專利名稱：用于pc led的具有紅移的摻雜石榴石發(fā)光材料的制作方法
用于PC LED的具有紅移的摻雜石榴石發(fā)光材料本發(fā)明涉及由共摻雜有Th4+、Sb3+、Ir3+和/或Se3+的石榴石組成的無機發(fā)光材料， 其制備方法，及其在暖白光LED中或所謂的按需選色(colour-on-demand)應(yīng)用中作為LED 轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料的用途。按需選色概念意指借助使用一種或多種無機發(fā)光材料的pcLED(=無機發(fā)光材料轉(zhuǎn)換的LED)產(chǎn)生具有特定色點的光。該概念例如用于產(chǎn)生某些公司設(shè)計，例如照明公司標志、商標等。由于20 世紀 90 年代初藍光(In，Ga) N 發(fā)光二極管(LED) (S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. (1995) 1868)的發(fā)明，世界范圍內(nèi)主要努力生產(chǎn)基于藍光InGaN半導體芯片的白光源。為此，使用發(fā)光粉層或遮光板，直接將其應(yīng)用在芯片上并將一些藍光LED輻射轉(zhuǎn)化成黃光。白光因此通過混入LED中的附加色形成。目前市售的白光LED基本上僅包含 Y3Al5O12:Ce (YAGiCe)作為黃色無機發(fā)光材料，由于它的高效率和穩(wěn)定性，它為基本理想的轉(zhuǎn)換器。它的最大缺點是在發(fā)射光譜中缺乏紅色組分，意味著包含YAG:Ce的固態(tài)光源目前通常僅提供冷白色(Tc > 5000K)，這限制了它們在一般照明中，尤其是在內(nèi)部領(lǐng)域中的應(yīng)用范圍。過去許多研究的目的是改進YAG: Ce，使得Ce3+活化劑的發(fā)射光譜帶移至紅色光譜區(qū)。根據(jù)照明工業(yè)(GE、Philips、Osram、Nichia、^Toshiba、Matsushita、Citizen 等)的研究結(jié)果，可通過以下措施實現(xiàn)必要的紅移1.用稀土 Gd3+、Tb3+ 或 Dy3+ 共摻雜2.氮化物陰離子部分替代氧化物陰離子，同時在陽離子位上電荷補償3.提高Ce3+濃度不幸的是，這些措施由于濃縮或熱猝滅而降低了 YAG:Ce無機發(fā)光材料的量子產(chǎn)率，這對于在光源中的使用是不可接受的，這是由于在該情況下，這還導致無機發(fā)光材料亮度的降低。由于對于指定激發(fā)性和指定色點，顧客僅基于其亮度選擇無機發(fā)光材料，無機發(fā)光材料亮度為用于光源中的基本標準。由于這與LED的總價格相比可忽略，無機發(fā)光材料價格不起決定性作用。因此，持續(xù)極大地需要尋求可將YAG:Ce的5d-4f轉(zhuǎn)變發(fā)射光譜帶移至紅色光譜區(qū)而不降低無機發(fā)光材料的亮度的解決方法。CN 100999662描述了經(jīng)驗式(R3_x_yCexLny) A5O12的共摻雜石榴石，其中R表示至少一種選自ft·、Nd、Sm、Dy、Bi的元素，且A表示至少一種選自B、Al、fei、Si、Mn、Mg的元素，其中0. 01彡χ < 1. 2且0 < y < 0. 2。將原料借助本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的固態(tài)擴散法(也稱作混合&燃燒(mix&fire))在氧化物的CO氣氛中煅燒。CO通過將含活性炭的容器放在其中放置有起始原料的坩堝周圍而制備。一旦加熱，就形成Boudouard平衡，導致形成CO氣氛。所形成的材料以相對白度值描述，但這使得不可能看出這些材料實際上多白。從中國申請中看出顯然借助通過Boudouard平衡制備的CO還原是不利的。除設(shè)定CO分壓的不可能性外，不存在對在煅燒期間是否消耗活性炭的控制。如果這是真實的，則爐材料被氧化， 意味著可顯著削弱無機發(fā)光材料性能。與CN 100999662的論述相反，尤其由于CO制備的性質(zhì)，該方法也不適于連續(xù)制備。此外，TO2008051486公開了一種材料(Y，A)3(A1，B)5(0, C) 12Ce3+，其中 A 為選自 Tb、Gd、Sm、La、Sr、Ba、Ca的元素，且A以0. 1-100%程度替代Y，其中B為選自Si、Ge、B、 P、Ga的元素，且B以0. 1-100%程度替代Al，且其中C為選自F、Cl、N、S的元素，且C以 0. 1-100%程度替代0。這里描述的大小為200-300nm的無機發(fā)光材料納米顆粒在LED中產(chǎn)生比微米顆粒更低的亮度，所謂微米顆粒是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的在這種小顆粒中，大部分Ce活化劑位于表面上，其中這些離子經(jīng)受不均勻的晶體場，且不可避免的表面缺陷導致待發(fā)射光子的吸收。由于氟(氟化物)不必須作為ROHS列成分存在于電子元件(LED)中， 含氟無機發(fā)光材料可不用于LED中。所述無機發(fā)光材料可發(fā)射“540-560”nm的范圍。這些波長可以類似方式通過使用YAG、LuAG或TAG得到。因此，本發(fā)明的目的是提供用于白光LED或按需選色應(yīng)用的紅移，即在560-605nm 范圍內(nèi)發(fā)光的轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料，其不具有一種或多種上述缺點并產(chǎn)生暖白光。令人驚訝的是，已發(fā)現(xiàn)如果一些Al3+陽離子被Si4+替代，同時為了電荷補償，類似部分的Al3+陽離子被Mg2+替代，如果一種或多種選自Se、Th、Ir、Sb的元素用作共摻雜劑， 則可實現(xiàn)具有顯著紅移的明亮和高效YAG:Ce無機發(fā)光材料。這四種共摻雜劑優(yōu)選各自至少以IOOppm的濃度存在。因此，本發(fā)明涉及具有式I石榴石結(jié)構(gòu)的無機發(fā)光材料(Ya, Lub, Sec, Tbd, The, Irf, Sbg) 3-x (Al5_yMgy/2Siy/2) O12 Cex (I)其中a+b+c+d+e+f+g+h+i = 1,χ = 0. 005 至 0. 1，且y = 0至4.0。在本文中，當然石榴石結(jié)構(gòu)還意指稍微不同于理想的石榴石情況的基于裂縫或晶格缺陷的石榴石結(jié)構(gòu)，只要該晶體保留典型的石榴石結(jié)構(gòu)。典型的石榴石結(jié)構(gòu)通常意指 A3B5O12 = D,其中A =稀土金屬(RE) ；B = AUGa ；且D =置換RE的活化劑，例如鈰。優(yōu)選鈰的摻雜濃度為0.5-10重量％。它特別優(yōu)選為2. 0-5.0重量％，最優(yōu)選 3. 0-3. 5重量％。在3. 0-3. 5重量％的鈰濃度下，通常發(fā)生提高的吸收，因此產(chǎn)生無機發(fā)光材料提高的光輸出或較大的亮度。較高的鈰濃度將降低量子產(chǎn)率，因此又產(chǎn)生降低的光輸出ο 替代度y基本決定以上組合物的發(fā)射最大值位置。對于Y3Al5_yMgy/2Siy/2012Ce，Ce3+ 發(fā)射光譜帶的最大值因此可由555移至605nm。共摻雜劑Sb、Ir、Th、k對本發(fā)明無機發(fā)光材料的發(fā)射最大值位置或色點不具有顯著影響。發(fā)現(xiàn)的紅移可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的理論解釋如下Ce-0鍵的共價特征，即陰離子的有效負電荷和陰離子與活化劑軌道之間的重疊是造成YAG:Ce無機發(fā)光材料紅移的原因。通常，可注意到[Xe^d1— [XeMf1相互結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的Ce3+發(fā)射光譜帶隨共價特征的提高移至紅光譜區(qū)，同時衰變時間降低，這是由于基態(tài)KeMf1與第一激發(fā)態(tài)[Xe^d1的能量分離通過斯塔克效應(yīng)降低而降低。這也解釋了為什么文獻(A.A.ktlUr，W. J.Heward， Μ. Ε. Hannah, U. Happek, Chem. Mater. 20 (2008) 6227)中已描述的(Γ 被 N3-替代具有相同效果與具有相同組成，但不具有共摻雜劑Se、Th、Ir、Sb的那些相比，本發(fā)明式I_V無機發(fā)光材料的較大亮度可借助本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的理論通過如下事實解釋這些離子對激發(fā)Ce3+態(tài)[Xe^d1壽命的影響在于縮短壽命。在這種情況下，[Xe] 5c!1電子隨熒光輻射的發(fā)射更快速地回到基態(tài)[XeMf1。從這里看出，電子可立即再激發(fā)并隨后再發(fā)射。在這些前提下，無機發(fā)光材料能在相同的時間單位內(nèi)吸收更多光并發(fā)射更多光，產(chǎn)生更大的亮度。共摻雜不產(chǎn)生顯著的紅移。特別優(yōu)選式I無機發(fā)光材料，其中式I化合物為選自式II-V化合物的化合物(Yh—b—c，Lua, Tbb, Sbc)3_x(Al5_yMgy/2Siy/2)O12Cex (II)(Yh—b—c，Lua, Tbb, Thc)3-x(Al5_yMgy/2Siy/2)012:Cex (III)(Yh—b—c，Lua, Tbb, Sec) 3_x (Al5_yMgy/2Siy/2) O12: Cex (IV)(Ymc，Lua, Tbb, Irc) 3_x (Al5_yMgy/2Siy/2) O12: Cex (V)其中對于式II-V，x = 0. 005 M 0. 1,y = 0至4.0，a+b+c = 1 且 a = 0 至 0. 9995 ；b = 0 至 0. 9995 ；c = 0. 0005 至 0· 1。優(yōu)選χ = 0.015 至 0.05。本發(fā)明無機發(fā)光材料的粒度為50nm-30 μ m,優(yōu)選1-20 μ m,更優(yōu)選2-10 μ m。在另一實施方案中，式I無機發(fā)光材料還可包含至少一種其他如下無機發(fā)光材料氧化物、鉬酸鹽、鎢酸鹽、釩酸鹽、III族氮化物、(氧)氮化物，在每種情況下單獨地或其與一種或多種活化劑離子如Ce、Eu、Mn、Cr和/或Bi的混合物。如果要設(shè)定特定色空間，則這特別有利。在另一優(yōu)選實施方案中，無機發(fā)光材料具有在LED芯片相反側(cè)上的結(jié)構(gòu)(例如金字塔形)表面(參見W02008/058619，Merck，將其全部范圍引入本申請上下文中作為參考)。因此，盡可能多的光可由無機發(fā)光材料耦合出。無機發(fā)光材料上的結(jié)構(gòu)表面通過隨后用已構(gòu)成的合適原料涂覆或在隨后的步驟中通過(光)石印法、蝕刻法或通過寫入法使用能量束或原料射流或機械力的作用而產(chǎn)生。在另一優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明無機發(fā)光材料在LED芯片的相反側(cè)上具有粗糙表面，所述表面帶有Si02、TiO2, A1203、ZnO2, ZrO2和/或或這些材料組合的納米顆粒和/ 或具有含或不含Ce、Th、Ir、Sb和/或Se系列摻雜劑的式I無機發(fā)光材料組合物的顆粒。 本文中粗糙表面的粗糙度為達幾百納米。涂覆表面的優(yōu)點是可降低或防止總反射且光可更好地從本發(fā)明無機發(fā)光材料中耦合出(參見W02008/058619 (Merck)，將其全部范圍引入本申請上下文中作為參考)。此外，優(yōu)選本發(fā)明無機發(fā)光材料在背向芯片的表面上具有相配折射率的層，所述層簡化原輻射和/或無機發(fā)光元件發(fā)射的輻射的耦合。在另一優(yōu)選實施方案中，無機發(fā)光材料具有連續(xù)的表面涂層，所述表面涂層由 SiO2, TiO2, A1203、ZnO, ZrO2和/或Y2O3或其混合氧化物和/或不具有活化劑Ce的式I無機發(fā)光材料組合物組成。該表面涂層的優(yōu)點是合適的涂料折射率標定能使折射率與環(huán)境匹配。在這種情況下，無機發(fā)光材料表面上的光散射降低且更大部分的光可透入無機發(fā)光材料并可在這里被吸收和轉(zhuǎn)化。另外，由于總內(nèi)反射降低，匹配折射率的表面涂層能使更多的光從無機發(fā)光材料中耦合出。另外，如果必須將無機發(fā)光材料包封時，連續(xù)層為有利的。這可能是必須的以對抗無機發(fā)光材料或其部分對水或其他原料在有關(guān)環(huán)境中擴散的敏感性。用封閉外殼包封的另一原因是在芯片中產(chǎn)生的熱導致的實際無機發(fā)光材料的熱去耦。該熱導致無機發(fā)光材料的熒光輸出降低，還可影響熒光的色彩。最后，這類涂層使得可通過防止無機發(fā)光材料中產(chǎn)生的晶格振動傳播至環(huán)境中而提高無機發(fā)光材料的效率。另外，優(yōu)選無機發(fā)光材料具有多孔表面涂層，所述表面涂層由Si02、TiO2, A1203、 ZnO, ZrO2和/或^O3或其混合氧化物和/或具有或不具有Ce、Th、Ir、Sb和/或Se系列摻雜劑的式I無機發(fā)光材料組合物組成。這些多孔涂層提供進一步降低單層折射率的可能性。這類多孔涂層可通過三種常規(guī)方法產(chǎn)生，如WO 03/027015所述，將其全部范圍引入本申請上下文中作為參考玻璃蝕刻(例如鈉鈣玻璃(參見US 4019884))，施涂多孔層，和多孔層與蝕刻法的組合。在另一優(yōu)選實施方案中，無機發(fā)光材料具有帶有官能團的表面，所述官能團促進與優(yōu)選由環(huán)氧或有機硅樹脂組成的環(huán)境化學或物理結(jié)合。這些官能團可以為例如經(jīng)由橋氧基鍵合的酯或其他衍生物，所述橋氧基能與基于環(huán)氧化物和/或聚硅氧烷的粘合劑組分形成連接鍵。這類表面的優(yōu)點是促進無機發(fā)光材料均勻摻入粘合劑中。此外，無機發(fā)光材料 /粘合劑體系的流變性能以及貯存期可因此調(diào)整至特定程度。因此簡化混合物的加工。就這點而言，物理鍵合在環(huán)境上意指體系之間借助電荷起伏或部分電荷的靜電相互作用。由于施涂在LED芯片上的本發(fā)明無機發(fā)光材料層優(yōu)選由聚硅氧烷和均勻無機發(fā)光材料顆粒的混合物組成且聚硅氧烷具有表面張力，該無機發(fā)光材料層在顯微鏡水平下為不均勻的或?qū)拥暮穸葹椴蝗亢愣ǖ摹４送?，本發(fā)明無機發(fā)光材料可包含0-20重量％堿金屬或堿土金屬，例如Li、Na、K、 Ca、Sr、Ba，和鹵素，例如F或Cl。這些在無機發(fā)光材料制備中優(yōu)選用作融合劑并用于提高晶體質(zhì)量、粒度的粗設(shè)置(rough setting)和顆粒形態(tài)，因此具有提高無機發(fā)光材料效率的高潛能。因此，本發(fā)明涉及可通過如下得到的具有石榴石結(jié)構(gòu)的無機發(fā)光材料通過固態(tài)擴散法將含鋁、鎂、硅、釔和鈰的起始原料與至少一種含銻、硒、銥和/或釷的共摻雜劑混合，隨后熱后處理，所述無機發(fā)光材料可包含堿金屬或堿土金屬商化物或硼酸鹽化合物系列的融合劑。制備無機發(fā)光材料的起始原料如上所述由基礎(chǔ)材料(例如鋁、釔、硅、鎂和鈰的氧化物)和至少一種含Sb、Se、Ir或Th的摻雜劑和任選其他含Lu或Tb的原料組成。除氧化物外，合適的起始原料還有其他無機和/或有機物質(zhì)，例如硝酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、磷酸鹽、羧酸鹽、醇鹽、乙酸鹽、草酸鹽、商化物、硫酸鹽、有機金屬化合物、金屬、半金屬、過渡金屬和/或稀土金屬的氫氧化物，其可溶于和/或懸浮于無機和/或有機液體中。優(yōu)選使用含必要化學計量比的相應(yīng)元素的氧化物。此外，本發(fā)明涉及一種制備無機發(fā)光材料的方法，所述方法具有以下工藝步驟a)通過將至少5種選自含Y、Al、Mg、Si、Ce、Lu、Tb材料的起始原料混合而制備用含Sb、Se、Ir和/或Th的材料共摻雜的鈰活化無機發(fā)光材料，b)將Sb、Se、Ir和/或Th共摻雜的無機發(fā)光材料熱后處理。除優(yōu)選借助固態(tài)擴散法制備無機發(fā)光材料外，也可使用以下已知的濕化學方法 用 NH4HCO3 溶液共沉淀(例如參見 Jander，Blasius Lehrbuch der analyt. u. prap. anorg. Chem. [Textbook of Analyt. And Prep. Inorg. Chem. ]2002) 使用檸檬酸和乙二醇的I^ecchini方法(例如參見Annual Review of Materials Research，第 36 卷:2006,281-331) 使用脲的燃燒法 含水或有機鹽溶液(起始原料)的噴霧干燥 含水或有機鹽溶液(起始原料)的噴霧熱解 硝酸鹽溶液蒸發(fā)和殘余物的熱轉(zhuǎn)化在上述共沉淀中，將NH4HCO3溶液加入例如相應(yīng)無機發(fā)光材料起始原料的硝酸鹽溶液中，導致無機發(fā)光材料前體的形成。在Pecchini方法中，將由檸檬酸和乙二醇組成的沉淀試劑在室溫下加入例如上述相應(yīng)無機發(fā)光材料起始原料的硝酸鹽溶液中，隨后將混合物加熱。提高粘度導致無機發(fā)光材料前體形成。在已知的燃燒方法中，將上述相應(yīng)無機發(fā)光材料起始原料的硝酸鹽溶液例如溶于水中，然后在回流下沸騰并用脲處理，導致無機發(fā)光材料前體緩慢形成。噴霧熱解是氣溶膠方法中的一種，其特征在于將溶液、懸浮液或分散體噴入以各種方式加熱的反應(yīng)空間(反應(yīng)器)中和固體顆粒形成并沉淀。與使用< 200°C熱氣溫度的噴霧干燥相反，在作為高溫方法的噴霧熱解中，除溶劑蒸發(fā)外，還發(fā)生所用起始原料(例如鹽)的熱分解和物質(zhì)(例如氧化物、混合氧化物)的再形成。上述6種變化方案詳細描述于W02007/144060(Merck)中，將其全部范圍引入本申請上下文中作為參考。在上述熱后處理中，優(yōu)選煅燒至少部分在還原條件(例如使用一氧化碳、合成氣體、純氫氣或至少真空或貧氧氣氛)下進行。上述方法能制備任何所需外部形狀的無機發(fā)光材料顆粒，例如球形顆粒、片或結(jié)構(gòu)材料和陶瓷。作為另一優(yōu)選實施方案，片型無機發(fā)光材料通過常規(guī)方法由相應(yīng)金屬和/或稀土金屬鹽制備。制備方法詳細描述于EP 763573和W02008/058620中，將其全部范圍引入本申請中作為參考。這些片型無機發(fā)光材料可通過將具有非常大的長寬比、原子光滑表面和可調(diào)整厚度的天然或合成產(chǎn)生的高穩(wěn)定性載體或基質(zhì)，例如云母片、SiO2片、Al2O3片、ZrO2片、 玻璃片或1102片通過在水分散體或懸浮液中沉淀反應(yīng)而用無機發(fā)光材料層涂覆而制備。除云母、Zr02、Si02、Al203、玻璃或TW2或其混合物外，片還可由無機發(fā)光材料本身組成或由材料構(gòu)成。如果片本身僅用作無機發(fā)光材料涂層的載體，則后者必須由對LED原輻射為透明的或吸收原輻射并將該能量傳輸至無機發(fā)光材料層的材料組成。將片型無機發(fā)光材料分散在樹脂(例如聚硅氧烷或環(huán)氧樹脂)中，并將該分散體施涂在LED芯片上。片型無機發(fā)光材料可在大工業(yè)規(guī)模上以50nm至約20 μ m，優(yōu)選150nm至5 μ m的厚度制備。在本文中直徑為50nm至20μπι。這些長寬比(直徑與顆粒厚度之比)通常為1 1-400 1，特別是 3 1-100 1。片大小(長X寬)取決于配置。片還適用作轉(zhuǎn)換層內(nèi)的擴散中心，特別是如果它們具有特別小尺寸的話。面對LED芯片的本發(fā)明片型無機發(fā)光材料表面可具有降低反射LED芯片發(fā)射的原輻射的作用的涂層。這導致原輻射的反散射降低，增強原輻射耦合在本發(fā)明無機發(fā)光材料元件內(nèi)。適于該目的是例如為折射率匹配的涂層，其必須具有以下厚度d:d= [LED芯片原輻射的波長Λ4 *無機發(fā)光材料陶瓷的折射率)]，例如參見Gerthsen，Physik[Physics]， Springer Verlag，第18版，1995。該涂層也可由光子晶體組成，其還包括片型無機發(fā)光材料表面的構(gòu)成以實現(xiàn)特定功能。陶瓷元件形式的本發(fā)明無機發(fā)光材料的制備類似于WO 2008/017353 (Merck)所述方法進行，將其全部范圍引入本申請中作為參考。這里無機發(fā)光材料通過以下制備將相應(yīng)起始原料和摻雜劑通過濕化學方法混合，隨后等壓壓制并以均勻、薄且無孔片的形式直接施涂在芯片表面上。因此沒有發(fā)生無機發(fā)光材料激發(fā)和發(fā)射的位置相關(guān)性變化，導致具有它的LED發(fā)射均勻光錐的恒定色彩并具有高發(fā)光功率。陶瓷無機發(fā)光材料元件可在工業(yè)規(guī)模上例如作為厚度為幾百nm至約500 μ m的片制備。片大小(長X寬)取決于配置。 在直接施涂在芯片上的情況下，片的大小應(yīng)根據(jù)芯片大小(約ΙΟΟμπι* 100 μ m/Λ mm2)選擇，在合適的芯片配置(例如倒裝配置)的情況下或相應(yīng)情況下具有芯片表面約10-30%的特定過量大小。如果無機發(fā)光材料片置于最終LED的頂部，所有發(fā)射的光錐將擊中片?？蓪⑻沾蔁o機發(fā)光材料元件的側(cè)表面用輕或貴金屬，優(yōu)選鋁或銀金屬化。金屬化的作用是光不會由無機發(fā)光材料元件側(cè)面發(fā)出。側(cè)面發(fā)出的光可降低要從LED中耦合出的光通量。陶瓷無機發(fā)光材料元件的金屬化在等壓壓制以得到條或片以后的工藝步驟中進行，其中如果需要的話可在金屬化以前將條或片切成需要的大小。為此，將側(cè)表面例如用硝酸銀或葡萄糖的溶液潤濕，隨后在升高的溫度下曝露在氨氣氛中。在該操作期間，例如在側(cè)表面上形成銀涂層。作為選擇，無電金屬化方法為合適的，例如參見Hollemann-Wiberg，Lehrbuch der anorganischen Chemie[Textbook of Inorganic Chemistry], Walter de Gruyter Verlag,或 Ullmanns EnzyklopMdie de chemischenTechnologie [Ullmann’ Encyclopae dia of Chemical Technology]。如果需要的話可使用水玻璃溶液將陶瓷無機發(fā)光材料元件固定在LED芯片的基質(zhì)上。在另一實施方案中，陶瓷無機發(fā)光材料元件在LED芯片的相反側(cè)上具有結(jié)構(gòu) (例如金字塔形)表面。這能使盡可能多的光從無機發(fā)光材料元件中耦合出。無機發(fā)光材料元件上的結(jié)構(gòu)表面通過使用具有結(jié)構(gòu)壓板的模進行等壓壓制，并因此將結(jié)構(gòu)印在表面上而產(chǎn)生。如果目的是生產(chǎn)最可能薄的無機發(fā)光材料元件或片，則結(jié)構(gòu)表面為理想的。壓制條件為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的(參見J.Kriegsmann，iTechnische keramische Werkstoffe[Industrial Ceramic Materials]，第 4 章，Deutscher ffirtschaftsdienst, 1998)。重要的是所用壓制溫度為待壓制物質(zhì)的熔點的2/3至5/6。另外，本發(fā)明無機發(fā)光材料可經(jīng)寬范圍激發(fā)，所述范圍由約410nm延伸至530nm， 優(yōu)選由430nm延伸至約500nm。這些無機發(fā)光材料因此不僅適于通過UV或發(fā)藍光原光源如 LED或常規(guī)放電燈(例如基于Hg的)激發(fā)，而且適于光源如使用451nm的藍色線的那些。此外，本發(fā)明涉及具有一個或多個發(fā)射最大值為410-530nm，優(yōu)選430-約500nm， 特別優(yōu)選440-480nm的至少一種原光源的照明裝置，其中所有或一些原輻射通過本發(fā)明無機發(fā)光材料轉(zhuǎn)化成更長波長的輻射。該照明裝置優(yōu)選發(fā)射白光或發(fā)射具有特定色點(按需選色原則)的光。本發(fā)明照明裝置的優(yōu)選實施方案描述于圖9-20中。在本發(fā)明照明裝置的優(yōu)選實施方案中，光源為發(fā)光銦鋁鎵氮化物，特別是式 IniGajAlkN的氮化物，其中0彡i，0彡j，0彡k，且i+j+k = 1。這類光源的可能形式為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。它們可為具有各種結(jié)構(gòu)的發(fā)光LED芯片。在本發(fā)明照明裝置的另一優(yōu)選實施方案中，光源為基于ai0、TC0(透明導電氧化物)、&ι%或SiC的發(fā)光配置或基于有機發(fā)光層(OLED)的配置。在本發(fā)明照明裝置的另一優(yōu)選實施方案中，光源為具有電致發(fā)光和/或光致發(fā)光的光源。此外，光源也可為等離子體或放電光源。本發(fā)明無機發(fā)光材料可以分散在樹脂(例如環(huán)氧或有機硅樹脂)中，或以給定的合適大小比直接排列在原光源上，或取決于應(yīng)用遠離其排列(后一種配置還包括“遠程無機發(fā)光材料技術(shù)”)。遠程無機發(fā)光材料技術(shù)的優(yōu)點是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的并顯示于例如以下出版物中 Japanese Journ. of App 1. Phys.第 44 卷，No. 21 (2005)，L649-L651。在另一實施方案中，優(yōu)選無機發(fā)光材料與原光源之間的照明裝置的光耦合通過光導配置實現(xiàn)。這能使原光源安裝在中心位置并借助光導器件如光導纖維與無機發(fā)光材料光耦合。這樣，可實現(xiàn)與照明愿望相匹配且僅由一種或不同可排列形成遮光板的無機發(fā)光材料和與原光源耦合的光導體組成的燈。這樣，可使強原光源位于有利于電氣裝置的位置上且將包含與光導體耦合的無機發(fā)光材料的燈不另外鋪設(shè)電纜，而是僅通過放置光導體而安裝在任何所需位置上。此外，本發(fā)明涉及本發(fā)明無機發(fā)光材料在發(fā)光二極管藍色或近UV發(fā)射的部分或完全轉(zhuǎn)化中的用途。此外，本發(fā)明無機發(fā)光材料優(yōu)選用于將藍色或近UV發(fā)射轉(zhuǎn)化成可見白輻射。此外，本發(fā)明無機發(fā)光材料優(yōu)選用于通過“按需選色”概念將原輻射轉(zhuǎn)化成特定色點。此外，本發(fā)明涉及本發(fā)明無機發(fā)光材料在電致發(fā)光材料如電致發(fā)光薄膜(也稱作照明薄膜)中的用途，其中例如硫化鋅或摻雜有Mn2+、Cu+或Ag+的硫化鋅用作發(fā)射器，其在紅綠區(qū)中發(fā)射。電致發(fā)光薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域例如為廣告、液晶顯示屏(LC顯示器)和薄膜晶體管(TFT)顯示器的顯示器背光、自照明車牌、地板圖示(與耐壓和毛條校樣層壓板組合)、 顯示器和/或控制元件中，例如在汽車、火車、輪船和飛機中，或還有家庭用具、園林設(shè)備、 測量儀器或運動和休閑設(shè)備中。以下實施例意欲闡明本發(fā)明。然而，它們應(yīng)決不被認為是限定性的。可用于組合物中的所有化合物或組分為已知的和市售的，或可通過已知方法合成。實施例中指出的溫度總是以。C給出。此外，不言而喻在說明書以及實施例中，組合物中組分的加入量總是合計達100%總數(shù)。給出的百分數(shù)數(shù)據(jù)應(yīng)總是被認為是給定聯(lián)系的。然而，它們通常總是涉及所述份量或總量的重量。
實施例實施例Ia 制備組成為(Y，Lu)3AlMg2Si2012:Ce的發(fā)橙光無機發(fā)光材料將起始原料 4. 4728g Y203、15. 5193g Lu203、2. 1207g A1203、0. 4130gCe02、8. 0094g MgCO3和 4. 9067g SiO2 在50ml乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過 36 μ m篩篩分。實施例Ib 制備組成為(Y，Lu，Sb)3AlM&Si2012:Ce的發(fā)橙光Sb共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Sb = 92 8將起始原料4. 4728gQ0 毫摩爾 Η203、14· 2778g (36 毫摩爾)Lu203、0. 9108g(3 毫摩爾)Sb203、2. 1207g(21 毫摩爾)A1203、0. 4130g(2 毫摩爾)Ce02、8. 0094g(95 毫摩爾)MgCO3和 4.90678(82毫摩爾)5丨02在50!111乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例Ic 制備組成為(Y，Lu，Th)3AlM&Si2012:Ce的發(fā)橙光Th共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Th = 92 8將起始原料4. 4728g (20 毫摩爾)&03、14. 2778g (36 毫摩爾)Lu203、1. 5840g (6 毫摩爾)Th02、2. 1207g(21 毫摩爾)A1203、0. 4130g CeO2,8. 0094g(95毫摩爾)MgC03和4. 9067g(82 毫摩爾)SW2在50ml乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例Id 制備組成為(Y，Lu，Se)3AlM&Si2012:Ce的發(fā)橙光Se共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Se = 92 8將起始原料4. 4728g (20 毫摩爾)Y2O3> 14. 2778g (36 毫摩爾)Lu203、0. 6480g (6 毫摩爾)Se02、2. 1207g(21 毫摩爾)A1203、0. 4130g CeO2,8. 0094g(95毫摩爾)MgC03和4. 9067g(82 毫摩爾)SW2在50ml乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例Ie 制備組成為(Y，Lu，Ir)3AlM&Si2012:Ce的發(fā)橙光Ir共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Ir = 92 8將起始原料4. 4728g (20 毫摩爾)Y2O3> 14. 2778g (36 毫摩爾)Lu203、1. 2690g (3 毫摩爾)Ir203、2. 1207g(21 毫摩爾)Α1203、0· 4130g CeO2,8. 0094g(95 毫摩爾)MgCO3 和 4.90678(82毫摩爾)5丨02在50!111乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例加制備組成為(Y，Lu)3Al3MgSi012:Ce的發(fā)橙光無機發(fā)光材料將起始原料4. 4728g(20 毫摩爾)Y203>15. 5193g(39 毫摩爾)Lu203、6. 3623g(62 毫摩爾)Α1203、0· 4130g(2 毫摩爾)CeO2,4. 0471g(48 毫摩爾)MgCO3 和 2. 4039g(40 毫摩爾) SiO2在50ml乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例2b 制備組成為(Y，Lu，Th)3Al3MgSi012:Ce的發(fā)橙光Th共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Th = 92 8將起始原料4. 4728g(20 毫摩爾)Y2O3>14. 280g(36 毫摩爾)Lu203、0. 8237g(3 毫摩爾)Th02、6. 3623g(62 毫摩爾)Α1203、0· 4130g(2 毫摩爾)Ce02、4. 0471g(48 毫摩爾)MgCO3 和 2.40398(40毫摩爾)5丨02在50!111乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例2c 制備組成為(Y，Lu，Se)3Al3MgSi012:Ce的發(fā)橙光Se共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Se = 92 8將起始原料4. 4728g(20 毫摩爾)Y2O3>14. 280g(36 毫摩爾)Lu203、0. 3241g(3 毫摩爾)Se02、6. 3623g(62 毫摩爾)Α1203、0· 4130g(2 毫摩爾)Ce02、4. 0471g(48 毫摩爾)MgCO3 和 2.40398(40毫摩爾)5丨02在50!111乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例2d 制備組成為(Y，Lu, Ir)3Al3MgSi012: Ce的發(fā)橙光Ir共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Ir = 92 8將起始原料4. 4728g (20 毫摩爾)Y2O3> 14. 280g (36 毫摩爾)Lu203、0. 648g (1. 5 毫摩爾)Ir203、6. 3623g(62 毫摩爾)A1203、0. 4130g(2 毫摩爾)Ce02、4. 0471g(48 毫摩爾)MgCO3和 2.40398(40毫摩爾)5丨02在50!111乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。實施例加制備組成為(Y，Lu，Sb)3Al3MgSi012: Ce的發(fā)橙光Sb共摻雜無機發(fā)光材料，其中 Lu Sb = 92 8將起始原料4. 4728g(20 毫摩爾 H203、14. 280g(36 毫摩爾)Lu203、0. 4328g(l. 5 毫摩爾)Sb203、6. 3623g(62 毫摩爾)Α1203、0· 4130g(2 毫摩爾)Ce02、4. 0471g(48 毫摩爾)MgCO3 和2. 4039g(40毫摩爾在50ml乙醇中研磨45分鐘。然后將產(chǎn)生的糊在干燥箱中干燥并放在剛玉坩堝中。隨后將糊在1500°C下在CO下燒結(jié)8小時，將產(chǎn)生的燒結(jié)餅在瑪瑙研缽中磨碎，最后將粉末通過36 μ m篩篩分。附圖描述將參考大量工作實施例更詳細地解釋本發(fā)明。圖顯示如下圖 1 顯示(Y, Lu)3AlMg2Si2012:Ce, X(其中 X = Th、Ir、Sb、Se)，Cu K α 輻射的 X 射線粉末衍射圖。圖2 顯示(Y0.99LuL95Ce0. J3AlMg2Si2O12 的激發(fā)(1)、發(fā)射(2)和反射(3)光譜。圖3 顯示工作實施例Ia-Ie的本發(fā)明無機發(fā)光材料的發(fā)射光譜。這里顯然與非共摻雜的無機發(fā)光材料相比，共摻雜(光譜b、c、d和e)提高亮度(發(fā)射強度)。圖4 顯示用于改進描述發(fā)射最大峰值的圖3的詳細放大圖。圖 5 顯示(Y，Lu)3Al3MgSi012 Ce，X，其中 X = Th、Ir、Se 或 Sb (Cu Ka 輻射)的 X 射線粉末衍射圖。圖6 顯示(Y，Lu)3Al3MgSi012:Ce, X的激發(fā)⑵、發(fā)射(3)和反射(1)光譜。圖7 顯示工作實施例的本發(fā)明無機發(fā)光材料的發(fā)射光譜。顯然與非共摻雜的無機發(fā)光材料(a)相比，共摻雜無機發(fā)光材料(b-e)的亮度更大。圖8 顯示用于更好地區(qū)分最大峰值的圖7的詳細放大圖。圖9 顯示具有含無機發(fā)光材料涂層的發(fā)光二極管的圖解。組件包含芯片狀LED 1 作為輻射源。LED安裝在由調(diào)整架2保持的杯型反射器上。芯片1借助扁平電纜7連接在第一觸點6上并直接連接在第二電觸點6’上。已將包含本發(fā)明轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料的涂層施涂在反射器杯的內(nèi)曲面上。無機發(fā)光材料相互分開或作為混合物使用。(零件號明細1 發(fā)光二極管，2反射器，3樹脂，4轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料，5擴散器，6電極，7扁平電纜)

圖10 顯示用作白光光源(LED)的InGaN型COB (板上芯片)封裝(1 =半導體芯片；2、3 =電連接；4 =轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料；7 =板)。無機發(fā)光材料分布在粘合劑透鏡上， 其同時代表第二光學元件并作為透鏡影響發(fā)光特征。圖11 顯示用作白光光源(LED)的InGaN型COB (板上芯片)封裝(1 =半導體芯片；2、3 =電連接；4 =轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料；7 =板)。無機發(fā)光材料位于直接在LED芯片上的薄粘合劑層上。由透明材料組成的第二光學元件可置于其上。圖12 顯示用作白光光源(LED)的Golden DragOIl 封裝(1 =半導體芯片；2、 3=電連接；4 =具有反射器空穴的轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料)。轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料分散在粘合劑中，其中混合物填充空穴。圖13 顯示SMD封裝(表面安裝封裝)，其中1 =外殼；2、3 =電連接；4 =轉(zhuǎn)換層。 半導體芯片完全被本發(fā)明無機發(fā)光材料覆蓋。SMD設(shè)計的優(yōu)點是它具有小物理形狀，并因此適合常規(guī)燈。圖14 顯示發(fā)光二極管的圖解，其中1 =半導體芯片；2、3 =電連接；4 =轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料；5 =結(jié)合線，其中無機發(fā)光材料作為頂球應(yīng)用在粘合劑中。該形式的無機發(fā)光材料/粘合劑層可充當?shù)诙鈱W元件，并可影響例如光傳播。圖15 顯示發(fā)光二極管的圖解，其中1 =半導體芯片；2、3 =電連接；4 =轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料；5 =結(jié)合線，其中無機發(fā)光材料作為分散在粘合劑中的薄層應(yīng)用。充當?shù)诙鈱W元件的另一組分，例如透鏡可容易地應(yīng)用于該層上。圖16 顯示如原則上由US-B 6，700, 322中已知的另一應(yīng)用的實例。本發(fā)明無機發(fā)光材料在這里與OLED —起使用。光源為由實際有機薄膜30和透明基質(zhì)32組成的有機發(fā)光二極管31。薄膜30特別發(fā)射例如通過PVK:PBD 香豆素(PVK，聚(η-乙烯基咔唑)的縮寫；PBD，2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基-苯基)-l，3，4-^ii二唑)產(chǎn)生的藍色原光。通過本發(fā)明無機發(fā)光材料層33形成的覆蓋層，發(fā)射部分轉(zhuǎn)化成黃色二次發(fā)射光，使得白光發(fā)射全部通過初次和二次發(fā)射光的色彩混合實現(xiàn)。OLED基本由兩個電極之間至少一層發(fā)光聚合物或所謂的小分子組成，所述電極由本身已知的材料如ITO(氧化銦錫的簡寫)作為陽極和高反應(yīng)性金屬如Ba或Ca作為陰極組成。在小分子區(qū)域中用作空穴傳輸層或還用作電子傳輸層的多個層通常也用于電極之間。所用發(fā)射聚合物例如為聚芴或聚螺材料。
權(quán)利要求
1.具有式I石榴石結(jié)構(gòu)的無機發(fā)光材料(Ya, Lub, Sec, Tbd, The, Irf, Sbg) 3-x (Al5_yMgy/2Siy/2) O12 Cex (I) 其中a+b+c+d+e+f+g+h+i = 1, x = 0. 005 至 0. 1， 且y = 0 至 4. 0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的無機發(fā)光材料，其特征在于式I化合物為選自式II-V化合物的化合物(Y1C' Lue,，Sbc) 3—.(Al5--yMgy/2SiLy/2)〇12 :Cex(II)(Y1c' LUe,，Thc) 3—.(Al5--yMgy/2SiLy/2)〇12 :Cex(HI)(Y1c' LUe)'Sec) 3—.(Al5--yMgy/2SiLy/2)〇12 :Cex(IV)(Y1c' Lue,，Irc) 3—.(Al5--yMgy/2SiLy/2)〇12 :Cex(V)其中對于式π-ν，x = 0. 005 至 0. 1，y = 0至4.0，a+b+c = 1 且 a = 0 至 0. 9995 ；b = 0 至 0. 9995 ；c = 0. 0005 至 0. 1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和/或2的無機發(fā)光材料，其特征在于它具有粗糙表面，所述表面帶有Si02、Ti02、Al203、Zn0、Zi<)2和/或^O3或其混合氧化物的納米顆粒和/或具有含或不含 Ce、Th、Ir、Sb和/或％系列摻雜劑的式(I)無機發(fā)光材料組合物的顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中一項或多項的無機發(fā)光材料，其特征在于它具有連續(xù)的表面涂層，所述表面涂層由Si02、TiO2, A1203、ZnO, ZrO2和/或^O3或其混合氧化物和/或不具有活化劑Ce的式(I)無機發(fā)光材料組合物組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中一項或多項的無機發(fā)光材料，其特征在于它具有多孔表面涂層，所述表面涂層由Si02、TiO2, A1203、ZnO, ZrO2和/或^O3或其混合氧化物和/或具有或不具有Ce、Th、Ir、Sb和/或％系列摻雜劑的式(I)無機發(fā)光材料組合物組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中一項或多項的無機發(fā)光材料，其特征在于表面帶有促進與優(yōu)選由環(huán)氧或有機硅樹脂組成的環(huán)境化學或物理結(jié)合的官能團。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中一項或多項的無機發(fā)光材料，其特征在于它包含0-20重量％堿金屬或堿土金屬，例如Li、Na、K、Ca、Sr、Ba，和鹵素，例如F或Cl。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中一項或多項的無機發(fā)光材料，其能通過如下得到通過固態(tài)擴散法將含鋁、釔、镥、鋱、鎂、硅和鈰的起始原料與至少一種含銻、硒、銥和/或釷的共摻雜劑混合，隨后熱后處理，所述無機發(fā)光材料可包含堿金屬或堿土金屬商化物或硼酸鹽化合物系列的融合劑。
9.制備具有式I石榴石結(jié)構(gòu)的無機發(fā)光材料的方法，其具有以下工藝步驟a)通過將至少5種選自含Y、Al、Tb、Ce、Lu、Mg和/或Si材料的起始原料混合而制備用含銻、硒、銥和/或釷的材料共摻雜的鈰活化無機發(fā)光材料，b)將銻、硒、銥和/或釷共摻雜的無機發(fā)光材料熱后處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述無機發(fā)光材料的表面涂覆有Si02、TiO2,2Al203>Zn0,Zr02和/或^O3或其混合氧化物的納米顆?；蚓哂谢虿痪哂袚诫s劑的無機發(fā)光材料組合物的納米顆粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求9和/或10的方法，其特征在于所述無機發(fā)光材料的表面具有Si02、 TiO2, A1203、ZnO, ZrO2和/或^O3或其混合氧化物和/或不含活化劑鈰的式(I)無機發(fā)光材料組合物的連續(xù)涂層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中一項或多項的方法，其特征在于所述無機發(fā)光材料的表面具有Si02、Ti02、Al203、ai0、aO2和/或^O3或其混合氧化物或含或不含Ce、Th、Ir、Sb和/或 Se系列摻雜劑的無機發(fā)光材料組合物的多孔涂層。
13.照明裝置，其具有至少一種發(fā)射最大值為410-530nm，優(yōu)選430-500nm的原光源，其中該輻射中所有或一些通過根據(jù)權(quán)利要求1-8中一項或多項的無機發(fā)光材料轉(zhuǎn)化成較長波長的輻射。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的照明裝置，其特征在于所述光源為發(fā)光銦鋁鎵氮化物，特別是式LiGiijAlkN的氮化物，其中0彡i，0彡i，0彡k，且i+j+k = 1。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的照明裝置，其特征在于所述光源為基于&ι0、TCO(透明導電氧化物)、ZnSe或SiC的發(fā)光化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的照明裝置，其特征在于所述光源為基于有機發(fā)光層的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的照明裝置，其特征在于所述光源為具有電致發(fā)光和/或光致發(fā)光的光源。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的照明裝置，其特征在于所述光源為等離子體或放電燈。
19.根據(jù)權(quán)利要求13-18中一項或多項的照明裝置，其特征在于無機發(fā)光材料直接配置在原光源上和/或其遠處。
20.根據(jù)權(quán)利要求13-18中一項或多項的照明裝置，其特征在于無機發(fā)光材料與原光源之間的光耦合通過光導配置實現(xiàn)。
21.至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-8中一項或多項的式I無機發(fā)光材料在轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管所有或一些藍或近UV發(fā)射中作為轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料的用途。
22.至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-8中一項或多項的式I無機發(fā)光材料在原輻射通過按需選色概念轉(zhuǎn)換成特定色點中作為轉(zhuǎn)換無機發(fā)光材料的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有式I石榴石結(jié)構(gòu)的發(fā)光材料，其中a+b+c+d+e+f+g+h+i＝1，x＝0.005至0.1且y＝0至4.0。本發(fā)明還涉及一種制備所述發(fā)光材料的方法及其在轉(zhuǎn)換LED的藍或近UV發(fā)射中作為轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的用途。(Ya，Lub，Sec，Tbd，The，Irf，Sbg)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex(I)。
文檔編號C09K11/80GK102186944SQ200980140453
公開日2011年9月14日 申請日期2009年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月13日
發(fā)明者H·溫克勒, T·朱斯特爾, J·普利瓦 申請人:默克專利有限公司