一種硅片親水性檢測平臺(tái)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種硅片親水性檢測平臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)太陽能電池的生產(chǎn)步驟一般要經(jīng)過表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕去邊結(jié)和磷硅玻璃、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和檢測分裝等主要步驟。同時(shí)，一些特殊電池會(huì)在刻蝕后和鍍減反射膜前在硅片表面生長二氧化硅層的步驟。傳統(tǒng)工藝在刻蝕工序后，硅片表面潔凈不含有親水基團(tuán)，此時(shí)硅片表面表現(xiàn)為疏水性。若是在硅片表面生長一層二氧化硅，二氧化硅表面含有羥基，羥基可與水分子短暫結(jié)合，此時(shí)硅片表面表現(xiàn)為親水性。
[0003]親水性檢測的方法一般為用移液管取一定量的去離子水滴于硅片表面，液滴在硅片表面是否浸潤，即可判斷出硅片的親水性效果，以親水性的結(jié)果來確定硅片的氧化效果。
[0004]在現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)工序中，親水性檢測一般將硅片放置在平面上測試，需要傾斜硅片角度時(shí)一般為手持硅片，且沒有統(tǒng)一的測試方法。當(dāng)需要傾斜硅片角度時(shí)使用手持動(dòng)作，樣片的傾斜角度的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性不夠，容易影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果，而且無法進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化定義。同時(shí)親水測試時(shí)，廢液的收集導(dǎo)致測試地點(diǎn)有所限制，以致操作不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種硅片親水性檢測平臺(tái)，測試穩(wěn)定，傾斜角度可控，結(jié)果準(zhǔn)確，判斷方便。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片親水性檢測平臺(tái)，包括:
[0007]載片基板，所述載片基板的正面具有凹槽，所述凹槽用于承載待測硅片，所述凹槽的底面與所述載片基板的表面平行；
[0008]刻度標(biāo)尺，所述刻度標(biāo)尺設(shè)置于所述載片基板上，沿著所述載片基板與所述凹槽的相交線設(shè)置，用于在硅片滴液后判斷液滴擴(kuò)散范圍；
[0009]水平基板，所述水平基板與所述載片基板的下端鉸接，用于控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度。
[0010]其中，所述凹槽的長度為10mm-200mm。
[0011]其中，所述凹槽的橫截面為邊長為200mm的正方形。
[0012]其中，所述水平基板與所述載片基板的夾角范圍為0-90 °。
[0013]其中，還包括設(shè)置在所述載片基板的上端的U型槽或U型通孔，所述U型槽或U型通孔與所述凹槽底部相交。
[0014]其中，所述刻度標(biāo)尺的長度為10mm-200mm。
[0015]其中，所述刻度標(biāo)尺的精度為1_。
[0016]其中，所述刻度標(biāo)尺為橫向刻度標(biāo)尺和/或縱向刻度標(biāo)尺，所述凹槽的上端和/或所述凹槽的下端設(shè)置有所述橫向刻度標(biāo)尺，所述凹槽的左端和/或所述凹槽的下端設(shè)置有所述縱向刻度標(biāo)尺。
[0017]其中，還包括設(shè)置在所述水平基板上的集液槽，用于裝載就親水性檢測后產(chǎn)生的廢液，所述集液槽的橫向尺寸與縱向尺寸均大于等于所述載片基板橫向尺寸與縱向尺寸，在所述載片基板轉(zhuǎn)動(dòng)到與所述水平基板的夾角為0度時(shí)，所述載片基板嵌入所述集液槽中。
[0018]其中，所述載片基板為木質(zhì)載片基板、PVC載片基板或金屬載片基板，所述集液槽為木質(zhì)集液槽、PVC集液槽或金屬集液槽。所述凹槽的上端和/或所述凹槽的下端設(shè)置有所述橫向刻度標(biāo)尺，所述凹槽的左端和/或所述凹槽的下端設(shè)置有所述縱向刻度標(biāo)尺。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0020]本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)，包括:
[0021]載片基板，所述載片基板的正面具有凹槽，所述凹槽用于承載待測硅片，所述凹槽的底面與所述載片基板的表面平行；
[0022]刻度標(biāo)尺，所述刻度標(biāo)尺設(shè)置于所述載片基板上，沿著所述載片基板與所述凹槽的相交線設(shè)置，用于在硅片滴液后判斷液滴擴(kuò)散范圍；
[0023]水平基板，所述水平基板與所述載片基板的下端鉸接，用于控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度。
[0024]所述硅片親水性檢測平臺(tái)，通過使用水平基板與所述載片基板鉸接，并控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度，在載片基板上設(shè)置凹槽來裝載待檢測硅片，無論載片基板與水平基板的角度為多少，都無需測試者手持硅片，傾斜角度可控，測試穩(wěn)定。同時(shí)所述載片基板的表面還沿與所述凹槽的交線設(shè)置有刻度標(biāo)尺，使用刻度標(biāo)尺檢測液滴親水性效果，將測試結(jié)果數(shù)據(jù)化，更具科學(xué)性和實(shí)用性，使得檢測結(jié)果準(zhǔn)確，判斷方便。所述硅片親水性檢測平臺(tái)小巧、輕便、測試結(jié)果準(zhǔn)確，有利于親水性檢測方法標(biāo)準(zhǔn)化的制定。
[0025]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所述的所述硅片親水性檢測平臺(tái)，通過使用水平基板與所述載片基板鉸接，并控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度，在載片基板上設(shè)置凹槽來裝載待檢測硅片，傾斜角度可控，測試穩(wěn)定，使用刻度標(biāo)尺檢測液滴親水性效果，使得檢測結(jié)果準(zhǔn)確，判斷方便。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)一種【具體實(shí)施方式】的俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)一種【具體實(shí)施方式】的立體圖結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]正如【背景技術(shù)】部分所述，在現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)工序中，親水性檢測一般將硅片放置在平面上測試，需要傾斜硅片角度時(shí)一般為手持硅片，且沒有統(tǒng)一的測試方法。當(dāng)需要傾斜硅片角度時(shí)使用手持動(dòng)作，樣片的傾斜角度的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性不夠，容易影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果，而且無法進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化定義。同時(shí)親水測試時(shí)，廢液的收集導(dǎo)致測試地點(diǎn)有所限制，以致操作不便。
[0030]基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片親水性檢測平臺(tái)，包括:
[0031]載片基板，所述載片基板的正面具有凹槽，所述凹槽用于承載待測硅片，所述凹槽的底面與所述載片基板的表面平行；
[0032]刻度標(biāo)尺，所述刻度標(biāo)尺設(shè)置于所述載片基板上，沿著所述載片基板與所述凹槽的相交線設(shè)置，用于在硅片滴液后判斷液滴擴(kuò)散范圍；
[0033]水平基板，所述水平基板與所述載片基板的下端鉸接，用于控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度。
[0034]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)，通過使用水平基板與所述載片基板鉸接，并控制所述載片基板與所述水平基板的表面的角度，在載片基板上設(shè)置凹槽來裝載待檢測硅片，無論載片基板與水平基板的角度為多少，都無需測試者手持硅片，傾斜角度可控，測試穩(wěn)定。同時(shí)所述載片基板的表面還沿與所述凹槽的交線設(shè)置有刻度標(biāo)尺，使用刻度標(biāo)尺檢測液滴親水性效果，將測試結(jié)果數(shù)據(jù)化，更具科學(xué)性和實(shí)用性，使得檢測結(jié)果準(zhǔn)確，判斷方便。所述硅片親水性檢測平臺(tái)小巧、輕便、測試結(jié)果準(zhǔn)確，有利于親水性檢測方法標(biāo)準(zhǔn)化的制定。
[0035]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0036]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0037]請參考圖1-圖2，圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)一種【具體實(shí)施方式】的俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的硅片親水性檢測平臺(tái)一種【具體實(shí)施方式】的立體圖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]在具體方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的所述硅片親水性檢測平臺(tái)，包括:
[0039]載片基板10，所述載片基板10的正面具有凹槽11，所述凹槽11用于承載待測硅片，所述凹槽11的底面與所述載片基板10的表面平行；
[0040]刻度標(biāo)尺30，所述刻度標(biāo)尺30設(shè)置于所述載片基板10上，沿著所述載片基板10與所述凹槽11的相交線設(shè)置，用于在硅片滴液后判斷液滴擴(kuò)散范圍；
[0041 ] 水平基板20，所述水平基板20與所述載片基板10的下端鉸接，用于控制所述載片基板10與所述水平基板20的表面的角度。
[0042]需要說明的是，本發(fā)明中的凹槽11是用來裝載硅片，使得硅片在凹槽11中保持穩(wěn)定即可，本發(fā)明對(duì)所述凹槽11的形狀和深度不做具體限定。
[0043]所述硅片親水性檢測平臺(tái)，通過使用水平基板20與所述載片基板10鉸接，并控制所述載片基板10與所述水平基板20的表面的角度，在載片基板10上設(shè)置凹槽11來裝載待檢測硅片，無論載片基板10與水平基板20的角度為多少，都無需測試者手持硅片，傾斜角度可控，測試穩(wěn)定。同時(shí)所述載片基板10的表面還沿與所述凹槽11的交線設(shè)置有刻度標(biāo)尺30，使用刻度標(biāo)尺30檢測液滴親水性效果，將測試結(jié)果數(shù)據(jù)化，更具科學(xué)性和實(shí)用性，使得檢測結(jié)果準(zhǔn)確，判斷方便。所述硅片親水性檢測平臺(tái)小巧、輕便、測試結(jié)果準(zhǔn)確，有利于親水性檢測方法標(biāo)準(zhǔn)化的制定。
[0044]如果所述硅片親水性檢測平臺(tái)只對(duì)單一尺寸的硅片進(jìn)行測量，如在工業(yè)生產(chǎn)中，不同的工廠設(shè)計(jì)的產(chǎn)品的尺寸不同，裝載待檢測硅片的凹槽11的尺寸不同，所述凹槽11的長度一般為10mm-200mm。需要說明的是，如果有特殊的需求，如對(duì)尺寸更大的娃片的親水性進(jìn)行檢測，即可使用具有更大尺寸的凹槽11的載片基板10。
[0045]由于一般對(duì)生產(chǎn)的硅片的檢測中，硅片的尺寸一般在200mm以下，因此凹槽11的尺寸在200mm時(shí)，即可滿足對(duì)絕大多數(shù)的硅片的裝載需求，因此所述凹槽11的橫截面一般為邊長為200mm的