專利名稱：用于檢測(cè)液晶顯示器陣列的檢測(cè)方法及其檢測(cè)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)方法，特別涉及一種檢測(cè)液晶顯示器陣列的缺陷的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
已知的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)陣列檢測(cè)方式，是以接觸式或是非接觸式等方式，量測(cè)液晶顯示器陣列的電性缺陷。接觸式檢測(cè)是利用探針進(jìn)行檢測(cè)，而非接觸式檢測(cè)是利用電子束或是光束來進(jìn)行檢測(cè)。參照?qǐng)D1，其顯示電子束檢測(cè)的原理。象素P1具有透明電極D1、薄膜晶體管T1以及電容C1。電子束檢測(cè)是利用電子束發(fā)射器11對(duì)施有電壓的象素P1的透明電極D1射出電子束，電子束接觸透明電極D1之后，產(chǎn)生二次電子，此二次電子由接收器12所接收。而由于一般的陣列的缺陷(在此定義為，常溫下可以檢知的陣列缺陷，例如透明電極與數(shù)據(jù)線之間的短路，或是數(shù)據(jù)線的斷路等等)會(huì)導(dǎo)致透明電極D1的帶電量異常(意指，帶有較多的正電荷或負(fù)電荷)，致使由接收器12所接收的二次電子的電量產(chǎn)生變化(緣于正電相斥負(fù)電相吸的原理)，因此可檢知陣列上有缺陷。
然而，已知的液晶顯示器陣列檢測(cè)方式，無論是接觸式或是非接觸式的檢測(cè)方式，均無法完全檢測(cè)出薄膜晶體管(TFT)所產(chǎn)生的缺陷，例如，“弱薄膜晶體管”(TFT Weak)，或高溫缺陷(在此定義為，高溫下方能檢測(cè)出的缺陷)。參照?qǐng)D2，其顯示薄膜晶體管的特性曲線，在理想狀態(tài)下，薄膜晶體管的電性表現(xiàn)，如圖中虛線20所表示的，在輸入電壓小于臨界電壓時(shí)，電通量較低，而致使液晶中的光路關(guān)閉，在輸入電壓大于臨界電壓時(shí)，電通量提高，而使得液晶中的光路開啟。而在實(shí)際上的一般情況，薄膜晶體管的特性曲線，如曲線21所顯示的，與虛線的部分稍有偏差，但大致上遵循理想狀態(tài)的趨勢(shì)，在輸入電壓大于臨界電壓時(shí)，才打開光路。然而，“弱薄膜晶體管”，是指薄膜晶體管因?yàn)椴牧稀⒔Y(jié)構(gòu)或制程所導(dǎo)致的缺陷，在溫度升高的環(huán)境下，會(huì)有嚴(yán)重的漏電流現(xiàn)象。如圖2中的曲線22所顯示的，當(dāng)溫度升高時(shí)，有缺陷的晶體管雖未被供給大于臨界電壓的輸入電壓，其仍然會(huì)有相當(dāng)高的電通量(漏電流)，如此會(huì)造成“白點(diǎn)缺陷”(Bright pointDefect)，意即，在常白模式下(Normal white Mode)此位置的光路是常開的，當(dāng)顯示全黑畫面時(shí)此位置會(huì)有白點(diǎn)產(chǎn)生；反之，在常黑模式下(Normal black mode)，會(huì)產(chǎn)生“黑點(diǎn)缺陷”(Black point defect)。
由于液晶顯示器在使用時(shí)，其背光模塊會(huì)產(chǎn)生大量的熱能，因此，若薄膜晶體管具有缺陷，上述的“白點(diǎn)缺陷”將無法避免。而一般液晶顯示器陣列的檢測(cè)，是直接在液晶顯示器陣列制程完成之后進(jìn)行，此時(shí)由于未搭配安裝背光模塊以及灌注液晶，因此無法檢測(cè)上述的薄膜晶體管的高溫缺陷。而若在面板制作完成后，方才發(fā)現(xiàn)此“白點(diǎn)缺陷”，其重工或是作廢的成本將會(huì)非?？捎^。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即為了解決上述已知技術(shù)的問題，而提供的一種檢測(cè)設(shè)備，用于檢測(cè)一液晶顯示器陣列的一缺陷，包括一主腔體、一檢測(cè)裝置、一檢測(cè)平臺(tái)以及一主加熱裝置。檢測(cè)平臺(tái)設(shè)于該主腔體之中，用于放置該液晶顯示器陣列。檢測(cè)裝置設(shè)于該主腔體之中，以接觸式或非接觸式的方式，檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。主加熱裝置設(shè)于該主腔體之中或該主腔體的外側(cè)，將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度，以顯現(xiàn)該液晶顯示器陣列的該缺陷。
應(yīng)用本發(fā)明，可以直接于陣列制程之后檢測(cè)出薄膜晶體管的缺陷，特別是與溫度相關(guān)的高溫缺陷。因此可在液晶灌注、背光模塊組裝等制程之前，直接對(duì)有缺陷的薄膜晶體管做出處理，節(jié)省面板制作的成本。


圖1顯示電子束陣列檢測(cè)的原理；圖2顯示薄膜晶體管的特性曲線；圖3a顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例；圖3b顯示第一實(shí)施例的第一變形例；圖3c顯示第一實(shí)施例的第二變形例；圖3d顯示第一實(shí)施例的第三變形例；圖4a顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例；圖4b顯示第二實(shí)施例的第一變形例；圖4c顯示第二實(shí)施例的第二變形例。
符號(hào)說明10～檢測(cè)裝置11～電子束發(fā)射器12～接收器21、22～曲線23～液晶顯示器陣列30～檢測(cè)平臺(tái)31～加熱線圈40、40’、40”～主腔體41～燈管42～加熱線圈
45～信道50、50’～輔助腔體51～燈管(輔助加熱裝置)52～平臺(tái)100～檢測(cè)設(shè)備P1～象素T1～薄膜晶體管D1～透明電極C1～電容具體實(shí)施方式
本發(fā)明是在檢測(cè)液晶顯示器陣列時(shí)，對(duì)該液晶顯示器陣列提供熱量，以顯現(xiàn)陣列的缺陷，特別是，顯現(xiàn)薄膜晶體管的與溫度相關(guān)的高溫缺陷。并且，由于針對(duì)與薄膜晶體管有電性相關(guān)的組件進(jìn)行檢測(cè)，因此能檢測(cè)出該薄膜晶體管的缺陷。
參照?qǐng)D3a，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的檢測(cè)設(shè)備100，包括一主腔體40、一檢測(cè)裝置10、一檢測(cè)平臺(tái)30以及一加熱裝置(燈管41)。檢測(cè)裝置10以及檢測(cè)平臺(tái)30設(shè)于主腔體40之中。檢測(cè)平臺(tái)30用于放置液晶顯示器陣列23。檢測(cè)裝置10為一電子束檢測(cè)裝置，包括一電子束發(fā)射器11以及一傳感器12，電子束發(fā)射器11朝液晶顯示器陣列23上的透明電極(未示出)發(fā)射一電子束，傳感器12檢測(cè)該電子束接觸液晶顯示器陣列23后所產(chǎn)生的二次電子，以檢測(cè)該液晶顯示器陣列23的電性。此外，為搭配電子束檢測(cè)，主腔體40為真空腔體。
第一實(shí)施例的檢測(cè)步驟為，首先，將液晶顯示器陣列23置于主腔體40之中；接著利用燈管41，以輻射的方式，將液晶顯示器陣列23加熱至一第一溫度；最后，利用檢測(cè)裝置10檢測(cè)液晶顯示器陣列23的電性。該第一溫度可介于20～150℃之間，特別是，在60℃具有較佳的檢測(cè)效果。
本發(fā)明的原理為，對(duì)液晶顯示器陣列23進(jìn)行加熱，以顯現(xiàn)該薄膜晶體管的缺陷，特別是與溫度相關(guān)的高溫缺陷，例如，“弱薄膜晶體管”(TFT Weak)。由于有缺陷的薄膜晶體管在第一溫度下會(huì)有漏電流現(xiàn)象，造成透明電極表面的電性異常，因此可通過電子束檢測(cè)的方式檢知薄膜晶體管的高溫缺陷。
參照?qǐng)D3b，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的第一變形例，其特點(diǎn)在于，加熱裝置改為加熱線圈42，環(huán)繞于腔體40之外，以冷壁式加熱的方式，對(duì)液晶顯示器陣列23提供熱量。
參照?qǐng)D3c，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的第二變形例，其特點(diǎn)在于，加熱裝置改為加熱線圈42，環(huán)繞于腔體40之內(nèi)，以熱壁式加熱的方式，對(duì)液晶顯示器陣列23提供熱量。而熱壁式加熱也可被定義為紅外線加熱。
參照?qǐng)D3d，其顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的第三變形例，其特點(diǎn)在于，加熱裝置改為加熱線圈31，埋設(shè)于檢測(cè)平臺(tái)30之中，以傳導(dǎo)的方式對(duì)檢測(cè)平臺(tái)30加熱，檢測(cè)平臺(tái)30再將熱量傳遞至液晶顯示器陣列23。
在圖3d的實(shí)施例之中，加熱線圈31埋設(shè)于檢測(cè)平臺(tái)30之中，但其并未限制本發(fā)明。加熱線圈31也可設(shè)置于檢測(cè)平臺(tái)30表面，以傳導(dǎo)的方式加熱?；蚴?，設(shè)于液晶顯示器陣列23上方，以輻射等方式加熱。
在第一實(shí)施例之中，加熱裝置可預(yù)先將液晶顯示器陣列23均勻加熱至一第二溫度(預(yù)熱)，該第二溫度低于該第一溫度，可介于20～150℃之間，特別是，在40℃較佳。進(jìn)行預(yù)熱有下述兩項(xiàng)好處，首先，能防止液晶顯示器陣列23的玻璃基板破裂，其次，可以在未抽真空的狀態(tài)下進(jìn)行預(yù)熱，如此可以以對(duì)流或傳導(dǎo)的方式，或?qū)α饕约皞鲗?dǎo)的方式一并加熱液晶顯示器陣列23，因而加速加熱速度。而在預(yù)熱步驟之后，再抽真空，以輻射的方式加熱到第一溫度，以進(jìn)行檢測(cè)。
同樣的，在檢測(cè)完成之后，通過控制該加熱裝置，可使液晶顯示器陣列23的溫度均勻下降至該第二溫度(退熱)，以防止液晶顯示器陣列23的玻璃基板破裂。待到達(dá)該第二溫度之后，可解除真空，以對(duì)流或傳導(dǎo)的方式加速退熱。
本發(fā)明的實(shí)施例以電子束檢測(cè)的方式檢測(cè)液晶顯示器陣列23的缺陷，因此檢測(cè)環(huán)境為真空腔體。然而，其并未限制本發(fā)明，本發(fā)明也可以探針或是其它接觸式或非接觸式的檢測(cè)方式進(jìn)行檢測(cè)，不限于在腔體中檢測(cè)，而加熱方式也可根據(jù)檢測(cè)方式的不同，靈活搭配輻射、對(duì)流以及傳導(dǎo)等方式。
而欲被檢測(cè)的液晶顯示器陣列可以為一非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一復(fù)晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光顯示器或一主動(dòng)式平面檢測(cè)器的液晶顯示器陣列。
參照?qǐng)D4a，其顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例，其與第一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，其增設(shè)輔助腔體50，以加速預(yù)熱及退熱的過程，并避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生。在此為說明方便并避免混淆，主腔體40中的加熱裝置(燈管41)，以“主加熱裝置”命名，而輔助腔體50中的加熱裝置(燈管51)，以“輔助加熱裝置”命名。在此實(shí)施例中，主加熱裝置以及輔助加熱裝置是以燈管加熱的形式，其也可應(yīng)用第一實(shí)施例中所提及的任一種加熱方式。輔助腔體50鄰接主腔體40，其中設(shè)有輔助加熱裝置51以及平臺(tái)52，并通過信道45，以可選擇的方式與主腔體40接通。
在檢測(cè)之前，液晶顯示器陣列23先置于輔助腔體50中的平臺(tái)52之上，以被加熱至該第二溫度，再通過該信道45，進(jìn)入主腔體40，被加熱至該第一溫度，并進(jìn)行檢測(cè)。同樣的，當(dāng)檢測(cè)完成之后，液晶顯示器陣列23也從主腔體40中被移回輔助腔體50，至其溫度均勻的下降回該第二溫度后，再?gòu)脑撦o助腔體50中移出。輔助腔體50可以不必為真空腔體，因此可同時(shí)以對(duì)流、輻射等多重方式快速均勻的對(duì)液晶顯示器陣列23加熱以及冷卻，縮短預(yù)熱以及退熱處理的時(shí)間，并提高預(yù)熱以及退熱處理的均勻度，防止液晶顯示器陣列23的玻璃基板破裂。
參照?qǐng)D4b，其顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的第一變形例，在此，省略輔助腔體以及主腔體之中的裝置圖標(biāo)，以簡(jiǎn)化說明。圖4b中具有輔助腔體50以及輔助腔體50’，均鄰接主腔體40。其特點(diǎn)在于，當(dāng)檢測(cè)之前，液晶顯示器陣列23先置于輔助腔體50之中，以被預(yù)熱至該第二溫度，再被送入主腔體進(jìn)行加熱及檢測(cè)。當(dāng)檢測(cè)完成之后，液晶顯示器陣列23從主腔體40之中被送至輔助腔體50’，以被穩(wěn)定退熱至該第二溫度。其優(yōu)點(diǎn)在于，可以更進(jìn)一步縮短預(yù)熱以及退熱處理的時(shí)間。
參照?qǐng)D4c，其顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的第二變形例，在此，省略輔助腔體以及主腔體之中的裝置圖標(biāo)，以簡(jiǎn)化說明。圖4c中具有三個(gè)主腔體40、40’以及40”，均鄰接輔助腔體50。其特點(diǎn)在于，當(dāng)檢測(cè)之前，液晶顯示器陣列23先置于輔助腔體50之中，以被預(yù)熱至該第二溫度，再被送入主腔體40、40’或40”進(jìn)行加熱及檢測(cè)。當(dāng)檢測(cè)完成之后，液晶顯示器陣列23從主腔體40、40’或40”之中被送回輔助腔體50，以被穩(wěn)定退熱至該第二溫度。其優(yōu)點(diǎn)在于，可加速檢測(cè)的速度。
應(yīng)用本發(fā)明，可以直接于陣列制程之后檢測(cè)出薄膜晶體管的缺陷，特別是與溫度相關(guān)的高溫缺陷。因此可在液晶灌注、背光模塊組裝等制程之前，直接對(duì)有缺陷的薄膜晶體管做出處理，節(jié)省面板制作的成本。
雖然本發(fā)明已以具體的優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)設(shè)備，用于檢測(cè)一液晶顯示器陣列的一缺陷，包括一主腔體；一檢測(cè)平臺(tái)，設(shè)于該主腔體之中，用于放置該液晶顯示器陣列；一檢測(cè)裝置，設(shè)于該主腔體之中，以檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性；以及一主加熱裝置，將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度，以顯現(xiàn)該液晶顯示器陣列的該缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該檢測(cè)裝置為一電子束檢測(cè)裝置，包括一電子束發(fā)射器以及一傳感器，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列發(fā)射一電子束，該傳感器檢測(cè)該電子束接觸該液晶顯示器陣列后所產(chǎn)生的至少一二次電子，以檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列的一透明電極發(fā)射該電子束。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該主腔體為一真空腔體。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該缺陷為一弱薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第一溫度介于20～150℃之間。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第一溫度為60℃。
8.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該主加熱裝置以燈管加熱、紅外線加熱、冷壁式加熱或熱壁式加熱等方式，為該液晶顯示器陣列提供熱量。
9.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其還包括一輔助腔體以及一輔助加熱裝置，該輔助腔體與該主腔體接通，該輔助加熱裝置在該加熱裝置之前，將該液晶顯示器陣列預(yù)先加熱至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
12.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其還包括一輔助腔體以及一輔助加熱裝置，該輔助腔體與該主腔體接通，該輔助加熱裝置在檢測(cè)完成之后，將該液晶顯示器陣列的溫度均勻降至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
13.如權(quán)利要求12所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
14.如權(quán)利要求13所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
15.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該液晶顯示器陣列為一非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一復(fù)晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光顯示器或一主動(dòng)式平面檢測(cè)器的液晶顯示器陣列。
16.一種檢測(cè)設(shè)備，用于檢測(cè)一液晶顯示器陣列的一缺陷，包括一檢測(cè)平臺(tái)，用于放置該液晶顯示器陣列；一檢測(cè)裝置，檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性；以及一加熱裝置，將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度，以顯現(xiàn)該液晶顯示器陣列的該缺陷。
17.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該檢測(cè)裝置為一電子束檢測(cè)裝置，包括一電子束發(fā)射器以及一傳感器，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列發(fā)射一電子束，該傳感器檢測(cè)該電子束接觸該液晶顯示器陣列后所產(chǎn)生的至少一二次電子，以檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。
18.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列的一透明電極發(fā)射該電子束。
19.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該缺陷為一弱薄膜晶體管。
20.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第一溫度介于20～150℃之間。
21.如權(quán)利要求20所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第一溫度為60℃。
22.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該加熱裝置以燈管加熱、紅外線加熱或線圈加熱等方式，為該液晶顯示器陣列提供熱量。
23.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，在將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度之前，該加熱裝置預(yù)先利用對(duì)流或傳導(dǎo)的方式，將該液晶顯示器陣列均勻加熱至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
24.如權(quán)利要求23所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
25.如權(quán)利要求24所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
26.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，在將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度之前，該加熱裝置預(yù)先利用對(duì)流以及傳導(dǎo)的方式，將該液晶顯示器陣列均勻加熱至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
27.如權(quán)利要求26所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
28.如權(quán)利要求27所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
29.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，當(dāng)檢測(cè)完成之后，該加熱裝置利用對(duì)流或傳導(dǎo)的方式，使該液晶顯示器陣列均勻下降至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
30.如權(quán)利要求29所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
31.如權(quán)利要求30所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
32.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，當(dāng)檢測(cè)完成之后，該加熱裝置利用對(duì)流以及傳導(dǎo)的方式，使該液晶顯示器陣列均勻下降至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
33.如權(quán)利要求32所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
34.如權(quán)利要求33所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該第二溫度為40℃。
35.如權(quán)利要求16所述的檢測(cè)設(shè)備，其中，該液晶顯示器陣列為一非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一復(fù)晶硅薄膜晶體管液晶顯示器、一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光顯示器或一主動(dòng)式平面檢測(cè)器的液晶顯示器陣列。
36.一種檢測(cè)方法，用于檢測(cè)一液晶顯示器陣列的一缺陷，包括提供一檢測(cè)裝置以及一加熱裝置；利用該加熱裝置，將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度；以及利用該檢測(cè)裝置，檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。
37.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，其中，該檢測(cè)裝置為一電子束檢測(cè)裝置，包括一電子束發(fā)射器以及一傳感器，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列發(fā)射一電子束，該傳感器檢測(cè)該電子束接觸該液晶顯示器陣列后所產(chǎn)生的至少一二次電子，以檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。
38.如權(quán)利要求37所述的檢測(cè)方法，其中，該電子束發(fā)射器朝該液晶顯示器陣列的一透明電極發(fā)射該電子束。
39.如權(quán)利要求37所述的檢測(cè)方法，其中，該缺陷為一弱薄膜晶體管。
40.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，其中，該第一溫度介于20～150℃之間。
41.如權(quán)利要求40所述的檢測(cè)方法，其中，該第一溫度為60℃。
42.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，其中，該加熱裝置以燈管加熱、紅外線加熱、冷壁式加熱、熱壁式加熱或線圈加熱等方式，對(duì)該液晶顯示器陣列提供熱量。
43.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，在被加熱至該第一溫度之前，預(yù)先利用對(duì)流或傳導(dǎo)的方式將該液晶顯示器陣列均勻加熱至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
44.如權(quán)利要求43所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
45.如權(quán)利要求44所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度為40℃。
46.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，在被加熱至該第一溫度之前，預(yù)先利用對(duì)流以及傳導(dǎo)的方式將該液晶顯示器陣列均勻加熱至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
47.如權(quán)利要求46所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
48.如權(quán)利要求47所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度為40℃。
49.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，當(dāng)檢測(cè)完成之后，該液晶顯示器陣列的溫度利用對(duì)流或傳導(dǎo)的方式，被均勻下降至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
50.如權(quán)利要求49所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
51.如權(quán)利要求50所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度為40℃。
52.如權(quán)利要求36所述的檢測(cè)方法，當(dāng)檢測(cè)完成之后，該液晶顯示器陣列的溫度利用對(duì)流以及傳導(dǎo)的方式，被均勻下降至一第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度。
53.如權(quán)利要求52所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度介于20～150℃之間。
54.如權(quán)利要求53所述的檢測(cè)方法，其中，該第二溫度為40℃。
全文摘要
一種檢測(cè)設(shè)備，用于檢測(cè)一液晶顯示器陣列的一缺陷，包括一主腔體、一檢測(cè)裝置、一檢測(cè)平臺(tái)以及一主加熱裝置。檢測(cè)平臺(tái)設(shè)于該主腔體之中，用于放置該液晶顯示器陣列。檢測(cè)裝置設(shè)于該主腔體之中，以接觸式或非接觸式的方式，檢測(cè)該液晶顯示器陣列的電性。主加熱裝置設(shè)于該主腔體之中或該主腔體的外側(cè)，將該液晶顯示器陣列加熱至一第一溫度，以顯現(xiàn)該液晶顯示器陣列的該缺陷。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1645157SQ20051005299
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2005年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月4日
發(fā)明者黃庭輝, 李國(guó)魁, 陳志強(qiáng), 張豐隆 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司