本實用新型屬于電化學(xué)沉積領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于電化學(xué)沉積的夾具以及電化學(xué)沉積裝置。

背景技術(shù)：

隨著金屬及金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列材料在電學(xué)、光學(xué)、催化、光伏等領(lǐng)域表現(xiàn)出越來越廣泛的應(yīng)用前景，作為制備金屬及金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列的一種重要的制備方法—“電化學(xué)沉積法”，因其制備環(huán)境是開放、低溫的，更容易實現(xiàn)大面積制備而備受關(guān)注。

電化學(xué)沉積裝置系統(tǒng)通常包含電解池9、夾具(包括三電極或兩電極系統(tǒng))、恒溫水浴裝置8、電化學(xué)工作站7、連接線、其他輔助裝置等。采用傳統(tǒng)電沉積裝置系統(tǒng)進行電沉積過程中，傳統(tǒng)夾具上端暴露于空氣中(如圖1所示)，下端電極(工作電極71、對電極72、參比電極73)浸入電解池9內(nèi)部的電解液中，生長基底10豎直放入電解液。由于生長基底10豎直放置、恒溫水浴裝置的加熱器通常位于水浴下方，因此溫度和電解液濃度的梯度分布導(dǎo)致制備的材料存在縱向不均勻性，在生長基底尺寸較大(邊長大于10cm，甚至大于30cm)時，這種不均勻性分布會嚴(yán)重影響制備效果。

為了改善這一問題，研發(fā)人員嘗試著改進夾具的結(jié)構(gòu)，使得生長基底能夠水平或以其他角度放置在電解液中，然而在大面積生長基底制備工藝中，所采用的電沉積過程通常是在開放水浴環(huán)境下進行的，使得從外界到電解液中存在溫差及溫度梯度，因此生長基底表面實時溫度在沉積過程中依然無法保持恒定；同時沉積速率也無法控制，從而很難實現(xiàn)對納米結(jié)構(gòu)材料厚度的精確操控和可重復(fù)性制備。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有的電化學(xué)沉積裝置所存在的上述缺陷，提供一種新的用于電化學(xué)沉積的夾具和電化學(xué)沉積裝置。

本實用新型提供了一種用于電化學(xué)沉積的夾具，該夾具包括用于夾持生長基底的夾板、用于承載對電極的平板、用于安置參比電極的支撐件和底座，夾板和底座通過支柱固定在一起，平板通過支柱沿著第一方向可調(diào)節(jié)地安裝在夾板和底座之間，且夾板、平板和底座相互平行，所述支撐件設(shè)置在夾板和平板之間，其中在夾板上安裝有測溫探頭。

優(yōu)選地，所述夾板包括蓋板和位于蓋板和底座之間的底板，所述蓋板和所述底板之間形成有所述生長基底的夾持結(jié)構(gòu)，所述測溫探頭可拆卸地安裝在所述蓋板遠離所述底板的一側(cè)。

優(yōu)選地，所述蓋板設(shè)置有1-9個測溫探頭，且各所述測溫探頭以夾持在所述夾板中的生長基底的中心為基準(zhǔn)，呈中心對稱設(shè)置。

優(yōu)選地，所述測溫探頭以夾持或粘貼的方式固定在蓋板上。

優(yōu)選地，所述蓋板上設(shè)置有用于固定所述生長基底的樣片卡槽，所述底板上設(shè)有用于固定工作電極的固定槽，所述固定槽位于所述蓋板上的樣片卡槽外邊緣的內(nèi)側(cè)。

優(yōu)選地，所述夾具上還包括石英晶體微天平，所述石英晶體微天平的芯片沿著第一方向可調(diào)節(jié)地安裝在夾板和平板之間。

優(yōu)選地，所述石英晶體微天平的芯片固定在所述支撐件上。

優(yōu)選地，所述支撐件包括沿第三方向設(shè)置并沿第一方向位置可調(diào)的第一支撐桿，以及任選地沿著第三方向可調(diào)節(jié)地設(shè)置在第一支撐桿上并且與所述第一支撐桿垂直的第二支撐桿，所述第一支撐桿和所述第二支撐桿上設(shè)置有用于插入?yún)⒈入姌O的通孔。

優(yōu)選地，所述支柱設(shè)置有螺母和沿著第一方向設(shè)置的多個用于插入防滑定位桿的孔，所述平板通過螺母和防滑定位桿穩(wěn)定在所述支柱上。

本實用新型還提供了一種電化學(xué)沉積裝置，該裝置包括電解池、根據(jù)本實用新型所述的夾具、電化學(xué)工作站、水浴恒溫系統(tǒng)，測溫表和可選的顯示終端，所述水浴恒溫系統(tǒng)用于放置所述電解池，所述電解池用于放置所述夾具；所述電化學(xué)工作站配有工作電極、參比電極和對電極接頭，所述工作電極、所述參比電極和所述對電極均安裝在所述夾具中并通過導(dǎo)線與電化學(xué)工作站的接頭相連；所述測溫表與所述夾具中的測溫探頭的數(shù)據(jù)輸出端相連；所述電腦與所述夾具中可選的石英晶體微天平的控制器的數(shù)據(jù)輸出端相連。

應(yīng)用本實用新型提供的所述電化學(xué)沉積裝置，具有如下有益效果：

(1)安裝工作電極、參比電極和對電極的夾具可以以完全浸沒于電解液的方式進行電化學(xué)沉積，從而可以準(zhǔn)確控制參比電極與電解液的接觸面積，保證施加電位的準(zhǔn)確性；

(2)所述夾具可以水平、豎直或以其他角度放置在電解液中，避免了在制備大面積材料時，溫度梯度及電解質(zhì)濃度梯度造成的材料不均勻性；

(3)對電極以及參比電極的位置均可調(diào)，從而增強了電化學(xué)沉積裝置的靈活性；

(4)所述夾具上安裝測溫探頭，能夠?qū)A持在夾板上的生長基底的表面溫度進行實時測量，從而可以根據(jù)需要調(diào)整水浴恒溫裝置的溫度，可以根據(jù)需要選擇實施電化學(xué)沉積的起始時間，進而解決開放環(huán)境下制備大面積納米材料時溫度受外界影響而產(chǎn)生的不穩(wěn)定性、不均勻性的問題，實現(xiàn)大面積納米陣列材料的均勻生長以及精確操控和可重復(fù)性制備；

(5)所述夾具上優(yōu)選設(shè)置有石英晶體微天平，能夠?qū)λL的納米材料的沉積厚度進行實時反饋，并可以控制沉積終點，進而實現(xiàn)對大面積納米陣列材料厚度的精確操控和可重復(fù)性制備。

本實用新型的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的電化學(xué)沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型提供的夾具的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實用新型提供的夾具的夾板中的蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實用新型提供的夾具的夾板中的底板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實用新型提供的電化學(xué)沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。

本實用新型提供了一種用于電化學(xué)沉積的夾具，如圖2所示，該夾具包括用于夾持生長基底的夾板1、用于承載對電極的平板2、用于安置參比電極的支撐件3和底座4，夾板1和底座4通過支柱5固定在一起，平板2通過支柱5沿著第一方向y可調(diào)節(jié)地安裝在夾板1和底座4之間，且夾板1、平板2和底座4相互平行，所述支撐件3設(shè)置在夾板1和平板2之間，其中在所述夾板上安裝有測溫探頭16。

在本實用新型提供的所述夾具中，用于承載對電極的平板2的位置可以沿著第一方向y調(diào)節(jié)，從而可以調(diào)節(jié)對電極與生長基底之間的距離。而且，夾板1、平板2和底座4相互平行，通過調(diào)整夾具的放置角度來控制生長基底的放置角度，使得生長基底可以以水平、豎直以及其他角度放置在電解液中。

在本實用新型提供的所述夾具中，用于夾持生長基底的夾板1優(yōu)選為兩層結(jié)構(gòu)，即包括蓋板11和位于蓋板11和底座4之間的底板12，所述蓋板11和所述底板12之間形成有所述生長基底的夾持結(jié)構(gòu)，所述生長基底被夾持在蓋板11和底板12之間。在一種優(yōu)選實施方式中，在所述蓋板11或底板12上設(shè)置樣片卡槽15(如圖3所示)，生長基底被嵌入所述樣片卡槽15中。

在本實用新型提供的所述夾具中，設(shè)置測溫探頭16的目的是用于測量生長基底表面的溫度，用于實現(xiàn)生長基底表面溫度的實時監(jiān)控，以調(diào)整電解池的溫度，使得生長基底達到所需溫度。為此只要將測溫探頭16安裝在夾板1上，使其靠近生長基底即可。然而為了避免測溫探頭對生長基底沉積面的影響，優(yōu)選情況下，將所述測溫探頭16可拆卸地安裝在所述蓋板11遠離所述底板12的一側(cè)。

對于大面積生長基底而言，通常其外周和中心的升溫速率不同，優(yōu)選情況下，為了提高溫度測量的全面性及準(zhǔn)確性，優(yōu)選在所述蓋板11上設(shè)置1-9個測溫探頭16，且使得各測溫探頭16以夾持在所述夾板1中的生長基底的中心為基準(zhǔn)，呈中心對稱設(shè)置。通過設(shè)置多個測溫探頭可以實現(xiàn)對夾持在所述夾板1中的生長基底表面的多點測量，以適應(yīng)于大面積生長基底的表面溫度測量。在實際電化學(xué)沉積過程中，通過多個測溫探頭對生長基底表面的不同區(qū)域進行溫度測量，在各區(qū)域均能夠滿足溫度要求后，再開始實施電化學(xué)沉積，以更好地實現(xiàn)對大面積納米陣列材料的精確操控和可重復(fù)性制備。

優(yōu)選情況下，所述蓋板11上設(shè)置有五個或九個測溫探頭，其中一個測溫探頭對應(yīng)于夾持在所述夾板1中的生長基底的中心處設(shè)置，其余測溫探頭分布在以所述生長基底的中心為圓心、且半徑不同的同心圓上，所述同心圓的數(shù)量為1或2。

優(yōu)選情況下，所述測溫探頭16以夾持或粘貼的方式固定在蓋板11上。

在本實用新型提供的所述夾具中，所述底板12的中部設(shè)置有開口，使得所述蓋板11和所述底板12將所述生長基底夾持在其中之后，生長基底中與對電極相對的表面可以用于沉積物質(zhì)。同時，所述蓋板11中也設(shè)置有開口，一方面更有利于觀察，另一方面更有利于設(shè)置測溫探頭，以便于監(jiān)控生長基底表面的溫度。優(yōu)選情況下，所述測溫探頭16(又可稱為測溫探針，其具有一定的自支撐結(jié)構(gòu))可以通過采用實驗室專用膠帶(如卡普頓帶)以粘貼的方式固定在蓋板11上；也可以通過在蓋板11上設(shè)置夾持結(jié)構(gòu)，將所述測溫探頭16以夾持的方式固定在蓋板11上。

在本實用新型提供的所述夾具中，工作電極優(yōu)選安裝在蓋板11和底板12之間，且工作電極與生長基底接觸。進一步優(yōu)選地，如圖3和4所示，為了防止電解液與連接工作電極的導(dǎo)線接觸，所述蓋板11上設(shè)置有兩圈硅膠條13，一圈硅膠條設(shè)置在所述蓋板11的外側(cè)邊緣，一圈硅膠條設(shè)置在所述蓋板的內(nèi)圈邊緣(內(nèi)圈邊緣處的硅膠條的設(shè)置可以防止液體從所述蓋板11與生長基底的接觸面滲入)；所述底板12上設(shè)置有一圈硅膠條13和一圈用于固定工作電極的固定槽14，并且蓋板11上的硅膠條的設(shè)置面與底板12上的硅膠條和固定槽14的設(shè)置面是相互面對的，也即，當(dāng)蓋板11和底板12合在一起時，蓋板11上的硅膠條的設(shè)置面與底板12上的硅膠條和固定槽的設(shè)置面相互接觸。

最優(yōu)選地，如圖3所示，在所述蓋板11上設(shè)置樣片卡槽15，當(dāng)蓋板11和底板12合在一起時，所述底板12上的用于固定工作電極的固定槽14位于所述蓋板11上的樣片卡槽15外邊緣的內(nèi)側(cè)，更進一步地位于所述底板12上的硅膠條13和所述蓋板11上的樣片卡槽15外邊緣之間。

在本實用新型提供的所述夾具中，為了避免在進行電化學(xué)沉積的過程中大量空氣留在生長基底的表面，所述底板12的厚度優(yōu)選不大于2cm，更優(yōu)選不大于1.5cm，最優(yōu)選不大于5mm。當(dāng)所述底板12上設(shè)置樣品卡槽，并且生長基底嵌在該樣品卡槽中時，所述底板12的厚度是指該樣品卡槽處的底板厚度。

在本實用新型提供的所述夾具中，為了實現(xiàn)對沉積過程的實時監(jiān)測，更好的實現(xiàn)對大面積納米陣列材料的精確操作和可重復(fù)性制備，優(yōu)選在所述夾具上還包括石英晶體微天平，所述石英晶體微天平包括芯片61和控制器62，其中所述石英晶體微天平的芯片61沿著第一方向y可調(diào)節(jié)地安裝在夾板1和平板2之間；該石英晶體微天平的芯片61可以通過任意結(jié)構(gòu)進行固定，例如可以通過夾板1、支柱5、或者另外設(shè)置的支撐結(jié)構(gòu)進行固定，優(yōu)選所述石英晶體微天平的芯片61與所述夾板1之間的距離在5cm以內(nèi)，更優(yōu)選為1-5cm。優(yōu)選情況下，為了便于更靈活的對沉積過程的實現(xiàn)實時監(jiān)測，所述石英晶體微天平6的芯片沿第二方向x和第三方向z也可調(diào)節(jié)設(shè)置。優(yōu)選情況下，為了優(yōu)化所述夾具的結(jié)構(gòu)，所述石英晶體微天平6的芯片固定在所述支撐件3上，并優(yōu)選所述石英晶體微天平6的芯片沿著第三方向z可調(diào)節(jié)地設(shè)置在所述支撐件3中的第一支撐桿31上。

所述石英晶體微天平(Quartz Crystal Microbalance，QCM)是一種非常靈敏的質(zhì)量檢測儀器，其測量精度可達納克級，比靈敏度在微克級的電子微天平高100倍，理論上可以測到的質(zhì)量變化相當(dāng)于單分子層或原子層的幾分之一。石英晶體微天平利用了石英晶體的壓電效應(yīng)，將石英晶體電極表面質(zhì)量變化轉(zhuǎn)化為石英晶體振蕩電路輸出電信號的頻率變化，進而通過計算機等其他輔助設(shè)備獲得高精度的數(shù)據(jù)。在本實用新型中通過在夾具中設(shè)置石英晶體微天平，利用石英晶體微天平所特有的測量精度，能夠?qū)崿F(xiàn)對沉積過程實時監(jiān)測，實現(xiàn)對大面積納米陣列材料的精確操作和可重復(fù)性制備。

在本實用新型提供的所述夾具中，用于安置參比電極的支撐件3優(yōu)選設(shè)置為使得參比電極的安置位置是可調(diào)的，可沿著第一方向y、第二方向x和第三方向z均可調(diào)的。在一種優(yōu)選實施方式中，所述支撐件3的構(gòu)造設(shè)計為：包括沿第三方向z設(shè)置并且其位置沿第一方向y可調(diào)節(jié)的第一支撐桿31，以及任選地沿著第三方向z可調(diào)節(jié)地設(shè)置在第一支撐桿31上并且與所述第一支撐桿31垂直的第二支撐桿32，所述第一支撐桿31和所述第二支撐桿32上設(shè)置有用于插入?yún)⒈入姌O的通孔。根據(jù)上述優(yōu)選實施，可以實現(xiàn)參比電極沿著第一方向y、第二方向x和第三方向z調(diào)整位置。在一種實施方式中，將第二支撐桿32沿著第三方向z可調(diào)節(jié)地設(shè)置在第一支撐桿31上的方式可以為：將第二支撐桿32插入所述第一支撐桿31上沿著第三方向z排布的任意通孔上，這樣通過調(diào)整第二支撐桿32的插入位置可以實現(xiàn)第二支撐桿32沿著第三方向z調(diào)整位置。在支撐件3的這種結(jié)構(gòu)中，所述石英晶體微天平的芯片6優(yōu)選固定在所述第一支撐桿31上，與所述第二支撐桿32并列設(shè)置。

進一步優(yōu)選地，通過在支柱5上設(shè)置螺母51和和沿著第一方向y排布的多個用于插入防滑定位桿52的孔，這樣可以通過螺母51和防滑定位桿52將所述支撐件3穩(wěn)定在所述支柱5上，特別是將所述第一支撐桿31穩(wěn)定在所述支柱5上，并且通過沿著第一方向y調(diào)整防滑定位桿52和螺母51的位置可以實現(xiàn)調(diào)整所述支撐件3在第一方向y上的位置。

在本實用新型提供的所述夾具中，為使所述平板2可以在夾板1和底座4之間沿著第一方向y調(diào)節(jié)位置，可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的設(shè)置方式實現(xiàn)。在一種實施方式中，如圖2所示，在支柱5上設(shè)置螺母51和沿著第一方向y排布的多個用于插入防滑定位桿52的孔，這樣可以通過螺母51和防滑定位桿52將平板2穩(wěn)定在所述支柱5上，并且通過沿著第一方向y調(diào)整防滑定位桿52和螺母51的位置可以實現(xiàn)調(diào)整平板2與夾板1的距離。

在本實用新型中，所述夾具的材質(zhì)可以為具有絕緣、耐高溫、耐化學(xué)藥品腐蝕等物理化學(xué)性能的高分子材料。在優(yōu)選情況下，所述夾具的材質(zhì)可選自但不限于聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚苯硫醚和聚醚酰亞胺。所述夾具的材質(zhì)是指夾具的主體材料的材質(zhì)，主要是指夾板1、平板2、支撐件3、底座4和支柱5的材質(zhì)。

在本實用新型中，所述夾具中采用的螺母和螺絲等優(yōu)選均配置防水墊片。

本實用新型還提供了一種電化學(xué)沉積裝置，如圖5所示，該裝置包括電解池9、本實用新型提供的上述夾具、電化學(xué)工作站7、水浴恒溫系統(tǒng)8、以及測溫表101和電腦顯示器102，所述水浴恒溫系統(tǒng)8用于放置所述電解池9，所述電解池9用于放置所述夾具，所述電化學(xué)工作站7配有工作電極71、參比電極72和對電極73的接頭，所述測溫表101與所述夾具中的測溫探頭16的數(shù)據(jù)輸出端相連；所述顯示終端102與所述夾具中可選的石英晶體微天平的控制器62的數(shù)據(jù)輸出端相連。在實施電化學(xué)沉積時，將所述工作電極71、所述參比電極72和所述對電極73均安裝在所述夾具的相應(yīng)位置并通過導(dǎo)線與電化學(xué)工作站的接頭相連，具體地，使工作電極71安裝在蓋板11和底板12之間，優(yōu)選安裝在底板12上的固定槽14上；使參比電極72安裝在支撐件3上；使對電極73安裝在平板2的上表面。

在圖5為根據(jù)本實用新型電化學(xué)沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中為了便于看清參比電極72和石英晶體微天平與外部的相應(yīng)連接關(guān)系，將兩者顯示為沿著第一方向y上下布置的結(jié)構(gòu)，在實際結(jié)構(gòu)中，參比電極72和石英晶體微天平也可以同時安置在支撐件3上。

在本實用新型中，所述測溫表101與測溫探頭16的數(shù)據(jù)輸出端相連，可以顯示測溫探頭測量的實時溫度并具備數(shù)據(jù)存儲功能；所述顯示終端102可以為計算機、工作站等電子設(shè)備，其與石英晶體微天平的控制器的數(shù)據(jù)輸出端相連，可以顯示石英晶體微天平測量的實時厚度并具備數(shù)據(jù)存儲功能。

在本實用新型中，所述石英晶體微天平的使用需要外接工作電極，優(yōu)選情況下，該石英晶體微天平的芯片61與電化學(xué)工作站7的工作電極(WE)相連，以便納米材料同時可以沉積在QCM上，用于反映實時厚度。

采用本實用新型所述的電化學(xué)沉積裝置進行電化學(xué)沉積的方法包括：將連接好工作電極(WE)、參比電極(RE)和對電極(CE)的夾具浸沒在所述電解池的電解液中，當(dāng)測溫探頭顯示生長基底的表面溫度滿足要求后，進行電化學(xué)沉積。采用加熱裝置8(如恒溫水浴加熱裝置)對電解液進行加熱，有必要的時候，采用石英晶體微天平判斷電化學(xué)沉積的終點。

具體地，采用本實用新型所述的電化學(xué)沉積裝置進行電化學(xué)沉積的操作過程可以包括以下步驟：

(1)組裝本實用新型提供的夾具，并安裝好工作電極、參比電極和對電極(在組裝完成后，參比電極和對電極可以固定在夾具中，以便于簡化后續(xù)使用時再次組裝的步驟)；

(2)盛有電解液的電解池放入恒溫水浴加熱裝置內(nèi)加熱到適宜的溫度；

(3)將生長基底安裝在夾具的夾板中，并與工作電極充分接觸；

(4)將安裝有工作電極、參比電極和對電極的夾具放入電解液中預(yù)熱；

(5)將引出的連接三個電極(即工作電極、對電極和參比電極)的導(dǎo)線分別與電化學(xué)工作站的工作電極、對電極和參比電極接頭相連；

(6)將所述測溫表101與所述夾具中的測溫探頭16的數(shù)據(jù)輸出端相連；將所述顯示終端102與所述夾具中可選的石英晶體微天平的控制器62的數(shù)據(jù)輸出端相連；

(7)設(shè)置合適的沉積電位和沉積時間，開始實施電化學(xué)沉積；

(8)電化學(xué)沉積實施結(jié)束后，取出夾具，用去離子水沖洗干凈，取出沉積有目標(biāo)產(chǎn)品的生長基底用去離子水沖洗干凈并用氮氣吹干。

應(yīng)用本實用新型提供的所述電化學(xué)沉積裝置，具有如下有益效果：

(1)安裝工作電極、參比電極和對電極的夾具可以以完全浸沒于電解液的方式進行電化學(xué)沉積，從而可以準(zhǔn)確控制參比電極與電解液的接觸面積，保證施加電位的準(zhǔn)確性；

(2)所述夾具可以水平、豎直或以其他角度放置在電解液中，避免了在制備大面積材料時，溫度梯度及電解質(zhì)濃度梯度造成的材料不均勻性；

(3)對電極以及參比電極的位置均可調(diào)，從而增強了電化學(xué)沉積裝置的靈活性。

(4)所述夾具上安裝測溫探頭，能夠?qū)A持在夾板上的生長基底的表面溫度進行實時測量，從而可以根據(jù)需要調(diào)整恒溫水浴裝置的溫度，可以根據(jù)需要選擇實施電化學(xué)沉積的起始時間，進而解決開放環(huán)境下制備大面積納米材料時溫度受外界影響而產(chǎn)生的不穩(wěn)定性、不均勻性的問題，實現(xiàn)大面積納米陣列材料的均勻生長以及精確操控和可重復(fù)性制備；

(5)所述夾具上優(yōu)選設(shè)置有石英晶體微天平，能夠?qū)λL的納米材料的沉積厚度進行實時反饋，并可以控制沉積終點，進而實現(xiàn)對大面積納米陣列材料厚度的精確操控和可重復(fù)性制備。

由此可見，本實用新型所提供的可浸沒式電化學(xué)沉積裝置能夠提高金屬及金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)材料的均勻性，并且具有極大的靈活性。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實用新型的優(yōu)選實施方式，但是，本實用新型并不限于上述實施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本實用新型的技術(shù)方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實用新型的保護范圍。

此外，本實用新型的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本實用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實用新型所公開的內(nèi)容。