專利名稱：：多層光學記錄介質(zhì)和光學記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種多層光學記錄介質(zhì)(下面，有時也被稱為"多層相變信息記錄介質(zhì)"、"多層相變光學記錄介質(zhì)"、"多層光盤"以及"多層相變光盤'，)，它能夠通過激光照射引起光學變化來記錄信息，并且具有包含能夠重寫信息的相變記錄層的多層記錄層，本發(fā)明還涉及在光學記錄介質(zhì)中的光學記錄方法。
背景技術(shù)：
：在相變光盤(相變光學記錄介質(zhì))例如CD-RW中，一般來說通過在塑料基板上形成由相變材料構(gòu)成的記錄層并且在其上形成用來提并且通過從基板側(cè)照射激光來記錄和再現(xiàn)該信息。通過用激光加熱之后進行冷卻，從而相變記錄材料呈現(xiàn)在晶態(tài)和無定形態(tài)之間的相變。在迅速加熱之后迅速冷卻時，它們變成無定形的，而在緩慢冷卻時，它們結(jié)晶。該相變記錄介質(zhì)在實際中將這種特性應(yīng)用于信息的記錄和再現(xiàn)。另外，為了防止隨著光照加熱而出現(xiàn)的記錄層的氧化、蒸發(fā)和變形，在基板和記錄層之間通常設(shè)有下保護層，并且在記錄層和反射層之間設(shè)有上保護層。這些保護層具有調(diào)節(jié)光學記錄介質(zhì)的光學性能的調(diào)節(jié)功能，并且下保護層還結(jié)合有防止基板由于在記錄層中記錄時出現(xiàn)的熱量而軟化的功能。近年來，隨著由計算機所覆蓋的信息量的增長，可擦寫式光盤例如DVD-RAM、DVD-RW和DVD+RW的信號記錄容量已經(jīng)增大，并且信息信息的密度增長不斷提高。當前CD的記錄容量大約為650MB,DVD的記錄容量大約為4.7GB，并且預(yù)期將來非常需要記錄的密度增長。隨著信息量的增大，顯然還需要提高記錄速度。目前，作為可擦寫DVD光盤，已經(jīng)開發(fā)出并且實際應(yīng)用了能夠比在單層中快8倍進行記錄的光盤。作為采用這種相變光學記錄介質(zhì)來提高記錄密度的方法，已經(jīng)提出、研究、開發(fā)并且?guī)缀踹M入到實際應(yīng)用中以下手段，例如縮短用于藍色區(qū)域的激光波長或者擴大用于進行記錄和再現(xiàn)的拾取的物鏡的數(shù)值孔徑以減小照射到光學記錄介質(zhì)上的激光的光斑尺寸。作為通過改善光學記錄介質(zhì)自身來提高記錄容量的方法，已經(jīng)提出了通過將由至少記錄層和反射層構(gòu)成的兩層信息層重疊在基板的一側(cè)上并且用紫外線固化樹脂粘接這些信息層而制成的各種雙層相變光學記錄介質(zhì)。作為在這些信息層之間的粘接部分的分隔層(有時被稱為中間層)具有將兩層信息層在光學上分開的功能，并且因為用于記錄和再現(xiàn)的激光必須盡可能充分到達在內(nèi)側(cè)處的信息層，所以該單獨層由盡可能不吸收光的材料制成。這種雙層相變光學記錄介質(zhì)還存在許多問題。例如，如果從激光照射側(cè)看激光沒有充分透射穿過在前側(cè)處的信息層(第一信息層)，則不能將信息記錄在位于內(nèi)側(cè)處的信息層(第二信息層)的記錄層中，并且不能將它再現(xiàn)。因此，構(gòu)成第一信息層的反射層必須為超薄透明反射層。但是，在具有兩層或多層記錄層和反射層的光學記錄介質(zhì)中，其光學吸收和光學透射作用以及光學記錄介質(zhì)本身的反射率變低。通過向在記錄層中的相變材料照射激光非常短的時間之后迅速冷卻以將晶體改變?yōu)闊o定形組織并且形成標記來進行在相變光學記錄介質(zhì)中的記錄。因此，在具有大約10nm的非常薄厚度的透明反射層的情況中，與具有單層的光學記錄介質(zhì)相比，散熱作用變得太小。因此，當在第一信息層的記錄層中記錄時難以形成無定形標記。因此，難以確保調(diào)制度。在專利文獻l中披露了其中透明散熱層(有時被稱為透光層)采用選自A1N、A1203、Si3N4、Si02、Ta205、TaO、Zr02、ZnO、Ti02、SiC及其復(fù)合材料的材料并且透明介電層(有時被稱為保護層)采用ZnS-Si02的技術(shù)，但是沒有說明Sn氧化物的的特殊效果。在專利文獻2中披露了一種多層相變信息記錄介質(zhì)，其中散熱層(有時被稱為透光層)包含有作為主要組分的氧化錫以及至少氧化銻，但是沒有說明上保護層和散熱層或下保護層和上保護層以及散熱層由Sn氧化物構(gòu)成。重點說明了在405nm處的藍色激光波長區(qū)域中的作用，并且與本發(fā)明不同。另外，在專利文獻3中披露了一種多層相變信息記錄介質(zhì)，其中散熱層包含作為主要組分的ITO(氧化銦-氧化錫)和Al和Ga中的至少一種，但是沒有說明上保護層和散熱層或者下保護層和上保護層以及散熱層由Sn氧化物構(gòu)成。重點說明了在405nm處的藍色激光波長區(qū)域中的作用，只是說明了采用ITO用于散熱層的特殊作用，并且這在構(gòu)成上與本發(fā)明不同。專利文獻l:日本專利申請未審公開(JP-A)No.2002-298433專利文獻2:JP-ANo.2004-47038專利文獻3:JP-ANo.2004-47034
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種多層光學記錄介質(zhì)，其中即使在從激光照射側(cè)看在除了最里面信息層之外的每層信息層中反射層的厚度超薄時也能夠獲得足夠的散熱效果，調(diào)節(jié)能力得到提高以增強在每層信息層中的記錄性能以及記錄靈敏度，存儲穩(wěn)定性也優(yōu)異，并且另外使得在每層信息層中的透光性較高以增強從激光照射側(cè)看最里面信息層的記錄靈敏度，本發(fā)明的目的還在于提供一種在多層記錄介質(zhì)中的光學記錄方法。用于解決上面問題的手段如下<1>一種多層光學記錄介質(zhì)，它至少包括多層信息層其中所述多層信息層至少包括能夠通過激光照射記錄信息的相變記錄層以及反射層，其中從激光照射側(cè)看除了最里面信息層之外的每層信息層包括下保護層、相變記錄層、上保護層、反射層和透光層，在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層和透光層由包含Sn氧化物的材料構(gòu)成，并且在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層的厚度為2nm至15nm。<2>根據(jù)<1>所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層包含50mol%至90mol。/。的Sn氧化物。<3>才艮據(jù)<1>和<2>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的透光層的厚度為51腿至250nm。<4>根據(jù)<1>至<3〉中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的反射層包含Cu作為主要組分。<5>根據(jù)<1>至<4>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的反射層包含以質(zhì)量計5%或更少的選自Mo、Ta、Nb、Cr、Zr、Ni、Ge和Au中的至少一種金屬元素。<6>根據(jù)<1>至<5>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的下保護層由包含Sn氧化物的材料構(gòu)成。<7>根據(jù)<1>至<5>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的下保護層由雙層層壓結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并且兩層中的至少一層由包含Sn氧化物材料構(gòu)成。<8>根據(jù)<1〉至<7>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，它從激光照射側(cè)看依次具有第一基板、第一信息層、中間層、第二信息層和第二基板，該介質(zhì)為雙層光學記錄介質(zhì)，其中第一信息層從激光照射側(cè)看依次具有第一下保護層、第一相變記錄層、第一上保護層、第一反射層和第一透光層，并且第二信息層從激光照射側(cè)看依次具有第二下保護層、第二相變記錄層、第二上保護層、第二反射層和第二透光層。<9>一種用于根據(jù)<1>至<8>中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)的光學記錄方法，它包括在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的記錄層上反復(fù)照射經(jīng)由記錄功率和偏壓功率的兩個數(shù)值調(diào)制的脈沖，并且在形成長度為nT(T:時鐘周期，n:2或更大的整數(shù))的記錄標記時，將初始脈沖和最后脈沖的上行程之間的間隔Tr設(shè)定在下面公式的范圍中(n陽1.5)T《Tr《(n陽0.5)T<10>根據(jù)<9>所述的光學記錄方法，其中在從激光照射側(cè)看在每層信息層中為第二或外面的記錄層中進行記錄時，在照射脈沖的數(shù)量為m(m為l或更大的整數(shù))時，如果n為偶數(shù)，則滿足i^2m的關(guān)系，并且如果n為奇數(shù)，則滿足n-2m+l的關(guān)系。圖1為示意圖，顯示出作為本發(fā)明一個實施例的雙層相變光學記錄介質(zhì)的代表性層結(jié)構(gòu)。圖2為示意圖，顯示出反射層材料的吸收率A、反射率R和透射率T。圖3為示意圖，顯示出在660nm的波長處Cu合金的反射率R、透射率T和吸收率A的厚度趨勢。圖4為示意圖，顯示出在660nm的波長處Ag合金的反射率R、透射率T和吸收率A的厚度趨勢。圖5為示意圖，顯示出Cu基材料和Ag基材料的透射率的波長趨勢。圖6為示意圖，顯示出調(diào)制度M(DOWlO的)的記錄功率(Pp)趨勢。圖7為示意圖，顯示出DOW10的"ItopxM"的記錄功率(Pp)趨勢。圖8為示意圖，顯示出在第一上保護層中在Sn02量上的傳輸線速度和DOWIO抖動的趨勢。圖9為示意圖，顯示出傳輸線速度。圖10為示意圖，顯示出在第一上保護層的厚度上在80。C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時時DOWIO抖動變化量的趨勢。圖ll為示意圖，顯示出在第一上保護層中的Sn氧化物含量上在8(TC和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時時DOWIO抖動變化量的趨勢。圖12為示意圖，顯示出傳統(tǒng)單層光學記錄介質(zhì)的1T策略(A)以及雙層光學記錄介質(zhì)的除了最里面層之外的記錄層的記錄方法(B和c)。圖13為示意圖，顯示出1T策略的參數(shù)。圖14為示意圖，顯示出在雙層光學記錄介質(zhì)的內(nèi)記錄層中記錄時與1T周期策略和2T周期策略的D0WIO抖動比較。圖15為示意圖，顯示出在雙層光學記錄介質(zhì)的內(nèi)記錄層中記錄時與1T周期策略和2T周期策略的調(diào)節(jié)能力(D0WIO)比較。圖16為示意圖，顯示出2T周期策略(10T標記和11T標記的實施圖17為示意圖，顯示出在第一上保護層的厚度上在80。C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時時調(diào)節(jié)能力M(DOWIO)的趨勢。具體實施方式(多層光學記錄介質(zhì))本發(fā)明的多層光學記錄介質(zhì)具有至少包含能夠通過激光照射記錄信息的相變記錄層和反射層的多層信息層，其中從激光照射側(cè)看除了最里面信息層之外的每層信息層至少具有下保護層、相變記錄層、上保護層、反射層和透光層，另外如果需要還包括其它層。這里，圖l為根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的雙層光學記錄介質(zhì)的示意性剖視圖。該雙層光學記錄介質(zhì)將第一信息層l、中間層4、第二信息層2和第二基板5以此順序?qū)訅涸诘谝换?上，并且必要時還具有其它層。第一信息層l具有第一下保護層ll、第一相變記錄層12、第一上保護層13、第一反射層14和第一透光層15。第二信息層2具有第二下保護層21、第二相變記錄層22、第二上保護層23和第二反射層24。至少在第一上保護層13和第一反射層M之間或在第二上保護層23和第二反射層24之間設(shè)有中間層。在該雙層光學記錄介質(zhì)中，從激光照射側(cè)看在最里面?zhèn)忍幍男畔訛榈诙畔?，并且從激光照射?cè)看除了最里面層之外的信息層為第一信息層。這種雙層相變光學記錄介質(zhì)優(yōu)選如下產(chǎn)生。也就是說，采用由薄膜形成步驟、初始化步驟和粘接步驟構(gòu)成的生產(chǎn)方法，并且這些步驟基本上按照這種順序進行。在薄膜形成步驟中，將第一信息層的薄膜形成在設(shè)有一組第一基板的表面上，并且將第二信息層的薄膜形成在設(shè)有一組第二基板的表面上?？梢酝ㄟ^各種氣相生長方法例如真空蒸汽沉積方法、賊射方法、等離子CVD方法、光學CVD方法、離子鍍覆方法和電子束蒸汽沉積方法來形成第一信息層和第二信息層的相應(yīng)薄膜層。在這些方法中，濺射方法在規(guī)模生產(chǎn)率和薄膜特性方面優(yōu)異。在濺射方法中，一般在惰性氣體例如氬氣氛圍中形成薄膜，并且在那時可以在混合/加入氧氣或氮氣的情況下進行反應(yīng)濺射。在初始化步驟中，通過向第一信息層和第二信息層照射能量光束例如激光來將整個層初始化(使記錄層結(jié)晶)。在薄膜可能在激光能量作用下浮起時，在初始化步驟之前通過在第一和第二信息層上旋涂UV樹脂(紫外線固化樹脂)并且照射紫外線來使樹脂固化來進行過涂覆。在提前進行隨后的粘接步驟之后，從第一基板側(cè)開始對第一和第二信息層進行初始化。在粘接步驟中，第一信息層和第二信息層相互面對，并且第一基板和第二基板通過中間層粘接在一起。例如，將UV樹脂涂覆在任一個薄膜表面上，這些薄膜表面彼此面對，在其上施加壓力以便粘接在一起，并且可以照射紫外線以使樹脂固化。在具有如上兩層信息層的光學記錄介質(zhì)中，因為與單層光學記錄介質(zhì)相比層數(shù)較多所以反射率變低，尤其是在記錄層和反射層中的光吸收性受到影響。在反射率較低時，再現(xiàn)信號的幅度較小。因此，非常難以繼續(xù)沿著在基板中的狹縫聚集激光。因此，作為表示是否能夠再現(xiàn)該信息或者該信息在低反射率下是否不均勻的指標，采用"反射率Itopx調(diào)制度M"的數(shù)值(單位%)。該數(shù)值越大，則光學記錄介質(zhì)的記錄性能就越好。在Itop為在第一信息層中進行記錄之后的晶體反射率并且Ibot為在第一信息層中進行記錄之后的非晶體反射率時，調(diào)制度M由(Itop-Ibot)/Itop表示。調(diào)制度M優(yōu)選為0.55或更大，并且更優(yōu)選為0.55至0.70。在調(diào)制度小于0.55時，有時難以在其反射率比在單層相變光學記錄介質(zhì)中的反射率低l/3的多層相變光學記錄介質(zhì)中很好地讀出信號，因為不能確保再現(xiàn)信號的幅度。這里，可以測量光學記錄介質(zhì)的反射率，例如對于光學記錄介質(zhì)使用評估機器測量出介質(zhì)的反射密度并且對于校準和反射密度使用金屬薄膜(例如Ag等)的反射率來將反射密度校準到所述反射率。第一信息層在初始化之后的透光率優(yōu)選為30%至60%,并且更優(yōu)選為40%至45%。在透光率小于30%時，有時難以穩(wěn)定地在內(nèi)信息層中記錄和再現(xiàn)，因為激光難以透射穿過從激光照射側(cè)看的內(nèi)信息層并且在內(nèi)側(cè)中的反射率降低。在它超過60%時，有時變得難以穩(wěn)定地記錄和再現(xiàn)，因為透光率太高，因此在第一信息層中記錄所需的激光密度變得太高并且在第一信息層中的反射率變得較低。這里，在粘接兩層之前可以通過用由Steag提供的Etha光學器件測量第一信息層來測量出在第一信息層中的透光率。作為用于本發(fā)明的記錄層材料，優(yōu)選采用包含大約70%Sb的那些材料。在具有雙層記錄層的光學記錄介質(zhì)中，在考慮了在第二信息層中的記錄和再現(xiàn)時在第一信息層中需要高透射率。因此，需要在降低反射層的吸收率的同時使在記錄層中的薄膜變薄。公知的是，使記錄層變薄降低了結(jié)晶速度，并且優(yōu)選的是采用自身具有高結(jié)晶速度的記錄層材料。因此，優(yōu)選采用包含大約70。/oSb的SbTe共晶組分。具體實施例包括Ge-Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te、Ag-Ge-In-Sb-Te和Ge-Sn-Sb-Te。作為除了這些之外的相變記錄材料，可以采用Ge-Te、In-Sb、Ga-Sb、Ge-Sb和In-Sb-Ge。第一相變記錄層的厚度優(yōu)選在5nm至10nm的范圍內(nèi)，并且第二相變記錄層的厚度優(yōu)選在10nm至20nm的范圍內(nèi)。用于記錄層的薄膜形成方法包括各種氣相生長方法例如真空蒸汽沉積方法、濺射方法、等離子CVD方法、光學CVD方法、離子鍍覆方法和電子束蒸汽沉積方法來形成第一信息層和第二信息層的相應(yīng)薄膜層。在這些方法中，濺射方法在規(guī)模生產(chǎn)率和薄膜特性方面優(yōu)異。為了很容易在包含這種相變記錄層的信息層中進行記錄，必須迅速釋放由照射用來形成非晶體標記的光所產(chǎn)生出的剩余熱量。但是，可以根據(jù)第一信息層的透光率將第一反射層的厚度加厚至只有大約10nm。因此，散熱性能較差，并且難以進行在第一記錄層中的記錄。尤其是，調(diào)制度較低。因此，為了提高散熱性能，對于第一上保護層和透光層采用具有良好導(dǎo)熱性的透明材料。也就是說，通過用包含Sn氧化物的層構(gòu)成在第一信息層(與從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的信息層對應(yīng))中的第一上保護層和透光層，從而可以提高第一信息層的記錄靈敏度，并且通過相對較低的記錄功率提高調(diào)制度。在傳統(tǒng)單層可擦寫光學記錄介質(zhì)中，上保護層主要采用ZnS-Si02。但是，在具有雙層信息層的可擦寫光學記錄介質(zhì)中，在從激光照射側(cè)看位于前側(cè)處的信息層的保護層采用ZnS-Si02時，不能確保存儲穩(wěn)定性。但是，根據(jù)本發(fā)明，能夠解決在具有上面雙層信息層的光學記錄介質(zhì)中的新問題。另外，由于能夠提高在第一信息層中的透光率，所以光很容易透射穿過在內(nèi)側(cè)處的信息層，并且能夠提高在第二信息層中的記錄靈敏度。優(yōu)選的是，第一上保護層包含50mol。/。或更多的Sn氧化物。在Sn氧化物含量小于50mol%時，在第一記錄層中難以獲得足夠的結(jié)晶速度，并且難以在第一信息層中以大約10m/s的高線速度進行反復(fù)記錄。因此，在反復(fù)記錄10次時的抖動(DOWIO抖動)也消弱(參見下面所述的圖8)。另外，為了容易獲得優(yōu)異的存儲穩(wěn)定性，優(yōu)選使得Sn氧化物的含量為90mol。/?；蚋?參見下面所述的圖11)。也就是說，如圖8和11所示，為了使DOWIO抖動為10%或更小的記錄性能和DOW10抖動變化量小于l。/。的存儲穩(wěn)定性平衡，Sn氧化物的含量優(yōu)選在50mol。/o至90mol。/。的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為50molQ/o至70mol%。這里，在圖8中所示的"傳輸線速度"指的是在記錄介質(zhì)的線速度改變的情況下在將連續(xù)光(功率為15mW)照射在由于初始化而處于晶體狀態(tài)中的軌跡上時，反射率開始改變。在圖9的實施例中(用具有在實施例2中所采用的層結(jié)構(gòu)的介質(zhì)進行試驗)，傳輸線速度如由箭頭所示一樣為"m/s。傳輸線速度為在記錄層中的結(jié)晶速度的替代值，并且為用于實現(xiàn)目標記錄速度的重要設(shè)計事項。如上所述，在JP-ANo.2002-298433中，已經(jīng)說明透明散熱層(光學透光層)采用選自A1N、A1203、Si3N4、Si02、Ta205、TaO、Zr02、ZnO、Ti02、SiC及其復(fù)合材料的材料。但是，在任意情況中，ItopxM數(shù)值較低，因為難以獲得調(diào)制度。還有一個問題在于難以確保透光率。在本發(fā)明中，通過將包含Sn氧化物的介電材料用于透光層，可以提高調(diào)制度并且確保高透光率。除了Sn氧化物之外可以加入ln203、ZnO、Ta2Ns和Si02等。在第一下保護層、第一上保護層和透光層采用Sn氧化物時，透光層的厚度優(yōu)選為51nm至250nm,并且更優(yōu)選為55nm至70nm。在厚度小于51nm時，不能獲得足夠的散熱效果從而使得難以記錄。在超過250nm時，獲得的足夠的散熱效果，但是透光率降低并且在第二信息層中的記錄靈敏度變差，這不是優(yōu)選的。在將厚度設(shè)置在上面范圍中時，可以使得透光率為40°/。至60%。在JP-ANo.2002-298433中，說明了在采用上述材料作為透明散熱層(與本發(fā)明的透光層對應(yīng))的情況中優(yōu)選的是厚度為50nm或更小，但是散熱性能在這種薄膜中不夠。對于第二上保護層，可以采用Sn氧化物，一般也可以采用ZnS-Si02。在第二相變記錄層中記錄時，可以使得第二反射層足夠厚以獲得足夠的散熱性能，因此可以采用ZnS-Si02。但是，在第二上保護層采用ZnS-Si02并且第二反射層采用Ag時，優(yōu)選的是將由TiC(70mol%)-TiO2(30mol。/。)構(gòu)成的中間層。這是為了防止介質(zhì)的可靠性由于Ag和S反應(yīng)而受到影響。第二上保護層的厚度通常優(yōu)選大約為3nm至30nm,并且更優(yōu)選為15腹至30nm。第一下保護層優(yōu)選由透明材料、同樣透光并且其熔點高于記錄層的材料構(gòu)成。主要采用能夠防止記錄層變質(zhì)和改性、提高相對于記錄層的粘接強度并且提高記錄性能的金屬氧化物、氮化物、硫化物和碳化物。具體實施例包括金屬氧化物例如SiO、Si02、ZnO、Sn02、A1203、Ti02、ln203、MgO和Zr02,氮化物例如Si3N4、A1N、TiN、BN和ZrN,硫化物例如ZnS、In2S^。TaS4，碳化物例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC、金剛石狀碳及其混合物。這些材料可以單獨使用或混合使用。必要時也可以包含雜質(zhì)。作為在普通第一信息層中的下保護層，如在JP-ANo.2002-298433中所示一樣通常采用ZnS-Si02,并且在該情況中，混合比優(yōu)選為ZnS(80mol。/。)-SiO2(20mo1。/。)。優(yōu)選該材料具有高折射率n以及幾乎為零的消光系數(shù)k,所以可以提高在記錄層中的光吸收效率，并且由于導(dǎo)熱性較小，所以可以適當?shù)匾种朴晒馕债a(chǎn)生出的熱量擴散。因此，能夠使記錄層的溫度上升至能夠熔融的溫度。但是，在本發(fā)明中，通過用Sn氧化物不僅制作出第一上保護層和透光層而且還制作出第一下保護層，所以也可以提高記錄靈敏度。也可以將第一下保護層制成雙層層狀結(jié)構(gòu)。在該情況中，兩層中的一層可以由其主要成分為Sn氧化物的材料構(gòu)成。第一下保護層的厚度優(yōu)選為40nm至80nm,并且更優(yōu)選為60nm至80謹。第一上保護層的厚度通?？梢源蠹s為2nm至30nm，但是為了不僅獲得記錄性能而且還獲得優(yōu)異的存儲穩(wěn)定性，該厚度必須為2nm至15nm。在厚度厚于15nm時，不能獲得優(yōu)異的存儲穩(wěn)定性(參見后面所述的圖IO)。在薄于2nm時，獲得了存儲穩(wěn)定性，但是反射率變高，并且不能確保調(diào)制度(參見后面所述的圖17)。在后面所述的實施例中將參照圖6和7對在第一信息層中的透光層、第一上保護層和第一下保護層已經(jīng)采用Sn氧化物或沒有采用時的記錄性能進行說明。第二下保護層優(yōu)選由透明、同樣透光并且其熔點高于記錄層的熔點的材料形成。該材料能夠防止記錄層變質(zhì)和改性、提高相對于記錄層的粘接強度并且提高記錄性能。作為這種材料，主要采用金屬氧化物、氮化物、硫化物和碳化物。具體實施例包括金屬氧化物例如SiO、Si02、ZnO、Sn〇2、A1203、Ti02、ln203、MgO和Zr02,氮化物例如Si3N4、A1N、TiN、BN和ZrN,硫化物例如ZnS、111233和TaS4，碳化物例如SiC、TaC、B4C、WC、TiC和ZrC、金剛石形碳及其混合物。這些材料可以單獨使用或混合使用。必要時也可以包含雜質(zhì)?；旌系膶嵤├ㄍㄟ^混合ZnS和Si02形成的ZnS-Si02以及通過混合Ta205和Si02形成的Ta205-Si02。具體地說，通常采用ZnS-Si02,并且在該情況中，(ZnS)8o(Si02)2o的混合比(摩爾比)是最優(yōu)選的。在該材料中，反射率n較高，并且消光系數(shù)k幾乎為零，可以提高在記錄層中的光的吸收效率，并且因為導(dǎo)熱性較小所以可以適當?shù)匾种仆ㄟ^光吸收產(chǎn)生出的熱量擴散。因此，該材料能夠使溫度升高至能夠使記錄層熔融的溫度。通常，第二下保護層的厚度優(yōu)選大約為110nm至160nm。上面保護層的薄膜形成方法可以包括各種氣相生長方法，例如真空蒸汽沉積方法、濺射方法、等離子CVD方法、光學CVD方法、離子鍍覆方法和電子束蒸汽沉積方法來形成第一信息層和第二信息層的相應(yīng)薄膜層。在這些方法中，濺射方法在規(guī)模生產(chǎn)率和薄膜特性方面優(yōu)異。另外，通過在第一反射層中包含Cu作為主要組分，從而可以使得在第一信息層中的透射率和記錄性能以及在第一記錄層中的存儲性能更好。這里，在第一反射層中包含Cu作為主要組分意味著Cu的含量為質(zhì)量上95°/?；蚋蟆５谝环瓷鋵幼詈弥饕蒀u構(gòu)成的原因?qū)⒃谙旅嬲f明。在具有如在圖l中的雙層記錄層的相變光學記錄介質(zhì)中，用記錄和再現(xiàn)的激光必須盡可能透射穿過第一信息層以到達第二信息層。因此，作為在第一反射層的情況中所要考慮的事項，其中光難以吸收并且容易透射的材料在第一反射層中是優(yōu)選采用的。因此，本發(fā)明人在600nm的波長下光學測量各種反射層薄膜。這里，測量出A(吸收率)、R(反射率)和T(透射率)。通過在厚度為0.6mm的聚碳酸酯基板上形成厚度為10nm的每個金屬薄膜來獲得用于測量的試樣。結(jié)果如圖2所示。從這些結(jié)果中，Pt、Pd和Ti具有較低的透射率和較高的吸收率，因此不能預(yù)計優(yōu)選作為第一反射層。隨后，對于具有相對較高透射率和相對較低吸收率的Ag和Cu,通過改變厚度來進行測量，并且獲得了在圖3和4中所示的結(jié)果。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由于該厚度導(dǎo)致的變化在Ag中更大。從中可以表明，在形成為薄膜時對于該厚度的光學系數(shù)的穩(wěn)定性在Cu中更優(yōu)異。在使用Ag、Cu和Au測量用在DVD介質(zhì)中的在660nm波長下的激光的3T的C/N(載波噪聲比)時，發(fā)現(xiàn)Cu是最優(yōu)異的。另外，在圖5中顯示出在厚度為8nm時測量出的光i普透射率的結(jié)果，并且已經(jīng)表明Ag和Cu的透射率在大約為450nm的波長區(qū)域中相交。從中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Cu在長于大約450nm的波長區(qū)域中具有更高的透射率，并且對于大約為660nm的激光而言Cu更適合作為第一反射層。為了使得存儲性能更好，可以將少量例如質(zhì)量上5.0%或更少的金屬元素加入到在第一反射層中的Cu中。作為少量金屬元素，優(yōu)選采用選自Mo、Ta、Nb、Cr、Zr、Ni、Ge和Au中的至少一種。在該情況中，與單獨使用Cu相比，可以在不消弱記錄性能的情況下使得存儲性能更好。Ta和Nb為與氧和氮親和力較強的金屬，并且有時用作用于氧和氮的消氣(getter)材料。起初，金屬層的消弱通常有助于化學氧化，并且尤其在Cu的情況中，被稱為銅綠的反應(yīng)產(chǎn)物為氧化物。在這方面，Ta和Nb在Cu的弱化方面具有影響。對于Mo、Zr、Cr、Ni、Ge和Au而言，在加入這些金屬時，將具有Cu的合金摻雜在薄膜表面或Cu的晶粒邊界上以抑制Cu在晶界中的擴散。因此，抑制了Cu的遷移和消弱。第一反射層的厚度優(yōu)選為6nm至12nm。第二反射層作為第一反射層不必是透明的，并且只要它是金屬材料就沒有特別限制。其厚度優(yōu)選為100nm至200nm,并且更優(yōu)選為120nm至150nm。上面反射層的薄膜形成方法包括各種氣相生長方法，例如真空蒸汽沉積方法、濺射方法、等離子CVD方法、光學CVD方法、離子鍍覆方法和電子束蒸汽沉積方法來形成第一信息層和第二信息層的相應(yīng)薄膜層。在這些方法中，濺射方法在規(guī)模生產(chǎn)率和薄膜特性方面優(yōu)異。第一基板需要充分透射用于記錄和再現(xiàn)的照射光，并且在本領(lǐng)域中普遍已知的那些可以應(yīng)用于第一基板。作為該材料，通常采用玻璃、陶瓷或樹脂，并且樹脂在模制性能和成本方面是合適的。樹脂例如包括聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮基樹脂、含氟樹脂、ABS樹脂和聚氨酯樹脂。優(yōu)選采用在模塑性能、光性能和成本方面優(yōu)異的聚碳酸酯樹脂和丙烯酸樹脂例如聚曱基丙蜂酸曱酯。在第一基板的其上形成有信息層的表面上，必要時可以形成凹凸形圖案，該圖案為螺旋形或同心溝槽用于跟蹤激光并且通常被稱為溝槽部分或平臺部分。這通常是通過注射模塑方法或光聚合物方法來形成。第一基板的厚度優(yōu)選大約為10um至600um，并且更優(yōu)選為550腿至590um。作為第二基板，可以采用與在第一基板中相同的材料，但是可以采用對于記錄再現(xiàn)光不透明的材料，第二基板可以在材料質(zhì)量和溝槽形狀方面與第一基板不同。第二基板的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，并且優(yōu)選如此選擇第二基板的厚度，從而與第一基板的厚度一起的總厚度為1.2mm。在中間層中，優(yōu)選的是在針對記錄和再現(xiàn)照射的光的波長下的光吸收較小。樹脂在模塑性能和成本方面作為材料是優(yōu)選的，并且可以采用可紫外線固化樹脂、慢作用樹脂和熱塑性樹脂。在第二基板和中間層中，可以按照與在第一基板中相同的方式形成通過注塑方法或光聚合物方法而形成的凹凸形圖案例如溝槽和導(dǎo)槽。中間層可以通過在記錄和再現(xiàn)時拾取來識別它們從而在光學上使第一信息層和第二信息層分開。其厚度優(yōu)選為10um至70um，并且更優(yōu)選為30um至60um。在厚(光學記錄方法)在針對本發(fā)明多層光學記錄介質(zhì)進行記錄時，通過采用本發(fā)明的記錄方法，可以提高從多層光學記錄介質(zhì)的光照射側(cè)看除了最里面層之外的記錄層的記錄性能。如圖12所示，在普通單層式可擦寫光學記錄介質(zhì)例如DVD+RW中，在采用lT周期策略(在記錄nT標記時采用n-l的脈沖序列)時，對于該數(shù)據(jù)，記錄通常從延遲1T的時間位置開始。但是，作為用于從具有兩層或多層相變記錄層的多層光學記錄介質(zhì)的光照射側(cè)看除了最里面層之外的記錄層的記錄方法，最好采用其中在形成具有長度nT的標記時作為在起始脈沖上行程和最后脈沖上行程之間的間隔的時間寬度Tr如在圖12中的B或C所示一樣加寬。因為由于必須確保高透射率所以不能形成厚金屬層薄膜，所以通過在從多層光學記錄介質(zhì)的光照射側(cè)看除了最里面層之外的信息層中使用透明介電材料來補償散熱作用。如果金屬層加厚，則獲得足夠的散熱效果并且容易形成記錄標記。但是，在采用透明介電材料時，因為導(dǎo)熱性比在金屬中更低所以不能獲得足夠的散熱作用，并且容易使非結(jié)晶標記重新結(jié)晶。因此，通過較寬地設(shè)定Tr來獲得具有所期望長度的標記。如在圖12中的B所示，在該光學記錄方法中，起始脈沖可以較早上行，并且最后脈沖可以緩慢上行?？蛇x的是，如在圖12中的C一樣，只有起始脈沖可以較早上行。Tr數(shù)值的范圍可以為(n-1.5)TSTr《(n-0.5)T。例如，在記錄8T標記時，采用滿足6.5TSTi^7.5T的Tr。另外，為了使得非結(jié)晶標標記的形成區(qū)域盡可能大(厚)，在加熱之后必須采取較長的冷卻時間。因此，優(yōu)選的是，使得記錄脈沖寬度(Tmp)盡可能小。在時鐘周期為T時，優(yōu)選的是與記錄速度無關(guān)滿足0.12S(Tmp/記錄脈沖的周期)SO.3。在(Tmp/記錄脈沖的周期)短于012時，需要較高的記錄功率。因為時鐘周期T-15.9nsec，所以Tmp=0.12T=1.9nsec。因此，在記錄設(shè)備中，從LD(激光二極管)發(fā)射出的激光的響應(yīng)時間(上行程和下行程次數(shù))太遲，并且難以用所期望的記錄功率進行記錄。在(記錄脈沖的Tmp/周期)長于0.3時，因為冷卻時間較短，所以出現(xiàn)由于隨后脈沖的剩余熱量而導(dǎo)致的再結(jié)晶，并且不能確保所期望的調(diào)制度。一般來說，優(yōu)選的是在保持上面Tr的范圍時使用在圖13中所示的記錄脈沖策略的參數(shù)，但是記錄策略不限于此。例如，在DVD中，由于3T標記和4T標記比其它長標記出現(xiàn)更頻繁，所以它們更頻繁地影響記錄性能(抖動)。因此，局限于3T標記和4T標記的記錄，可以單獨設(shè)定這些參數(shù)，例如(dTtop3)、(dTtop4)、(dTlp3)、(dTlp4)、(dTare3)和(dTera4)。另外，通過本發(fā)明的光學記錄方法，可以使得記錄靈敏度更好。在多層光學記錄介質(zhì)上的第二層和外層中，因為激光必須透射穿過第一層，所以與單層光學記錄介質(zhì)相比需要與單層光學記錄介質(zhì)相比為兩倍或更多的記錄功率。因此，最好盡可能降低所需的記錄功率。通過如圖12所示不照射1T周期的脈沖而是減少脈沖數(shù)來使得冷卻時間更長。因此，可以使用于形成非結(jié)晶標記所需的記錄功率降低大約10°/。(參見圖14和15)。圖14和15為在實施例35中制成的雙層光學記錄介質(zhì)的第二記錄層中以9.2m/s的記錄線速度重復(fù)進行10次(DOW10)記錄時的數(shù)據(jù)。在通過1T周期策略記錄時，脈沖寬度為0.45T,并且在通過2丁周期策略記錄時，脈沖寬度為0.8T。在圖16中顯示出2T周期策略的具體實施例，其中在形成長度為nT的非結(jié)晶標記時如果照射脈沖數(shù)為m(m為l或更大的整數(shù))，在n為偶數(shù)時，滿足n^2m的關(guān)系，并且在n為奇數(shù)時-廣滿足n二2m+l的關(guān)系。在該圖中，脈沖數(shù)顯示為在用10T的時長記錄標記和用IIT的時長記錄標記的任一個情況中為5。在記錄奇數(shù)標記例如11T標記時，可以采用其中最后脈沖如在該圖中所示一樣向后偏移大約1T的波形。根據(jù)本發(fā)明，可以提供這樣的多層相變光學記錄介質(zhì)，其中通過即使在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的反射層的厚度超薄時也獲得足夠的散熱效果并且提高調(diào)制度，從而提高了記錄性能，并且提高了記錄靈敏度，存儲穩(wěn)定性優(yōu)異，并且另外通過提高每層信息層的透光率提高了在從激光照射側(cè)看最里面信息層中的記錄靈敏度，而且還提供了其光學記錄方法。下面將通過實施例和比較例對本發(fā)明進行更具體說明，但是本發(fā)明不限于此。在實施例和比較例中的雙層相變光學記錄介質(zhì)具有在圖l中所示的結(jié)構(gòu)(但是，在第二反射層和第二上保護層之間具有中間層)。從Unaxis供應(yīng)作為濺射設(shè)備的DVD打印機用來進行薄膜成型，并且采用了DC和RF石茲電管濺射方法。評估設(shè)備采用由PULSETEC提供的ODU-IOOO，并且采用這樣的條件，其中在記錄時照射的激光波長為660nm，物鏡的數(shù)值孔徑=0.65，并且再現(xiàn)光能量1.2mW。記錄策略為1T周期策略。在由在圖13中所示的參數(shù)表示時所采用的策略如在表l中所示一樣。在表中的數(shù)值表示采用[1/16]T作為單位的時間。例如，"3，，表示[3/16]T。在數(shù)值之前的"-"表示從基本位置開始暫時延遲。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>(實施例1至21以及比較例1至5)在第一記錄層中記錄時的記錄線速度為9.2m/s。在三個軌跡上重復(fù)進行隨機記錄10次(DOW10)，并且再現(xiàn)在它們之中的中間軌跡。隨才幾記錄指的是不規(guī)則記錄3T至11T和14T1010中標記和空間。在評估準則中，其中在第一信息層中的透光率為40%或更多并且調(diào)制度飽和的記錄功率為最佳記錄功率Ppo[mW]，在通過Ppo在第一信息層中記錄時的調(diào)制度為M(DOW10),并且在記錄之后的晶體反射率為Itop(DOW10)。"M20.55并且Itopxx^4.0。/。"的情況確定為A，"M20.55并且4.0。/?！碔top23.5。/。"的情況確定為B,并且除了這些情況之外的情況確定為C。在表2中集中顯示出評估結(jié)果。(實施例1)通過濺射方法在Ar氣氛圍中在直徑為12cm并且厚度為0.58mm的由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成的第一基板上按順序形成厚度為60nm的由ZnS(80mol。/。)-SiO2(20mol。/。)構(gòu)成的第一下保護層、厚度為7.6nm的由Ago.zInuSbswTezuGes構(gòu)成的第一記錄層、厚度為5腿的由In2O3(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(60mol%)-Ta2O5(10mol%)構(gòu)成的第一上保護層、厚度為8nm的由其中向Cu中加入質(zhì)量上l.l。/。的Mo的材料構(gòu)成的第一反射層以及厚度為80nm的由In203(7,5mol%)-ZnO(22.5mol°/。)-SnO2(60mol%)-Ta2O5(10mol。/。)構(gòu)成的透光層，從而形成第一信息層，其中所述第一基板在一側(cè)上具有由軌跡間距為0.74um的連續(xù)溝槽形成的跟蹤引導(dǎo)件粗糙度(asperity)。通過采用與第一基板相同的基板作為第二基板利用賊射方法在Ar氣氛圍中依次形成由Ag構(gòu)成的厚度為140nm的第二反射層、由TiC(70mol%)-TiO2(30mol%)構(gòu)成的厚度為4nm的中間層、由ZnS(80moP/o)-Si02(20mol。/o)構(gòu)成的厚度為20nm的第二上保護層、由Ago.2ln3.5Sb69.2Te2L,Ge6構(gòu)成的厚度為15nm的第二記錄層以及由ZnS(80mol。/。)-SiO2(20mol。/。)構(gòu)成的厚度為l楊m的第二下保護層，從而形成第二信息層。隨后，通過在第一信息層的薄膜側(cè)上施加可紫外線固化樹脂(從NipponKayaku有限公司提供的KayaradDVD802),與之一起粘貼并且旋涂第二基板的第二信息層，然后通過從第一基板側(cè)照射紫外線以使樹脂固化來形成中間層，從而制成具有兩層信息層的雙層相變光學記錄介質(zhì)。隨后，從第一基板側(cè)向第一信息層和第二信息層照射激光以進行初始化。通過利用光拾取器(數(shù)值孔徑NA:0.55)收集從半導(dǎo)體激光器(發(fā)射波長810±10nm)發(fā)射出的激光來進行初始化。在用于第一記錄層的初始化條件中，通過CLV(線速度恒定)模式來使光學記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，線速度為6.8m/s,進給量為68um/轉(zhuǎn)，初始化功率為1300W，并且使半徑位置23mm至59mm完全初始化。在用于第二記錄層的初始化條件中，通過CLV(線速度恒定)模式使光學記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)動，線速度為7m/s,進給量為60um/轉(zhuǎn)動，初始化功率為1570W，并且將半徑位置23mm至59mm完全初始化。對于該初始化順序，使第二信息層初始化，然后使第一信息層初始化。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.2%。(實施例2)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.8%。(實施例3)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?lnm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為41.8%。(實施例4)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?40nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為41.7%。(實施例5)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?50nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為40.7%。(實施例6)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的第一下保護層的材料改變?yōu)镮n2O3(7.5molo/0)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(60mol%)-Ta2O5(10mol0/0)并且其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.1%。(實施例7)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的第一下保護層的材料改變?yōu)殡p層結(jié)構(gòu)，其中從基板側(cè)開始層壓有厚度為60nm的In203(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(60mol°/。)-Ta2O5(10mol%)和厚度為20nm的ZnS(80moI%)-SiO2(20mol°/。)。在初始化之后在第一信息層中的透光率為42.8%。(實施例8)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)閘n203(16mol%)-ZnO(14mol%)-SnO2(70mol%),并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.1%。(實施例9)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)閘n203(16mol°/。)-ZnO(14mol%)-SnO2(70mol%)，并且將其厚度改變?yōu)?5nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為42.9%。(實施例0)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(16mol°/。)-ZnO(14mol%)-SnO2(70mol%),并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為42.7%。(實施例ll)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n203(8.8mol%)-ZnO(41.7mol%)-Sn02(35.2mol%)-Si02(14.3mol%),并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為44.2%。(實施例12)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n203(8.8mol%)-ZnO(41.7mol%)-Sn02(35.2mol%)-Si02(14.3mol%),并且將其厚度改變?yōu)?5nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為44.5%。(實施例13)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(12mol%)-ZnO(80mol%)-SnO2(8mol%),并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為44.7°/0。(實施例14)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(12mol%)-ZnO(80mol%)-SnO2(8mol%)，并且將其厚度改變?yōu)?5nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為44.4%。(比較例l)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)門a205。在初始化之后在第一信息層中的透光率為39.5。/。。(比較例2)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)門a205,并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為37.5%。(比較例3)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)榘?203。在初始化之后在第一信息層中的透光率為39.2%。(比較例4)按照與在實施例l中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)锳1203,并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為37.2%。(實施例15)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中將在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為40.5%。(實施例16)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的厚度改變?yōu)?60nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為40.1%。(比較例5)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(90mol%)-ZnO(1Omol。/。)并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為39.1%。(實施例n)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n203(8.8mol%)-ZnO(41.7mol%)-Sn02(35.2mol%)-Si02(14.3mol%),并且將其厚度改變?yōu)?5nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43%。(實施例18)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n203(8.8mol%)-ZnO(41.7mol%)-Sn02(35.2mol%)-Si02(14.3mol%)，并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.3%。(實施例19)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(12mol%)-ZnO(80mol%)-SnO2(8mol%),并且將其厚度改變?yōu)?5nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.5%。(實施例20)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)镮n2O3(12mol%)-ZnO(80mol°/。)-SnO2(8mol%)，并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為43.8%。按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將在第一信息層中的透光層的材料改變?yōu)閘n203(16mol%)-ZnO(14mol%)-SnO2(70mol%)，并且將其厚度改變?yōu)?0nm。在初始化之后在第一信息層中的透光率為42.7%。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>出在改變記錄功率(峰值功率Pp)時在重復(fù)記錄10次(DOWIO)之后的調(diào)制度M(DOWIO)和"ItopxM(%)"。當如在比較例5中一樣對于在第一信息層中的透光層采用In2O3(90mol。/。)-ZnO(10mol。/。)而沒有采用Sn氧化物時，在以9.2m/s的記錄速度在第一信息層中記錄時如圖6所示一樣獲得較低調(diào)制度曲線。隨著記錄功率增大，調(diào)制度飽和在小于0.6。如圖7所示，使記錄性能"ItopxM"增大至大約4%，但是透射率變差。相反，如在實施例2和3中所示一樣，在Sn氣化物為在第一上保護層和透光層中的主要組分時，可以提高調(diào)制度。還有如在實施例6中所示一樣，在Sn氧化物也是在第一下保護層中的主要組分時，能夠在較低能量下確保等同的調(diào)制度，并且提高了記錄靈敏度。另外，如在實施例7中所示一樣，即使在第一下保護層為雙層時，也能夠保持這些效果。如在表2中所示一樣，根據(jù)本發(fā)明，可以降低在第一信息層中的最佳記錄功率Ppo[mW]并且降低在第二信息層中的記錄功率，因為可以提高透光率。因此，能夠降低在記錄設(shè)備中用于激光器輸出的電能消耗。(實施例22至3"對于在實施例l中的雙層相變光學記錄介質(zhì)，評估出相應(yīng)實施例的存儲性能。在第一記錄層中記錄時記錄線速度為9.2m/s。通過在三個軌跡中重復(fù)進行隨機記錄10次(DOWIO)并且再現(xiàn)它們之中的中間軌跡來評估記錄。對于記錄方法而言采用1T周期記錄策略。在隨機記錄3T至11T和14T的標記和空間時通過抖動來評估性能。抖動為通過在標記和空間的反射率水平在分層水平處二進制化時用窗口寬度來使得在邊界和時鐘之間的時間延遲標準化所表示的抖動。對于存儲性能的確定準則，在80°C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后，確定該情況為合格，并且將超過l。/。的情況確定為不合格。在表3中集中顯示出評估結(jié)果。(實施例22)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)門a(質(zhì)量上2.0。/0)。(實施例23)了在實施例l中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镹b(質(zhì)量上1.00/。)。(實施例24)了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镃r(質(zhì)量上0.60/。)。(實施例25)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)閆r(質(zhì)量上1.00/。)。(實施例26)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镹i(質(zhì)量上0.70/。)。(實施例27)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镚e(質(zhì)量上0.8。/。)。(實施例28)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)閆r(質(zhì)量上0.3。/。)。(實施例29)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镚e(質(zhì)量上0,20/。)。(實施例30)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)锳U(質(zhì)量上2.20/0)。(實施例31)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镸o(質(zhì)量上4.0。/。)。(實施例32)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例l中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镸o(質(zhì)量上5.00/。)。(實施例33)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中沒有在第一信息層中的第一反射層中加入任何元素。(實施例34)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)镸o(質(zhì)量上5.50/。)。(實施例35)按照與在實施例1中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例1中將加入在第一信息層中的第一反射層中的元素改變?yōu)锳g。如在實施例35中所示一樣，反射層可以為Ag,但是其主要組分為Cu的反射層對于存儲性能更有效。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>實施例27Ge0.80.75實施例28Zr0,30.9實施例29Ge0.20.9實施例30Au2.20.85實施例31Mo4.00.5實施例32Mo5.00.7實施例33無0.00.9實施例34Mo5.51.15實施例35純Ag無0.96(實施例36)按照與在實施例2中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例2中將第一上保護層的材料改變?yōu)镮n203(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(60mol°/。)-SiO2(10mol%)，并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄IO次的結(jié)果，抖動為6.9%,并且在溫度80°C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.1%。(實施例37)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镮n2O3(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(70mol%)，并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄10次的結(jié)果，抖動為7.5%,并且在溫度80°C和85%RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.1%。(實施例38)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镾nO2(80mol%)-Ta2O5(20mol%),并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄IO次的結(jié)果，抖動為9%，并且在溫度8(TC和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.3%。(實施例39)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镾nO2(90mol%)-Ta2O5(10mol%),并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄10次的結(jié)果，抖動為10%,并且在溫度8(rC和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.8%。(實施例40)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镾n02(95mol%)-Ta205(5mol%),并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄IO次的結(jié)果，抖動為10%，并且在溫度80。C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為1.1%。(實施例41)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镮n2O3(9.2mol%)-ZnO(27.5mol%)-SnO2(53.3mol%)-Ta2O5(10mol%)，并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄10次的結(jié)果，抖動為7.5%,并且在溫度80。C和85%RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.2%。(實施例42)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镮n2O3(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-SnO2(50mol%)-Ta2O5(20mol%)，并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄IO次的結(jié)果，抖動為10%,并且在溫度80。C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.1%。(實施例43)按照與在實施例36中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了在實施例36中將第一上保護層的材料改變?yōu)镮n203(7.5mol%)-ZnO(22.5mol%)-Sn02(45mol%)-Ta205(25mol%)，并且進行評估。作為在第一信息層中的第一記錄層中重復(fù)記錄IO次的結(jié)果，抖動為18.3%,并且在溫度80。C和85。/。RH的環(huán)境下存儲100小時之后抖動改變量為0.3%。由于與實施例42相比在實施例43中反復(fù)記錄的抖動明顯變差，在SnO2的含量小于50。/。時，能夠確保優(yōu)異的存儲穩(wěn)定性，但是變得不容易以大約10m/s的速度進行反復(fù)記錄。這似乎是因為傳輸線速度延遲并且難以完全刪除在反復(fù)記錄時的非結(jié)晶標記而引起的(參見圖8)。<評估>對于實施例36至43而言，按照與在實施例22中相同的方式評估在溫度80°C和85%RH的環(huán)境下存儲100小時時DOW10抖動的變化量。在圖ll中集中顯示出這些結(jié)果。對于實施例36、41、42和43而言，在圖8中集中顯示出測量傳輸線速度和DOWIO抖動的結(jié)果。(實施例44至46和比4交例6至13)按照與在實施例2中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了將第一上保護層的厚度改變?yōu)?nm(比較例6)、2nm(實施例44)、10nm(實施例45)、15nm(實施例46)、20nm(比較例7)、25nm(比較例8)或3Onm(比較例9)。也按照與在實施例2中相同的方式制作出雙層相變光學記錄介質(zhì)，除了將第一上保護層的材料改變?yōu)閆nO(80mol%)-SiO2(20mol%),并且將其厚度改變?yōu)?nm(比較例10)、10nm(比較例11)、15nm(比較例12)和20nm(比較例13)。對于這些光學記錄介質(zhì)而言，按照與在實施例22中相同的方式評估DOWIO抖動的變化量。這些結(jié)果與實施例2(厚度5nm)—起集中顯示在圖10中。如在該圖中所示一樣，在包含Sn氧化物并且厚度為15nm或更小時獲得其中DOWIO抖動的變化量非常小的介質(zhì)，而在采用ZnO-Si02的比較例中，DOW10抖動的變化量在任何情況中都大約為3%或更大。同時，在圖17中顯示出針對采用了Sn02的光學記錄介質(zhì)和在比較例6中的光學記錄介質(zhì)通過測量調(diào)制度M(DOW10)而獲得的結(jié)果。如在該圖中所示一樣，在比較例6中不能確保60。/。或更大的調(diào)制度M。因此，結(jié)合在圖10和17中的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)第一上保護層的厚度必須在2nm至15nm的范圍中。(實施例47至51和比較例14至15)采用在實施例36中制成的雙層光學記錄介質(zhì)來進行評估。在9.2m/s的記錄線速度下在改變Tr數(shù)值的情況下測量出在反復(fù)記錄10次(DOWIO)之后、在反復(fù)記錄100次(DOWIO)之后以及在反復(fù)記錄500次(DOWIO)之后的抖動。在評估準則中，將表現(xiàn)出11°/?；蚋〉亩秳拥那闆r確定為合格。在表4中顯示出這些結(jié)果。在將Tr設(shè)定為短于(n-1.5)T時，抖動變差，這是因為形成比所期望的非結(jié)晶標記長度更短的標記。在將Tr設(shè)定為長于(n-0.5)丁時，形成比所期望的非結(jié)晶長度更長的標記，并且將刪除功率設(shè)定為較高以調(diào)節(jié)它。在反復(fù)記錄500次中的記錄性能由于熱影響而變差。9.2m/s記錄Tr[T]DOW10DOW100DOW500比較例14n漏0.38.510.512.2實施例47n-0.58.39.310.7實施例48n-0.77.99.110.1實施例49n-l78.19.6實施例50n醫(yī)1.37.48.59.9實施例51n-1.58.58.910.4比較例15n-1.79.210.812.權(quán)利要求1.一種多層光學記錄介質(zhì)，它包括至少多層信息層其中所述多層信息層至少包括能夠通過激光照射記錄信息的相變記錄層以及反射層，其中從激光照射側(cè)看除了最里面信息層之外的每層信息層包括下保護層、相變記錄層、上保護層、反射層和透光層，在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層和透光層由包含Sn氧化物的材料構(gòu)成，并且在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層的厚度為2nm至15nm。2.如權(quán)利要求1所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層包含50mol。/。至90mol。/。的Sn氧化物。3.如權(quán)利要求1至2中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的透光層的厚度為51nm至250nm。4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的反射層包含Cu作為主要組分。5.如權(quán)利要求4所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的反射層包含以質(zhì)量計5%或更少的選自Mo、Ta、Nb、Cr、Zr、Ni、Ge和Au中的至少一種金屬元素。6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的下保護層由包含Sn氧化物的材料構(gòu)成。7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，其中在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的下保護層由雙層層壓結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并且兩層中的至少一層由包含Sn氧化物材料構(gòu)成。8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)，該多層光學記錄介質(zhì)從激光照射側(cè)看依次具有第一基板、第一信息層、中間層、第二信息層和第二基板，第一信息層從激光照射側(cè)看依次具有第一下保護層、第一相變記錄層、第一上保護層、第一反射層和透光層，并且第二信息層從激光照射側(cè)看依次具有第二下保護層、第二相變記錄層、第二上保護層、第二反射層。9.一種用于如權(quán)利要求1至8中任一項所述的多層光學記錄介質(zhì)的光學記錄方法，它包括在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的記錄層上反復(fù)照射經(jīng)由記錄功率和偏壓功率的兩個數(shù)值調(diào)制的脈沖，并且在形成長度為nT(T:時鐘周期，n:2或更大的整數(shù))的記錄標記時，將初始脈沖和最后脈沖的上行程之間的間隔Tr設(shè)定在下面公式的范圍中(n-1.5)TSTr《(n-0.5)T。10.如權(quán)利要求9所述的光學記錄方法，其中在從激光照射側(cè)看在每層信息層中為第二或外面的記錄層中進行記錄時，在照射脈沖的數(shù)量為m(m為1或更大的整數(shù))時，如果n為偶數(shù)，則滿足n二2m的關(guān)系，并且如果n為奇數(shù)，則滿足n=2m+l的關(guān)系。全文摘要一種多層光學記錄介質(zhì)，它包括至少多層信息層，所述多層信息層至少包括能夠通過激光照射記錄信息的相變記錄層以及反射層，其中從激光照射側(cè)看除了最里面信息層之外的每層信息層包括下保護層、相變記錄層、上保護層、反射層和透光層，在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層和透光層由包含Sn氧化物的材料構(gòu)成，并且在從激光照射側(cè)看除了最里面層之外的每層信息層中的上保護層的厚度為2nm至15nm。文檔編號G11B7/254GK101258546SQ20068003251公開日2008年9月3日申請日期2006年8月31日優(yōu)先權(quán)日2005年9月5日發(fā)明者關(guān)口洋義,日比野榮子,真貝勝,篠塚道明申請人:株式會社理光