1.基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，其特征在于，包括樣品倉（4），所述樣品倉（4）外部設(shè)置有微波源（5）、真空機(jī)構(gòu)、氣體流量控制系統(tǒng)（2）、氧氣源（1）和惰性氣體氣源（3），氧氣源（1）和惰性氣體氣源（3）均與氣體流量控制系統(tǒng)（2）連接，微波源（5）、真空機(jī)構(gòu)和氣體流量控制系統(tǒng)（2）均與樣品倉（4）內(nèi)部連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，其特征在于，所述真空機(jī)構(gòu)包括真空泵（6）、插板閥（7）、真空計（8）和真空規(guī)（10），真空泵（6）連通有波紋管（9），且波紋管（9）與樣品倉（4）內(nèi)部連通，插板閥（7）設(shè)置在波紋管（9）和真空泵（6）之間并同時與波紋管（9）和真空泵（6）連接，并且通過插板閥（7）的開合對波紋管（9）內(nèi)部的開閉程度進(jìn)行控制，真空規(guī)（10）設(shè)置在真空泵（6）和樣品倉（4）之間，且真空規(guī)（10）的一端設(shè)置在波紋管（9）中，真空規(guī)（10）與真空計（8）連接，且插板閥（7）與真空規(guī)（10）連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，其特征在于，所述樣品倉（4）中設(shè)置有上電極和下電極，上電極設(shè)置在下電極正上方，上電極和下電極之間設(shè)置有空隙，上電極與微波源（5）連接，且下電極與樣品倉（4）外部接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體流量控制系統(tǒng)（2）包括流量閥一和流量閥二，流量閥一同時與氧氣源（1）和樣品倉（4）連接，流量閥二同時與惰性氣體氣源（3）和樣品倉（4）連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，所述惰性氣體氣源（3）為氦氣源。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除系統(tǒng)，其特征在于，所述波紋管（9）與樣品倉（4）連接的端頭設(shè)置有法蘭，波紋管（9）遠(yuǎn)離真空泵（6）的一端穿過法蘭與樣品倉（4）形成無縫連接。
7.基于微波電離的介質(zhì)膜層表面污染清除方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將待清除樣品放置在樣品倉（4）中，打開真空泵（6）將樣品倉（4）中氣體抽出后保持真空泵（6）繼續(xù)開啟，打開氧氣源（1）和惰性氣體氣源（3），通過氣體流量控制系統(tǒng)（2）控制氧氣以20至40 cm3/min的速度注入樣品倉（4），惰性氣體以110 至130cm3/min的速度注入樣品倉（4），直到在樣品倉（4）中形成1.5×10-1 Pa～2.5×10-1 Pa的氣壓時保持氣體流量控制系統(tǒng)（2）開啟；
（2）再打開微波源（5），與微波源（5）相連接的上下鋁電極之間形成微波振蕩，通過微波電離作用，將電極之間的氧氣電離產(chǎn)生原子氧、離子氧，在惰性氣體氛圍下對電極之間放置的光學(xué)鏡片進(jìn)行氧化清潔，消除指紋污染；
（3）在步驟（2）的清除過程中，真空規(guī)（10）對樣品倉（4）中氣壓進(jìn)行檢測，超過設(shè)定值時通過插板閥（7）對樣品倉（4）內(nèi)氣壓進(jìn)行調(diào)控，使得清除過程樣品倉（4）中的氣壓保持在1.5×10-1 Pa～2.5×10-1 Pa范圍內(nèi)。