專利名稱：用于編程/擦除非易失性存儲器的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲器，尤其是，涉及一種用于編程/擦除非 易失性存儲器的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
能夠被多次編程和擦除的非易失性存儲器(NVM)常用于廣泛多 樣的應(yīng)用。通常，NVM具有在保障滿足數(shù)據(jù)保持規(guī)格(data retention specification)的同時可執(zhí)行的編程/擦除周期(cycle)的最大數(shù)量。


通過例子示出本發(fā)明，并且本發(fā)明不受附圖限制，在附圖中相同 的附圖標(biāo)記指示相同或相似的元件，并且其中-
圖1以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的集成電路； 圖2以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖1中的NVM
14;
圖3以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖2中的保持 能力/耐擦寫能力控制電路36、 37;
圖4以流程圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于編程/擦 除NVM的方法；和
圖5以流程圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在NVM中執(zhí) 行擦除過程75的方法。
本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，附圖中的元件是為了簡單且清楚而被 描述，并且沒必要按比例繪制。例如，在附圖中一些元件的尺寸可以 相對于其它元件被放大，以便于對本發(fā)明實施例的理解。
具體實施例方式
NVM單元的數(shù)據(jù)保持能力(retention)是一個時間量，在該時間 量期間，預(yù)定數(shù)據(jù)值將保持被適當(dāng)?shù)卮鎯?，從而可以從該NVM單元獲 取該數(shù)據(jù)值。NVM單元的耐擦寫能力(endurance)是在該NVM單元 的狀態(tài)不能再被可靠地改變之前可以執(zhí)行的編程/擦除周期的最大數(shù) 量。注意當(dāng)一個或多個NVM單元在測試期間或使用期間失效時，有多 種技術(shù)(例如冗余、錯誤校正碼等)可以被用來擴(kuò)充NVM陣列的抗毀 性(生存力)。
可以按任何期望的粒度對NVM進(jìn)行編程。盡管按字節(jié)對許多 NVM進(jìn)行編程，但替換的實施例可以按位、字、長字、扇區(qū)、塊或任 何其它期望的粒度來對其編程?？梢园慈魏纹谕牧６葋聿脸齆VM。 盡管按扇區(qū)擦除許多NVM,但替換的實施例可以按位、字節(jié)、字、長 字、塊或任何其它期望的粒度來擦除NVM。
當(dāng)單個NVM陣列30 (參見圖2)必須滿足第一組顧客要求的數(shù) 據(jù)保持能力的最大規(guī)格時，同時也要滿足第二組顧客要求的耐擦寫能 力的最大規(guī)格時，問題出現(xiàn)了。
作為一個例子，該第一組顧客可能正在存儲軟件代碼，例如，用 于處理器12 (參見圖1)的指令，在該產(chǎn)品的生存期中(例如，二十 年)，必須對該指令保持存儲。這種產(chǎn)品的一個例子是汽車，這種汽 車使用NVM來存儲軟件代碼以執(zhí)行發(fā)動機(jī)控制。該第一組顧客可能不 要求該NVM執(zhí)行許多編程/擦除周期。在該例子中，如果該NVM存儲 軟件代碼， 一旦該軟件代碼起初存儲在NVM中，那么很可能該軟件代 碼從不需要被擦除和重寫。通常在大多數(shù)應(yīng)用中不使用自修改軟件代 碼。
作為第二個例子，該第二組顧客可能正在存儲數(shù)據(jù)值，例如，非 易失的但可變的數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)在一個相對較短的時期內(nèi)(例如，一個月到五年)需要被保持存儲。這種產(chǎn)品的一個例子是汽車，這種汽 車使用NVM存儲表示發(fā)動機(jī)調(diào)整信息的數(shù)據(jù)值。該第二組顧客將要求
該NVM執(zhí)行許多編程/擦除周期(例如，每次汽車點(diǎn)火被關(guān)閉或打開 時執(zhí)行一次編程/擦除周期)。在該例子中，如果該NVM存儲數(shù)據(jù)值， 很可能該數(shù)據(jù)值將通過新的編程/擦除周期被刷新，并且因此不需要具 有長的數(shù)據(jù)保持時間。
此外，一些顧客會在同一種應(yīng)用中要求兩種類型的NVM。例如， 上文描述的汽車的顧客將需要具有長期數(shù)據(jù)保持能力的用于軟件代碼 的某個NVM，并且也將需要具有高耐擦寫能力的用于頻繁地重寫數(shù)據(jù) 值的某個NVM。而且，顧客需求將會根據(jù)有多少NVM部分以及何種 尺寸的NVM部分將需要具有長期的數(shù)據(jù)保持能力而變化。類似的，顧 客需求將會根據(jù)有多少NVM部分以及何種尺寸的NVM部分將需要具 有高的耐擦寫能力而變化。
圖1以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的集成電路(IC) 10。在所描述的實施例中，IC10具有處理器12、 NVM14、可選的的 其它存儲器16， 一個或多個可選的其它模塊18以及可選的外部總線接 口20，其中每一個都雙向耦合到總線22。如在這里使用的，術(shù)語總線 被用來指多個信號或?qū)Ь€，其可以用于傳輸一個或多個不同類型的信 息，例如數(shù)據(jù)、地址、控制或狀態(tài)。
在一些實施例中，IC 10是獨(dú)立的NVM并且不實現(xiàn)電路12、 16 和18。在這種情況下，外部總線接口 20包括用于NVM 14的地址和數(shù) 據(jù)總線驅(qū)動器。在其它實施例中，IC10是微控器，該微控器具有NVM 14作為微控器上可用的僅一個電路。電路12、 14、 16、 18和20中的
任意一個或多個可以耦合到一個或多個集成電路端子(未示出)，這 些端子可以被用來進(jìn)行向IC IO外部的通信。在一些實施例中，外部總 線24可以被用來與集成電路10外部的電路(未示出)通信。其它存 儲器16可以是任何類型的存儲器。其它模塊18可以包括用于任何期
8望目的的電路。在其它模塊18中的電路的一些例子包括計時電路、通 信接口電路、顯示驅(qū)動器電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、電源管理 電路等。
圖2以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖1中的NVM 14。在一個實施例中，NVM 14具有雙向耦合到NVM外圍電路31的 NVM陣列30。 NVM陣列30有多個塊，包括塊32和塊33。塊32具 有塊控制信息34，該塊控制信息34存儲與塊32相關(guān)的信息。塊33具 有塊控制信息35，該塊控制信息35存儲與塊33相關(guān)的信息。作為一 個例子，塊控制信息34可以包括用于控制特定NVM塊32的各種特性
(例如，擦除脈沖的長度、擦除脈沖的最大數(shù)量、編程脈沖的長度、 編程脈沖的最大數(shù)量等)的信息。 一些實施例也可以在塊控制信息34 中存儲其他附加信息(例如，NVM制造和/或測試歷史)。這些例子也 可以應(yīng)用于塊33和塊控制信息35。盡管圖2詳細(xì)描述了兩個塊32、 33，但可替換的實施例也可以采用任何數(shù)量的塊，包括僅一個塊。
在所描述的實施例中，塊控制信息34包括保持能力/耐擦寫能力 控制電路36，且塊控制信息35包括保持能力/耐擦寫能力控制電路37。 可替換的實施例可以使保持能力/耐擦寫能力控制電路36和37位于集 成電路10內(nèi)的任意位置。NVM陣列30可以有任意數(shù)量的保持能力/ 耐擦寫能力控制電路(例如，36)。所描述的實施例對每個NVM塊使 用一個保持能力/耐擦寫能力控制電路(例如，36、 37)。然而，可替 換的實施例可以在NVM陣列30中對不同粒度(比塊更大或更小)使 用一個保持能力/耐擦寫能力控制電路。例如，整個NVM陣列30可以 具有用于選擇存儲特性的一個保持能力/耐擦寫能力控制電路。
虛線被用來表示塊32中的部分40-42。類似的，虛線被用來表示 塊33中的部分44-45。每個部分40、 41、 42、 44、 45有多個NVM單 元。保持能力/耐擦寫能力控制電路36可以被用來確定塊32要被分成 多少個部分，以及每個部分的尺寸。保持能力/耐擦寫能力控制電路37也可以被用來確定塊33被分成多少個部分，以及每個部分的尺寸。在 一個實施例中，保持能力/耐擦寫能力控制電路36也可以被用來對部分 40-42中的每一個確定或選擇存儲特性。類似的，保持能力/耐擦寫能力 控制電路37也可以被用來對部分44-45中的每一個確定或選擇存儲特 性。
作為一個例子，保持能力/耐擦寫能力控制電路37可以選擇部分 44具有高耐擦寫能力的存儲特性，同時選擇部分45具有長期數(shù)據(jù)保持 能力的存儲特性。作為替換，保持能力/耐擦寫能力控制電路37可以選 擇部分45具有高耐擦寫能力的存儲特性，同時選擇部分44具有長期 數(shù)據(jù)保持能力的存儲特性。以一種類似的方式，作為一個例子，保持 能力/耐擦寫能力控制電路36可以選擇部分40和42具有高耐擦寫能力 的存儲特性，同時選擇部分41具有長期數(shù)據(jù)保持能力的存儲特性。作 為替換，保持能力/耐擦寫能力控制電路36可以對部分40 — 42選擇存 儲特性的任意組合。保持能力和耐擦寫能力是存儲特性的兩個可能的 例子?？商鎿Q的實施例可以使用不同的或更多的存儲特性(例如，抗 輻射強(qiáng)度等級，在選定溫度范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)完整性等)。
在所描述的實施例中，NVM外圍電路31包括NVM 14操作所必 需的所有其他電路。在一個實施例中，NVM外圍電路14有一個電荷 泵、高電壓調(diào)整器、高電壓開關(guān)、字線驅(qū)動器、源極線驅(qū)動器、感測 放大器、行解碼器、列解碼器、至總線22的接口、寄存器，讀基準(zhǔn)電 路以及對NVM14 (未示出)的功能性所需要的任何其它電路。注意就 一個實施例而言，NVM外圍電路31可以用常規(guī)的方式操作。
圖3以框圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖2的保持能 力/耐擦寫能力控制電路36、 37。在一個實施例中，保持能力/耐擦寫能 力設(shè)置50可以用于選擇相應(yīng)部分(部分40用于保持能力/耐擦寫能力 控制電路36，以及部分44用于保持能力/耐擦寫能力控制電路37)的 存儲特性。類似的，該保持能力/耐擦寫能力設(shè)置53可以褲用于選擇相應(yīng)部分(部分42用于保持能力/耐擦寫能力控制電路36，以及部分45 用于保持能力/耐擦寫能力控制電路37)的存儲特性。在圖3描述的實 施例中，存在兩種可能的存儲特性，即長期數(shù)據(jù)保持能力和高耐擦寫 能力?？商鎿Q的實施例可以具有三個或更多可能的存儲特性(例如， 長期數(shù)據(jù)保持能力、高耐擦寫能力，以及在數(shù)據(jù)保持能力和耐擦寫能 力之間折衷的組合)?？商鎿Q的實施例可以使用存儲特性控制電路50 在其它存儲特性之間進(jìn)行選擇。耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持能力僅僅是存 儲特性的兩個可能的例子。
起始地址存儲電路51和結(jié)束地址存儲電路52被用于定義相應(yīng) NVM部分(部分40用于控制電路36，以及部分44用于控制電路37) 的位置和尺寸。起始地址存儲電路54和結(jié)束地址存儲電路55被用于 定義相應(yīng)NVM部分(部分42用于控制電路36，以及部分45用于控 制電路37)的位置和尺寸。可替換的實施例可以按任何需要的方式定 義相應(yīng)NVM部分的位置和尺寸。例如，尺寸存儲電路(未示出)可以 被用于替代結(jié)束地址存儲電路52、 55。作為替換，所述部分的位置和 尺寸可以被預(yù)先定義，并且可以不需要所述控制存儲電路51、 52、 54、 55?？商鎿Q地，其它電路(例如，在NVM外圍電路31中的保護(hù)電路) 可以被用于確定或部分地影響所述部分40、 41、 42、 44、 45的位置和 尺寸。
圖4以流程圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于編程/擦 除NVM的方法。流程77始于起始橢圓框70，并前進(jìn)到步驟71，在該 步驟新的NVM部分被選擇或選定。從步驟71，流程77前進(jìn)到判定菱 形框72,在該步驟提出問題"用于該部分的保持能力/耐擦寫能力設(shè)置 50、 53的值是多少？"。如果保持能力/耐擦寫能力設(shè)置50、 53的值 表明高耐擦寫能力被選擇，所述流程前進(jìn)到步驟73，在該步驟用于高 耐擦寫能力的檢驗水平(verifylevel)被選擇。如果保持能力/耐擦寫能 力設(shè)置50、 53的值表明長期數(shù)據(jù)保持能力被選擇，所述流程77前進(jìn) 到步驟74，在該步驟用于長期數(shù)據(jù)保持能力的檢驗水平被選擇。從兩個步驟73和74，流程77都前迸到步驟75，在該步驟使用在步驟73 或74中被選定的驗證級別執(zhí)行所述編程/擦除過程。從步驟75，流程 77前進(jìn)到橢圓框76，在這里流程77結(jié)束。
可使用NVM陣列30的外部激勵來啟動流程77。這樣外部激勵的 一個例子可以是處理器12 (參見圖1)，啟動在NVM 14中的擦除或 編程。注意到，術(shù)語編程/擦除被用來表示流程77可用于NVM14的編 程和擦除二者。因此，在編程或擦除過程中，可以在判定菱形框72中 使用保持能力/耐擦寫能力位50、 53，以確定是高耐擦寫能力還是長期 數(shù)據(jù)保持能力被選擇。
圖5以流程圖形式描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在NVM中執(zhí) 行擦除過程的方法。注意到，圖5描述了圖4中步驟75的一個可能的 實施例?？商鎿Q的實施例可以使用不同的方法來執(zhí)行步驟75。注意圖 5僅用于擦除。在圖5中，流程在步驟80開始，在該步驟使用具有預(yù) 定持續(xù)時間和電壓的脈沖擦除相關(guān)NVM部分。從步驟80，流程前進(jìn) 到步驟81，在該步驟讀取相關(guān)NVM部分的每個單元，把實際讀取的 電流和被選定的檢驗水平(例如，參考電流)作比較。注意到，在流 程77 (參見圖4)的步驟73或74中選擇了檢驗水平。參考圖5，從步 驟81該流程前進(jìn)到判定菱形框82，在該步驟提出問題"實際讀取的電 流低于所選擇的檢驗水平嗎？"。如果判定菱形框82的回答為否，步 驟75完成。如果判定菱形框82的回答為是，該流程前進(jìn)到判定菱形 框83，在該步驟提出問題"己經(jīng)超過擦除脈沖的最大數(shù)量？"。如果 判定菱形框83的回答為是，則該流程前進(jìn)到步驟84，在該步驟檢測到 擦除失敗。如果判定菱形框83的回答為否，則該流程返回到步驟80。 注意到，在擦除或編程期間的失敗可能是由于NVM陣列30中的電路 和/或在NVM外圍電路31中的電路。
參考圖5中的步驟80，用于擦除(或在一個不同的實施例中，可 替換為編程)的脈沖可以具有可選擇的脈沖持續(xù)時間和/或可選擇的脈沖電壓?？梢酝ㄟ^多種方式實現(xiàn)對脈沖持續(xù)時間和/或脈沖電壓的選擇。 一種方式是使用較高的脈沖電壓來最大化數(shù)據(jù)保持能力，以及使用較
低的脈沖電壓來最大化耐擦寫能力。注意到，對于NVM陣列30中被 分配以用于數(shù)據(jù)保持能力的部分(例如40、 44)，存儲單元被擦除至 一個相對較大的范圍(例如，更多脈沖和/或更高的電壓脈沖)。對于 NVM陣列30中的被分配用于耐擦寫能力的部分(例如41、 42和45)， 存儲單元被擦除至一個相對較小的范圍(例如，更少的脈沖和/或更低 的電壓脈沖)。所以，這種方法，對于被分配以用于耐擦寫能力的NVM 單元和NVM外圍電路31，較之對被分配以用于數(shù)據(jù)保持能力的NVM 單元和NVM外圍電路31，提供了更少的壓力(stress)。注意耐擦寫 能力是壓力的函數(shù)。減少壓力可以增加已分配部分的最大耐擦寫能力。
注意對于一個實施例而言，所述檢驗水平是參考電流，該參考電 流與從NVM單元中讀取的電流作比較。對于一個實施例而言，用于高 耐擦寫能力的檢驗水平是較低的參考電流，而用于長期數(shù)據(jù)保持能力 的檢驗水平是較高的參考電流。用于高耐擦寫能力和長期數(shù)據(jù)保持能 力二者的參考電流的絕對水平將依賴于用于實現(xiàn)NVM 14的特定電路。
但是，對于可替換的實施例，用于高耐擦寫能力的檢驗水平可以是較 高的參考電流，而用于長期數(shù)據(jù)保持能力的檢驗水平可以是較低的參 考電流。
可替換的實施例可以使用不同于參考電流其他項來表示所述檢驗 水平。例如，所述檢驗水平可以是參考電壓。同樣，所述參考可以與 不同于所讀取電流的某個項作比較。例如，所述檢驗水平可以是與NVM 單元電壓作比較的參考電壓(例如，晶體管閾值電壓)。可替換的實 施例可以使用任何期望的電路特性來表示所述檢驗水平。
在所描述的實施例中，NVM外圍電路31可以存儲一個或多個檢 驗水平。在一個實施例中，所述檢驗水平是參考電流，該參考電流由 NVM外圍電路31中的讀參考電路(未示出)提供。通過與正被編程或擦除的NVM部分40、 41、 42、 44、 45相對應(yīng)的保持能力/耐擦寫能 力設(shè)置50、 53來選擇使用何種檢驗水平。
注意本發(fā)明適用于可以被多次編程和擦除的任何類型的NVM。
在前面的說明書中，通過參考特定實施例描述了本發(fā)明。但是， 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，可以在不背離權(quán)利要求書中所述的本發(fā)明 的范圍的情況下，進(jìn)行多種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)當(dāng)認(rèn) 為是示例性的而非限制性的，并且所有這樣的修改旨在包含在本發(fā)明 的范圍之內(nèi)。
已經(jīng)參考特定實施例在上面描述了益處、其他優(yōu)點(diǎn)和問題的解決 方案。但是，所述益處、優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案，以及可能導(dǎo)致出現(xiàn)任 何益處、優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案或者使益處、優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案變得 更為明顯的任何要素不應(yīng)被解釋為任何或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必 須的或必要的特征或要素。在這里使用的術(shù)語"包含"、"包含著" 或任何其它相關(guān)變化，旨在覆蓋非排他的包含，例如包含一組要素的 過程、方法、產(chǎn)品或裝置不是僅僅包括這些要素，也可以包含其它沒 有被明確列出的或者是這些過程、方法、產(chǎn)品或裝置所固有的其他要 素。
權(quán)利要求
1.一種用于編程/擦除非易失性存儲器(NVM)的方法，包括定義所述NVM的第一部分，以用于具有第一存儲特性；定義所述NVM的第二部分，以用于具有不同于所述第一存儲特性的第二存儲特性；在所述第一部分上執(zhí)行編程/擦除操作，與實現(xiàn)所述第二存儲特性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第一存儲特性；和在所述第二部分上執(zhí)行編程/擦除操作，與實現(xiàn)所述第一存儲特性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第二存儲特性。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括定義所述NVM的第三部分，以用于具有第三存儲特性；以及 在所述第三部分上執(zhí)行編程/擦除操作，與實現(xiàn)所述第一存儲特性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第三存儲特性，以及與實現(xiàn)所述第二存儲特性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第三存儲特性。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中 所述第一存儲特性是耐擦寫能力； 所述第二存儲特性是數(shù)據(jù)保持能力；以及 所述第三存儲特性是耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持能力的結(jié)合。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中 所述NVM包括存儲器陣列；所述第一部分包括所述存儲器陣列的第一多個存儲器單元；所述第二部分包括所述存儲器陣列的第二多個存儲器單元；在所述第一部分上的所述編程/擦除操作包括擦除操作，在該擦除操作中所述第一多個存儲器單元中的每個存儲器單元具有與第一水平 的參考電流相比較的電流；以及在所述第二部分上的所述編程/擦除操作包括擦除操作，在該擦除操作中所述第二多個存儲器單元中的每個存儲器單元具有與第二水平的參考電流相比較的電流，其中所述第二水平不同于所述第一水平。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中 所述編程/擦除操作是擦除操作； 所述第一存儲特性是耐擦寫能力； 所述第二存儲特性是數(shù)據(jù)保持能力；以及 所述第一水平低于所述第二水平。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中-所述第一存儲特性是耐擦寫能力； 所述第二存儲特性是數(shù)據(jù)保持能力；在所述第一部分上的所述編程/擦除操作提供第一編程/擦除裕度；以及在所述第二部分上的所述編程/擦除操作提供第二編程/擦除裕度， 其中所述第二裕度大于所述第一裕度。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中，較之在所述第一部分上執(zhí)行 的所述編程/擦除操作在所述第一部分上提供的壓力，在所述第二部分 上執(zhí)行的所述編程/擦除操作在所述第二部分上提供了更大的壓力。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述更大的壓力起因于使用更 多的編程/擦除脈沖。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述更大的壓力起因于使用位 于較高電壓的編程/擦除脈沖。
10. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述第一和第二部分上的 所述編程/擦除操作通過外圍電路來執(zhí)行，較之在所述第二部分上執(zhí)行 所述編程/擦除操作所經(jīng)歷的壓力，該外圍電路在所述第一部分上執(zhí)行 所述編程/擦除操作時經(jīng)歷更少的壓力。
11. 一種非易失性存儲器(NVM)，包括 NVM陣列；控制電路裝置，用于定義所述NVM陣列的第一部分，以具有第 一存儲特性，以及定義所述NVM陣列的第二部分，以具有不同于所述 第一特性的第二存儲特性；和編程/擦除裝置，用于執(zhí)行在所述第一部分上的編程/擦除操作，與 實現(xiàn)所述第二存儲特性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第一存儲特性， 以及執(zhí)行在所述第二部分上的編程/擦除操作，與實現(xiàn)所述第一存儲特 性相比，該操作更有利于實現(xiàn)所述第二存儲特性。
12. 如權(quán)利要求ll所述的NVM，其中 所述第一存儲特性是耐擦寫能力； 所述第二存儲特性是保持能力；和與在所述第二部分上的所述編程/擦除操作相比，在所述第一部分 上的所述編程/擦除操作提供更少的壓力。
13. 如權(quán)利要求12所述的NVM，其中所述更大的壓力源于使用 更多編程/擦除脈沖。
14. 如權(quán)利要求12所述的NVM,其中所述更大的壓力源于使用 位于較高電壓的編程/擦除脈沖。
15. 如權(quán)利要求12所述的NVM，其中在所述第一和第二部分上 執(zhí)行的所述編程/擦除操作通過外圍電路來執(zhí)行，與在所述第二部分上 執(zhí)行所述編程/擦除操作相比，該外圍電路在所述第一部分上執(zhí)行所述 編程/擦除操作時經(jīng)歷更少的壓力。
16. 如權(quán)利要求12所述的NVM，其中 所述第一部分包括所述NVM陣列的第一多個存儲器單元；所述第二部分包括所述NVM陣列的第二多個存儲器單元； 在所述第一部分上的所述編程/擦除操作包括擦除操作，在該擦除操作中所述第一多個存儲器單元中的每個存儲器單元具有與第一水平的參考電流相比較的電流；和在所述第二部分上的所述編程/擦除操作包括擦除操作，在該擦 除操作中所述第二多個存儲器單元中的每個存儲器單元具有與第二水 平的參考電流相比較的電流，其中所述第二水平不同于所述第一水平。
17. 如權(quán)利要求11所述的NVM，其中 所述第一存儲特性是耐擦寫能力； 所述第二存儲特性是數(shù)據(jù)保持能力；在所述第一部分上的所述編程/擦除操作提供第一編程/擦除裕度；以及在所述第二部分上的所述編程/擦除操作提供第二編程/擦除裕度， 其中所述第二裕度大于所述第一裕度。
18. —種編程/擦除非易失性存儲器(NVM)單元的方法，包括 確定所述NVM單元的期望存儲特性；對所述期望存儲特性，從多個編程/擦除操作法中選擇一個編程/ 擦除操作法；和執(zhí)行所選擇的編程/擦除操作法。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中確定所述期望存儲特性的步 驟包括從保持能力和耐擦寫能力中選擇一個。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述多個編程/擦除操作法包括用于保持能力的編程/擦除操作法 和用于耐擦寫能力的編程/擦除操作法；和與用于耐擦寫能力的所述編程/擦除操作法相比，用于保持能力的 所述編程/擦除操作法產(chǎn)生更多的壓力。
全文摘要
能被優(yōu)化以用于數(shù)據(jù)保持能力或耐擦寫能力的非易失性存儲器(NVM)被分成部分(40，41)，這些部分被優(yōu)化用于一個部分(40)或另一個部分(41)的存儲特性或可能某些其它存儲特性。對于被分配以用于數(shù)據(jù)保持能力的部分(40)，存儲單元(32)被擦除至相對較大的范圍。對于被分配以用于高耐擦寫能力(41)的部分，存儲單元(32)被擦除至相對較小的范圍。這可以通過簡單地提高(81)參考電流的水平方便地實現(xiàn)，該參考電流被用于確定對于所述高數(shù)據(jù)保持能力單元(40)是否已經(jīng)充分擦除了單元。因此較高的耐擦寫能力單元(41)將典型地比用于高數(shù)據(jù)保持能力的存儲單元(40)接收更少的擦除脈沖。較高的耐擦寫能力的單元(41)的減少的擦除需求導(dǎo)致所述高耐擦寫能力單元(41)中總的更快的擦除和更小的壓力，在產(chǎn)生高擦除電壓的電路(31)上也如此。
文檔編號G11C16/04GK101297372SQ200680032778
公開日2008年10月29日 申請日期2006年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月7日
發(fā)明者安德魯·W·哈德爾, 馬丁·L·尼塞 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司