1.一種微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，包括依次層疊的抗金屬天線層、第一導(dǎo)電層、分隔層、第二導(dǎo)電層和芯片，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電連接，所述抗金屬天線層與第一導(dǎo)電層電連接，所述芯片與所述第二導(dǎo)電層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述分隔層上設(shè)有通孔，所述通孔的孔壁上設(shè)有導(dǎo)電鍍層，所述導(dǎo)電鍍層分別與所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述通孔垂直設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽，其特征在于，所述抗金屬天線層為L(zhǎng)TCC天線。
5.一種微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，在分隔層的兩側(cè)面分別制作出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；將所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電連接；于第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離分隔層的側(cè)面上設(shè)置抗金屬天線層，然后將抗金屬天線層和第一導(dǎo)電層電連接，于第二導(dǎo)電層遠(yuǎn)離分隔層的側(cè)面上設(shè)置芯片層，然后將芯片層和第二導(dǎo)電層電連接；獲得整版的所述微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，采用FPC工藝制作出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層并實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，采用導(dǎo)電油墨噴涂工藝制作出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，所述抗金屬天線層包括多個(gè)LTCC天線，采用SMT焊接工藝將多個(gè)LTCC天線焊接在第一導(dǎo)電層上實(shí)現(xiàn)抗金屬天線層與第一導(dǎo)電層的電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，所述芯片層包括多個(gè)芯片，采用SMT焊接工藝將多個(gè)芯片焊接在第二導(dǎo)電層上實(shí)現(xiàn)芯片層與第二導(dǎo)電層的電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽的制備方法，其特征在于，還包括步驟：將整版的所述微型RFID高頻抗金屬電子標(biāo)簽進(jìn)行切割，形成獨(dú)立的電子標(biāo)簽單元。