專利名稱：Ri標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
制造在例如醫(yī)院等的PET檢測(cè)(正電子斷層攝影檢測(cè))中使用的放射性同位素標(biāo)記化合物(RI化合物)的RI標(biāo)記化合物合成裝置，在RI原料合成部中使放射性同位素(RI)和規(guī)定的原料發(fā)生反應(yīng)來(lái)合成標(biāo)記前體，在RI化合物制造部中利用該標(biāo)記前體制造RI化合物。在這樣的RI化合物合成裝置中，對(duì)應(yīng)于一個(gè)RI原料合成部設(shè)置有一個(gè)RI化合物制造部(例如，參照特開2003-21696號(hào)公報(bào))。
但是，在上述裝置中，為了滿足例如PET檢測(cè)等的需要，要求連續(xù)地制造RI化合物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決這樣的課題而完成的，其目的在于提供能夠連續(xù)制造RI化合物的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)。
本發(fā)明的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)包括利用放射性同位素來(lái)合成標(biāo)記前體的RI原料合成部和導(dǎo)入有標(biāo)記前體、試劑并制造放射性同位素標(biāo)記化合物的RI化合物制造部，其特征在于對(duì)應(yīng)于RI原料合成部設(shè)置有多個(gè)RI化合物制造部，并且具備有選擇地切換導(dǎo)入有標(biāo)記前體的RI化合物制造部的切換裝置。
根據(jù)如上所述構(gòu)成的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，對(duì)應(yīng)于一個(gè)RI原料合成部設(shè)置多個(gè)RI化合物制造部，通過切換導(dǎo)入有標(biāo)記前體的RI化合物制造部，可以依次利用其它的RI化合物制造部，同時(shí)在交換一個(gè)RI化合物制造部或者使放射能衰減時(shí)，可以利用其它的RI化合物制造部。
其是具備一體地包含第1箱和第2箱的熱室的結(jié)構(gòu)，其中，RI原料合成部被收納在利用屏蔽放射線的放射線屏蔽材料做成可以密閉的結(jié)構(gòu)的第1箱中，RI化合物制造部被收納在具有可以開閉的門并利用屏蔽放射線的放射線屏蔽材料做成可以密閉的結(jié)構(gòu)的第2箱中，并且可以交換第2箱內(nèi)的RI化合物制造部或者使放射能衰減，同時(shí)防止來(lái)自RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)的放射能的泄漏，并且可以使RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)小型化。
另外，第2箱的結(jié)構(gòu)是，被屏蔽放射線的放射線屏蔽材料分割成可以密閉的多個(gè)室，對(duì)應(yīng)于各個(gè)室設(shè)置有門，交換一個(gè)室內(nèi)的RI化合物制造部或者使放射能衰減時(shí)，可以利用其它室內(nèi)的RI化合物制造部。
此外，本發(fā)明的合成系統(tǒng)的構(gòu)成還可以具有檢測(cè)放射性同位元素標(biāo)記化合物的品質(zhì)的品質(zhì)檢測(cè)部。
如上所述根據(jù)本發(fā)明的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，通過切換導(dǎo)入有標(biāo)記前體的RI化合物制造部，可以依次利用其它的RI化合物制造部，同時(shí)交換一個(gè)RI化合物制造部或者使放射能衰減時(shí)，可以利用其它的RI化合物制造部，所以能夠提供一種可以在保持RI化合物制造部的衛(wèi)生狀態(tài)、減少受照射的同時(shí)連續(xù)制造RI化合物。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的甲硫氨酸合成系統(tǒng)的概略正面結(jié)構(gòu)圖。
圖2是圖1中所示的甲硫氨酸合成系統(tǒng)的概略右側(cè)結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示圖1中的碘代甲烷合成裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示使圖3中的六向閥為第1狀態(tài)時(shí)的碘代甲烷合成裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示使圖3中的六向閥為第2狀態(tài)時(shí)的碘代甲烷合成裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
符號(hào)說(shuō)明1 甲硫氨酸合成系統(tǒng)(RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng))2 熱室3 碘代甲烷合成裝置(RI原料合成部)4 碘代甲烷合成室(第1箱內(nèi)的室)5 路徑切換裝置(切換裝置)7 RI化合物制造裝置(RI化合物制造部)8 RI化合物制造室(第2箱內(nèi)的室)9 放射性藥劑檢測(cè)裝置(品質(zhì)檢測(cè)部)具體實(shí)施方式
以下，參考圖1-圖5說(shuō)明本發(fā)明的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)的優(yōu)選的實(shí)施方案。圖1和圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的甲硫氨酸合成系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)圖，圖3是表示圖1中的碘代甲烷合成裝置的概略結(jié)構(gòu)圖，圖4和圖5表示改變圖3中的六向閥的狀態(tài)時(shí)的碘代甲烷合成裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。另外，在對(duì)附圖進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，用相同的符號(hào)表示同一部件或者相當(dāng)?shù)牟考?，省略重?fù)的說(shuō)明。
本實(shí)施形態(tài)的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，是制造作為例如醫(yī)院等的PET檢查等所使用的放射性同位素標(biāo)記化合物即放射性藥劑(包含放射性醫(yī)藥品)的甲硫氨酸的甲硫氨酸合成系統(tǒng)。
如圖1和圖2所示，甲硫氨酸合成系統(tǒng)1具有略呈矩形的箱形的熱室2，該熱室2使用例如鉛、鎢、鐵等的能夠屏蔽放射線的放射線屏蔽材料，被設(shè)定為能夠屏蔽放射線的適當(dāng)?shù)暮穸?，并設(shè)計(jì)成防止放射線漏出的密閉構(gòu)造。
在該熱室2的內(nèi)部，具有被放射性屏蔽材料分割并設(shè)計(jì)成密閉結(jié)構(gòu)的多個(gè)室。具體地說(shuō)，在碘代甲烷合成室(第1箱內(nèi)的室)4中收納合成作為標(biāo)記前體的11CH3I的碘代甲烷合成裝置(RI原料合成部)3，在路徑切換室6中收納切換由碘代甲烷合成裝置3合成的11CH3I的路徑的路徑切換裝置(切換裝置)5，在RI化合物制造室(第2箱內(nèi)的室)8中收納利用由碘代甲烷合成裝置3合成的11CH3I制造甲硫氨酸的RI化合物制造裝置(RI化合物制造部)7，在品質(zhì)檢測(cè)室10中收納檢測(cè)由RI化合物制造裝置7制造的甲硫氨酸的質(zhì)量的放射性藥劑檢測(cè)裝置(品質(zhì)檢測(cè)部和注入必需量的注入部)9。
下面，詳細(xì)說(shuō)明碘代甲烷合成裝置3。該碘代甲烷制造裝置3如圖3所示，其大致包括利用氫氣還原從系統(tǒng)外部的回旋加速器(未圖示出來(lái))供給的11CO2而變換為11CH4的11CH4生成系統(tǒng)12、暫時(shí)吸附該11CH4的11CH4吸附系統(tǒng)13、使該11CH4和碘氣體發(fā)生反應(yīng)來(lái)合成11CH3I的11CH3I合成系統(tǒng)14。
11CH4生成系統(tǒng)12包括將包含11CO2的原料氣體供給到系統(tǒng)內(nèi)的原料氣體供給配管L1、將包含氫氣的載氣供給至系統(tǒng)內(nèi)的氫氣供給配管L2、集合這些配管L1、L2并選擇地切換一根配管的三向閥V1、暫時(shí)吸附原料氣體中的11CO2的11CO2吸附塔15、將暫時(shí)吸附在該11CO2的吸附塔15中的11CO2變換為11CH4的11CH4變換塔16、精制由該11CH4變換塔16變換的11CH4的11CH4精制塔17、依次連接上述的三向閥V1、11CO2吸附塔15、11CH4變換塔16和11CH4精制塔17并連接到后部的11CH4吸附系統(tǒng)13上的配管L3。
11CO2吸附塔15的內(nèi)部填充有暫時(shí)吸附11CO2的例如Cabosphere(注冊(cè)商標(biāo))等吸附劑，在外部具有加熱·冷卻該11CO2吸附塔15的加熱·冷卻裝置和測(cè)定11CO2吸附塔15的放射能的RI監(jiān)測(cè)器26。暫時(shí)吸附11CO2的吸附劑在常溫時(shí)吸附11CO2，被加熱則解吸出11CO2。
11CH4變換塔16的內(nèi)部填充有利用氫氣將11CO2變換為11CH4的例如Shimalite Ni(注冊(cè)商標(biāo))等還原催化劑，在外部具有加熱該11CH4變換塔16的加熱裝置。
在11CH4精制塔17的內(nèi)部填充有吸附未變換的11CO2等的例如Ascarite II(注冊(cè)商標(biāo))、堿石灰(Soda Lime)等吸附劑。
該11CH4生成系統(tǒng)12的后部的11CH4吸附系統(tǒng)13包括有多個(gè)連接口a～f并且可以選擇兩種類型的連接狀態(tài)的連接到11CH4精制塔17上的六向閥V2、被連接到該六向閥V2上并且暫時(shí)吸附11CH4的11CH4吸附塔18、具有截止閥(關(guān)斷閥；縁切り弁)V6并將He氣供給到系統(tǒng)內(nèi)部的He供給配管L6、具有截止閥V7并將系統(tǒng)內(nèi)的廢氣排出到系統(tǒng)外部的排氣配管L10、連接到通過配管L9與該排氣配管L10連接的三向閥V3上并且將系統(tǒng)內(nèi)的11CH4導(dǎo)出到后部的11CH3I合成系統(tǒng)14中的配管L11。
六向閥V2具有六個(gè)連接口a～f，連接口a通過配管L3與11CH4精制塔17的出口相連接，連接口b通過配管L4與11CH4吸附塔18的入口相連接，連接口c和He供給配管L6相連接，連接口d通過配管L7與排氣配管L10相連接，連接口e通過配管L5與11CH4吸附塔18的出口相連接，連接口f通過配管L8與三向閥V3相連接。
另外，該六向閥V2可以選擇為第1狀態(tài)或者第2狀態(tài)中的任何一種狀態(tài)，在第1狀態(tài)中，如圖4所示，連接口a和連接口f、連接口e和連接口d、連接口c和連接口b分別連通，在第2狀態(tài)中，如圖5所示，連接口a和連接口b、連接口c和連接口d、連接口e和連接口f分別連通。
在11CH4吸附塔18的內(nèi)部填充有暫時(shí)吸附11CH4的例如Cabosphere(登錄商標(biāo))等吸附劑，在外部設(shè)置有加熱·冷卻該11CH4吸附塔18的加熱·冷卻裝置和測(cè)定11CH4吸附塔18的放射能的RI監(jiān)測(cè)器27。
該11CH4吸附系統(tǒng)13的后部的11CH3I合成系統(tǒng)14包括連接到配管L11的三向閥V4、使碘氣與11CH4混合的碘塔20、使由該碘塔20氣化的碘氣與11CH4發(fā)生合成反應(yīng)的11CH3I合成塔21、精制11CH3I的11CH3I精制塔22、暫時(shí)吸附11CH3I的11CH3I吸附塔23、依次連接這些三向閥V4、碘塔20、11CH3I合成塔21、11CH3I精制塔22的配管L12、連接到該配管L12上的三向閥V5、連接三向閥V5、V4的循環(huán)配管L13、設(shè)置在該循環(huán)配管L13上的循環(huán)泵29、連接到三向閥V5上的同時(shí)傳送合成的11CH3I的11CH3I配管L14。裝置。
11CH3I合成塔21由例如玻璃材質(zhì)等構(gòu)成，在外部具有加熱該11CH3I合成塔21的加熱裝置。
在11CH3I精制塔22的內(nèi)部填充有吸附未反應(yīng)的11CO2和雜質(zhì)的例如Ascarite II(注冊(cè)商標(biāo))等吸附劑。
在11CH3I吸附塔23的內(nèi)部填充有暫時(shí)吸附11CH3I的Porapak N等吸附劑，在外部具有加熱·冷卻該11CH3I吸附塔23的加熱·冷卻裝置和測(cè)定來(lái)自11CH3I吸附塔23的放射能的RI監(jiān)測(cè)器28。暫時(shí)吸附11CH3I的吸附劑在常溫時(shí)吸附11CH3I，被加熱則解吸出11CH3I。
其中，特別是在本實(shí)施形態(tài)中，如圖1所示，熱室2具有兩個(gè)RI化合物制造室8，在該RI化合物制造室8的內(nèi)部，分別具有與碘代甲烷合成裝置3連接的2個(gè)RI化合物制造裝置7，同時(shí)為了選擇性地切換到任一被導(dǎo)入11CH3I的RI化合物制造裝置7，如圖2所示，在路徑切換室6的內(nèi)部具有路徑切換裝置5。
該路徑切換裝置5是有選擇地對(duì)多個(gè)出口進(jìn)行切換的切換閥，其入口與上述的11CH3I配管L14相連接，該多個(gè)出口通過配管L20分別與RI化合物制造裝置7連接。
為了導(dǎo)入11CH3I并制造甲硫氨酸，RI化合物制造裝置7具有填充例如試劑的試劑槽、利用該試劑和11CH3I制造放射性試劑的反應(yīng)器等。另外，也可以不使用反應(yīng)器，而利用例如以路徑為代表的反應(yīng)柱等來(lái)使試劑和11CH3I發(fā)生反應(yīng)。
在收納該RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8中，為了維持該RI化合物制造室8為干凈的環(huán)境，設(shè)置有將純凈的氣體供給到該制造室8中，并將該制造室8內(nèi)的氣體排出的給排氣裝置，同時(shí)為了便于收納在該制造室8內(nèi)的RI化合物制造裝置7的取出放入，還分別設(shè)置有門(未圖示出)。
此外，收納在品質(zhì)檢測(cè)室10中的放射性試劑檢測(cè)裝置9用于注入由RI化合物制造裝置7制造的放射性試劑并進(jìn)行品質(zhì)檢測(cè)，其包括通過產(chǎn)品回收配管L21對(duì)供給的放射性試劑進(jìn)行回收的產(chǎn)品回收容器、確認(rèn)放射性試劑的性質(zhì)和顏色形狀、有無(wú)雜質(zhì)混入到放射性試劑中等的CCD攝像機(jī)31、測(cè)定來(lái)自放射性試劑的放射能的放射能測(cè)定裝置32、填充放射性試劑的注射器等。
接下來(lái)，參考圖1～圖5對(duì)如上所述構(gòu)成的甲硫氨酸合成系統(tǒng)1的作用原理進(jìn)行說(shuō)明。碘代甲烷合成裝置3依次包括濃縮原料氣體中的11CO2的11CO2吸附工序；利用該11CO2生成11CH4的11CH4生成工序；暫時(shí)吸附該11CH4并分離除去未反應(yīng)的氫氣等的11CH4吸附工序；以及使該11CH4和碘發(fā)生合成反應(yīng)來(lái)合成11CH3I的11CH3I合成工序。
在11CO2吸附工序中，如圖4所示，將原料氣體通過原料氣體供給配管L1、三向閥V1導(dǎo)入到室溫的11CO2吸附塔15中，在該11CO2吸附塔15中原料氣體中的11CO2被暫時(shí)吸附。通過該吸附處理而被分離出11CO2的原料氣體通過配管L3、第1狀態(tài)的六向閥V2、配管L8、三向閥V3、配管L9、排氣配管L10、截止閥V7被排出到系統(tǒng)外部。
然后，利用RI監(jiān)測(cè)器26確認(rèn)11CO2吸附塔15中的11CO2吸附量達(dá)到規(guī)定值后，停止供給原料氣體。
接下來(lái)，切換三向閥V1，使氫氣供給配管L2和配管L3連通，如圖5所示，將六向閥V2切換到第2狀態(tài)，使配管L3、六向閥V2、配管L4、11CH4吸附塔8、配管L5、六向閥V2、配管L8、三向閥V3、配管L9、L10連通。
在11CH4生成工序中，主要成分為氮?dú)馇野s10％的氫氣的載氣通過氫氣供給配管L2、三向閥V1、配管L3導(dǎo)入到11CO2吸附塔15中的同時(shí)，利用加熱裝置對(duì)該11CO2吸附塔15進(jìn)行加熱。通過該加熱處理，11CO2從11CO2吸附塔15中解吸出來(lái)。
該解吸出的11CO2和載氣一起被導(dǎo)入到經(jīng)加熱裝置加熱的11CH4變換塔16中，與還原催化劑接觸并且通過載氣中的氫氣將其變換為11CH4。
這樣產(chǎn)生的11CH4被導(dǎo)入到11CH4精制塔17中，和11CH4在一起的未反應(yīng)的11CO2等被11CH4精制塔17中填充的吸附劑吸附。通過該吸附處理，未反應(yīng)的11CO2等從11CH4中分離出來(lái)。
在11CH4吸附工序中，11CH4通過配管L3、六向閥V2、配管L4被導(dǎo)入到室溫狀態(tài)的11CH4吸附塔18中，并暫時(shí)被吸附在該11CH4吸附塔18中。和11CH4一起被導(dǎo)入到11CH4吸附塔18中的未反應(yīng)的氫氣等原樣地通過，然后通過配管L5、六向閥V2、配管L8、三向閥V3、配管L9、排氣配管L10、截止閥V7排出到系統(tǒng)外部。
利用這時(shí)的RI監(jiān)測(cè)器26、27中的放射能測(cè)定，確認(rèn)11CO2吸附塔15中的11CO2吸附量減少，11CH4吸附塔18中的11CH4吸附量達(dá)到規(guī)定值后，停止供給載氣。
此外，11CH4吸附工序具有清洗11CH4吸附系統(tǒng)13的內(nèi)部的清洗工序。首先，關(guān)閉三向閥V3，打開截止閥V6，如圖4所示，將六向閥V2切換到第1狀態(tài)。
在該狀態(tài)下從He供給配管L6供給的He氣通過截止閥V6、六向閥V2、配管L4、11CH4吸附塔18、配管L5、六向閥V2、配管L7、排氣配管L10、截止閥V7，將上述配管、閥和11CH4吸附塔18中殘存的氫氣等排出到系統(tǒng)外部。然后在供給規(guī)定量的He氣之后，切換三向閥V3使配管L9和配管L11連通，關(guān)閉截止閥V7。這樣，使配管L7、L9、L11連通。
然后，利用加熱裝置加熱11CH4吸附塔18。通過該加熱處理，11CH4從11CH4吸附塔18中解吸出來(lái)。
在11CH3I合成工序中，利用He氣傳送解吸出的11CH4，并且通過配管L5、六向閥V2、配管L7、L9、三向閥V3、配管L11、三向閥V4導(dǎo)入到11CH3I合成系統(tǒng)14中。導(dǎo)入的11CH4通過配管L12、碘塔20、11CH3I合成塔21、11CH3I精制塔22、11CH3I吸附塔23、三向閥V5、循環(huán)配管L13、循環(huán)泵29返回到三向閥V4，在這些配管、閥、塔中循環(huán)。
這樣，在11CH4在11CH3I合成系統(tǒng)內(nèi)循環(huán)的狀態(tài)下，利用加熱裝置對(duì)碘塔20進(jìn)行加熱。通過該加熱處理，碘發(fā)生氣化，該碘氣和11CH4混合。
被混合的11CH4和碘氣被導(dǎo)入到11CH3I合成塔21中的同時(shí)，被加熱裝置加熱。通過該加熱處理，11CH4和碘氣發(fā)生合成反應(yīng)，合成11CH3I。
這樣合成的11CH3I被導(dǎo)入到11CH3I精制塔22中，和11CH3I在一起的未反應(yīng)的11CO2等被填充在11CH3I精制塔22中的吸附劑吸附。通過該吸附處理，11CO2等從11CH3I中被分離出來(lái)。
被分離了11CO2的11CH3I被導(dǎo)入到室溫的11CH3I吸附塔23中，11CH3I被暫時(shí)吸附在該11CH3I吸附塔23中。和11CH3I一起被導(dǎo)入到11CH3I精制塔22中的未反應(yīng)的11CH4原樣地通過，繼續(xù)循環(huán)，再次被導(dǎo)入到碘塔20中，如上所述，重復(fù)和碘氣的混合、合成反應(yīng)等。
然后，利用RI監(jiān)測(cè)器28確認(rèn)11CH3I吸附塔23中的11CH3I吸附量達(dá)到規(guī)定值之后，停止循環(huán)泵29，終止循環(huán)，切換三向閥V4、V5，使配管L11、L12、L14連通。
接下來(lái)，利用加熱裝置加熱11CH3I吸附塔23。通過該加熱處理，11CH3I從11CH3I吸附塔23中解吸出來(lái)。利用從He供給配管L6導(dǎo)入的He氣傳送該解吸出的11CH3I，通過配管L12、L14在系統(tǒng)外部作為產(chǎn)品被回收。由此得到11CH3I。該11CH3I通過11CH3I配管L14、路徑切換裝置5、配管L20被供給到RI化合物制造裝置7中。
在RI化合物制造裝置7中，被導(dǎo)入的11CH3I、被填充到試劑槽中的規(guī)定的試劑由電磁閥控制它們的流量，通過規(guī)定的孔路徑被導(dǎo)入到反應(yīng)器中，發(fā)生合成反應(yīng)，該合成反應(yīng)產(chǎn)生的反應(yīng)生成物作為放射性藥劑被回收。這樣，利用作為標(biāo)記前體的11CH3I制造作為放射性藥劑的甲硫氨酸。該放射性藥劑通過配管L21供給到放射性藥劑檢測(cè)裝置9中。
在該放射性藥劑檢測(cè)裝置9中實(shí)施上述檢測(cè)，而且，利用注射器取出少量的放射性藥劑，利用系統(tǒng)外部的例如分析裝置等進(jìn)行其它的品質(zhì)檢測(cè)。這些品質(zhì)檢測(cè)中合格的藥劑可以作為放射性藥劑在人體中使用。
其中，RI化合物制造裝置7中的放射性藥劑的制造一結(jié)束，由路徑切換裝置5有選擇地對(duì)路徑進(jìn)行切換，11CH3I被導(dǎo)入同一RI化合物制造室8內(nèi)的其它RI化合物制造裝置7中。然后，該RI化合物制造裝置7中的放射性藥劑的制造一結(jié)束，由路徑切換裝置5對(duì)路徑進(jìn)行切換，11CH3I被導(dǎo)入其它的RI化合物制造室8內(nèi)的RI化合物制造裝置7中。然后，該RI化合物制造裝置7中的放射性藥劑的制造一結(jié)束，11CH3I被導(dǎo)入同一RI化合物制造室8內(nèi)的其它RI化合物制造裝置7中，根據(jù)需要，反復(fù)執(zhí)行這些操作。
在該甲硫氨酸合成系統(tǒng)1中，一個(gè)RI化合物制造室8內(nèi)的2個(gè)RI化合物制造裝置中的放射性藥劑的制造結(jié)然后經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間，該一個(gè)RI化合物制造室8內(nèi)的放射能充分地衰減后，開閉該RI化合物制造室8的門，取出2個(gè)RI化合物制造裝置7，將別的RI化合物制造裝置7收納在RI化合物制造室8中，再次提供給放射性藥劑的制造。這樣，在放射性藥劑的制造后進(jìn)行RI化合物制造裝置7的交換。這時(shí)，交換該RI化合物制造裝置7的同時(shí)，由其它的RI化合物制造室8內(nèi)的RI化合物制造裝置7進(jìn)行放射性藥劑的制造。
這樣，在本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)應(yīng)于一個(gè)碘代甲烷合成裝置3設(shè)置有多個(gè)RI化合物制造裝置7，通過由路徑切換裝置5對(duì)導(dǎo)入有11CH3I的RI化合物制造裝置7進(jìn)行切換，可以依次利用其它的RI化合物制造裝置7。其結(jié)果，可以連續(xù)制造放射性藥劑。而且，因?yàn)榫哂卸鄠€(gè)收納多個(gè)RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8，所以交換一個(gè)RI化合物制造室8內(nèi)的RI化合物制造裝置7，7時(shí)，可以利用其它的RI化合物制造室8內(nèi)的RI化合物制造裝置7，7。其結(jié)果，能夠提供一種甲硫氨酸合成系統(tǒng)1，其可以在保持RI化合物制造裝置7的衛(wèi)生狀態(tài)、減少受照射的同時(shí)，連續(xù)制造放射性藥劑。
附帶說(shuō)一下，在本實(shí)施形態(tài)的甲硫氨酸合成系統(tǒng)1中，RI化合物制造裝置7中的一個(gè)周期的放射性藥劑的制造時(shí)間為60分鐘，一個(gè)RI化合物制造室8內(nèi)的合計(jì)制造時(shí)間是120分鐘。因?yàn)樵摲派湫运巹┲邪姆派湫酝凰?1C的半衰期是20分鐘，所以在2個(gè)周期的放射性藥劑的制造時(shí)間內(nèi)殘留在裝置中的放射能將衰減到1/64～1/8。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，因?yàn)榫哂幸惑w地包含碘代甲烷合成室4、RI化合物制造室8，8、品質(zhì)檢測(cè)室10的熱室2，所以可以使甲硫氨酸合成系統(tǒng)1小型化。
以上，基于本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行了具體的說(shuō)明，但是本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施形態(tài)。例如，在上述實(shí)施形態(tài)中是制造甲硫氨酸的甲硫氨酸合成系統(tǒng)1，但也可以是制造例如膽堿等其它的放射性藥劑、放射性醫(yī)藥品、RI化合物的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)中，所采用的是具有多個(gè)收納多個(gè)RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8的結(jié)構(gòu)，但也可以是具有多個(gè)收納單個(gè)RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8的結(jié)構(gòu)，或者是具有收納單個(gè)RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8和收納多個(gè)RI化合物制造裝置7的RI化合物制造室8的組合的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，其包括利用放射性同位素合成標(biāo)記前體的RI原料合成部和導(dǎo)入有所述標(biāo)記前體、試劑并制造放射性同位素標(biāo)記化合物的RI化合物制造部，其特征在于對(duì)應(yīng)于所述RI原料合成部設(shè)置有多個(gè)所述RI化合物制造部，并且具備有選擇地切換被導(dǎo)入所述標(biāo)記前體的所述RI化合物制造部的切換裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，具備一體地包含第1箱和第2箱的熱室，其中，所述RI原料合成部被收納在利用屏蔽放射線的放射線屏蔽材料做成可以密閉的結(jié)構(gòu)的所述第1箱中，所述RI化合物制造部被收納在具有可以開閉的門并利用屏蔽放射線的放射線屏蔽材料做成可以密閉的結(jié)構(gòu)的所述第2箱中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，其特征在于，所述第2箱被屏蔽放射線的放射線屏蔽材料分割成可以密閉的多個(gè)室，對(duì)應(yīng)于所述各室設(shè)置有所述門。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)，其特征在于，具有檢測(cè)所述放射性同位素標(biāo)記化合物的品質(zhì)的品質(zhì)檢測(cè)部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以連續(xù)制造RI化合物的RI標(biāo)記化合物合成系統(tǒng)(1)。其中，對(duì)應(yīng)于一個(gè)RI原料合成部3設(shè)置多個(gè)RI化合物制造部(7)，通過切換導(dǎo)入標(biāo)記前體的RI化合物制造部，可以依次利用其它的RI化合物制造部(7)，交換一個(gè)RI化合物制造部(7)或者使放射能衰減時(shí)，可以利用其它的RI化合物制造部(7)。
文檔編號(hào)G01T1/00GK1702778SQ20051007392
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2005年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者佐佐木基仁 申請(qǐng)人:住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社