技術(shù)特征：

1.制品，其包括：

導電性金屬基底和保護性涂層，該保護性涂層電化學沉積自包含如下的電沉積介質(zhì)：

硅的烷氧化物；

一種或多種季銨化合物或季化合物；和

水。

2.權(quán)利要求1的制品，其中所述硅的烷氧化物包括正硅酸四乙酯。

3.權(quán)利要求1的制品，其中所述一種或多種季銨化合物或季化合物選自四丁基氫氧化銨、芐基三乙基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四甲基氫氧化銨、芐基三甲基氫氧化銨、三甲基羥乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化芐基三乙基氫氧化四乙基氫氧化四甲基氫氧化芐基三甲基氫氧化和三甲基羥乙基氫氧化

4.權(quán)利要求1的制品，其中所述硅的烷氧化物對所述一種或多種季銨化合物或季化合物的摩爾比為約1:約2到約1:約7的摩爾比。

5.權(quán)利要求1的制品，其中所述電沉積介質(zhì)具有約8-約12的pH。

6.權(quán)利要求1的制品，其中由所述電沉積介質(zhì)在所述導電性金屬基底上電化學沉積所述保護性涂層的約5％或更大。

7.權(quán)利要求1的制品，其通過本文所述的心軸彎曲測試。

8.權(quán)利要求1的制品，當工作溫度測得為約100℃或更高時，其具有與具有相同的導電性金屬基底且不具有保護性涂層的對比性導電線的工作溫度相比約5℃或更低的工作溫度。

9.權(quán)利要求1的制品，其中所述保護性涂層具有約5微米-約60微米的厚度。

10.權(quán)利要求1的制品，其中于在約90℃下水老化約7日之后，所述保護性涂層的約99重量％或更大保留。

11.權(quán)利要求1的制品，其中所述保護性涂層是半導電的或絕緣的，并且具有約10⁶歐姆或更大的表面電阻率。

12.權(quán)利要求1的制品，其中使用等離子體電解沉積工藝將所述保護性涂層電化學沉積到所述金屬基底上。

13.權(quán)利要求12的制品，其中用在約400伏特-約550伏特的電壓下傳導的電流將所述保護性涂層電化學沉積到所述導電性金屬基底上。

14.權(quán)利要求1的制品，其中所述保護性涂層包括二氧化硅。

15.權(quán)利要求1的制品，其為高架導體中的一根或多根導電線的至少一根。

16.權(quán)利要求1的制品，其為導電線或選自連接器、夾具、和匯流條的導電配件。

17.在金屬基底的導電性表面上電沉積保護性涂層的方法，其包括：

提供電沉積介質(zhì)，該電沉積介質(zhì)包含：

硅的烷氧化物；

一種或多種季銨化合物或季化合物；和

水；

提供金屬基底，該金屬基底包括導電性表面；

提供陰極；

將所述金屬基底的導電性表面的至少一部分與所述電沉積介質(zhì)接觸；

使電流從所述導電性表面的所述至少一部分傳導到陰極；和

在所述金屬基底上形成保護性涂層。

18.權(quán)利要求16的方法，其中使所述電流傳導約15秒-約3分鐘。

19.權(quán)利要求16的方法，其中所述金屬基底為線。

20.權(quán)利要求16的方法，其中所述電流為直流電，并且在約400伏特-約550伏特的電壓下傳導。