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分子篩及應(yīng)用所述分子篩的吸聲材料和電聲器件的制作方法

文檔序號(hào):12686150閱讀:537來源:國知局
本發(fā)明涉及一種分子篩,具體指一種能夠增強(qiáng)電聲器件低頻性能的分子篩。
背景技術(shù)
:在電聲器件裝置中,在其背部的box空腔中添加多孔材料,可以起到相當(dāng)于增加腔體體積的效果,從而可以使得電聲器件系統(tǒng)表現(xiàn)出更好的低頻性能:整體的f0降低,低頻部分的聲壓值增加。現(xiàn)有專利中使用的低頻改進(jìn)材料有活性炭、沸石、分子篩、MgO、Al2O3、SiO2等;對(duì)于分子篩材料,專利中對(duì)其成分要求比較模糊,如專利CN103098490A中,對(duì)成分要求是硅鋁質(zhì)量比大于200,對(duì)其它成分未提出要求。因此,有必要針對(duì)適用于改進(jìn)電聲器件低頻性能的分子篩進(jìn)行研究。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明針對(duì)用于改進(jìn)電聲器件低頻性能的分子篩進(jìn)行優(yōu)化研究,從而提供一種真正實(shí)用的分子篩。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出如下方案:一種分子篩,分子篩晶體骨架成分包括:ZO2、MxOy;平衡骨架電荷的陽離子成分包括:Na2O、CaO、K2O;其中各成分含量滿足:ZO2為96%wt以上、MxOy為0-1%wt、Na2O為0-1%wt、CaO為0-0.5%wt、K2O為0-1%wt;Z為Si、Ti、Ge中的一種或多種;M為Al、Fe、V、Zr、P、B中一種或多種。進(jìn)一步地,各成分含量滿足:ZO2為98%wt以上、MxOy為0-0.5%wt、Na20為0-0.6%wt、CaO為0-0.2%wt、K20為0-5%wt。進(jìn)一步地,所述分子篩的結(jié)構(gòu)類型包括MFI、MEL、BEA、FER中的一種或多種。本發(fā)明還提出一種吸聲材料,包括本發(fā)明所提出的分子篩。進(jìn)一步地,吸聲材料還包括粘結(jié)劑。進(jìn)一步地,所述粘結(jié)劑的含量在20%wt以內(nèi)。本發(fā)明還提出一種電聲器件,其包括具有收容空間的殼體、位于殼體內(nèi)的發(fā)聲單體以及由發(fā)聲單體與殼體所圍成的空腔,所述空腔內(nèi)填充本發(fā)明所提出的吸聲材料。本發(fā)明的有益效果是:通過在電聲器件背部的box空腔中添加本發(fā)明所提出的吸聲材料,可以起到相當(dāng)于增加腔體體積的效果,從而可以使得電聲器件系統(tǒng)表現(xiàn)出更好的低頻性能:整體的f0降低,低頻部分的聲壓值增加。【附圖說明】圖1是本發(fā)明電聲器件的頻率特性曲線,其中A曲線為不添加本發(fā)明分子篩或者吸聲材料的測(cè)試結(jié)果、B曲線為添加本發(fā)明分子篩或者吸聲材料的測(cè)試結(jié)果?!揪唧w實(shí)施方式】下面結(jié)合圖1對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述。分子篩(又稱合成沸石)是一種硅鋁酸鹽多微孔晶體。它是由硅氧、鋁氧四面體組成基本的骨架結(jié)構(gòu),在骨架外存在著金屬陽離子(如Na+,K+,Ca2+,Li+等),以平衡晶體中多余的負(fù)電荷。分子篩按其骨架類型可分為200多種,如FER、FAU、BEA、MFI等。分子篩作為多孔吸聲材料,應(yīng)用在電聲器件的收容空腔內(nèi),能夠有效提升器件的低頻音效。本發(fā)明對(duì)于適用于提高電聲器件的低頻性能的分子篩成分進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)表明分子篩晶體骨架上的ZO2和MxOy含量以及用于平衡骨架電荷的陽離子Na+、Ca2+、K+的含量(以氧化物計(jì))在表1范圍內(nèi)會(huì)表現(xiàn)出較好的低頻改善性能:表1ZO2MxOyNa2OCaOK2O質(zhì)量百分?jǐn)?shù)%wt>960-10-10-0.50-1更優(yōu)選地,本發(fā)明的分子篩具有如表2所列含量范圍時(shí),更為有利于提高電聲器件的低頻性能。表2ZO2MxOyNa2OCaOK2O質(zhì)量百分?jǐn)?shù)%wt>980-0.50-0.60-0.20-0.5本發(fā)明中,Z可以是Si、Ti、Ge中的一種或多種;M可以是Al、Fe、V、Zr、P、B等中一種或多種。本發(fā)明中,同一成分,如Al,可能存在分子篩骨架Al和非骨架Al,本發(fā)明強(qiáng)調(diào)的重點(diǎn)是骨架Al含量,非骨架Al可以通過添加含Al添加劑任意調(diào)節(jié)。本發(fā)明中,除表1和表2所列出的組成成分外,分子篩中可能會(huì)含有其它成分,比如Li+等。本發(fā)明所指的分子篩可以是MFI、MEL、BEA、FER等結(jié)構(gòu)類型的分子篩中的一種或幾種混合。通常情況下,分子篩都是粉末形式,大多都需與粘結(jié)劑一起,成型為一定大小的顆粒使用。粘結(jié)劑可以為無機(jī)類粘結(jié)劑和有機(jī)高分子類粘結(jié)劑:無機(jī)粘結(jié)劑主要包括活性氧化鋁、硅溶膠等等;有機(jī)高分子粘結(jié)劑主要包括纖維素、丙烯酸酯類、環(huán)氧類、聚氨酯類等等。粘結(jié)劑的含量通常在20%wt以內(nèi)。實(shí)施例1:一種MFI分子篩,其晶體骨架成分含量:SiO2為98.55%、Al2O3為0.31%;平衡骨架電荷的陽離子含量:Na20為0.39%、CaO為0.11%、K2O為0.23%。各成分含量不足100%是因?yàn)槌煞种胁豢杀苊獾臅?huì)含有一些其它微量成分,種類不確定,但是不會(huì)影響性能。實(shí)施例2:一種MFI分子篩,其晶體骨架成分含量:SiO2為98.10%、Al2O3為0.42%;平衡骨架電荷的陽離子含量:Na2O為0.71%、CaO為0.14%、K2O為0.21%。實(shí)施例3:一種MFI分子篩,其晶體骨架成分含量:SiO2為98.23%、Al2O3為0.34%;平衡骨架電荷的陽離子含量:Na20為0.27%、CaO為0.09%、K2O為0.68%。實(shí)施例4:一種MFI分子篩,其晶體骨架成分含量:SiO2為96.59%、Al2O3為0.77%;平衡骨架電荷的陽離子含量:Na2O為0.87%、CaO為0.26%、K2O為0.53%。將實(shí)施例1-4的分子篩于相同條件下成型為顆粒,填充到1cc空腔的測(cè)試工裝中,測(cè)試初始效果和模擬長(zhǎng)期工作條件后的效果如表3所示:表3其中F0值指的是電聲器件在自由聲場(chǎng)中低頻段阻抗值達(dá)到最大值時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率,Q值則反映了電聲器件在F0附近的振動(dòng)系統(tǒng)的阻尼狀態(tài),是決定電聲器件低頻特性的重要參數(shù)。參見圖1,圖中A線條表示無添加本發(fā)明分子篩或者吸聲材料的測(cè)試曲線、B線條表示添加有本發(fā)明分子篩或者吸聲材料的測(cè)試曲線。測(cè)試結(jié)果表明:在電聲器件背部的box空腔中添加這種材料后可以起到相當(dāng)于增加腔體體積的效果,從而可以使得電聲器件系統(tǒng)表現(xiàn)出更好的低頻性能:整體的f0降低,低頻部分的聲壓值增加。以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式,在此應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出改進(jìn),但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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