技術(shù)特征：

1.一種基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)：種植同等數(shù)量的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米，在玉米生長過程中，對(duì)一部分?jǐn)?shù)量的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米噴施濃度為1080g a.e.ha^-1的草甘膦溶液作為實(shí)驗(yàn)組，對(duì)剩余的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米噴施等量的水作為對(duì)照組；

(2)通過制定莽草酸標(biāo)準(zhǔn)曲線結(jié)合紫外分光光度法，獲得受草甘膦脅迫不同天數(shù)的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米的植株冠層葉片的莽草酸含量；

(3)應(yīng)用葉綠素?zé)晒獬上裣到y(tǒng)，獲取受草甘膦脅迫不同天數(shù)的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米的植株冠層的熒光參數(shù)；

(4)采用主成分分析，選擇對(duì)草甘膦脅迫響應(yīng)最敏感的葉綠素?zé)晒鈪?shù)；

(5)通過k-means方法在實(shí)驗(yàn)組和對(duì)照組內(nèi)選擇建模集和預(yù)測(cè)集；

(6)以建模集內(nèi)樣本選擇的葉綠素?zé)晒鈪?shù)作為輸入，莽草酸含量作為輸出，建立轉(zhuǎn)基因玉米莽草酸PLSR回歸分析模型：

(7)將預(yù)測(cè)集內(nèi)樣本的葉綠素?zé)晒鈪?shù)輸入所述轉(zhuǎn)基因玉米莽草酸PLSR回歸分析模型，得到對(duì)樣本的莽草酸含量。

2.如權(quán)利要求1所述的基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，在步驟(1)中，分別種植120盆轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米，其中轉(zhuǎn)基因玉米轉(zhuǎn)入cry1Ab/cry2Aj-G10evo基因，在玉米生長至3葉期時(shí)，將草甘膦溶液置于便攜式CO₂高壓噴霧器中，分別對(duì)80株轉(zhuǎn)基因和非轉(zhuǎn)基因玉米植株進(jìn)行噴施作為實(shí)驗(yàn)組，噴施壓力為23lb pol^-2，噴施量為120L ha^-1；在同等條件下，分別對(duì)40株轉(zhuǎn)基因和非轉(zhuǎn)基因玉米植株噴施等量的水作為對(duì)照組；

在噴施后的第2、4、6、8天取轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米各20株，噴施水的轉(zhuǎn)基因玉米和非轉(zhuǎn)基因玉米各10株進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，共有實(shí)驗(yàn)樣本240個(gè)。

3.如權(quán)利要求1所述的基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，在步驟(2)中，測(cè)定實(shí)驗(yàn)樣本莽草酸含量的步驟有：

(2.1)獲取莽草酸提取物：每個(gè)樣本取0.1g葉片加入1.5ml的0.25mol/L的HCl提取液在冰浴狀態(tài)下迅速碾磨，于12000r/min離心10min，收集離心上清液；

(2.2)測(cè)定莽草酸提取物的OD值：取200μl的離心上清液加入微量滴定板上，加入2ml濃度為1％的高碘酸，3h后，加入2ml的1mol/L的NaOH溶液，再加入1.2ml的0.1mol/L的甘氨酸，混勻后放置5min，在紫外分光光度計(jì)380nm下比色，記錄OD值；

(2.3)測(cè)定莽草酸標(biāo)準(zhǔn)品的OD值并繪制莽草酸標(biāo)準(zhǔn)品的濃度與OD值的標(biāo)準(zhǔn)曲線：將sigma莽草酸標(biāo)準(zhǔn)品10mg溶于1.5ml0.25mol/LHCL中，取0、1、2.5、5、10μl加入0.25mol/L HCL至1.0ml，用上述OD值，繪制莽草酸標(biāo)準(zhǔn)品的濃度與OD值的標(biāo)準(zhǔn)曲線，并計(jì)算得到每個(gè)樣本的莽草酸含量。

4.如權(quán)利要求1所述的基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，在步驟(3)中，所采用的葉綠素?zé)晒獬上裣到y(tǒng)包括兩對(duì)LED光源，其中一對(duì)提供紅橙色的光化光，強(qiáng)度為120μmol photons m-2s-1；另一對(duì)在800ms的白色波長中提供飽和脈沖，為強(qiáng)度高達(dá)1400μmol photons m-2s-1的冷白光；

在測(cè)定葉綠素?zé)晒馇?，被測(cè)樣本需要暗適應(yīng)30分鐘；黑暗適應(yīng)后測(cè)葉綠素?zé)晒鈪?shù)Fo和Fm，用連續(xù)光化光照射植物92秒，獲得5個(gè)飽和脈沖。

5.如權(quán)利要求4所述的基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，步驟(3)中具體獲得的葉綠素?zé)晒鈪?shù)包括：

暗適應(yīng)后的最小熒光F_o，暗馳豫最小熒光F_o_Dn1，光適應(yīng)的最小熒光F_o_Ln2，光適應(yīng)后穩(wěn)態(tài)最小熒光F_o_Lss3，暗適應(yīng)后的最大熒光F_m，Kautsky誘導(dǎo)效應(yīng)最大熒光F_p，暗馳豫即時(shí)熒光Ft，可變熒光F_v，暗馳豫非光化熒光淬滅NPQ，暗馳豫光化學(xué)熒光淬滅qP，基于‘lake’模型的光適應(yīng)光化學(xué)淬滅qL，暗馳豫光量子效率QY，最大光量子效率F_v/F_m(QY_max)，光適應(yīng)熒光衰減率R_fd，F(xiàn)_q。

6.如權(quán)利要求5所述的基于葉綠素?zé)晒獬上竦霓D(zhuǎn)基因玉米草甘膦耐受性表型的檢測(cè)方法，其特征在于，在步驟(5)中，用k-means方法選擇建模集和預(yù)測(cè)集的具體算法如下：

隨機(jī)選取K個(gè)聚類質(zhì)心點(diǎn)為μ1，μ2，……μk，重復(fù)下面過程直到收斂：

對(duì)于每一個(gè)樣例i，計(jì)算其應(yīng)該屬于的類：

c⁽ⁱ⁾＝argmin_j||x⁽ⁱ⁾-μ_j||2

其中，x⁽ⁱ⁾為第i個(gè)樣例的x坐標(biāo)，c⁽ⁱ⁾代表樣例i與k個(gè)類中距離最近的那個(gè)類，其值是1到k中的一個(gè)。

對(duì)于每一個(gè)類j，重新計(jì)算該類的質(zhì)心：

${\mathrm{\μ}}_j=\frac{{\mathrm{\Σ}}_{i=1}^{m}1\{c^{\left(i\right)}=j\}{x}^{\left(i\right)}}{{\mathrm{\Σ}}_{i=1}^{m}1\{c^{\left(i\right)}=j\}}$

式中，μ_j為第j類的質(zhì)心的x坐標(biāo)。