米帶光電催化劑在0.5M的Na #04中以IkHz光照下的莫特肖特基圖譜，W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑相比于單組份試樣曲線更平緩，證明其載流子密度更大，更有利于形成較大光電流。
[0049]上述實(shí)施例及其替換方案中，前驅(qū)體紡絲液配置時(shí)，無(wú)水乙醇的用量還可以為 375mL、380mL、385mL、390mL、395mL、400mL、405mL、410mL、415mL、420mL、425mL、430mL、435mL、440mL、445mL、450mL、455mL、460mL、465mL、470mL、475mL、480mL、485mL、490mL、495mL、505mL、510mL、515mL、520mL、525mL、530mL、535mL、540mL、545mL、550mL、555mL、560mL、565mL、570mL、575mL、580mL、585mL、590mL、595mL、600mL、605mL、610mL、615mL、620mL、625mLo
[0050]上述實(shí)施例及其替換方案中，前驅(qū)體紡絲液配置時(shí)，混合溶液中乳濁液的體積為ImL 時(shí)，N，N-二甲基甲酰胺的體積還可以為 2mL、2.5mL、3mL、3.5mL、4.5mL、5mL、5.5mL、6mL。
[0051]上述實(shí)施例及其替換方案中，前驅(qū)體紡絲液配置時(shí)，評(píng)(:16的用量還可以為lg、1.2g、l.5g、l.7g、l.8g、l.9g、2.1g、2.2g、2.3g、2.4g、2.5g、2.6g、2.8g、3g、3.lg、3.3g、3.5g、3.8g、4g。
[0052]上述實(shí)施例及其替換方案中，前驅(qū)體紡絲液配置時(shí)，PVP的用量還可以為0.25g、0.28g、0.3g、0.32g、0.35g、0.36g、0.37g、0.38g、0.39g、0.41g、0.42g、0.43g、0.44g、0.45g、0.46g、0.47g、0.48g、0.5g。
[0053]上述實(shí)施例及其替換方案中，前驅(qū)體紡絲液配置時(shí)，TS的用量還可以為0.5g、0.55g、0.6g、0.65g、0.68g、0.7g、0.73g、0.75g、0.76g、0.77g、0.78g、0.79g、0.81g、0.82g、0.83g、0.84g、0.85g、0.86g、0.87g、0.88g、0.89g、0.9g、0.92g、0.95g、0.98g、lg。
[0054]上述實(shí)施例及其替換方案中，靜電紡絲時(shí)，陽(yáng)極與陰極的間距還可以為15cm、15.5cm、16cm、16.5cm、17cm、17.5cm、18cm、18.5cm、19cm、19.5cm、20.5cm、21cm、21.5cm、22cm、22.5cm、23cm、23.5cm、23.5cm、24cm、24.5cm、25cm 0 靜電紡絲的電壓還可以為 5kV、5.5kV、6kV、6.5kV、7kV、7.5kV、7.8kV、8.2kV8.5kV、9kV、9.5kV、1kV0
[0055]上述實(shí)施例及其替換方案中，靜電紡絲時(shí)，將前驅(qū)體納米線置于恒溫烘干箱內(nèi)的烘干溫度還可以為 50°C、52°C、56°C、58°C、60°C、63°C、66°C、69°C、71°C、73°C、76°C、77°C、78°C、80°C。烘干時(shí)間還可以為 8h、8.2h、9.6h、8.8h、10.3h、10.6h、ll.9h、12.1h^ 12.3h、12.6h、13.7h、13.4h、14h。
[0056]上述實(shí)施例及其替換方案中，靜電紡絲時(shí)，還可以將前軀體納米線室溫陰干，室溫陰干在室溫條件下通風(fēng)干燥時(shí)間可以為16h、17h、18h、19h、20h、21h、22h、23h、24h，通風(fēng)風(fēng)速可以為 lm/s、1.3m/s、1.5m/s、1.6m/s、1.8m/s、2m/s0
[0057]上述實(shí)施例及其替換方案中，前軀體納米線經(jīng)高溫煅燒時(shí)，煅燒溫度還可以為450 0C、460 0C、470 °C、480 Γ、490 Γ、495 Γ、505 Γ、510 Γ、520 Γ、530 Γ、540 Γ、550 Γ。煅燒時(shí)間還可以為 20min、25min、28min、32min、35min、36min、38min、40min。升溫速度還可以為5 °C /min、5.5 °C /min、5.8 °C /min、6°C /min、6.5 °C /min、6.8 °C /min、7.2 °C /min、7.5 °C /min、8°C /min、8.5°C /min、9°C /min、ICTC /min。
[0058]上述實(shí)施例及其替換方案中，W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶負(fù)載于載體上的負(fù)載量為 3mg/cm2、3.5mg/cm2、4mg/cm2、4.5mg/cm2、4.8mg/cm2、4.9mg/cm2、5.lmg/cm2、5.2mg/cm2、
/2 /2 /2 /2 /2 /2 /2 /2 /
5.3mg/cm、5.4mg/cm、5.5mg/cm、5.8mg/cm、6mg/cm、6.5mg/cm、7mg/cm、7.5mg/cm、8mg/
2
cm o
[0059]上述實(shí)施例及其替換方案中，W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶的孔密度還可以為0.01cm3/g、0.02cm3/g>0.03cm3/g、0.04cm3/g>0.045cm3/g>0.047cm3/g、0.048cm3/g>
0.05cm3/g、0.06cm3/g、0.07cm3/g、0.08cm3/go
[0060]上述實(shí)施例及其替換方案中，W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶的比表面積還可以為Sm2/g、9m2/g、10m2/g、llm2/g、12m2/g、13m2/g、13.5m2/g、14m2/g、15m2/g、16m2/g、17m2/g、18m2/g、19m2/g、20m2/go
[0061]上述實(shí)施例及其替換方案中，W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶的寬還可以為SOOrnn、810nm、820nm、830nm、840nm、850nm、860nm、870nm、880nm、890nm、900nm、910nm、920nm、930nm、940nm、950nm、960nm、970nm、980nm、990nm、I μ m?厚還可以為 152nm、155nm、158nm、160nm、162nm、165nm、166nm、168nm、170nm、172nm、175nm、176nm、178nm、180nm、182nm、183nm、185nm、186nm、188nm、190nm、192nm、193nm、195nm、197nm、198nm、200nmo
[0062]上述實(shí)施例及其替換方案中，導(dǎo)電材料還可以為導(dǎo)電橡膠、導(dǎo)電塑料、金屬材料。
[0063]鑒于本發(fā)明方案實(shí)施例眾多，各實(shí)施例實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)龐大眾多，不適合于此處逐一列舉說(shuō)明，但是各實(shí)施例所需要驗(yàn)證的內(nèi)容和得到的最終結(jié)論均接近，故而此處不對(duì)各個(gè)實(shí)施例的驗(yàn)證內(nèi)容進(jìn)行逐一說(shuō)明，僅以實(shí)施例1作為代表說(shuō)明本發(fā)明申請(qǐng)優(yōu)異之處。
[0064]本處實(shí)施例對(duì)本發(fā)明要求保護(hù)的技術(shù)范圍中點(diǎn)值未窮盡之處，同樣都在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
[0065]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明精神作舉例說(shuō)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
[0066]盡管對(duì)本發(fā)明已作出了詳細(xì)的說(shuō)明并引證了一些具體實(shí)施例，但是對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，只要不離開(kāi)本發(fā)明的精神和范圍可作各種變化或修正是顯然的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高純度WO 3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，用作光電催化劑時(shí)，WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶負(fù)載于載體上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶負(fù)載于載體上的負(fù)載量為3-8mg/cm 2。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶為多晶WO 3/C3N4復(fù)合介孔納米帶。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶的孔密度為0.01-0.08cm Vgo5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶的比表面積為8-20m 2/g。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述W03/C3N4復(fù)合介孔納米帶的寬為800nm?I μηι，厚為150?200nm。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，其特征在于，所述載體為導(dǎo)電材料，其中導(dǎo)電材料包括導(dǎo)電玻璃或者導(dǎo)電橡膠或者導(dǎo)電塑料或者金屬材料。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶光電催化劑，屬于光電催化技術(shù)領(lǐng)域。其中，WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶的制備方法為：配制前驅(qū)體紡絲液，將配制好的前驅(qū)體紡絲液經(jīng)紡絲得到前驅(qū)體納米材料后干燥，經(jīng)高溫煅燒得到高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶。納米帶用作光電催化劑時(shí)，WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶負(fù)載于載體上。本發(fā)明高純度WO3/C3N4復(fù)合介孔納米帶用作光電催化劑時(shí)，能實(shí)現(xiàn)光電催化性能的提高。且本發(fā)明納米帶采用靜電紡絲技術(shù)，通過(guò)在前驅(qū)體紡絲液中加入g-C3N4和TS制備而成，制備工藝簡(jiǎn)單、可控、重復(fù)性好。
【IPC分類】B01J35/10, B01J27/24
【公開(kāi)號(hào)】CN105032467
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510433948
【發(fā)明人】楊為佑, 劉龍, 賀之洋, 侯慧林, 鄭金桔
【申請(qǐng)人】寧波工程學(xué)院
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年7月22日