本發(fā)明涉及被檢查物的電氣檢查所使用的探針卡以及該探針卡所具備的層疊布線基板。

背景技術(shù)：

在LSI等半導(dǎo)體元件的電氣檢查所使用的探針卡中，作為形成母基板的外部電極與探針之間的連接布線的基板，廣泛地采用了陶瓷多層基板。另外，近年來(lái)，由于半導(dǎo)體元件的高集成化，使得其端子數(shù)的增加、端子的窄間距化逐漸加劇，因此使用了將陶瓷多層基板的一部分的層置換為容易形成微細(xì)的布線的聚酰亞胺等樹(shù)脂層的層疊布線基板。

例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的層疊布線基板100中，如圖10所示，成為具備層疊多個(gè)陶瓷層101a而成的陶瓷層疊體101以及層疊多個(gè)樹(shù)脂層102a而成的樹(shù)脂層疊體102，且樹(shù)脂層疊體102層疊在陶瓷層疊體101上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在層疊布線基板100的上表面以窄間距形成有分別與探針連接的多個(gè)表面電極103。另外，在層疊布線基板100的下表面形成有與各表面電極103對(duì)應(yīng)地設(shè)置且與對(duì)應(yīng)的表面電極103分別連接的多個(gè)背面電極104。各背面電極104用于與母基板連接而設(shè)置。

另外，在樹(shù)脂層疊體102以及陶瓷層疊體101的內(nèi)部形成有再布線結(jié)構(gòu)，以使相鄰的背面電極104間的間距比相鄰的表面電極103間的間距寬。

當(dāng)形成這樣的再布線結(jié)構(gòu)時(shí)，在接近表面電極103的一方的樹(shù)脂層疊體102中，由于需要在其內(nèi)部形成的布線的細(xì)線化、將相鄰的布線間的距離縮窄，所以利用由能夠形成微細(xì)的布線的聚酰亞胺等所形成的樹(shù)脂層102a來(lái)構(gòu)成。另外，在布線的形成空間比較充裕的陶瓷層疊體101中，由剛性比樹(shù)脂層102a高且線膨脹系數(shù)接近IC晶片等檢查介質(zhì)的線膨脹系數(shù)的陶瓷層101a構(gòu)成。通過(guò)這樣構(gòu)成層疊布線基板100，能夠進(jìn)行端子數(shù)的增加、對(duì)端子間被窄間距化的近年來(lái)的半導(dǎo)體元件的電氣檢查。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2011－9694號(hào)公報(bào)(參照段落0019～0022、圖1等)

然而，在這種探針卡中，例如存在用于向被檢查物的電源端子供給電源的電源線中流通超過(guò)允許電流的大電流的情況。在該情況下，以往，與電源線連接的探針會(huì)熱熔融而損傷，但近年來(lái)，由于伴隨著被檢查物的多端子化，層疊布線基板100內(nèi)的布線電極(電源線)細(xì)線化，尤其在由聚酰亞胺等構(gòu)成的樹(shù)脂層102a(樹(shù)脂層疊體102)形成的布線電極細(xì)線化，所以在樹(shù)脂層102a形成的布線電極斷線的風(fēng)險(xiǎn)很高。由于若層疊布線基板100內(nèi)的布線電極斷線，則需要更換層疊布線基板100本身，所以與探針的更換相比較，探針卡的修復(fù)成本變高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠降低在電源線中流通意外的大電流的情況下的修復(fù)成本的探針卡。

為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的探針卡的特征在于，在被檢查物的電氣檢查所使用的探針卡中，具備：母基板；層疊布線基板，被安裝于上述母基板的一個(gè)主面；電源供給用電極，被設(shè)置于上述母基板；電源用連接電極，形成于上述層疊布線基板的與上述母基板相反一側(cè)的主面，且連接有用于向上述被檢查物供給電源的探針；電源線，將上述電源供給用電極和上述電源用連接電極連接；以及熔斷部，被插入上述電源線且具有電流容量比上述電源線小的熔絲布線，上述層疊布線基板具備被配置于上述母基板側(cè)的陶瓷層和層疊于上述陶瓷層的樹(shù)脂層，上述電源線具有在上述母基板或者上述層疊布線基板的表面露出的露出部，上述熔斷部被設(shè)置于上述電源線的上述露出部。

該情況下，由于電流容量比電源線小的熔絲布線被插入該電源線，所以即使是在電源線中流通了意外的大電流的情況下，也能夠熔絲布線比電源線先熔斷而使電源線成為開(kāi)路狀態(tài)。因此，在電源線中不會(huì)流通超過(guò)電流容量的電流，能夠防止電源線的破損。

另外，通過(guò)將具有熔絲布線的熔斷部設(shè)置在電源線的露出部，從而即使在熔絲布線熔斷而電源線成為開(kāi)路狀態(tài)的情況下，也能夠不更換層疊布線基板地進(jìn)行之后的修復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)在電源線中流通比允許電流大的電流的情況下的修復(fù)成本的降低。

另外，也可以在上述熔斷部配置有形成有上述熔絲布線的芯片部件。這樣一來(lái)，即使是熔絲布線熔斷的情況下，也能夠僅通過(guò)更換為新的芯片部件來(lái)進(jìn)行電源線的從開(kāi)路狀態(tài)的修復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)修復(fù)成本的降低。

另外，上述熔絲布線的線寬也可以形成得比上述電源線的線寬細(xì)。該情況下，能夠容易地形成電流容量比電源線小的熔絲布線。

另外，上述熔絲布線也可以由導(dǎo)電膏形成。該情況下，能夠廉價(jià)并且容易地進(jìn)行熔絲布線的形成以及熔絲布線熔斷的情況下的修復(fù)。

另外，上述熔斷部也可以設(shè)置于上述層疊布線基板。該情況下，能夠提供在層疊布線基板形成有熔斷部的探針卡。

另外，上述電源用連接電極也可以在俯視時(shí)被配置于上述層疊布線基板的上述相反一側(cè)的主面的中央，上述熔斷部被配置于該相反一側(cè)的主面的周緣部。若這樣分離地配置與電源用連接電極連接的探針和熔斷部，則能夠提高熔絲布線熔斷后的修復(fù)作業(yè)的可操作性。

另外，上述熔斷部也可以設(shè)置于上述母基板。該情況下，在熔絲布線熔斷之后，能夠不分解母基板和層疊布線基板地進(jìn)行熔絲布線的修復(fù)。

另外，本發(fā)明的層疊布線基板的特征在于，在被檢查物的電氣檢查所使用的探針卡所具備的層疊布線基板中，具備：陶瓷層；樹(shù)脂層，層疊于上述陶瓷層；電源用連接電極，形成于上述樹(shù)脂層的與上述陶瓷層相反一側(cè)的主面，且連接有用于向上述被檢查物供給電源的探針；電源供給用外部電極，形成于上述陶瓷層的與上述樹(shù)脂層相反一側(cè)的主面；電源線，將上述電源供給用外部電極和上述電源用連接電極連接；以及熔斷部，被插入上述電源線且具有電流容量比上述電源線小的熔絲布線，上述電源線具有在上述樹(shù)脂層的表面露出的露出部，上述熔斷部被設(shè)置于上述電源線的上述露出部。

根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供一種可降低在電源線中流通比允許電流大的電流的情況下的修復(fù)成本的層疊布線基板。

另外，本發(fā)明的其他的層疊布線基板可以在被檢查物的電氣檢查所使用的探針卡所具備的層疊布線基板中，具備：陶瓷層；樹(shù)脂層，形成為俯視時(shí)的面積比上述陶瓷層小，且層疊于上述陶瓷層；電源用連接電極，形成于上述樹(shù)脂層的與上述陶瓷層相反一側(cè)的主面，且連接有用于向上述被檢查物供給電源的探針；電源供給用外部電極，形成于上述陶瓷層的與上述樹(shù)脂層相反一側(cè)的主面；電源線，將上述電源供給用外部電極和上述電源用連接電極連接；以及熔斷部，被插入上述電源線且具有電流容量比上述電源線小的熔絲布線，上述電源線具有在上述陶瓷層的與上述樹(shù)脂層對(duì)置的主面的未層疊有上述樹(shù)脂層的區(qū)域露出的露出部，上述熔斷部被設(shè)置于上述電源線的上述露出部。根據(jù)該構(gòu)成，由于例如能夠?qū)⑿纬捎腥劢z布線的芯片部件安裝在陶瓷層上，所以能夠提高層疊布線基板與該芯片部件的粘著強(qiáng)度。

根據(jù)本發(fā)明，由于電流容量比電源線小的熔絲布線被插入該電源線，所以即使是在電源線中流通意外的大電流的情況下，也能夠熔絲布線比電源線先熔斷而使電源線成為開(kāi)路狀態(tài)。因此，電源線中不會(huì)流通超過(guò)電流容量的電流，能夠防止電源線的破損。另外，通過(guò)將具有熔絲布線的熔斷部設(shè)置在電源線的露出部，從而即使是熔絲布線熔斷而電源線成為開(kāi)路狀態(tài)的情況下，也能夠不更換層疊布線基板地進(jìn)行之后的修復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)比允許電流大的電流流通電源線的情況下的修復(fù)成本的降低。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的探針卡的剖視圖。

圖2是圖1的層疊布線基板的剖視圖。

圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板的剖視圖。

圖4是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板的剖視圖。

圖5是圖4的熔斷部的俯視圖。

圖6是用于說(shuō)明熔絲(fuse)布線的變形例的圖。

圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的探針卡的局部剖視圖。

圖8是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板的剖視圖。

圖9是用于說(shuō)明熔絲布線的其他的變形例的圖。

圖10是以往的探針卡所具備的層疊布線基板的剖視圖。

具體實(shí)施方式

＜第一實(shí)施方式＞

參照?qǐng)D1以及圖2對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的探針卡1a進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖1是探針卡1a的剖視圖，圖2是圖1的層疊布線基板3a的剖視圖。此外，在圖1中，省略了形成于母基板2的布線電極以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體的一部分來(lái)進(jìn)行圖示。

如圖1所示，該實(shí)施方式所涉及的探針卡1a具備：母基板2；層疊布線基板3a，被安裝于該母基板2的一個(gè)主面；以及探頭4，支承分別與層疊布線基板3a連接的多個(gè)探針5a～5e，且該探針卡1a例如被使用于半導(dǎo)體元件等被檢查物的電氣檢查。

母基板2在一個(gè)主面形成有用于安裝層疊布線基板3a的多個(gè)安裝電極6，并且在另一個(gè)主面形成有外部連接用的多個(gè)外部電極7a～7f。這里，各安裝電極6通過(guò)在母基板的內(nèi)部形成的布線電極30、導(dǎo)通孔導(dǎo)體31與規(guī)定的外部電極7a～7f連接。母基板2例如由玻璃環(huán)氧樹(shù)脂等形成。

層疊布線基板3a具備被配置于母基板2側(cè)的陶瓷層8和層疊于該陶瓷層8的樹(shù)脂層9。陶瓷層8例如能夠由以含有硼硅酸系玻璃的陶瓷(例如，氧化鋁)為主成分的低溫共燒陶瓷(LTCC)、高溫共燒陶瓷(HTCC)等各種陶瓷形成。樹(shù)脂層9例如由聚酰亞胺等樹(shù)脂形成。此外，在該實(shí)施方式中，陶瓷層8以及樹(shù)脂層9分別由多層結(jié)構(gòu)形成。

另外，在陶瓷層8的與樹(shù)脂層9相反一側(cè)的主面形成有用于安裝到母基板2的多個(gè)外部連接電極10a～10f，這些各外部連接電極10a～10f分別通過(guò)焊料與在母基板2形成的規(guī)定的安裝電極6連接。另外，如圖2所示，在樹(shù)脂層9的與陶瓷層8相反一側(cè)的主面形成有分別連接探針5a～5e的多個(gè)連接電極11a～11e。各外部連接電極10a～10f例如由Cu、Ag、Al等金屬形成。另外。各連接電極11a～11e例如分別由利用Cu等形成的基底電極12和在該基底電極12上實(shí)施了Ni/Au鍍覆而成的表面電極13構(gòu)成。

在陶瓷層8的內(nèi)部形成有各種布線電極14以及多個(gè)導(dǎo)通孔導(dǎo)體15。各導(dǎo)通孔導(dǎo)體15以及各布線電極14分別由Cu、Ag、Al等金屬形成。這里，在陶瓷層8形成的布線電極14例如通過(guò)使用了含有上述金屬(Cu、Ag、Al等)的導(dǎo)電膏的絲網(wǎng)印刷而形成。

在樹(shù)脂層9的內(nèi)部形成有各種布線電極16以及多個(gè)導(dǎo)通孔導(dǎo)體17。這里，各布線電極16例如能夠通過(guò)濺射等在構(gòu)成樹(shù)脂層9的規(guī)定的層的主面使作為基底電極的Ti膜成膜，相同地通過(guò)濺射等在Ti膜上使Cu膜成膜。然后，通過(guò)利用電解或者無(wú)電解鍍覆在Cu膜上相同地使Cu膜成膜來(lái)形成。另外，在樹(shù)脂層9形成的布線電極16通過(guò)光刻加工被形成為微細(xì)圖案。其中，由于在陶瓷層8形成的布線電極14利用絲網(wǎng)印刷等形成，所以成為厚膜圖案，由于在樹(shù)脂層9形成的布線電極16利用濺射等成膜，所以成為薄膜圖案。并且，由于在樹(shù)脂層9形成的布線電極16如上述那樣通過(guò)光刻加工而被細(xì)線化，所以與在陶瓷層8形成的布線電極14相比，在樹(shù)脂層9形成的布線電極16的允許電流較小、耐電流性較低。

各連接電極11a～11e與在母基板2的另一個(gè)主面形成的規(guī)定的外部電極7a～7f分別電連接。具體而言，如圖1以及圖2所示，各連接電極11a～11e分別經(jīng)由在樹(shù)脂層9形成的布線電極16以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體17、在陶瓷層8形成的布線電極14以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體15、在母基板2形成的布線電極30以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體31與規(guī)定的外部電極7a～7f連接。

例如，各連接電極11a～11e中的與用于向被檢查物供給電源的探針5a連接的連接電極11a經(jīng)由樹(shù)脂層9內(nèi)的布線電極16以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體17、和陶瓷層8內(nèi)的布線電極14以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體15與在陶瓷層8形成的外部連接電極10a連接。另外，外部連接電極10a通過(guò)焊料與在母基板2的一個(gè)主面形成的各安裝電極6中的圖1的左端的安裝電極6連接。該安裝電極6經(jīng)由母基板2內(nèi)的布線電極30以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體31與母基板2的另一個(gè)主面的外部電極7a連接。這樣一來(lái)，將與電源供給用的探針5a連接的連接電極11a和在母基板2的另一個(gè)主面形成的外部電極7a連接的電源線PL在層疊布線基板3a以及母基板2形成。

另外，電源線PL具有在層疊布線基板3a的表面(樹(shù)脂層9的與陶瓷層8相反一側(cè)的主面)露出的露出部18，在該露出部18設(shè)置有具有熔絲布線20a的熔斷部19。具體而言，在熔斷部19配置形成有熔絲布線20a的芯片部件20(所謂的熔絲芯片)。這里，電源線PL的露出部18在中途斷開(kāi)形成以便形成芯片部件20的安裝用的焊盤(pán)(land)電極，并以將該斷開(kāi)的部分連接的方式利用焊料安裝芯片部件20。而且，在露出部18被斷開(kāi)的電源線PL通過(guò)在芯片部件20形成的熔絲布線20a而電連接。即，熔絲布線20a串聯(lián)連接(插入)于電源線PL。

芯片部件20例如通過(guò)陶瓷形成俯視時(shí)大致矩形狀的基體，在其一端部和另一端部分別形成有電極20b。而且，形成有熔絲布線20a以便將這兩個(gè)電極20b導(dǎo)通。這里，熔絲布線20a被設(shè)定為允許電流比在母基板2以及層疊布線基板3a內(nèi)形成的布線電極14、16中的允許電流(電流容量)最小的樹(shù)脂層9內(nèi)的布線電極16小。此外，在該實(shí)施方式中，分別與規(guī)定的探針5a～5e連接的各連接電極11a～11e在俯視時(shí)被配置于層疊布線基板3a的中央部，并且，熔斷部19在俯視時(shí)被配置于層疊布線基板3a的周緣部。

如以上所述，電連接用于向被檢查物供給電源的探針5a的層疊布線基板3a的連接電極11a相當(dāng)于本發(fā)明的“電源用連接電極”，與該連接電極11a電連接的層疊布線基板3a的外部連接電極10a相當(dāng)于本發(fā)明的“電源供給用外部電極”，與該外部連接電極10a電連接的母基板的外部電極7a相當(dāng)于本發(fā)明的“電源供給用電極”。

如圖1所示，保持各探針5a～5e的探頭4由以規(guī)定間隔大致平行地配置的2張保持板4a和配置于兩保持板4a之間的隔離物4b形成，且被固定配置在固定于母基板2的罩體21。

因此，根據(jù)上述的實(shí)施方式，由于允許電流(電流容量)比電源線PL(布線電極16)小的熔絲布線20a被插入該電源線PL的中途，所以即使是在電源線PL中流通意外的大電流的情況下，也能夠熔絲布線20a比電源線PL先熔斷而使電源線PL成為開(kāi)路(open)狀態(tài)。因此，能夠防止電源線PL中流通允許電流以上的電流，能夠防止電源線PL的破損。

另外，通過(guò)在電源線PL的露出部18設(shè)置熔斷部19，即使是在熔絲布線20a熔斷而電源線PL成為開(kāi)路狀態(tài)的情況下，也能夠通過(guò)重新安裝新的芯片部件20來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)路狀態(tài)的電源線PL的再生。即，由于能夠不更換層疊布線基板3a地進(jìn)行電源線PL的再生(修復(fù))，所以能夠?qū)崿F(xiàn)在電源線PL中流通比允許電流大的電流的情況下的再生成本的降低。

另外，分別與規(guī)定的探針5a～5e連接的各連接電極11a～11e在俯視時(shí)被配置于層疊布線基板3a(樹(shù)脂層9中的與陶瓷層相反一側(cè)的主面)的中央部，并且熔斷部19在俯視時(shí)被配置于該相反一側(cè)的主面的周緣部。這樣一來(lái)，由于能夠拉開(kāi)和各連接電極11a～11e連接的探針5a～5e與熔斷部19的距離，所以能夠提高在芯片部件20的熔絲布線20a熔斷之后，更換為新的芯片部件20這一電源線PL的再生作業(yè)的可操作性。

＜第二實(shí)施方式＞

參照?qǐng)D3對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3b進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖3是第二實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3b的剖視圖。

如圖3所示，該實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3b與參照?qǐng)D2進(jìn)行了說(shuō)明的第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a的不同之處在于，熔斷部19所具有的熔絲布線22由導(dǎo)電膏形成。由于其他的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的層疊布線基板3b相同，所以通過(guò)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記來(lái)省略說(shuō)明。

該情況下，由導(dǎo)電膏形成了熔絲布線22，以便將在露出部18斷開(kāi)形成的電源線PL連接。導(dǎo)電膏通過(guò)由Ag、Cu等金屬構(gòu)成的填充物以及有機(jī)溶劑等形成，調(diào)整金屬填充物的量以使熔絲布線22的允許電流比電源線PL(布線電極16)小。該熔絲布線22能夠利用絲網(wǎng)印刷、浸入方式等進(jìn)行圖案形成。此外，在熔絲布線22熔斷的情況下，既可以再次利用導(dǎo)電膏形成熔絲布線22，也可以如第一實(shí)施方式的探針卡1a那樣，在熔斷部19安裝形成有熔絲布線20a的芯片部件20。

根據(jù)該構(gòu)成，能夠廉價(jià)并且容易地進(jìn)行熔絲布線22的形成以及熔絲布線22熔斷的情況下的電源線PL的再生(修復(fù))。

＜第三實(shí)施方式＞

參照?qǐng)D4以及圖5對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3c進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖4是層疊布線基板3c的剖視圖，圖5是熔斷部19的俯視圖。

如圖5所示，該實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3c與參照?qǐng)D2進(jìn)行了說(shuō)明的第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a的不同之處在于，熔斷部19所具有的熔絲布線23的線寬W1形成得比電源線PL的線寬W2細(xì)。由于其他的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a相同，所以標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記來(lái)省略說(shuō)明。

該情況下，作為電源線PL的一部分，在樹(shù)脂層9中的與陶瓷層8相反一側(cè)的主面上形成有布線電極16，該布線電極16構(gòu)成電源線PL的露出部18。另外，在構(gòu)成露出部18的布線電極16的中途設(shè)置熔斷部19，如圖5所示，熔絲布線23的線寬W1形成得比構(gòu)成露出部18的布線電極16的線寬W2細(xì)。這里，熔絲布線23和布線電極16形成為大致相同的厚度。通過(guò)這樣的熔絲布線23的形狀，形成比電源線PL(布線電極16)的允許電流小的熔絲布線23。此外，熔絲布線23既可以與電源線PL的構(gòu)成露出部18的布線電極16一體地形成，也可以獨(dú)立形成。另外，在熔絲布線23熔斷之后，能夠通過(guò)如第一實(shí)施方式那樣將形成有熔絲布線20a的芯片部件20配置在熔斷部19、或者如第二實(shí)施方式那樣利用導(dǎo)電膏形成熔絲布線22，來(lái)再生電源線PL。

此外，作為電源線PL的露出部18而形成的布線電極16不需要其整體在樹(shù)脂層9的表面露出，例如，也可以熔斷部19周邊在樹(shù)脂層9的表面露出，其他的部分被樹(shù)脂層9覆蓋。這樣一來(lái)，能夠?qū)崿F(xiàn)布線電極16的保護(hù)。

根據(jù)該構(gòu)成，能夠廉價(jià)并且容易地形成允許電流比電源線PL小的熔絲布線23。

(熔絲布線的變形例)

參照?qǐng)D6對(duì)熔絲布線23的變形例進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖6是用于說(shuō)明熔絲布線23的變形例的圖，是與圖5對(duì)應(yīng)的圖。

對(duì)上述的熔絲布線23的形狀而言，只要允許電流比電源線PL小則能夠適當(dāng)?shù)刈兏?。例如，也可以如圖6所示，對(duì)位于熔斷部19的布線電極16的線寬度方向的一端側(cè)進(jìn)行切削而形成切口，將由于該切口而線寬變細(xì)的部分作為熔絲布線24來(lái)利用。

＜第四實(shí)施方式＞

參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的探針卡1b進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖7是第四實(shí)施方式所涉及的探針卡的局部剖視圖。

如圖7所示，該實(shí)施方式所涉及的探針卡1b與參照?qǐng)D1進(jìn)行了說(shuō)明的第一實(shí)施方式的探針卡1a的不同之處在于，熔斷部19被設(shè)置于母基板2。由于其他的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的探針卡1a相同或者相當(dāng)，所以標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記來(lái)省略說(shuō)明。

該情況下，由在母基板2的一個(gè)主面形成的布線電極25形成電源線PL的露出部18。另外，在設(shè)置于該露出部18的熔斷部19，與第一實(shí)施方式相同地安裝形成有熔絲布線20a的芯片部件20。

根據(jù)該構(gòu)成，能夠不分解探針卡1b，僅通過(guò)更換母基板2上的芯片部件20，就再生(修復(fù))開(kāi)路狀態(tài)的電源線PL。

＜第五實(shí)施方式＞

參照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3d進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖8是層疊布線基板3d的剖視圖。

如圖8所示，該實(shí)施方式所涉及的層疊布線基板3d與參照?qǐng)D2進(jìn)行了說(shuō)明的第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a的不同之處在于，樹(shù)脂層9形成得比陶瓷層8小、以及電源線PL的露出部18被設(shè)置于陶瓷層8的與樹(shù)脂層9對(duì)置的主面(上表面)的未層疊有樹(shù)脂層9的區(qū)域。由于其他的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a相同，所以標(biāo)注相同附圖標(biāo)記來(lái)省略說(shuō)明。

根據(jù)該構(gòu)成，由于能夠?qū)⒃O(shè)置有熔絲布線20a的芯片部件20安裝在陶瓷層8側(cè)，所以與第一實(shí)施方式的層疊布線基板3a相比較，能夠?qū)崿F(xiàn)層疊布線基板3d與芯片部件20的粘著強(qiáng)度的提高。

此外，本發(fā)明并不局限于上述的各實(shí)施方式，只要不脫離其主旨，除了上述的實(shí)施方式以外還能夠進(jìn)行各種變更。例如，在上述的各實(shí)施方式中使樹(shù)脂層9為多層構(gòu)造，但也可以為單層構(gòu)造。另外，陶瓷層8以及樹(shù)脂層9各自的層數(shù)能夠適當(dāng)?shù)刈兏?/p>

另外，熔絲布線20a、22～24構(gòu)成為允許電流比電源線PL小，但也可以將探針5a～5e包含在內(nèi)，使允許電流最小。該情況下，在意外的大電流流通時(shí)，能夠防止探針5a～5e熔化而損傷。

另外，在上述的第三實(shí)施方式中，通過(guò)使熔絲布線23的線寬W1比電源線PL(布線電極16)的線寬W2細(xì)，從而使允許電流比電源線PL小，但例如也可以如圖9所示，使熔絲布線23的厚度D1比電源線PL(布線電極16)的厚度D2薄來(lái)減小允許電流。其中，圖9是表示熔絲布線23的其他的變形例的圖。

工業(yè)上的可利用性

另外，本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于被檢查物的電氣檢查所使用的各種探針卡。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1a、1b...探針卡；2...母基板；3a、3b、3c、3d...層疊布線基板；5a～5e...探針；7a...外部電極(電源供給用電極)；8...陶瓷層；9...樹(shù)脂層；10a...外部連接電極(電源供給用外部電極)；11a...連接電極(電源用連接電極)；18...露出部；19...熔斷部；20...芯片部件；20a、22～24...熔絲布線；PL...電源線。