專利名稱：包括具有受限電流密度的氧化釩傳感器元件的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括充當(dāng)溫度傳感器或紅外線傳感器的由氧化釩制成的傳感器元件的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)將溫度傳感器引入到大規(guī)模集成電路(LSI)設(shè)備中以監(jiān)視其環(huán)境溫度(見JP-1-302849-A)。結(jié)果，當(dāng)環(huán)境溫度超過正常溫度時，停止施加到LSI設(shè)備上的偏置電壓，以確保防止由于環(huán)境溫度的上升而使LSI設(shè)備受到熱損壞。
第一現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器由溫度傳感器元件構(gòu)成，所述溫度傳感器元件由具有不同溫度系數(shù)的二極管或電阻器形成(也參見JP-1-302849-A)。
然而，在上述第一現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器中，由于二極管的溫度系數(shù)較小從而使二極管和電阻器之間的溫度系數(shù)的差值較小，不能期望較大的信號噪聲比(SNR)。
第二現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器由溫度傳感器元件構(gòu)成，所述溫度傳感器元件由寄生雙極型晶體管或寄生pn二極管形成(參見JP-9-229778-A)。由于可以通過傳統(tǒng)MOS制造工藝來形成寄生雙極型晶體管或寄生二極管，因此可以降低制造成本。
然而，在上述第二現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器中，由于寄生雙極型晶體管或寄生二極管的溫度系數(shù)仍較小，例如大約0.2(％/K)，因此不能期望較大的SNR。
第三現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器由溫度傳感器元件構(gòu)成，所述溫度傳感器元件由氧化釩制成(參見JP-11-330051-A)。由于氧化釩的溫度系數(shù)較大，因此可以期望較大的SNR。
注意，穩(wěn)定的氧化釩由化學(xué)式VO2或V2O5(通常為VOX，其中X大約為2)來表示。
然而，在上述第三現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器中，由于將電流提供給氧化釩溫度傳感器元件，因此，當(dāng)向其提供過量電流時，氧化釩溫度傳感器元件將會受到擊穿。
此外，JP-11-118567-A和JP-2003-121268-A公開了一種包括用于增強靈敏度的溫度傳感器元件的橋電路和與橋電路的兩個輸出端子相連的溫度檢測電路。
另一方面，現(xiàn)有技術(shù)紅外線傳感器由以氧化釩制成的紅外線傳感器元件構(gòu)成(參見JP-2001-099705-A)。由于氧化釩的溫度系數(shù)非常大，因此可以期望較大的SNR。
然而，即使在上述現(xiàn)有技術(shù)紅外線傳感器中，由于將電流提供給氧化釩紅外線傳感器元件，當(dāng)向其提供過量電流時，氧化釩紅外線傳感器元件將被擊穿。注意，上述紅外線傳感器應(yīng)用于由向其提供脈沖形電流的多個紅外線傳感器形成的紅外線攝像機。在這種情況下，如果像素的數(shù)量較小從而使氧化釩紅外線傳感器元件的尺寸較大，則提供給其的這種脈沖形電流幾乎不會擊穿該氧化釩紅外線傳感器元件。另一方面，如果像素數(shù)量較大從而使氧化釩紅外線傳感器元件的尺寸較小，則提供給其的這種脈沖形電流將會擊穿該氧化釩紅外線傳感器元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種半導(dǎo)體器件，包括由氧化釩制成的至少一個傳感器元件，能夠避免對其的擊穿。
根據(jù)本發(fā)明，在包括半導(dǎo)體襯底和形成在半導(dǎo)體襯底上的至少一個由氧化釩制成的傳感器元件的半導(dǎo)體器件中，對所述傳感器元件進行設(shè)計，從而使流過該傳感器元件的電流密度在0和100μA/μm2之間。


參考附圖，從以下所進行的描述中，本發(fā)明將得到更為清楚的理解，其中圖1A是示出了根據(jù)本發(fā)明的、由氧化釩制成的傳感器元件的透視圖；圖1B是示出了圖1A中的傳感器元件的長度L對電流I/W特性的曲線圖；圖2是示出了包括根據(jù)本發(fā)明的、由氧化釩制成的溫度傳感器元件的半導(dǎo)體器件的第一實施例的電路圖；圖3是圖2所示的半導(dǎo)體器件的橫截面圖；圖4是示出了包括根據(jù)本發(fā)明的、由氧化釩制成的紅外線傳感器元件的半導(dǎo)體器件的第二實施例的電路圖；以及圖5是圖4所示的電阻器的橫截面圖。
具體實施例方式
將參考圖1A和1B來解釋根據(jù)本發(fā)明的由氧化釩制成的傳感器元件。
在圖1A中，由氧化釩制成的傳感器元件具有長度L、寬度W和厚度T(＝0.1μm)。
根據(jù)本發(fā)明人的試驗，當(dāng)在圖1A所示的傳感器元件的端子之間施加1V的電壓時，流過其的電流I如圖1B所示。在圖1B中，長度L越大，則電流I/寬度W越小。在這種情況下，當(dāng)I(μA)/W(μm)大于10時，傳感器元件發(fā)生擊穿。另一方面，當(dāng)I(μA)/W(μm)小于10時，圖1A所示的傳感器元件不會被擊穿。換句話說，當(dāng)電流密度J(μA)/(μm2)＝(I/W)/T(＞0)小于100時，圖1A所示的傳感器元件不會被擊穿。因此，根據(jù)本發(fā)明，對圖1A的傳感器元件進行設(shè)計，從而使流過其的電流密度J小于100μA/μm2。
在示出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實施例的圖2中，該半導(dǎo)體器件形成了溫度傳感器，由溫度傳感器電路1和差分放大器2構(gòu)成。
溫度傳感器電路1由串聯(lián)連接在電源端子VCC和接地端子GND之間的傳感器元件(溫度監(jiān)控電阻器)R1和R2、以及串聯(lián)連接在電源端子VCC和接地端子GND之間的溫度監(jiān)控電阻器R3和R4構(gòu)成。此外，溫度監(jiān)控電阻器R2和R3由其溫度系數(shù)為-1.5(％/K)的氧化釩制成，而溫度監(jiān)控電阻器R1和R4由其溫度系數(shù)為0.3(％/K)的非晶硅制成。此外，假定溫度監(jiān)控電阻器R1、R2、R3和R4的電阻值在室溫25℃處等于25kΩ。在這種情況下，當(dāng)溫度為-50℃時，溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電阻值為77kΩ，并且溫度監(jiān)控電阻器R1和R4的電阻值為20kΩ，而當(dāng)溫度為100℃時，溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電阻值為8kΩ，并且溫度監(jiān)控電阻器R1和R4的電阻值為30kΩ。因此，當(dāng)溫度從-50℃變化到100℃時，溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的總電阻值和溫度監(jiān)控電阻器R1和R4的總電阻值從97kΩ改變?yōu)?8kΩ。
此外，假定電源端子VCC處于3.3V而接地端子GND處于0V，則流過溫度監(jiān)控電阻器R1和R2的電流I1和流過溫度監(jiān)控電阻器R3和R4的電流I2從大約34μA改變?yōu)?7μA。
如果溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的寬度W和厚度T分別為20μm和0.2μm，則溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的橫截面為4μm2。因此，流過溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電流密度J為8.5到21.8μA/μm2，這滿足電流密度J處于0和100μA/μm2之間的上述條件。
此外，差分放大器2放大溫度監(jiān)控電阻器R1和R2之間的連接處的傳感電壓V1和溫度監(jiān)控電阻器R1和R2之間的連接處的傳感電壓V2之間的電壓差ΔV，以產(chǎn)生與環(huán)境溫度和由內(nèi)部邏輯電路(未示出)所產(chǎn)生的熱量相對應(yīng)的輸出電壓Vout。更具體地，將用于接收溫度傳感電路1的傳感電壓V1的p溝道負載MOS晶體管QP1和N溝道MOS晶體管Qn1串聯(lián)連接在電源端子VCC和接地端子GND之間，并且將用于接收溫度傳感電路1的傳感電壓V2的p溝道負載MOS晶體管QP2和N溝道MOS晶體管Qn2串聯(lián)連接在電源端子VCC和接地端子GND之間。在這種情況下，晶體管QP1和晶體管QP2形成了電流鏡像電路。
在作為圖2所示的半導(dǎo)體器件的橫截面圖的圖3中，該半導(dǎo)體器件由以下組件構(gòu)成p型單晶硅襯底31、形成在硅襯底31上的多層互連層32、形成在多層互連層32上的絕緣層33和形成在絕緣層33上的薄片層34。
多層互連層32是由多個導(dǎo)電層和多個絕緣層形成的堆疊層。
薄片層34僅用于覆蓋氧化釩，而并非用于傳統(tǒng)的導(dǎo)電層。
將圖3所示的半導(dǎo)體器件劃分為針對圖2所示的邏輯電路、差分放大器2等的邏輯電路區(qū)A1、以及針對圖2所示的溫度傳感電路1的溫度傳感區(qū)A2。
在邏輯電路區(qū)A1中，形成一個典型的互補金屬氧化物硅(CMOS晶體管)，即一個p溝道MOS晶體管和一個n溝道MOS晶體管。即，在硅襯底31上形成具有p+型雜質(zhì)擴散區(qū)311S和311D的n-型阱區(qū)311和具有n+型雜質(zhì)擴散區(qū)312S和312D的p-型阱區(qū)312。此外，在n-型阱區(qū)311和p-型阱區(qū)312上分別形成向其施加電壓VG1和VG2的柵極電極G1和G2。另外，將p+型雜質(zhì)擴散區(qū)311S通過通孔結(jié)構(gòu)V11與配線層W11相連，所述配線層W11也通過通孔結(jié)構(gòu)V12與向其施加電源電壓VCC的配線層W12相連。p+型雜質(zhì)擴散區(qū)311D通過通孔結(jié)構(gòu)V13與配線層W13相連，而n+型雜質(zhì)擴散區(qū)312D通過通孔結(jié)構(gòu)V14與配線層W13相連。n+型雜質(zhì)擴散區(qū)312S通過通孔結(jié)構(gòu)V15與配線層W15相連，所述配線層W15也通過通孔結(jié)構(gòu)V16與向其施加地電壓GND的配線層W16相連。
接下來將解釋溫度傳感區(qū)A2。
將由氧化釩(VOX)制成的溫度監(jiān)控電阻器R2和R3形成在絕緣層33上，且由薄片層34覆蓋。溫度監(jiān)控電阻器R2和R3具有(10到100μm)×(10到100μm)的相同矩形形狀，其厚度為0.1到0.2μm。溫度監(jiān)控電阻器R2和R3分別具有0.01到10Ω·cm的體電阻率和-1.5(％/K)的溫度系數(shù)。
將由n型摻雜非晶硅制成的溫度監(jiān)控電阻器R1和R4形成在硅襯底31上、多層互連層32內(nèi)。溫度監(jiān)控電阻器R2和R3具有(1到100μm)×(1到100μm)的相同矩形形狀，其厚度為0.1到0.3μm。溫度監(jiān)控電阻器R1和R4具有0.3(％/K)的溫度系數(shù)。也就是說，溫度監(jiān)控電阻器R1和R4的溫度系數(shù)的絕對值小于溫度監(jiān)控電阻器R2和R3。
注意，溫度監(jiān)控電阻器R1、R2、R3和R4的電阻值大致相等，例如在室溫25℃下為25kΩ。
接下來將解釋串聯(lián)溫度監(jiān)控電阻器R1和R2。
溫度監(jiān)控電阻器R1的一端通過通孔結(jié)構(gòu)V21與配線層W21相連，所述配線層W21還通過通孔結(jié)構(gòu)V22與向其施加電源電壓VCC的配線層W22相連。
溫度監(jiān)控電阻器R1的另一端通過通孔結(jié)構(gòu)V23與配線層W23相連，所述配線層23還通過通孔結(jié)構(gòu)V24與配線層W24相連，所述配線層W24還通過通孔結(jié)構(gòu)V25與溫度監(jiān)控電阻器R2的一端相連。
將硅襯底31中的p+型雜質(zhì)擴散區(qū)313通過通孔結(jié)構(gòu)V26與配線層W26相連，所述配線層W26還通過通孔結(jié)構(gòu)V27與配線層W27相連，所述配線層W27還通過通孔結(jié)構(gòu)V28與溫度監(jiān)控電阻器R2的另一端相連。
將p+型雜質(zhì)擴散區(qū)314通過通孔結(jié)構(gòu)V29與配線層W29相連，所述配線層W29還通過通孔結(jié)構(gòu)V30與向其施加地電壓GND的配線層W30相連。
因此，p+型雜質(zhì)擴散區(qū)313通過p型硅襯底31內(nèi)的p+型雜質(zhì)擴散區(qū)314接地。
配線層W23產(chǎn)生圖2所示的傳感電壓V1。
因此，串聯(lián)溫度監(jiān)控電阻器R1和R2連接在電源端子VCC和接地端子GND之間。
接下來將解釋串聯(lián)溫度監(jiān)控電阻器R3和R4。
溫度監(jiān)控電阻器R3的一端通過通孔結(jié)構(gòu)V31與向其施加電源電壓VCC的配線層W22相連。
溫度監(jiān)控電阻器R4的一端通過通孔結(jié)構(gòu)V32與配線層W32相連，所述配線層32還通過通孔結(jié)構(gòu)V33與配線層W33相連，所述配線層W33還與溫度監(jiān)控電阻器R3的另一端相連。
溫度監(jiān)控電阻器R4的另一端通過通孔結(jié)構(gòu)V35與配線層W35相連，所述配線層35還通過通孔結(jié)構(gòu)V36與p+型雜質(zhì)擴散區(qū)315相連，所述p+型雜質(zhì)擴散區(qū)315通過硅襯底31中的p+型雜質(zhì)擴散區(qū)314接地。
配線層W32產(chǎn)生圖2所示的傳感電壓V2。
因此，串聯(lián)溫度監(jiān)控電阻器R3和R4連接在電源端子VCC和接地端子GND之間。
在圖3中，柵極電極G1和G2由相同的層形成。溫度監(jiān)控電阻器R3和R4由相同的層形成。通孔結(jié)構(gòu)V11、V13、V14、V15、V21、V23、V26、V32、V35和V36由相同的材料形成。配線層W11、W13、W15、W21、W23、W26、W32和W35由相同的層形成。通孔結(jié)構(gòu)V12、V16、V22、V24、V27、V30和V33由相同的層形成。配線層W12、W16、W22、W24、W27、W30和W33由相同的層形成。通孔結(jié)構(gòu)V25、V28、V31和V33由相同的層形成。溫度監(jiān)控電阻器R2和R3由相同的層形成。
接下來將解釋圖2所示的半導(dǎo)體器件的操作。
如以上所解釋的，當(dāng)VCC＝3.3V且GND＝0V時，流過溫度監(jiān)控電阻器R1和R2的電流I1和流過溫度監(jiān)控電阻器R3和R4的電流I2從34到87μA，并且溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電流密度J從8.5到21.8μA/μm2。結(jié)果，由VCC×R2/(R1+R2)來確定在溫度監(jiān)控電阻器R1和R2的連接處的傳感電壓V1，而由VCC×R4/(R3+R4)來確定在溫度監(jiān)控電阻器R3和R4的連接處的傳感電壓V2。
當(dāng)環(huán)境溫度增加或邏輯電路區(qū)A1在其中產(chǎn)生了熱量時，也對溫度監(jiān)控電阻器R1、R2、R3和R4進行加熱。因此，溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電阻值的減小相對較大，而溫度監(jiān)控電阻器R1和R4的電阻值的增加相對較小。結(jié)果，傳感電壓V1會減小，而傳感電壓V2會增加，從而提高了傳感電壓V1和V2之間的差值。因此，由差分放大器2來放大傳感電壓V1和V2之間的差值以產(chǎn)生其輸出電壓Vout。例如，如果輸出電壓Vout大于預(yù)定值，則停止施加到圖3所示的邏輯電路區(qū)A1上的偏置電壓。
在圖2和3中，由于溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的電流密度J小于100μA/μm2，因此，可以防止溫度監(jiān)控電阻器R2和R3受到損壞。
此外，由于溫度監(jiān)控電阻器R2和R3由具有較大溫度系數(shù)(即，大約1.5％/K)的氧化釩制成，因此，能夠獲得更高的SNR。
另外，溫度傳感電路1(即，由溫度監(jiān)控電阻器R1、R2、R3和R4形成的橋接電路)能夠增加溫度測量的精度，并且差分放大器2放大了橋接電路之間的輸出的差值，能夠進一步增加測量的精度。
例如，在室溫25℃時，如果每一個溫度監(jiān)控電阻器R1、R2、R3和R4為1kΩ，則在VCC＝3.3V且GND＝0V的情況下的傳感電壓V1和V2為V1＝3.3×1/(1+1)＝1.65VV2＝3.3×1/(1+1)＝1.65V∴ΔV＝V2-V1＝0V然后，溫度增加10℃達到35℃，R2＝R3＝(1-0.015×10)·1kΩ＝0.85kΩR1＝R4＝(1+0.003×10)·1kΩ＝1.03kΩ∴V1＝3.3×0.85/(0.85+1.03)＝1.49VV2＝3.3×1.03/(0.85+1.03)＝1.81VΔV＝V2-V1＝-0.32V注意，差值ΔV是沒有橋電路的相應(yīng)差值的兩倍。該差值由差分放大器2進一步增加。
在圖3中，溫度監(jiān)控電阻器(氧化釩)R2和R3形成在位于薄片層34以及硅襯底31和多層互連層32內(nèi)的邏輯電路區(qū)A1的邏輯電路下方的絕緣層33上。因此，邏輯電路和針對其的制造設(shè)備幾乎不會受到氧化釩的污染。注意，溫度監(jiān)控電阻器(非晶硅)R1和R4由傳統(tǒng)制造工藝來制成。
另外，溫度監(jiān)控電阻器R1和R4可以由多晶硅制成。
另外，在圖3中，將溫度監(jiān)控電阻器R2和R3的一部分形成在邏輯電路區(qū)A1上，將會提高集成度。
圖2所示的溫度傳感電路1和差分放大器2可以處于單一位置或一個芯片的多個位置處。在后一種情況下，可以使用溫度測量的均值。
在示出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實施例的圖4中，該半導(dǎo)體器件形成了安裝在紅外線攝像機的紅外線接收單元上的紅外線檢測傳感器。
在圖4中，將由MOS晶體管Q和紅外線監(jiān)控電阻器R形成的一個像素Pij(i＝1、2、…、m，j＝1、2、…、n)設(shè)置在柵極線X1、X2、…、Xm和數(shù)據(jù)線Y1、Y2、…、Yn之間的每一個交點處。由垂直移位寄存器41順序地選擇柵極線X1、X2、…、Xm，所述垂直移位寄存器41接收垂直同步信號VSYNC且根據(jù)水平同步信號HSYNC來進行移位。另一方面，由水平移位寄存器42順序地選擇數(shù)據(jù)線Y1、Y2、…、Yn，所述水平移位寄存器42接收水平同步信號HSYNC且根據(jù)時鐘信號CLK對其進行移位。因此，在所選的像素Pij中，信號電壓Vout取決于其偏置電流IB，所述偏置電流IB取決于所選像素的紅外線監(jiān)控電阻器R的電阻。
在作為圖4所示的紅外線監(jiān)控電阻器R的橫截面圖的圖5中，參考符號51表示在其上形成了由Cr/Pt制成的反射板52的p型單晶硅襯底。此外，形成了由SiN制成的絕緣層53、由NiCr制成的一對導(dǎo)電束54和55和由SiN制成的絕緣層56，并且設(shè)置了連接在導(dǎo)電束54和55之間的由氧化釩制成的紅外線傳感器元件57。在這種情況下，紅外線傳感器元件57還得到導(dǎo)電束54和55的支撐，從而形成了空氣間隙AG。因此，將紅外線傳感器元件57與硅襯底51進行了熱隔離。
紅外線傳感器元件57具有20μm的長度L、2μm的寬度W和0.2μm的厚度T，橫截面為0.4μm2。
確定紅外線傳感器元件57的橫截面，從而使電流密度J處于0和100μA/μm2之間。例如，當(dāng)沒有紅外線入射到紅外線傳感器元件57上時，紅外線傳感器元件57的電阻值為120kΩ，而當(dāng)紅外線入射到紅外線傳感器元件57上時，紅外線傳感器元件57的電阻值為95kΩ。由于電源電壓VCC是3.3V而地電壓GND是0V，因此流過紅外線傳感器元件57的電流至多為27到35μA，這對應(yīng)于67到88μA/μm2的電流密度。因此，該電流密度可以小于100μA/μm2，從而由氧化釩制成的紅外線傳感器元件57將很難被擊穿。
當(dāng)如圖5的箭頭所示，將紅外線入射到該器件上時，紅外線的一部分直接由紅外線傳感器元件57吸收，從而其溫度將會增加。同時，如果紅外線通過紅外線傳感器元件57和空氣間隙AG到達反射板52，則這部分紅外線受到反射板52的反射，并且到達紅外線傳感器元件57。因此，紅外線傳感器元件57的溫度將進一步增加。
由圖4所示的垂直移位寄存器41和水平移位寄存器42向上述紅外線傳感器元件57提供脈沖形偏置電流IB。由控制電路(未示出)來執(zhí)行偏置電流IB的測量，以形成紅外線圖像。
如以上所解釋的，根據(jù)本發(fā)明，由氧化釩制成的紅外線傳感器元件的電流密度處于0和100μA/μm2之間，能夠避免如溫度監(jiān)控電阻器和紅外線傳感器元件等傳感器元件的擊穿。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；以及形成在所述半導(dǎo)體襯底上的由氧化釩制成的至少一個傳感器元件，對所述傳感器元件進行設(shè)計，從而使流過所述傳感器元件的電流密度處于0到100μA/μm2之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述傳感器元件的電阻根據(jù)所述器件的環(huán)境溫度而變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述傳感器元件的電阻根據(jù)從所述器件中產(chǎn)生的熱量而變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于還包括多層互連層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上；邏輯電路，形成在所述半導(dǎo)體襯底和所述多層互連層中；以及絕緣層，形成在所述多層互連層上；將所述傳感器元件形成在所述絕緣層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于還包括薄片層，形成在所述絕緣層和所述傳感器元件上，并且適合于覆蓋所述傳感器元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于根據(jù)所述傳感器元件的輸出信號來控制所述邏輯電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于所述傳感器元件的至少一部分位于所述邏輯電路上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于將所述傳感器元件形成為薄片形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述傳感器元件的電阻根據(jù)入射到所述器件上的紅外線而變化。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括第一和第二電源端子；第一和第二溫度傳感器元件，串聯(lián)連接在所述第一和第二電源端子之間，所述第一和第二溫度傳感器元件之間的第一連接適合于產(chǎn)生第一傳感電壓；第三和第四溫度傳感器元件，串聯(lián)連接在所述第一和第二電源端子之間，所述第三和第四溫度傳感器元件之間的第二連接適合于產(chǎn)生第二傳感電壓；差分放大器，與所述第一和第二溫度傳感器元件之間的連接和所述第三和第四溫度傳感器元件之間的連接相連，并且適合于放大所述第一和第二連接之間的電壓差；所述第二和第三溫度傳感器元件由氧化釩制成；所述第一和第四傳感器元件由其電阻溫度系數(shù)的絕對值小于氧化釩的電阻溫度系數(shù)的絕對值的材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于所述第一和第四溫度傳感器元件由非晶硅制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于所述第一和第四溫度傳感器元件由多晶硅制成。
全文摘要
在包括半導(dǎo)體襯底和形成在半導(dǎo)體襯底上的由氧化釩制成的至少一個傳感器元件的半導(dǎo)體器件中，對所述傳感器元件進行設(shè)計，從而使流過所述傳感器元件的電流密度處于0到100μA/μm
文檔編號G01K7/20GK1716536SQ20051007377
公開日2006年1月4日 申請日期2005年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月24日
發(fā)明者大洼宏明, 中柴康隆 申請人:恩益禧電子股份有限公司