本實(shí)用新型涉及硅棒質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)涉及一種硅棒不規(guī)則截?cái)嗝尜|(zhì)量缺陷位置檢測(cè)裝置。
背景技術(shù):
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改良西門(mén)子法是生產(chǎn)多晶硅的主流方法,其生產(chǎn)周期約為100小時(shí)左右,在生產(chǎn)過(guò)程中輕微的問(wèn)題都可能使硅產(chǎn)品產(chǎn)生質(zhì)量缺陷帶,影響多晶硅電性能指標(biāo)。為判斷產(chǎn)生質(zhì)量缺陷帶的原因,需要對(duì)質(zhì)量缺陷位置進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量,但是,由改良西門(mén)子法生產(chǎn)的多晶硅棒產(chǎn)品長(zhǎng)度一般在2m以上,無(wú)法對(duì)整根硅棒進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè),因此,需要用碳化鎢錘將多晶硅破碎成小塊硅料,再用質(zhì)量缺陷探測(cè)儀對(duì)硅料截面進(jìn)行檢測(cè)。在檢測(cè)過(guò)程中,需要一只手握著缺陷探測(cè)儀的檢測(cè)探頭對(duì)截面進(jìn)行檢測(cè),當(dāng)檢測(cè)到某點(diǎn)存在質(zhì)量缺陷時(shí),另一只手握直尺測(cè)量缺陷點(diǎn)到硅料邊緣的距離,以判定質(zhì)量缺陷點(diǎn)發(fā)生的位置;但是,由于多晶硅的硬脆性,破碎的硅料截面會(huì)形成不規(guī)則的截?cái)嗝妫谑褂弥背邷y(cè)量質(zhì)量缺陷位置時(shí),視線很難與所測(cè)位置垂直,常存在較大的誤差,同一位置不同檢測(cè)人員讀數(shù)差別高達(dá)2mm,影響質(zhì)量缺陷原因的判定。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
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本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高測(cè)量的準(zhǔn)確性的硅棒不規(guī)則截?cái)嗝尜|(zhì)量缺陷位置檢測(cè)裝置。
本實(shí)用新型由如下技術(shù)方案實(shí)施:硅棒不規(guī)則截?cái)嗝尜|(zhì)量缺陷位置檢測(cè)裝置,其包括底座、物料固定座、固定桿、導(dǎo)向機(jī)構(gòu)、滑動(dòng)梁和質(zhì)量缺陷探測(cè)儀,在所述底座頂部固定設(shè)有所述物料固定座,在所述物料固定座兩側(cè)的所述底座頂部分別固定設(shè)有一根豎直設(shè)置的固定桿;在每根所述固定桿與所述物料固定座相鄰的一側(cè)下部均水平固定設(shè)有一塊支撐板,在每塊所述支撐板頂部均固定設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu);在兩個(gè)所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)之間上下滑動(dòng)設(shè)有所述滑動(dòng)梁,在所述滑動(dòng)梁外部滑動(dòng)設(shè)有滑動(dòng)塊,所述質(zhì)量缺陷探測(cè)儀的檢測(cè)探頭側(cè)部與所述滑動(dòng)塊固定連接;在所述滑動(dòng)梁上方固定設(shè)有與所述滑動(dòng)梁平行設(shè)置的刻度尺,在所述滑動(dòng)塊上固定設(shè)有指針,所述指針的中心線與所述檢測(cè)針的中心線在一條直線上。
進(jìn)一步的,所述物料固定座包括四塊豎直設(shè)置的擋板,四塊所述擋板依次首尾相接呈口字型結(jié)構(gòu);在任意三塊所述擋板上均垂直螺接有至少兩個(gè)螺栓;沒(méi)有螺接所述螺栓的所述擋板相對(duì)于所述刻度尺垂直設(shè)置,且其內(nèi)壁與所述刻度尺上的零刻度線在一個(gè)平面上。
進(jìn)一步的,所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)包括套管和彈簧,在所述套管管壁上開(kāi)設(shè)有與所述固定桿相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)孔,所述滑動(dòng)梁兩端分別穿過(guò)相鄰的兩個(gè)所述長(zhǎng)孔,在所述滑動(dòng)梁下方的所述套管內(nèi)設(shè)有所述彈簧。
進(jìn)一步的,在兩根所述固定桿相對(duì)的側(cè)壁上沿縱向開(kāi)設(shè)有限位槽,所述滑動(dòng)梁兩端分別滑動(dòng)設(shè)置在相鄰的所述限位槽內(nèi)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):刻度尺與滑動(dòng)梁始終平行,且指針與檢測(cè)針的中心線在一條直線上,通過(guò)讀取指針在刻度尺上所指刻度即可直接得知缺陷位置,讀數(shù)方便,避免人工測(cè)量所造成的讀數(shù)誤差,提高測(cè)量的準(zhǔn)確性。
附圖說(shuō)明:
圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1的A-A剖視圖。
底座1、物料固定座2、擋板2-1、螺栓2-2、固定桿3、限位槽3-1、導(dǎo)向機(jī)構(gòu)4、套管4-1、長(zhǎng)孔4-1-1、彈簧4-2、滑動(dòng)梁5、質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6、檢測(cè)探頭6-1、檢測(cè)針6-1-1、支撐板7、滑動(dòng)塊8、刻度尺9、指針10。
具體實(shí)施方式:
如圖1和圖2所示,硅棒不規(guī)則截?cái)嗝尜|(zhì)量缺陷位置檢測(cè)裝置,其包括底座1、物料固定座2、固定桿3、導(dǎo)向機(jī)構(gòu)4、滑動(dòng)梁5和質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6,質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6可以是電阻檢測(cè)裝置或射線檢測(cè)裝置,目前正在使用的是蘇州晶格電子有限公司生產(chǎn)的M-3手持式電阻率測(cè)試儀,用于測(cè)試單晶硅電阻;在底座1頂部固定設(shè)有物料固定座2,物料固定座2包括四塊豎直設(shè)置的擋板2-1,四塊擋板2-1依次首尾相接呈口字型結(jié)構(gòu);在任意三塊擋板2-1上均垂直螺接有兩個(gè)螺栓2-2;通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)螺栓2-2在對(duì)應(yīng)擋板2-1上的螺接位置可以使物料固定座2適用于固定不同尺寸的硅棒;且通過(guò)螺栓2-2夾持硅棒來(lái)代替人工扶持,可以解決測(cè)試過(guò)程中因硅棒發(fā)生傾斜而引起讀數(shù)不準(zhǔn)確的問(wèn)題;沒(méi)有螺接螺栓2-2的擋板2-1相對(duì)于刻度尺9垂直設(shè)置,且其內(nèi)壁與刻度尺9上的零刻度線在一個(gè)平面上;
在物料固定座2兩側(cè)的底座1頂部分別固定設(shè)有一根豎直設(shè)置的固定桿3;在兩根固定桿3相對(duì)的側(cè)壁上沿縱向開(kāi)設(shè)有限位槽3-1,滑動(dòng)梁5兩端分別滑動(dòng)設(shè)置在相鄰的限位槽3-1內(nèi);在每根固定桿3與物料固定座2相鄰的一側(cè)下部均水平固定設(shè)有一塊支撐板7,在每塊支撐板7頂部均固定設(shè)有一個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu)4;在兩個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu)4之間上下滑動(dòng)設(shè)有滑動(dòng)梁5,導(dǎo)向機(jī)構(gòu)4包括套管4-1和彈簧4-2,在套管4-1管壁上開(kāi)設(shè)有與固定桿3相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)長(zhǎng)孔4-1-1,滑動(dòng)梁5兩端分別穿過(guò)相鄰的兩個(gè)長(zhǎng)孔4-1-1,在滑動(dòng)梁5下方的套管4-1內(nèi)設(shè)有彈簧4-2;彈簧4-2對(duì)滑動(dòng)梁5有一向上的力,在向滑動(dòng)梁5施加向下的壓力時(shí),彈簧4-2壓縮蓄力;當(dāng)在對(duì)滑動(dòng)梁5施加的下壓力消除時(shí),彈簧4-2會(huì)給予滑動(dòng)梁5一個(gè)向上的反作用力,使滑動(dòng)梁5恢復(fù)至原位置;
在滑動(dòng)梁5外部滑動(dòng)設(shè)有沿滑動(dòng)梁5長(zhǎng)度方向滑動(dòng)設(shè)置滑動(dòng)塊8,滑動(dòng)塊8呈C型;質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6的檢測(cè)探頭6-1側(cè)部與滑動(dòng)塊8固定連接,且檢測(cè)探頭6-1的檢測(cè)針6-1-1向下設(shè)置,滑動(dòng)塊8沿滑動(dòng)梁5移動(dòng)的同時(shí)可帶動(dòng)檢測(cè)探頭6-1與滑動(dòng)塊8同向移動(dòng);在滑動(dòng)梁5上方固定設(shè)有與滑動(dòng)梁5平行設(shè)置的刻度尺9,在滑動(dòng)塊8上固定設(shè)有指針10,指針10的中心線與檢測(cè)針6-1-1的中心線在一條直線上;在檢測(cè)探頭6-1的檢測(cè)針6-1-1沿著硅棒表明移動(dòng)檢測(cè)過(guò)程中,若質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6顯示硅棒存在質(zhì)量缺陷時(shí),通過(guò)讀取指針10所指刻度尺9上的讀數(shù)即可獲取質(zhì)量缺陷位置。
使用說(shuō)明:首先,將待測(cè)硅棒待測(cè)面向上放入物料固定座2,使待測(cè)硅棒側(cè)部與未螺接螺栓2-2的擋板2-1相切,確保待測(cè)硅棒垂直后;然后,調(diào)節(jié)其余三個(gè)擋板2-1上的螺栓2-2,來(lái)確保待測(cè)硅棒豎直立設(shè)在物料固定座2內(nèi),防止待測(cè)硅棒晃動(dòng);接著,下壓滑動(dòng)梁5直至檢測(cè)針6-1-1與待測(cè)面接觸,停止下壓滑動(dòng)梁5;最后,推動(dòng)滑動(dòng)塊8由待測(cè)面一端項(xiàng)另一端移動(dòng)進(jìn)行檢測(cè),當(dāng)質(zhì)量缺陷探測(cè)儀6顯示被側(cè)位置存在質(zhì)量缺陷后,直接讀取并記錄指針10在刻度尺9上所指讀數(shù)即可。
本申請(qǐng)除了可以用于檢測(cè)硅料不規(guī)則截面之外,同樣適用于其他剛性棒狀不規(guī)則截面的檢測(cè);以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。