專利名稱：間隙測量系統(tǒng)及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及探頭(probe )和傳感器系統(tǒng)，更具體地涉及用于 測量兩物體之間的間隙的探頭。
背景技術(shù)：
各種類型的探頭和傳感器系統(tǒng)已被用于測量兩物體之間的距離。另 外，探頭系統(tǒng)已被用于各種應(yīng)用中。例如，渦輪機具有多個布置在護罩 (shroud)附近的渦輪葉片。渦輪葉片和護罩之間的間隙隨渦輪葉片的 溫度而變化。例如，護罩和渦輪葉片之間的間隙在渦輪機很冷時最大， 并隨著渦輪機的加熱而逐漸減小。所希望的是，為了渦輪機安全有效的 運轉(zhuǎn)應(yīng)維持渦輪葉片和護罩之間的空隙或間隙。可在渦輪機內(nèi)放置傳感 器以測量渦輪葉片和護罩之間的距離。該距離可用于引導(dǎo)護罩移動以維 持護罩和渦輪葉片之間所希望的位移。
諸如渦輪機和壓縮機之類的旋轉(zhuǎn)部件的效率還受到旋轉(zhuǎn)葉片和部件 外殼之間的空隙或間隙的強烈影響。通常，最小化空隙會使這些部件的 效率最大化。然而，為了防止旋轉(zhuǎn)葉片碰到部件外殼，小量的間隙是理 想的。在某些應(yīng)用中，電容探頭被用于測量兩物體之間的距離。該探頭 被安置在其中一個物體上并測量相對于另一物體的電容，從而估計兩物 體之間的間隙。然而，對于高溫應(yīng)用，例如燃氣渦輪，由于使設(shè)備在惡 劣工作環(huán)境中工作所必需的要求很嚴格，所以現(xiàn)有的設(shè)備價格昂貴并且 制造困難。
因此，存在對解決上述問題的改進的傳感器系統(tǒng)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種間隙感測系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括 與測試物體以可變距離d間隔開的探頭。該系統(tǒng)還包括用于提供電流通 過探頭的交流(AC)電源，其中AC電源和探頭被配置成在探頭的尖端 和測試物體之間產(chǎn)生受控的等離子體通道。該系統(tǒng)進一步包括處理單 元，被配置成根據(jù)所述探頭的尖端和測試物體之間的電壓差來確定所述 可變距離d
根據(jù)本發(fā)明的另 一個實施例，公開了 一種測量到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距
離的方法。該方法包括將探頭放置在距離導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體具有可變距離d 之處。該方法進一步包括啟動并穩(wěn)定探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間的 等離子體放電。該方法進一步包括測量電壓降、流過在探頭的尖端和導(dǎo) 電旋轉(zhuǎn)物體之間形成的等離子體的電流以及該探頭的阻抗中的至少一 項。另外，該方法包括根據(jù)電壓降、電流和阻抗中的至少一項來確定到 導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距離。


當參照附圖閱讀以下詳細說明，本發(fā)明的這些及其它特征、方面和 優(yōu)勢將被更好地理解，在附圖中，相似的符號表示相似的部分，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于以射頻啟動并穩(wěn)定等離子體的探 頭系統(tǒng)的圖解說明； '圖2是表示圖1中的探頭系統(tǒng)的等效電路；圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于以射頻啟動并穩(wěn)定等離子體的屏 蔽式探頭系統(tǒng)的示意性圖示；圖4是表示圖3中的屏蔽式探頭系統(tǒng)的等效電路；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的間隙感測系統(tǒng)的框圖表示；圖6是圖5中的間隙感測系統(tǒng)的特定示例的框圖表示；圖7是說明測量旋轉(zhuǎn)物體的間隙的方法的示范性步驟的流程圖；圖8是試驗臺的一部分的示意性圖示；以及圖9是在圖l和圖3的探頭系統(tǒng)的尖端和圖8中的突起之間所測量 的電壓降的圖形圖示。 部件列表 IO.等離子體探頭 12.內(nèi)部導(dǎo)體 14. AC電壓源 16.外部導(dǎo)體 18.線圏 20.第一電極 22.第二電極 24.空隙26.等離子體放電 28.地 30.等效電路 32.電感器 34.電容器 36.電阻器 38.傳輸線 40.寄生電容 42泄露電阻 44.傳輸線的一端 46.負載60.屏蔽式探頭系統(tǒng) 62.中央導(dǎo)體 64. AC電壓源 66.第一電極 68.外部導(dǎo)體 70.線圏 72.第二電極 74.空隙76.熱等離子體放電 78.屏蔽 90.等效電路 92.電感器 94.電容器 96.電阻器 98.泄露電阻器 100.電容器 102.傳輸線的一端 104.負載110.間隙感測系統(tǒng) 112.探頭 114.測試物體 116.可變距離d 118. AC電源
120.受控的等離子體通道
124.處理單元
134.RF載波源
136.RF放大器
138.RF載波信號
140.衰減器
142.衰減的信號電平
144.解調(diào)器
146.包絡(luò)信號
150.測量到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距離的方法
152.將探頭放置在距離導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的可變距離d處
154.啟動和穩(wěn)定探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間的等離子體放電
156.測量電壓降、流過形成于探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間的等 離子體的電流、以及探頭的阻抗中的至少一個；
158.基于電壓降、電流和阻抗中的至少一個來確定到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體 的距離
160.試驗臺
162.突起
164.中央部分
166.邊緣
168.中央臺地
180.圖形圖示
182.表示經(jīng)過的時間(以秒計)的X-軸 184.表示包絡(luò)信號的電壓的Y-軸 186.峰值
188.在中央臺地測量的電壓 190.在底部臺地測量的電壓
具體實施例方式
如在下文詳細論述的，本發(fā)明的實施例包括間隙感測系統(tǒng)及其操作 方法。如在此所使用的，"等離子體放電(plasma discharge)"指的 是在大氣壓下并且在大于約lMHz頻率的射頻下產(chǎn)生的等離子體。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖，圖1是用于啟動和穩(wěn)定等離子體的系統(tǒng)10的示意
性圖示。系統(tǒng)10還可以被稱作等離子體探測器10。等離子體探測器IO 包括耦合到交流(AC)電壓源14的內(nèi)部導(dǎo)體12。在所示實施例中，包 括多個線圏18的外部導(dǎo)體16被環(huán)繞內(nèi)部導(dǎo)體12排列。外部導(dǎo)體16的 一端被耦合到AC電壓源14，并且在相反端形成第一電極20。第二電極 22與第一電極20間隔開一個空隙24,用于啟動等離子體放電26。在特 定實施例中，內(nèi)部導(dǎo)體12包括形狀為圓柱的導(dǎo)體。在另一個實施例中， 內(nèi)部導(dǎo)體12包括導(dǎo)線。在一個例子中，外部導(dǎo)體16是螺線管。在示范 性實施例中，內(nèi)部導(dǎo)體12是接地的。在另一個實施例中，外部導(dǎo)體16 通過AC電壓源14接地。在一個例子中，等離子體放電26啟動大氣壓 下的射頻等離子體，且頻率在約6MHz到約7. 5MHz之間的范圍中。在特 定實施例中，內(nèi)部導(dǎo)體12和外部導(dǎo)體16被配置成升高由AC電壓源14 供應(yīng)的電壓至少約20dB以啟動等離子體26。圖2是圖1中的等離子體探頭10的等效電路30。對于所示實施例， 圖1中所提及的內(nèi)部導(dǎo)體12和圖1中所提及的外部導(dǎo)體16被配置成串 聯(lián)LC電路，其中L是由電感器32表示的外部導(dǎo)體16的電感，而Cs是 由電容器34表示的內(nèi)部導(dǎo)體12和外部導(dǎo)體16之間的電容。電感器32 可以具有由電阻器36表示的小的實數(shù)值電阻。在特定實施例中，電阻 36可以在約10到約IOO歐姆之間變化。圖1中所提及的等離子體探頭 10使用通過內(nèi)部導(dǎo)體12和外部導(dǎo)體16的分布式傳輸線38，從而起四 分之一波長變換器的作用。外部導(dǎo)體16可包括如圖1所提及的很多線 圏18以增加每單位長度的電感。線圈18可包括線圖18每一個之間的 寄生電容40并且其遠小于由。標示的電容34。因此，電容40可被忽略。 電路30還可包括電容34的泄漏電阻42并由G表示。泄露電阻"可以 很小，從而可被忽略。在等離子體被啟動之前，因為不存在負栽，所以AC電壓源"看到 的是開路傳輸線。等效電路30在四分之一波長處發(fā)生諧振。當電源的 頻率在傳輸線38中產(chǎn)生駐波以使傳輸線38的物理長度是駐波波長的四 分之一時，四分之一波長諧振發(fā)生。因此，電源14在引起負栽46的傳 輸線38的一端44看到的是短路。這導(dǎo)致大量電流被驅(qū)入傳輸線38。所 產(chǎn)生的大電流通過電感器32和電容器34。此外，電感器32的阻抗，由 2丌fL給出，其中f是電源14的頻率，因為L和f都很大，所以該阻抗 也很大。因此，在電感器32兩端的電壓降就很大，從而在傳輸線M的
端44導(dǎo)致高電壓。該高電壓在負栽46啟動等離子體的產(chǎn)生。
等離子體的產(chǎn)生導(dǎo)致傳輸線38在負栽46短路。在這樣的情形中， 被驅(qū)入傳輸線38的電流可具有兩條路徑。其中一條通過如上所述的電 感器32,且另一條通過負栽46而繞過電感器32。因此，電流被分成兩 路，并且較少的電流量流過電感器32。這導(dǎo)致電感器32兩端電壓降較 低，其也是通過在負載46所產(chǎn)生的等離子體的電壓。因此，進入等離 子體的電流被減小，從而增大了等離子體電阻。產(chǎn)生了非常快的負反饋 回路，從而穩(wěn)定了在負載46所產(chǎn)生的等離子體。因此，等離子體探頭 10在啟動等離子體并隨后將電壓穩(wěn)定到所需值從而不會使等離子體消 除并同時防止任何可能的燒壞中起著重要作用。
在所示的本發(fā)明的另一個實施例中，圖3描述了用于啟動和穩(wěn)定等 離子體產(chǎn)生的屏蔽式探頭系統(tǒng)60。系統(tǒng)60包括一端耦合到AC電壓源64 并在相反端形成第一電極66的中央導(dǎo)體62。系統(tǒng)60還包括外部導(dǎo)體 68,所述外部導(dǎo)體68包括環(huán)繞中央導(dǎo)體62排列的多個線圏70。對于所 示的實施例，外部導(dǎo)體68的一端被耦合到AC電壓源64并在相反端形 成第二電極72。第一電極66和第二電極72由空隙74隔開以啟動等離 子體放電76。與非屏蔽式探頭熱等離子體放電相比，屏蔽式探頭系統(tǒng)60 可啟動更高溫度的等離子體放電。系統(tǒng)60進一步包括屏蔽78,其與中 央導(dǎo)體62同心放置以用于屏蔽電磁干擾。外部導(dǎo)體68產(chǎn)生的磁場被壓 縮并存在于中央導(dǎo)體62和屏蔽78之間的空間中。中央導(dǎo)體62和外部 導(dǎo)體68可被配置成升高AC電壓源64的電壓大約30dB。絕緣材料80可 放置在中央導(dǎo)體62和屏蔽78之間。在特定實施例中，絕緣材料80可 包括陶瓷絕緣材料。在示例中，屏蔽78可包括同心并相互連接的內(nèi)部 導(dǎo)電圓柱體和外部導(dǎo)電圓柱體，并且其中外部導(dǎo)體68可放置在內(nèi)部和 外部導(dǎo)電圓柱體之間。
圖4是圖3中的屏蔽式探頭系統(tǒng)60的等效電路90。對于所示的實 施例，圖3中的中央導(dǎo)體62和圖3中的外部導(dǎo)體68被配置成串聯(lián)LC 電路。圖3中所提及的屏蔽78的存在降低了電路90中的有效電感并增 加了有效電容。該有效電感等同于由電感器92表示的(L-M),其中L 是中央導(dǎo)體的電感而M是中央導(dǎo)體62和屏蔽78之間由于渦流損耗而造 成的互感。該有效電容等同于由電容器94表示的(C" + C")，其中C" 是中央導(dǎo)體62和外部導(dǎo)體68之間的電容，而C"是屏蔽78和外部導(dǎo)體
68之間的電容。電感器92可具有由電阻器96表示的小的實數(shù)值電阻， 其中該電阻包括由于渦流損耗而引起的電阻。電容器94可包括由泄露 電阻器98表示的可忽略的泄露電阻。電路90還可包括由圖3所提及的 線圏70的每一個之間的電容器100表示的可忽略的寄生電容。因為該 有效電感較小，并且存在更多渦流形式的損耗，所以啟動等離子體放電 所需的電壓有所增加。等離子體放電的啟動導(dǎo)致在具有負載104的一端 102短路。因此，與圖1中所描述的等離子體探頭相比，這可導(dǎo)致效率 更低的等離子體探頭。
圖5是間隙感測系統(tǒng)110的框圖表示。系統(tǒng)110包括與測試物體114 以由'd，表示的可變距離116間隔開的探頭112。在特定實施例中，測 試物體114是導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)測試物體114。在特定實施例中，探頭112可包 括由選自鴒、鐵、鎳和鋁這一組中的材料制成的導(dǎo)線。在另一個實施例 中，探頭112可以是射頻(RF)等離子體探頭。例如，RF等離子體探頭 的工作頻率可在約6MHz到約7. 5MHz之間的范圍。在特定實施例中，RF 等離子體探頭是如圖1所描述的非屏蔽式等離子體探頭。在另一個實施 例中，RF等離子體探頭是屏蔽式等離子體探頭，如圖3中所描述的。提 供交流(AC)電流源118，用于向探頭112供應(yīng)電流。對于特定實施例， AC電源118向探頭112供應(yīng)恒定幅度的電流。受控的等離子體通道120 可在探頭112的尖端和測試物體114之間產(chǎn)生。等離子體通道的阻抗主 要是電阻性的并可依賴流過等離子體通道的電流、通道長度及通道中氣 體性質(zhì)(例如氣體成分、壓力和溫度)而在約1千歐姆和500千歐姆的 范圍中變化。在某些實施例中，等離子體是通過使用恒定電流、高頻(至 少大約20kHz)電源118而被穩(wěn)定的。電壓和電流探頭122可被用于測 量探頭112的尖端和旋轉(zhuǎn)測試物體114之間的電壓差。系統(tǒng)110還包括 處理單元124,其被配置成根據(jù)在探頭112的尖端和旋轉(zhuǎn)測試物體114 之間所測量的電壓差來確定可變距離'd， 116。該電壓差對應(yīng)于探頭112 的阻抗的變化。探頭112的阻抗的變化與距離'd， 116成比例。在特定 實施例中，處理單元124被配置成比較所測量的阻抗的變化與校準數(shù)據(jù) 以確定'd， 116。在示例中，旋轉(zhuǎn)測試物體114可以是渦輪機或壓縮機 的一部分，例如渦輪葉片。在另一個實施例中，可變距離'd， 116可以 在約1 iam到約20mm之間的范圍中。
應(yīng)該注意到，本發(fā)明并不限于用于執(zhí)行本發(fā)明的處理任務(wù)的任何特
定處理單元。術(shù)語"處理單元，，，正如在此所使用的，旨在表示任何能 夠執(zhí)行對于執(zhí)行本發(fā)明的任務(wù)所必需的計算或者估算的機器。術(shù)語"處 理單元，，旨在表示任何能夠接受結(jié)構(gòu)化的輸入并能夠根據(jù)所規(guī)定的規(guī)則 來處理所述輸入以產(chǎn)生輸出的機器。還應(yīng)該注意到，在此所使用的短語 "配置成，，指的是處理單元配備有硬件和軟件組合，用以執(zhí)行本發(fā)明任 務(wù)，如將被本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的那樣。圖6是特定的示范性間隙感測系統(tǒng)110的框圖表示。在所示實施例 中，AC電流源包括RF栽波源134。來自RF載波源134的RF信號132 被饋入用于放大RF信號132的RF放大器136。在所示實例中，RF放大 器136將RF信號放大50dB。放大的RF栽波信號138被輸入到如圖5所 提及的RF等離子體探頭112，以在如圖5所提及的RF等離子體探頭112 和旋轉(zhuǎn)測試物體114之間的空隙116產(chǎn)生并維持等離子體。如上所述， 等離子體通道的阻抗主要是電阻性的并可依賴流過等離子體通道的電 流，通道長度以及通道中的氣體性質(zhì)而在約1千歐姆和500千歐姆的范 圍中變化。 一旦等離子體被啟動，負栽的阻抗就會增加。在示例中，阻 抗可從約50歐姆增加到約3千歐姆。來自RF放大器136的放大的栽波 信號138被饋入衰減器140,以將放大的RF載波信號138的電壓降低到 衰減的信號電平142并在不改變所產(chǎn)生的等離子體的阻抗的情況下測量 電壓。在所示實施例中，衰減器140是具有(例如，約10千歐姆到約 IOO千歐姆的)阻抗的高阻抗衰減器。衰減的信號142然后被輸入到解 調(diào)器144，所述解調(diào)器144將包絡(luò)信號146從衰減的信號142中分離出 來。在諸如約7MHz的載波頻率上存在來自各種源的多個電磁干擾信號。 為避免干擾信號，將包絡(luò)信號146分離出來。包絡(luò)信號146進一步被饋 入如圖5所提及的處理單元124以監(jiān)視包括信號146的電壓變化。圖7是說明測量到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距離的方法150的示范性步驟的 流程圖。方法15Q包括在步驟152將探頭放置在距離導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的可 變距離d處。在步驟154啟動并穩(wěn)定探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間的 等離子體放電。在特定實施例中，通過在探頭中供應(yīng)反饋而穩(wěn)定等離子 體放電，以便降低流過等離子體的電流。在步驟156，測量通過探頭的 尖端和旋轉(zhuǎn)物體之間的等離子體的電壓降。在另一個實施例中，'在步驟 156，測量流過等離子體的電流。在又一實施例中，在步驟1"根據(jù)所 測量的電壓降和電流而進一步確定阻抗。通常，復(fù)數(shù)阻抗等于所測量的
電壓降與恒定幅度的電流的比率。在又一個實施例中，測量等離子體探頭的阻抗。在步驟158根據(jù)所測量的電壓、電流以及復(fù)數(shù)阻抗的幅值中 的至少 一個來為旋轉(zhuǎn)物體確定間隙。間隙的確定包括比較復(fù)數(shù)阻抗與校 準數(shù)據(jù)。 示例圍有所限制。 、、、； 、，,、、'、圖8是試驗臺160的一部分的示意說明。試驗臺160包括突起162 和中央部分164，其中，突起162例如可表示渦輪葉片。突起162和外 殼或護罩(未示出)之間的間隙的最佳距離將被確定。此外，每個突起 162包括邊緣166和中央臺地(plateau)168。底部臺地170表示中央部 分164的邊緣。圖9是在圖5所提及的RF等離子體探頭112的尖端和圖8中的旋 轉(zhuǎn)試驗臺16 0的各個部件之間所測量的電壓差作為時間函數(shù)的圖形圖示 180。試驗臺160的尖端的旋轉(zhuǎn)速度被設(shè)置為大約0. 4m/s。 X-軸182表 示經(jīng)過的時間(以秒計)，而Y-軸184表示當旋轉(zhuǎn)試驗臺的各個部件通 過等離子體放電時如圖6所提及的包絡(luò)信號144的電壓。峰值186表示 在如圖7所提及的渦輪葉片162的邊緣166測量的電壓。類似地，點188 表示在如圖8所提及的突起162的中央臺地測量的電壓，而點190表示 在如圖8所提及的突起162之間的底部臺地測量的電壓。突起162的邊 緣166和中央臺地168之間的距離約為1. 3mm。類似地，邊緣166和底 部臺地170之間的距離約為5mm。如所示，在邊緣166和中央臺地1" 之間測量的電壓差約為0. 04V，而在邊緣166和底部臺地170之間測量 的電壓差約為0. 055V。雖然在此僅說明和描述了本發(fā)明的某些特征，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將 會想到許多的修改和改變。因此，將要理解的是，隨附的權(quán)利要求旨在 涵蓋所有這樣的落入本發(fā)明真實精神內(nèi)的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種間隙感測系統(tǒng)(110)，包括探頭(112)，所述探頭與測試物體(114)間隔開一個可變距離d(116)；交流(AC)電流源(118)，用于供應(yīng)電流通過探頭(112)，其中AC電源(118)和探頭(112)被配置成在探頭(112)的尖端和測試物體(114)之間產(chǎn)生受控的等離子體通道(120)；和處理單元(124)，被配置成根據(jù)探頭(112)的尖端和測試物體(114)之間的電壓差來確定所述可變距離d(116)。
2. 如權(quán)利要求1所述的間隙感測系統(tǒng)(110)，其中探頭(112) 包括射頻等離子體探頭。
3. 如權(quán)利要求2所述的間隙感測系統(tǒng)(110)，其中所迷射頻等離 子體探頭具有大于約1MHz的工作頻率。
4. 如斥又利要求2所述的間隙感測系統(tǒng)(110 )，進一步包括射頻(RF ) 放大器(136 )，被配置成從AC電源(118 )接收RF信號(138 )并向 射頻等離子體探頭供應(yīng)放大的RF信號。
5. 如權(quán)利要求l所述的間隙感測系統(tǒng)(llO),其中測試物體(114)包括旋轉(zhuǎn)測試物體。
6. 如權(quán)利要求l所述的間隙感測系統(tǒng)(110),進一步包括電壓和 電流探頭(122 ),被配置成測量探頭(112 )的尖端和旋轉(zhuǎn)測量物體(114 ) 之間的電壓差。
7. 如權(quán)利要求1所述的間隙感測系統(tǒng)(110),其中處理單元(124) 進一步被配置成確定受控等離子體通道(120)的阻抗并且將該阻抗與 多個校準數(shù)據(jù)相比較，以確定所述可變距離d (116)。
8. —種用于測量到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距離的方法，所述方法包括 將探頭放置(152)在距離導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體具有可變距離d之處； 啟動并穩(wěn)定(154)探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間的等離子體放電；測量(156)電壓降、流過形成于探頭的尖端和導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體之間 的等離子體的電流、以及所述探頭的阻抗中的至少一項；以及根據(jù)所述電壓降、電流以及阻抗中的至少一項來確定(158)到導(dǎo) 電旋轉(zhuǎn)物體的距離。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法(150),進一步包括在探頭中供應(yīng)反 饋以穩(wěn)定等離子體放電，其中所述啟動并穩(wěn)定(150包括維持通過所述探頭的恒定幅度的電流。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法(150)，其中確定(158)到導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)物體的距離包括將所述阻抗與多個校準數(shù)據(jù)進行比較。
全文摘要
公開了一種間隙感測系統(tǒng)(110)。該系統(tǒng)(110)包括與測試物體(114)以可變距離d(116)相互隔開的探頭(112)。該系統(tǒng)(110)還包括用于供應(yīng)通過探頭(112)的電流的交流(AC)電流源(118)，其中AC電源(118)和探頭(112)被配置成產(chǎn)生所述探頭(112)的尖端和測試物體(114)之間的受控等離子體通道(120)。該系統(tǒng)(110)進一步包括處理單元(124)，被配置成根據(jù)所述探頭(112)的尖端和測試物體(114)之間的電壓差來確定所述可變距離d(116)。
文檔編號G01B7/14GK101153791SQ20071015324
公開日2008年4月2日 申請日期2007年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者A·邁 申請人:通用電氣公司