專利名稱：保護膜覆蓋裝置和激光加工裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在晶片的加工面上覆蓋保護膜的保護膜覆蓋裝置以及具 有保護膜覆蓋裝置的激光加工裝置。
背景技術：
在表面上被分割預定線劃分開來地形成有IC (Integrated Circuit:集 成電路)、LSI (Large Scale Integration:大規(guī)模集成電路)、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等多個器件的硅晶片、藍寶石晶片等晶片， 利用激光加工裝置被分割成一個一個器件，分割出來的器件廣泛利用于 手機、個人計算機等電氣設備(參照日本特開2004-322168號公報)。
在上述公開的公報中，公開了這樣的技術當將激光光束照射向晶 片的加工面時，熱能集中在被照射的區(qū)域中，碎屑會飛散而附著在晶片 的加工面上，使得器件的質量顯著下降，所以在進行激光加工前，在晶 片的加工面上涂布液態(tài)樹脂來形成保護膜，然后再對晶片進行激光加工。
專利文獻1:日本特開2004-322168號公報
但是，若在晶片的加工面上存在階梯差、或配設有電極等金屬凸起， 則根據專利文獻1所公開的液態(tài)樹脂的旋涂法，存在以下問題不能在 晶片的加工面上均勻地涂布液態(tài)樹脂，會局部產生保護膜沒有覆蓋的部 分。
此外還存在以下問題PVA (Poly vinyl Alcohol:聚乙烯醇)、PEG (Poly ethylene Glycol:聚乙二醇)等液態(tài)樹脂價格較高，而在通過旋涂 法涂布液態(tài)樹脂時，實質上90%以上的液態(tài)樹脂從晶片的加工面飛散而 廢棄，非常不經濟。

發(fā)明內容
3本發(fā)明就是鑒于這些問題而完成的，其目的在于提供一種即使在晶片的加工面上存在階梯差、或配設有電極等金屬凸起，也能可靠且經濟地覆蓋保護膜的保護膜覆蓋裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有保護膜覆蓋裝置的激光加工裝置。
根據第一方面所述的發(fā)明，提供一種保護膜覆蓋裝置，其用于在晶片的表面覆蓋保護膜，其特征在于，上述保護膜覆蓋裝置包括旋轉工作臺，其吸引保持晶片并進行旋轉；和涂布構件，其在吸引保持于上述旋轉工作臺的晶片上涂布液態(tài)樹脂，上述涂布構件包括噴霧構件，其呈霧狀地噴射液態(tài)樹脂；臂，其支撐上述噴霧構件；和第一擺動構件，其使支撐在上述臂上的噴霧構件至少在從晶片的旋轉中心部至外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。
優(yōu)選的是，噴霧構件包括液態(tài)樹脂供給通道、空氣供給通道、以及將液態(tài)樹脂供給通道與空氣供給通道合并而噴射出霧狀的液態(tài)樹脂的噴射口。
優(yōu)選的是，保護膜覆蓋裝置還包括清洗激光加工后的晶片的清洗構件、和干燥清洗后的晶片的干燥構件。清洗構件和干燥構件都構成為在臂的前端安裝有噴射水或空氣的噴射嘴，支撐在臂上的噴射嘴至少在從晶片的旋轉中心部至外周部的區(qū)域中在水平方向上擺動。
根據第五方面所述的發(fā)明，提供一種激光加工裝置，其包括卡盤工作臺，其保持晶片；和激光光束照射構件，其對保持于上述卡盤工作臺的晶片的加工面照射激光光束以實施加工，其特征在于，上述激光加工裝置還包括在激光加工前的晶片的加工面上覆蓋保護膜的、第一至第四方面的發(fā)明中的任一項所述的保護膜覆蓋裝置。
根據本發(fā)明的保護膜覆蓋裝置，由于將液態(tài)樹脂變成霧狀涂布在晶片的加工面上，來將保護膜覆蓋在該晶片的加工面上，所以即使在晶片的加工面上存在階梯差、或配設有電極等金屬凸起，也能可靠地在晶片的加工面上覆蓋保護膜。
此外，當使液態(tài)樹脂變成霧狀進行涂布時，與通過現有的利用旋涂進行的涂布相比，液態(tài)樹脂的使用量減少至10% 15%，顯著地提高了 經濟性。S卩，以往在直徑為30mm的晶片的加工面上覆蓋保護膜所需要 的液態(tài)樹脂的量為40 50mL,而利用本發(fā)明的保護膜覆蓋裝置后則減少 到了 5 6mL。


圖1是激光加工裝置的外觀立體圖。
圖2是表示與框架一體化了的晶片的立體圖。
圖3是激光光束照射單元的方框圖。
圖4是保護膜覆蓋裝置的局部剖開立體圖。
圖5是旋轉工作臺上升后的狀態(tài)下的保護膜覆蓋裝置的縱剖視圖。
圖6是旋轉工作臺下降后的狀態(tài)下的保護膜覆蓋裝置的縱剖視圖。
圖7是噴霧噴嘴的縱剖視圖。
圖8是說明噴霧噴嘴的擺動范圍的說明圖。
圖9是覆蓋有保護膜的半導體晶片的放大剖視圖。
圖IO是表示激光光束照射工序的說明圖。
圖11是通過清洗工序除去了保護膜的狀態(tài)下的晶片的放大剖視圖。 標號說明
2:激光加工裝置；18:卡盤工作臺；24:激光光束照射單元；28: 聚光器；30:保護膜覆蓋裝置；48:旋轉工作臺；66:液態(tài)樹脂涂布構 件；68:噴嘴；70:臂；72:電動馬達；74:清洗構件；78:清洗液噴 嘴；76:干燥構件；84:空氣噴嘴；88:液態(tài)樹脂供給通道；92:空氣 供給通道；96:噴射口。
具體實施例方式
以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。圖1表示具備本發(fā)明的 保護膜覆蓋裝置的、能夠對晶片進行激光加工從而分割成一個一個芯片 (器件)的激光加工裝置2的外觀。
在激光加工裝置2的前表面?zhèn)?，設置有用于由操作員輸入加工條件
5等對裝置的指示的操作構件4。在裝置上部設置有CRT (Cathode-Ray Tube:陰極射線管)等的顯示構件6，該顯示構件6顯示針對操作員的引 導畫面、和由下述的攝像構件拍攝到的圖像。
如圖2所示，在作為加工對象的半導體晶片W的表面上，正交地形 成有第一間隔道Sl和第二間隔道S2，在由第一間隔道Sl和第二間隔道 S2劃分而成的區(qū)域中形成有多個器件D。
晶片W粘貼在粘貼帶即切割帶T上，切割帶T的外周緣部粘貼在環(huán) 狀框架F上。由此，晶片W成為隔著切割帶T支撐在環(huán)狀框架F上的狀 態(tài)，在圖1所示的晶片盒8中收納有多塊(例如25塊)晶片。晶片盒8 載置于可上下活動的盒升降機9上。
在晶片盒8的后方配設有搬出搬入構件10，該搬出搬入構件10將 激光加工前的晶片W從晶片盒8搬出，并且將加工后的晶片搬入到晶片 盒8中。
在晶片盒8和搬出搬入構件10之間，設置有臨時放置區(qū)域12，臨 時放置區(qū)域12是臨時載置作為搬出搬入對象的晶片的區(qū)域，在臨時放置 區(qū)域12中配設有使晶片W與固定的位置對準的對位構件14。
30是本發(fā)明實施方式涉及的保護膜覆蓋裝置，該保護膜覆蓋裝置30 兼用作清洗加工后的晶片的清洗裝置。在臨時放置區(qū)域12的附近配設有 具有回轉臂的搬送構件16,該回轉臂吸附與晶片W成為一體的框架F并 進行搬送。
搬出到臨時放置區(qū)域12的晶片W被搬送構件16吸附并搬送到保護 膜覆蓋裝置30上。在保護膜覆蓋裝置30中，如下面詳細說明的那樣， 將保護膜覆蓋在晶片W的加工面上。
加工面上覆蓋有保護膜的晶片W由搬送構件16吸附并搬送至卡盤 工作臺18上，所述晶片W被吸引到卡盤工作臺18上，并且由多個固定 構件(夾緊器)19固定框架F，由此，所述晶片W被保持在卡盤工作臺 18上。
卡盤工作臺18構成為可旋轉并可在X軸方向上往復運動,在卡盤工 作臺18的X軸方向的移動路徑的上方，配設有檢測晶片W的應進行激光加工的間隔道的校準構件20。
校準構件20具有對晶片W的表面進行攝像的攝像構件22，校準構 件20根據通過攝像獲取的圖像，通過圖案匹配等圖像處理，能檢測出應 進行激光加工的間隔道。由攝像構件22獲取的圖像顯示在顯示構件6上。
在校準構件20的左側，配設有激光光束照射單元24，該激光光束 照射單元24向保持在卡盤工作臺18上的晶片W照射激光光束。在激光 光束照射單元24的殼體26中，收納有下面要詳細說明的激光光束振蕩 構件等，在殼體26的前端，安裝有使激光光束會聚在應加工的晶片上的 聚光器28。
如圖3的方框圖所示，在激光光束照射單元24的殼體26內，配設 有激光光束振蕩構件34和激光光束調制構件36。
作為激光光束振蕩構件34，可以采用YAG激光振蕩器或者YV04 激光振蕩器。激光光束調制構件36包括重復頻率設定構件38、激光光束 脈沖寬度設定構件40和激光光束波長設定構件42。
構成激光光束調制構件36的重復頻率設定構件38、激光光束脈沖 寬度設定構件40和激光光束波長設定構件42都為公知的形態(tài)，本說明 書中省略它們的詳細說明。
關于通過激光光束照射單元24完成了激光加工的晶片W，在使卡盤 工作臺18在X軸方向上移動后，由可在Y軸方向上移動的搬送構件32 把持、并搬送至兼用作清洗裝置的保護膜覆蓋裝置30。在保護膜覆蓋裝 置30中，通過一邊從清洗噴嘴噴水一邊使晶片W低速旋轉(例如300rpm) 來清洗晶片。
清洗后， 一邊使晶片W高速旋轉(例如3000rpm)， 一邊從空氣噴 嘴噴射空氣使晶片W干燥，然后用搬送構件16吸附晶片W返回到臨時 放置區(qū)域12，并且再通過搬出搬入構件10使晶片W返回到晶片盒8中 原來的收納場所。
接著，參照圖4至圖8，詳細說明本發(fā)明實施方式涉及的保護膜覆 蓋裝置30。首先參照圖4，該圖4表示保護膜覆蓋裝置30的局部剖開立 體圖。
7保護膜覆蓋裝置30包括旋轉工作臺機構44、和以包圍旋轉工作臺 機構44的方式配設的清洗液接收機構46。旋轉工作臺機構44具有旋 轉工作臺48、驅動旋轉工作臺48旋轉的電動馬達50、以及將電動馬達 50支撐成可在上下方向上移動的支撐機構52。
旋轉工作臺48具有由多孔性材料形成的吸附卡盤48a，吸附卡盤48a 與未圖示的吸引構件連通。因此，關于旋轉工作臺48，其通過在吸附卡 盤48a上載置晶片，并利用未圖示的吸引構件產生負壓，將晶片吸引保 持在吸附卡盤48a上。
旋轉工作臺48與電動馬達50的輸出軸50a連接。支撐機構52具有 多個(本實施方式中為三個)支撐腳54;和分別與支撐腳54連接、且安 裝在電動馬達50上的多個(本實施方式中為三個)空氣缸56。
這樣構成的支撐機構52,通過使空氣缸56動作，能夠將電動馬達 50以及旋轉工作臺48定位在晶片搬入搬出位置和作業(yè)位置，所述晶片搬 入搬出位置為圖5中示出的上升位置，所述作業(yè)位置為圖6中示出的加 工位置。
清洗液接收機構46具有清洗液接收容器58;支撐清洗液接收容 器58的三個(圖4中僅示出兩個)支撐腳60;以及安裝在電動馬達50 的輸出軸50a上的罩部件62。
如圖5和圖6所示，清洗液接收容器58由圓筒狀的外側壁58a、底 壁58b和內側壁58c構成。在底壁58b的中央部設置有孔51，電動馬達 50的輸出軸50a插入在該孔51中，內側壁58c以從該孔51的周邊向上 方凸出的方式形成。
此外，如圖4所示，在底壁58b上設置有廢液口 59，該廢液口 59 與排水管64連接。罩部件62形成為圓盤狀，其具有從其外周邊向下方 凸出的罩部62a。
當電動馬達50和旋轉工作臺48定位在圖6示出的作業(yè)位置時，這 樣構成的罩部件62定位成罩部62a在構成清洗液接收容器58的內側 壁58c的外側帶有間隙地與內側壁58c重合。
保護膜覆蓋裝置30具備涂布構件66，該涂布構件66在保持于旋轉
8工作臺48上的加工前的半導體晶片上涂布液態(tài)樹脂。涂布構件66包括: 噴霧噴嘴，其向保持于旋轉工作臺48上的加工前的晶片的加工面，呈霧 狀地噴射液態(tài)樹脂；大致L形狀的臂70，其支撐噴霧噴嘴；以及可正轉 且可反轉的電動馬達72，其使支撐在臂70上的噴霧噴嘴68至少在從晶 片的旋轉中心部至外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。噴霧噴嘴68經 臂70與未圖示的液態(tài)樹脂供給源連接。
保護膜覆蓋裝置30兼用作清洗激光加工后的晶片的清洗裝置。因 此，保護膜覆蓋裝置30具備用于對保持在旋轉工作臺48上的加工后 的晶片進行清洗的清洗液供給構件74和空氣供給構件76。
清洗液供給構件74包括清洗液噴嘴78，其向保持在旋轉工作臺 48上的加工后的晶片噴出清洗液；臂80，其支撐清洗液噴嘴78;以及可 正轉且可反轉的電動馬達82，其使支撐在臂80上的清洗液噴嘴78擺動。 清洗液噴嘴78經臂80與未圖示的清洗液供給源連接。
空氣供給構件76包括空氣噴嘴84，其向保持在旋轉工作臺48上 的清洗后的晶片噴出空氣；臂86，其支撐空氣噴嘴84;以及可正轉且可 反轉的電動馬達(未圖示)，其使支撐在臂86上的空氣噴嘴84擺動?？?氣噴嘴84經臂86與未圖示的空氣供給源連接。
如圖7所示，噴霧噴嘴68和臂70—體地形成。噴霧噴嘴68包括 液態(tài)樹脂供給通道88，其與例如0.2，3液態(tài)樹脂供給源90連接；空氣 供給通道92，其與例如0.4MPa空氣供給源94連接；和噴射口 96，其將 液態(tài)樹脂供給通道88和空氣供給通道92合并而噴射出霧狀的液態(tài)樹脂。
下面，對這樣構成的保護膜覆蓋裝置30的作用進行說明。通過晶片 搬送構件16的回轉動作，將加工前的半導體晶片搬送至保護膜覆蓋裝置 30的旋轉工作臺48上，并通過吸附卡盤48a進行吸引保持。
此時，旋轉工作臺48定位于圖5所示的晶片搬入搬出位置，噴霧噴 嘴68、清洗液噴嘴78、以及空氣噴嘴84如圖4和圖5所示，定位于從 旋轉工作臺48的上方離開的待機位置。
當加工前的晶片保持在保護膜覆蓋裝置30的旋轉工作臺48上之后， 執(zhí)行向晶片W的加工面即表面呈霧狀噴射液態(tài)樹脂以覆蓋保護膜的保護膜覆蓋工序。
在實施保護膜覆蓋工序時，首先，如圖6和圖8所示將旋轉工作臺
48定位于作業(yè)位置，并使旋轉工作臺48以10 100rpm (優(yōu)選為30 50rpm)的速度向箭頭A方向旋轉，同時使噴霧噴嘴68定位于晶片W的 外周部，并噴射霧狀的液態(tài)樹脂，大約用40秒到達晶片W的中心部的 近前(例如晶片半徑的大約4/5處)，然后從晶片的中心部開始噴射霧狀 的液態(tài)樹脂，大約用40秒回到晶片W的外周部，通過如箭頭B所示那 樣使噴霧噴嘴68往返一次，就在晶片的加工面上覆蓋了保護膜。此外， 由于當使噴霧噴嘴68移動至中心部時，會使中心部的膜厚變厚，所以在 中心部的近前就使噴霧噴嘴68返回。
根據本實施方式的液態(tài)樹脂的噴霧涂布方法，在直徑300mm的晶片 的加工面上覆蓋10,厚的保護膜所需要的液態(tài)樹脂的量約為5 6mL。 相比之下，利用以往的旋涂涂布方法，需要液態(tài)樹脂的量為40 50mL， 利用本發(fā)明的液態(tài)樹脂的噴霧涂布方法，液態(tài)樹脂的使用量顯著減少為 以往的量的10% 15°/。，無疑顯著地提高了經濟性。
也可代替在噴射液態(tài)樹脂的同時使噴霧噴嘴68如箭頭B所示往返一 次的方法，而采用從晶片W的外周部利用大約80秒到達晶片的中心部 從而完成液態(tài)樹脂的噴霧噴射的方法?；蛘撸€可以利用大約80秒使噴 霧噴嘴68從晶片的外周部通過中心擺動至另一外周部。此外，該情況下 優(yōu)選使噴霧噴嘴68以比較快的速度通過晶片的中心部。
利用噴霧噴嘴68在晶片的加工面上涂布的液態(tài)樹脂隨時間經過而 硬化，從而如圖9所示，在半導體晶片W的表面上形成了保護膜98。保 護膜98的厚度優(yōu)選為大約0.5 10j^m。
作為形成保護膜98的液態(tài)樹脂，優(yōu)選為PVA (聚乙烯醇)、PEG (聚 乙二醇)、PEO (聚氧化乙烯)等水溶性的保護層。
通過保護膜覆蓋工序在半導體晶片W的表面上覆蓋了保護膜98之 后，將旋轉工作臺48定位于圖5所示的晶片搬入搬出位置，并且解除保 持在旋轉工作臺48上的晶片的吸引保持。
然后，旋轉工作臺48上的晶片W由晶片搬送構件16搬送至卡盤工
10作臺18上，并由卡盤工作臺18吸引保持。接著，卡盤工作臺18在X軸 方向上移動，晶片W被定位在攝像構件22的正下方。
用攝像構件22對晶片W的加工區(qū)域進行攝像，并進行圖案匹配等 圖像處理，完成激光光束照射位置的校準，上述圖案匹配等圖像處理用 于進行照射激光光束的激光光束照射單元24的聚光器28與間隔道S之 間的位置對準。
這樣，檢測出保持在卡盤工作臺18上的晶片W的間隔道Sl或S2， 進行了激光光束照射位置的校準之后，將卡盤工作臺18移動至照射激光 光束的聚光器28所在的激光光束照射區(qū)域，沿著晶片W的間隔道Sl或 S2從聚光器28透過保護膜98照射激光光束。
在激光光束照射工序中，如圖10所示，從照射激光光束的激光光束 照射單元24的聚光器28，自晶片W的加工面即表面?zhèn)韧高^保護膜98向 預定的間隔道S照射脈沖激光光束，同時使卡盤工作臺18在X軸方向上 以預定的進給速度(例如100mm/秒)移動。
此外，激光加工條件例如如下。
光源YAG激光
波長355nm (YAG激光的第三諧波) 輸出3.0W 重復頻率20kHz 聚光點直徑l.Opm 進給速度100mm/秒
通過實施激光光束照射工序，晶片W沿間隔道S被分割。此時，如 圖10所示，即使由于激光光束的照射而產生碎屑100，該碎屑100也被 保護膜98隔斷而不會附著在器件D的電子電路和焊接區(qū)等上。
這樣，在使半導體晶片W分割成一個一個的器件D之后，卡盤工作 臺18回到最初吸引保持晶片W的位置上，在這里解除對晶片W的吸引 保持。然后，晶片W由搬送構件32搬送至保護膜形成裝置30的旋轉工 作臺48上，由吸附卡盤48a吸引保持。
此時，如圖4和圖5所示，噴霧噴嘴68、清洗液噴嘴78以及空氣噴嘴84定位在從旋轉工作臺48的上方離開的待機位置上。
另外，從實質上和噴霧噴嘴68結構相同的、與純水源和空氣源連接 的清洗液噴嘴78噴射由純水和空氣構成的清洗液，同時使晶片W低速 旋轉(例如300rpm)，由此來清洗晶片W。
此時，清洗液噴嘴78與圖8所示的噴霧噴嘴68—樣，在從晶片的 外周部至旋轉中心部的區(qū)域內在水平方向上擺動，并同時噴射清洗液。 此外，清洗液噴嘴78到晶片的中心部為止對整個表面進行清洗。
其結果為，由于覆蓋在晶片W的表面上的保護膜98是由水溶性的 樹脂形成的，所以如圖11所示能夠將保護膜98容易地沖洗掉，并且也 可以將激光加工時產生的碎屑100除去。
完成清洗工序后，進行干燥工序。即，將清洗液噴嘴78定位于待機 位置，并且使空氣噴嘴84的噴射口定位于保持在旋轉工作臺48上的晶 片W的外周部上方。
然后，使旋轉工作臺48以例如3000rpm的速度旋轉，同時從空氣噴 嘴84向保持在旋轉工作臺48上的晶片W噴出空氣。此時，從空氣噴嘴 84噴出的空氣在擺動范圍內擺動，所述擺動范圍是從與保持在旋轉工作 臺48上的晶片W的外周部相當的位置到與中心部相當的位置為止的范 圍。
干燥晶片W之后，由搬送構件16吸附晶片W并返回臨時放置區(qū)域 12，然后通過搬出搬入構件10使晶片W回到晶片盒8的原來的收納場 所中。
權利要求
1.一種保護膜覆蓋裝置，其用于在晶片的表面覆蓋保護膜，其特征在于，上述保護膜覆蓋裝置包括旋轉工作臺，其吸引保持晶片并進行旋轉；和涂布構件，其在吸引保持于上述旋轉工作臺的晶片上涂布液態(tài)樹脂，上述涂布構件包括噴霧構件，其呈霧狀地噴射液態(tài)樹脂；臂，其支撐上述噴霧構件；和第一擺動構件，其使支撐在上述臂上的噴霧構件至少在從晶片的旋轉中心部至外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。
2. 根據權利要求1所述的保護膜覆蓋裝置，其特征在于， 上述噴霧構件包括液態(tài)樹脂供給通道、空氣供給通道、以及將上述液態(tài)樹脂供給通道與上述空氣供給通道合并的噴射口 ，該噴射口噴射 出霧狀的液態(tài)樹脂。
3. 根據權利要求1或2所述的保護膜覆蓋裝置，其特征在于， 上述保護膜覆蓋裝置還包括清洗構件，上述清洗構件具有清洗液噴嘴，其噴射清洗液；第二臂，其支撐上述清洗液噴嘴；以及第二擺動 構件，其使支撐在上述第二臂上的上述清洗液噴嘴至少在從晶片的旋轉 中心部至外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。
4. 根據權利要求3所述的保護膜覆蓋裝置，其特征在于， 上述保護膜覆蓋裝置還包括干燥構件，上述干燥構件具有空氣噴嘴，其噴射空氣；第三臂，其支撐上述空氣噴嘴；以及第三擺動構件， 其使支撐在上述第三臂上的上述空氣噴嘴至少在從晶片的旋轉中心部至 外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。
5. —種激光加工裝置，其包括卡盤工作臺，其保持晶片；和激光 光束照射構件，其對保持于上述卡盤工作臺的晶片的加工面照射激光光 束以實施加工，其特征在于，上述激光加工裝置還包括在激光加工前的晶片的加工面上覆蓋保護 膜的、權利要求1至4中的任一項所述的保護膜覆蓋裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種保護膜覆蓋裝置和激光加工裝置，即使在晶片的加工面存在階梯差、或配設有電極等金屬凸起，上述保護膜覆蓋裝置也能可靠且經濟地覆蓋保護膜。該保護膜覆蓋裝置用于在晶片的表面覆蓋保護膜，其特征在于，上述保護膜覆蓋裝置包括旋轉工作臺，其吸引保持晶片并進行旋轉；和涂布構件，其在吸引保持于上述旋轉工作臺的晶片上涂布液態(tài)樹脂，上述涂布構件包括噴霧構件，其呈霧狀地噴射液態(tài)樹脂；臂，其支撐上述噴霧構件；和擺動構件，其使支撐在上述臂上的噴霧構件至少在從晶片的旋轉中心部至外周部的區(qū)域內，在水平方向上擺動。
文檔編號B05C5/02GK101623685SQ200810213150
公開日2010年1月13日 申請日期2008年9月18日 優(yōu)先權日2008年7月7日
發(fā)明者北原信康, 稻岡達也, 遠藤智章 申請人:株式會社迪思科