái)2上沿調(diào) 焦方向延伸的2個(gè)磁軛5分別被2個(gè)調(diào)焦線圈20圍繞。
并且，在本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中， 一端固定于基 臺(tái)2上的固定板3的彈性線7的另 一 端固定于支承構(gòu)件11 ，該支 承構(gòu)件11設(shè)置在物鏡保持架10的沿著切線方向的兩側(cè)面。另 外，在圖l的例示中，上述兩側(cè)面分別包括3個(gè)支承構(gòu)件11， 3 根彈性線7的另 一端分別固定于該3個(gè)支承構(gòu)件11。這些合計(jì)6 根的彈性線7還兼有用于分別向2個(gè)調(diào)焦線圈2 0及4個(gè)循跡線圏 30供給電流的功能。
通過(guò)上述構(gòu)造，在磁鐵6與磁軛5之間的磁場(chǎng)下經(jīng)過(guò)彈性線 7向調(diào)焦線圏20及循跡線圏30供給規(guī)定的電流，借助該彈性線7 支承在固定板3上的物鏡保持架10可沿調(diào)焦方向及循跡方向移 動(dòng)。
另外，在本實(shí)施方式中，循跡方向+側(cè)的調(diào)焦線圏20對(duì)應(yīng) 于第l調(diào)焦線圏，循跡方向-側(cè)的調(diào)焦線圏20對(duì)應(yīng)于第2調(diào)焦線 圈。在此，被循跡方向+側(cè)的調(diào)焦線圈20圍繞的石茲輒5對(duì)應(yīng)于第l磁輒，被循跡方向-側(cè)的調(diào)焦線圈20圍繞的磁軛5對(duì)應(yīng)于第 2磁軛。
另外，在本實(shí)施方式中，循跡方向+側(cè)且切線方向-側(cè)的 循跡線圈30對(duì)應(yīng)于第1循跡線圏，并且同方向同側(cè)的》茲鐵6 ( J茲 鐵6a及磁鐵6b)對(duì)應(yīng)于第l磁鐵。
另外，在本實(shí)施方式中，循跡方向+側(cè)且切線方向+側(cè)的 循跡線圈30對(duì)應(yīng)于第2循跡線圈，并且同方向同側(cè)的磁鐵6 (磁 鐵6a及磁鐵6b)對(duì)應(yīng)于第2磁鐵。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，循跡方向-側(cè)且切線方向-側(cè)的 循跡線圏30對(duì)應(yīng)于第3循跡線圏，并且同方向同側(cè)的磁鐵6 (f茲 鐵6a及》茲4失6b)對(duì)應(yīng)于第3磁鐵。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，循跡方向-側(cè)且切線方向+側(cè)的 循跡線圏30對(duì)應(yīng)于第4循跡線圈，并且同方向同側(cè)的》茲鐵6 (f茲 鐵6a及磁鐵6b)對(duì)應(yīng)于第4磁鐵。
物鏡驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)作
參照?qǐng)D2 A ~圖5說(shuō)明本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置1的動(dòng)作 例子。另外，圖2A是循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架IO 及磁鐵6的俯視圖，圖2B是這些物鏡保持架10及磁鐵6的側(cè)視 圖。圖3A是調(diào)焦控制及循跡控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架10 及磁鐵6的俯視圖，圖3B是這些物鏡保持架10及磁鐵6的側(cè)視 圖。圖4A是調(diào)焦控制時(shí)本實(shí)施方式的物鏡保持架10及磁鐵6的 俯視圖，圖4B是這些物鏡保持架10及磁鐵6的側(cè)視圖。圖5是表 示本實(shí)施方式的調(diào)焦線圏20的有效電磁力分布例子的直方圖。
在此，在圖2A 圖4B的例示中，磁鐵6a中的與物鏡保持 架10相面對(duì)的面例如被全部磁化為N極，磁鐵6b中的與物鏡保 持架IO相面對(duì)的面例如被全部磁化為S極。
循跡控制時(shí)如圖2A所例示，在磁鐵6a與磁輒5之間形成有由自磁鐵6a 朝向磁軛5的磁力線B表示的磁場(chǎng)。另一方面，在磁鐵6b與磁輒 5之間形成有由自f茲軛5朝向,茲鐵6b的,茲力線B表示的磁場(chǎng)。在 這樣的磁場(chǎng)下，例如使物鏡保持架10向循跡方向+側(cè)移動(dòng)時(shí)， 可沿箭頭所示的朝向?qū)Ω餮E線圏30供給電流i。
如圖2B所示，分別對(duì)循跡線圏30中的一對(duì)調(diào)焦方向上的邊 施加力F及力F，。在此，力F是在形成于磁鐵6a與磁軛5之間的 磁場(chǎng)下作用于電流i的勞倫茲力，力F，是在形成于磁鐵6b與磁 輒5之間的》茲場(chǎng)下作用于電流i的勞倫茲力。另外，在本實(shí)施方 式中，該合成力(F+F，)在各循跡線圈30中均等地產(chǎn)生。
這樣，通過(guò)使磁性互不相同的磁鐵6a及磁鐵6b與循跡線圏 30的一對(duì)調(diào)焦方向上的邊中的一條邊和另 一條邊相面對(duì)，可以 使作用于兩條邊的力的方向統(tǒng)一到同一方向。另一方面，在上 述圖6A及圖6B所示的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置91中，幾乎未對(duì)在循跡線 圈930的一對(duì)調(diào)焦方向上的邊a、 b中的一條邊a中流動(dòng)的電流施 力。與此相比，在本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，在循跡線 圏30中流動(dòng)的電流可更有效地應(yīng)用于循跡控制。由此，循跡控 制的靈敏度升高，這會(huì)提高光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性。
調(diào)焦控制及循跡控制時(shí)
圖3A中例示的磁鐵6與磁軛5之間的磁場(chǎng)與上述圖2A中例 示的磁場(chǎng)相同。在這樣的磁場(chǎng)下對(duì)2個(gè)調(diào)焦線圏20供給規(guī)定的 電流時(shí)，對(duì)該2個(gè)調(diào)焦線圏20施加例如調(diào)焦方向+側(cè)(光盤(pán)側(cè)) 的力，物鏡保持架10向同方向同側(cè)移動(dòng)。
在利用調(diào)焦控制使物鏡保持架10向調(diào)焦方向+側(cè)移動(dòng)而 循跡線圈30的一部分自磁鐵6露出的狀態(tài)(圖3B)下，進(jìn)一步 進(jìn)對(duì)行循跡控制的情況進(jìn)行說(shuō)明。
例如使物鏡保持架10向循跡方向+側(cè)移動(dòng)時(shí)，可對(duì)各循跡線圈30供給箭頭所示的朝向的電流i。另外，該電流朝向與上述
圖2A及圖2B的情況相同。為了便于圖示，在圖3B中省略作用 于循跡線圈30的循跡方向上的力。
如圖3B所例示，幾乎未對(duì)在循跡線圈30的 一對(duì)循跡方向上 的邊中的自》茲鐵6露出的邊中流動(dòng)的電流施力，但對(duì)在與磁鐵6 相對(duì)的邊中流動(dòng)的電流施加與構(gòu)成i茲鐵6的磁鐵6a及磁鐵6b的 與其相對(duì)的面的極性相應(yīng)的力。具體地講，在各循跡線圈30中， 對(duì)與磁鐵6a的被磁化為N極的面相對(duì)的部分施加調(diào)焦方向上的 力F，而對(duì)磁鐵6b的被磁化為S極的面相對(duì)的部分施加沿調(diào)焦方 向與F反向的力F'。
這樣，在各循跡線圏30中，通過(guò)互相反向的力F及F，合成， 可降低調(diào)焦方向上的有效的力。另一方面，在上述圖6A及圖6B 所示的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置91中，對(duì)循跡方向+側(cè)的一對(duì)循跡線圏 930向調(diào)焦方向+側(cè)施加力F2，而對(duì)纟盾跡方向-側(cè)的一對(duì)循跡 線圏930向調(diào)焦方向-側(cè)(與光盤(pán)相反側(cè))施加力F2，因此， 對(duì)物鏡保持架910施加誘發(fā)橫搖的力矩。與此相比，在本實(shí)施 方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，可作用于各循跡線圏30的調(diào)焦方向 上的有效的力降低，因此，可抑制物鏡保持架10橫搖。由于隨 之可抑制物鏡OBL的彗差，因此，結(jié)果提高了光拾取裝置的記 錄再現(xiàn)特性。
另外，通常越使光拾取裝置沿調(diào)焦方向薄型化，循跡線圏 30的一部分自磁鐵6露出的現(xiàn)象(圖6B)越明顯，但采用本實(shí) 施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置1,可以在產(chǎn)生該現(xiàn)象時(shí)抑制物鏡保持 架10橫搖。因此，采用本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l,可以同
時(shí)維持并提高使光拾取裝置的薄型化與其記錄再現(xiàn)特性。 調(diào)焦控制時(shí)
圖4A中例示的磁鐵6與磁軛5之間的》茲場(chǎng)與上述圖2A及圖3A中例示的》茲場(chǎng)相同。在這樣的磁場(chǎng)下對(duì)2個(gè)調(diào)焦線圈20供給 規(guī)定的電流i時(shí)，對(duì)該2個(gè)調(diào)焦線圈2 0施加例如調(diào)焦方向上的力， 物鏡保持架10向同方向移動(dòng)。另外，圖4B的例示表示物鏡保持 架IO處于調(diào)焦方向上的平衡位置、即利用調(diào)焦控制即將移動(dòng)之 前的狀態(tài)。
在此，詳細(xì)說(shuō)明形成在磁鐵6與磁軛5之間的磁場(chǎng)的分布、 及在該磁場(chǎng)下作用于調(diào)焦線圈20中流動(dòng)的電流的洛倫茲力的 分布。
如上所述，在本實(shí)施方式中，與一對(duì)磁鐵6b相對(duì)于調(diào)焦線 圈20在循跡方向上的》茲化寬度相比， 一對(duì)^茲鐵6a相對(duì)于該調(diào)焦 線圈20在循跡方向上的磁化寬度被設(shè)定得更寬。由此，如圖4A 所例示，磁鐵6 a與磁軛5之間的磁場(chǎng)大于磁鐵6 b與磁軛5之間的 磁場(chǎng)。即，在該圖中，磁鐵6a與磁軛5之間的磁力線B的密度大 于磁鐵6b與》茲軛5之間的》茲力線B的密度。
在如圖4 A所例示地將調(diào)焦線圈2 0劃分為邊C1 ~ C 8這8個(gè) 的情況下，沿著循跡方向位于磁鐵6a側(cè)的邊Cl、 C2、 C3、 C4、 C8中的磁場(chǎng)大于沿著循跡方向位于磁鐵6b側(cè)的邊C5、 C6、 C7 中的磁場(chǎng)。在對(duì)調(diào)焦線圏20供給電流i時(shí)，對(duì)各邊C1至C8施加 與磁場(chǎng)的大小及朝向相應(yīng)的有效電；茲力，因此，作用于邊C1、 C2、 C3、 C4、 C8的有效電磁力平均大于作用于邊C5、 C6、 C7的有效電磁力，其朝向相反。在此，圖5表示對(duì)磁鐵6a及磁 鐵6b的形狀、頑磁力等、調(diào)焦線圈20的形狀和材質(zhì)等、對(duì)調(diào)焦 線圈20供給的電流、支承調(diào)焦線圈20的主體的導(dǎo)磁率等參數(shù)付 與規(guī)定值而計(jì)算作用于調(diào)焦線圏20的各邊C1 ~ C8的有效電磁 力的結(jié)果的一個(gè)例子。
如圖5所例示，作用于被 一 對(duì)磁鐵6 a的N極的面夾著且與該 面平行的邊C4及C8的有效電磁力在調(diào)焦方向+側(cè)的絕對(duì)值最大。另一方面，作用于被一對(duì)磁鐵6b的S極的面夾著且與該面 垂直的邊C6的有效電磁力在調(diào)焦方向-側(cè)的絕對(duì)值最小。作用 于被一對(duì)磁鐵6a的N極的面夾著且不與該面平行的邊Cl ~ C3 的有效電磁力的絕對(duì)值大于作用于被 一 對(duì)磁鐵6 b的S極的面夾 著且不與該面平行的邊C5 ~ C7的有效電石茲力的絕對(duì)值。
由以上可知，對(duì)調(diào)焦線圈20向調(diào)焦方向+側(cè)施加與邊C1、 C2、 C3、 C4、 C8的位置相對(duì)應(yīng)的各有效電磁力的合力、即力 F(圖4B)。另一方面，對(duì)該調(diào)焦線圈20向調(diào)焦方向-側(cè)施加與 邊C5、 C6、 C7的位置相對(duì)應(yīng)的各有效電磁力的合力、即力F， (圖4B)。在此，在與圖5所例示的有效電磁力的分布相對(duì)應(yīng)的 比率中，力F的絕對(duì)值大于力F，的絕對(duì)值。由此，可以抑制互 相反向的力F與力F，相抵消，因此，可以根據(jù)上述磁化寬度的 差異程度有效地進(jìn)行調(diào)焦控制。另外，如圖4B所例示，在本實(shí) 施方式中，分別對(duì)2個(gè)調(diào)焦線圏20施加以物鏡OBL為邊界對(duì)稱 的力。
另外，如圖4B所例示，通常，物鏡保持架10具有沿著循跡 方向在其兩端部具有波腹(圖4B中的Q1、 Q2)且在2個(gè)調(diào)焦線 圈20的OBL側(cè)附近具有波節(jié)(圖4B中的P1、 P2)的固有的高 次彎曲振動(dòng)模式(圖4B中的虛線)，在調(diào)焦控制時(shí)激發(fā)該模式 的情況下，物鏡保持架10產(chǎn)生高次共振。
在本實(shí)施方式中，力F作用于高次彎曲振動(dòng)模式的波節(jié)P1、 P2附近，因此，難以激發(fā)物鏡保持架10的高次共振。即使由力 F激發(fā)一定程度的高次振動(dòng)，由于對(duì)高次彎曲振動(dòng)模式的波腹 Ql、 Q2附近施加與力F反向且絕對(duì)值更小的力F，，因此，根據(jù) 下迷理由也可抑制激發(fā)高次振動(dòng)。即，用于對(duì)波腹Q1、 Q2施 加力F，而抑制由作用于波節(jié)P1、 P2附近的力F激發(fā)的一定程 度的高次共振的因子為波腹Q1、 Q2的振幅和與力F反向的力F'的絕對(duì)值之積。在本實(shí)施方式中，易于由波腹Q1、 Q2的振幅 較大的量、絕對(duì)值較小的力F，來(lái)抑制高次共振。
由以上可知，采用本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l,易于抑 制調(diào)焦控制時(shí)激發(fā)的物鏡保持架10的高次共振。即，由于可抑 制物鏡OBL的高次共振，因此提高了光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特 性。
記錄再現(xiàn)特性的提高
本實(shí)施方式的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l至少包括基臺(tái)2、物鏡保持架 10和4個(gè)磁鐵6;上述物鏡保持架10具有物鏡OBL、隔著物鏡 0 B L而沿光盤(pán)的循跡方向配置的2個(gè)調(diào)焦線圏2 0 、隔著循跡方 向+側(cè)的調(diào)焦線圈20而沿光盤(pán)的切線方向配置的2個(gè)循跡線圏 30、及隔著循跡方向-側(cè)的調(diào)焦線圏20而沿光盤(pán)的切線方向配 置的2個(gè)循跡線圈30,且上述物鏡保持架IO以可沿調(diào)焦方向及 循跡方向移動(dòng)的方式支承在基臺(tái)2上；上述4個(gè)磁鐵6在切線方 向上分別與4個(gè)循跡線圏30相面對(duì)地配置在基臺(tái)2上；循跡方向 一側(cè)(+側(cè)或-側(cè))的2個(gè)》茲鐵6具有在循跡方向上被極化的兩 極，且循跡方向上的兩才及相對(duì)于循跡方向 一 側(cè)的調(diào)焦線圈2 0的 磁化寬度不同即可。
采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置1,隔著調(diào)焦線圈20而沿切線方向配 置的 一 對(duì)循跡線圈3 0也可與該調(diào)焦線圏2 0的情況同樣地分別 與磁鐵6的循跡方向上的兩極相面對(duì)。由此，在循跡控制的情 況下，在各循跡線圏30中，可以使作用于在與磁鐵6的循跡方 向 一 側(cè)的 一及相面對(duì)的部分中流動(dòng)的電流的循跡方向上的力、與 作用于在與磁鐵6的循跡方向另 一側(cè)的極相面對(duì)的部分中流動(dòng) 的電流的循跡方向上的力的方向統(tǒng)一到同一方向。因此，在循 跡線圏30中流動(dòng)的電流可有效地應(yīng)用于循跡控制，因此，循跡 控制的靈敏度上升，這會(huì)提高光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性。另外，采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l,隔著調(diào)焦線圏20而沿切線 方向配置的 一 對(duì)循跡線圈30也可與該調(diào)焦線圈20的情況同樣 地分別與磁鐵6的循跡方向上的兩極相面對(duì)。由此，在利用調(diào) 焦控制使物鏡保持架10向調(diào)焦方向 一 側(cè)移動(dòng)而各循跡線圏3 0 的一部分自磁鐵6露出的狀態(tài)下進(jìn)一步進(jìn)行循跡控制時(shí)，在各 循跡線圈30中，可以使作用于與》茲鐵6的循跡方向一側(cè)的極相 面對(duì)的部分中流動(dòng)的電流的循跡方向上的力、與作用于與f茲纟失 6的循跡方向另 一側(cè)的才及相面對(duì)的部分中流動(dòng)的電流的循跡方 向上的力朝向相反的方向。因此，可減小形成誘發(fā)物鏡保持架 IO橫搖的力矩的調(diào)焦方向上的力，因此，可抑制物鏡保持架IO 橫搖。由于隨之可抑制物鏡OBL的彗差，因此，結(jié)果提高了光 拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性。
并且，采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l,由于兩極在循跡方向上相 對(duì)于調(diào)焦線圈20的磁化寬度不同，因此， 一個(gè)極在調(diào)焦線圈20 的循跡方向 一側(cè)所形成的磁場(chǎng)大小、與另 一個(gè)極在調(diào)焦線圈20 的循跡方向另 一側(cè)所形成的磁場(chǎng)大小因上述磁化寬度的差異而 不同。由此，可以抑制在上述2個(gè)^f茲場(chǎng)下分別作用于調(diào)焦線圈 20的調(diào)焦方向上的2個(gè)力相抵消，因此，可以根據(jù)上述磁化寬 度的差異程度有效地進(jìn)行調(diào)焦控制。另外，在上述循跡控制的 情況下，在原理上無(wú)論上述磁化寬度的差異程度如何都可以提 高該控制的靈敏度。因此，采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l，通過(guò)將上 述磁化寬度的差異程度設(shè)定為規(guī)定值，可以將調(diào)焦控制的靈敏 度維持在規(guī)定水平，并提高循跡控制的靈敏度。
由上述可提供一種提高了光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性的物 鏡驅(qū)動(dòng)裝置l。
另外，上述物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l還包括被以調(diào)焦方向?yàn)閹嗇S的 調(diào)焦線圏20圍繞地配置在基臺(tái)2上的磁軛5。采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝
17置1,形成在沿切線方向隔著調(diào)焦線圏20的 一對(duì)>磁鐵6與^f茲軛5 之間的磁場(chǎng)更大。即，由于在調(diào)焦線圏20及隔著該調(diào)焦線圈20 而沿著切線方向的 一對(duì)循跡線圏30的位置所形成的磁場(chǎng)更大， 因此，在該石茲場(chǎng)下作用于各線圈20、 30的力更大。因此，提高 了調(diào)焦控制及循跡控制的靈敏度。
另外，在上述物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，沿著切線方向的一對(duì)磁 鐵6的接近物鏡0 B L的極的磁化寬度大于其遠(yuǎn)離物鏡0 B L的極 的磁化寬度。采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l，根據(jù)上述磁化寬度的寬 度差異，來(lái)自接近物鏡0 B L的極的磁場(chǎng)大于遠(yuǎn)離物鏡0 B L的極 的磁場(chǎng)。隨之，在調(diào)焦線圏20中，作用于循跡方向上的OBL側(cè) 的調(diào)焦方向一側(cè)的力大于作用于循跡方向上的與OBL相反側(cè) 調(diào)焦方向另一側(cè)的力。在此，通常，循跡方向上OBL側(cè)對(duì)應(yīng)物 鏡保持架10的高次彎曲振動(dòng)模式的駐波的波節(jié)，循跡方向上的 與OBL相反一側(cè)對(duì)應(yīng)上述駐波的波腹。因此，采用該物鏡驅(qū)動(dòng) 裝置l,會(huì)對(duì)上述波腹的位置施加絕對(duì)值小于作用于上述波節(jié) 位置的力且朝向相反的調(diào)焦方向上的力，因此，易于抑制調(diào)焦 控制時(shí)激發(fā)的物鏡保持架10的高次共振。即，由于可抑制物鏡 OBL的高次共振，因此提高了光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性。
另外，在上述物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，沿著切線方向的一對(duì)磁 鐵6中的一邊是兩極分別被磁化的2個(gè)i茲4失6a、 6b，另一邊是兩 極分別被磁化的2個(gè)磁鐵6a、 6b。采用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l,由于 磁鐵6a與磁鐵6b是各自獨(dú)立的(分割磁鐵)，因此，例如僅針 對(duì) 一 邊做成保持力等不同的磁鐵這樣的設(shè)計(jì)變更變得容易。
另外，在上述物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，沿著切線方向的一對(duì)磁 鐵6在循跡方向上具有在物鏡保持架10沿循跡方向移動(dòng)時(shí)一對(duì) 循跡線圏30不會(huì)沿以切線方向?yàn)閹嗇S的同方向露出的寬度。采 用該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l，在循跡線圈30中流動(dòng)的電流可更有效地被應(yīng)用于循跡控制，因此，循跡控制的靈敏度進(jìn)一步提高，這 會(huì)進(jìn)一步提高光拾取裝置的記錄再現(xiàn)特性。
另外，在上述物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l中，全部4個(gè)磁鐵6具有在循 跡方向上被極化的兩極，兩極在循跡方向上相對(duì)于調(diào)焦線圈2 0 的磁化寬度不同。該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置l可以更有效地提高光拾取 裝置的記錄再現(xiàn)特性。
其他實(shí)施方式
以上，上述發(fā)明的實(shí)施方式是為了容易地理解本發(fā)明，并 不是為了限定本發(fā)明來(lái)進(jìn)行解釋。本發(fā)明可以在不脫離其主旨 的范圍內(nèi)進(jìn)行變更、改進(jìn)，并且本發(fā)明中包含其等同物。
在上述實(shí)施方式中，沿著切線方向的一對(duì)^H失6a的相對(duì)面 被磁化為N極，沿著切線方向的 一對(duì)磁鐵6b的相對(duì)面被磁化為S 極，但并不限定于此，例如也可以前者是S極而后者是N極。
在上述實(shí)施方式中，物鏡保持架10在基臺(tái)2上的支承部件 是彈性線7及固定板3，但并不限定于此，總之只要是用于使物 鏡保持架10可沿調(diào)焦方向及循跡方向移動(dòng)地支承在基臺(tái)2上的 部件即可。
在上述實(shí)施方式中，f茲《失6的循跡方向上的OBL側(cè)的f茲化 寬度大于其循跡方向上的與OBL相反一側(cè)的磁化寬度，但并不 限定于此，例如也可以是循跡方向上的與OBL相反 一 側(cè)的石茲 寬度大于循跡方向上的OBL側(cè)的磁化寬度。
在上述實(shí)施方式中，磁鐵6由單獨(dú)的磁鐵6a及單獨(dú)的磁鐵 6b構(gòu)成，但并不限定于此，例如也可以是將以^茲化邊界線為邊 界而在循跡方向上相鄰的2個(gè)區(qū)域》茲化為不同的極而成的一體 的兩核J茲纟失。
在上述實(shí)施方式中，磁鐵6在循跡方向上具有在物鏡保持 架10沿循跡方向移動(dòng)時(shí)與其相面對(duì)的循跡線圏30不會(huì)露出的寬度，但并不限定于此，也可以在循跡方向上具有在可以將循
跡控制的靈敏度維持在規(guī)定水平的范圍內(nèi)而循跡線圏30露出 的寬度。
在上述實(shí)施方式中，全部4個(gè)磁鐵6具有在循跡方向上被極 化的兩極且兩極在循跡方向上相對(duì)于調(diào)焦線圏2 0的磁化寬度 不同。Y旦并不限定于此，這樣的》茲《失6也可以<義是循跡方向一 側(cè)(-側(cè)或+側(cè))的2個(gè)》茲4失6。例如， <又是循跡方向+側(cè)的2
相對(duì)于循跡方向+側(cè)的調(diào)焦線圏20的磁化寬度不同，或者也可 以僅是循跡方向-側(cè)的2個(gè)磁鐵6具有在循跡方向上被極化的 兩極且兩極在循跡方向上相對(duì)于循跡方向-側(cè)的調(diào)焦線圈20 的磁化寬度不同。
本申請(qǐng)基于2008年3月24日申請(qǐng)的日本申請(qǐng)?zhí)卦?008 -076457主張優(yōu)先權(quán)，在本申請(qǐng)中引用其內(nèi)容。
權(quán)利要求
1. 一種物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，包括基臺(tái)，與光盤(pán)的信號(hào)面相面對(duì)；物鏡保持架，具有物鏡、隔著上述物鏡而沿上述光盤(pán)的循跡方向配置的第1及第2調(diào)焦線圈、隔著上述第1調(diào)焦線圈而沿上述光盤(pán)的切線方向配置的第1及第2循跡線圈、隔著上述第2調(diào)焦線圈而沿上述切線方向配置的第3及第4循跡線圈，該物鏡保持架以可沿上述光盤(pán)的調(diào)焦方向及上述循跡方向移動(dòng)的方式支承在上述基臺(tái)上；第1～第4磁鐵，在上述切線方向上分別與上述第1～第4循跡線圈相面對(duì)地配置在上述基臺(tái)上；上述第1及第2磁鐵具有沿上述循跡方向被極化的兩極，兩極在上述循跡方向上相對(duì)于上述第1調(diào)焦線圈的磁化寬度不同。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，還包括被以上述調(diào)焦方向?yàn)閹嗇S的上述第l調(diào)焦線圏圍繞地配置在上述基臺(tái)上的第l磁軛。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，第1及第2磁鐵的接近上述物鏡的極的磁化寬度大于遠(yuǎn)離上述物鏡的極的磁化寬度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述第1磁鐵是兩極分別被磁化的2個(gè)磁鐵；上述第2磁鐵是兩極分別被磁化的2個(gè)磁鐵。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述第l及第2磁鐵在上述循跡方向上具有在上述物鏡保持架沿上述循跡方向移動(dòng)時(shí)、以上述切線方向?yàn)閹嗇S的上述第l及第2循跡線圏不會(huì)露出的寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，第3及第4》茲鐵具有沿上述循跡方向被極化的兩極，兩極在上述循跡方向上相對(duì)于上述第2調(diào)焦線圏的磁化寬度不同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，還包括被以上述調(diào)焦方向?yàn)閹嗇S的上述第2調(diào)焦線圏圍繞地配置在上述基臺(tái)上的第2磁軛。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，第3及第4磁鐵的接近上述物鏡的極的磁化寬度大于遠(yuǎn)離上述物鏡的極的磁化寬度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述第3磁鐵是兩極分別被磁化的2個(gè)磁鐵；上述第4磁鐵是兩極分別被磁化的2個(gè)磁鐵。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的物鏡驅(qū)動(dòng)裝置，其中，上述第3及第4磁鐵在上述循跡方向上具有在上述物鏡保持架沿上述循跡方向移動(dòng)時(shí)、以上述切線方向?yàn)閹嗇S的上述第3及第4循跡線圏不會(huì)露出的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種物鏡驅(qū)動(dòng)裝置。該物鏡驅(qū)動(dòng)裝置包括基臺(tái)、物鏡保持架和第1～第4磁鐵；上述基臺(tái)2與光盤(pán)的信號(hào)面相面對(duì)；上述物鏡保持架具有物鏡、隔著上述物鏡而沿上述光盤(pán)的循跡方向配置的第1及第2調(diào)焦線圈、隔著上述第1調(diào)焦線圈而沿上述光盤(pán)的切線方向配置的第1及第2循跡線圈、隔著上述第2調(diào)焦線圈而沿上述切線方向配置的第3及第4循跡線圈，以可沿上述光盤(pán)的調(diào)焦方向及上述循跡方向移動(dòng)的方式支承在上述基臺(tái)上；上述第1～第4磁鐵在上述切線方向上分別與上述第1～第4循跡線圈相面對(duì)地配置在上述基臺(tái)上；上述第1及第2磁鐵具有沿上述循跡方向被極化的兩極，兩極在上述循跡方向上相對(duì)于上述第1調(diào)焦線圈的磁化寬度不同。
文檔編號(hào)G11B7/09GK101546568SQ20091011972
公開(kāi)日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月24日
發(fā)明者小野島昇, 松崎伸悟 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社