具有該取代基的結(jié)構(gòu)的[Ir(mpq)2(acac)]的發(fā)射波長(zhǎng)長(zhǎng)50nm左右。
[0218] 因此，其結(jié)果示出本發(fā)明的一個(gè)方式的[Ir(mdiBUpq)2(aCac)]為發(fā)射近紅外光 (發(fā)射波長(zhǎng)：700nm附近）的新的有機(jī)金屬銥配合物。 實(shí)施例4
[0219] 在本實(shí)施例中，制造了在發(fā)光層中使用本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬銥配合物 [Ir(dmdpq)2(dpm)](結(jié)構(gòu)式（100))的發(fā)光元件1、在發(fā)光層中使用本發(fā)明的一個(gè)方式的有 機(jī)金屬銥配合物[Ir(mdmpq)2(acac)](結(jié)構(gòu)式（114))的發(fā)光元件2以及在使用發(fā)光層中使 用本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬銥配合物[Ir(mdiBupq)2(acac)](結(jié)構(gòu)式（118))的發(fā)光 元件3,并且測(cè)定各發(fā)光元件的發(fā)射光譜。另外，在圖17中說(shuō)明發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以 及發(fā)光元件3的制造。下面示出在本實(shí)施例中使用的材料的化學(xué)式。
[0220]
[0221 ]《發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以及發(fā)光元件3的制造》 首先，在玻璃襯底1100上通過(guò)濺射法將包含氧化硅的銦錫氧化物（ITS0)沉積，由此形 成用作陽(yáng)極的第一電極1101。第一電極1101的厚度為ll〇nm。電極面積為2mmX2mm〇
[0222] 接著，作為用來(lái)在襯底1100上形成發(fā)光元件1至3的預(yù)處理，對(duì)襯底表面進(jìn)行洗 滌，以200°C進(jìn)行焙燒1小時(shí)，并進(jìn)行UV臭氧處理370秒鐘。
[0223] 然后，將襯底1100放入到其壓力減少到10 4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并在真空 蒸鍍裝置的加熱室中，以170°C進(jìn)行真空焙燒30分鐘，然后冷卻襯底110030分鐘左右。
[0224] 接著，以使形成有第一電極1101的表面朝下的方式將襯底1100固定到設(shè)置于真 空蒸鍍裝置中的支架。在本實(shí)施例中，說(shuō)明通過(guò)真空蒸鍍法依次形成包括在EL層1102中 的空穴注入層1111、空穴傳輸層1112、發(fā)光層1113、電子傳輸層1114及電子注入層1115的 情況。
[0225] 在將真空蒸鍍裝置中的壓力減少到10 4Pa之后，以1，3, 5-三（二苯并噻吩-4-基） 苯（簡(jiǎn)稱：DBT3P-II):氧化鉬（VI)的質(zhì)量比為4 :2的方式通過(guò)共蒸鍍將DBT3P-II(簡(jiǎn)稱） 和氧化鉬沉積，從而在第一電極1101上形成空穴注入層1111?？昭ㄗ⑷雽?111的厚度為 20nm。注意，共蒸鍍是指使多個(gè)不同的物質(zhì)從分別的蒸發(fā)源同時(shí)蒸發(fā)的蒸鍍法。
[0226] 接著，以厚度為20nm的方式將4-苯基-4' -(9-苯基芴-9-基）三苯胺（簡(jiǎn)稱： BPAFLP)沉積，由此形成空穴傳輸層1112。
[0227] 接著，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在是發(fā)光元件1的情況下，以 2-[3'_(二苯并噻吩-4-基）聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（簡(jiǎn)稱：2mDBTBPDBq-II): Ν-(1，Γ_聯(lián)苯-4-基）-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]_9,9_二甲基-9H-芴-2-胺 (簡(jiǎn)稱：PCBBiF):雙{4,6_二甲基-2-[3-(3,5-二甲基苯基）-2-喹喔啉基-κΝ]苯基-kC} (2,2'，6,6'-四甲基-3,5-庚二酮-1〇2〇,〇'）銥（111)(簡(jiǎn)稱 ：[&((1111(^)2((1?111)])的質(zhì) 量比為 0· 8 :0· 2 :0· 05 的方式通過(guò)共蒸鍍將 2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir(dmdpq)2(dpm)] 沉積。發(fā)光元件1中的發(fā)光層1113的厚度為40nm。
[0228] 在是發(fā)光元件2的情況下，以2mDBTBPDBq_II:PCBBiF:雙{4,6_二甲 基-2-[3_甲基-2-喹喔啉基-κΝ]苯基-kC}(2,4_戊二酮-κ2〇, 〇'）銥（III)(簡(jiǎn)稱： [Ir(mdmpq)2(acac)])的質(zhì)量比為 0.8 :0.2 :0.05 的方式通過(guò)共蒸鍍將 2mDBTBPDBq_II、 PCBBiF和[Ir(mdmpq)2(acac)]沉積。發(fā)光元件2中的發(fā)光層1113的厚度設(shè)定為40nm。
[0229] 在是發(fā)光元件3的情況下，以2111〇8了8?089-11屮088丨？：雙[4,6-雙（2-甲基丙 基）-2-(3-甲基-2-喹喔啉基-10沁苯基-10(：](2,4-戊二酮-1〇 2〇,〇'）銥（111)(簡(jiǎn)稱： [Ir(mdiBupq)2(acac)])的質(zhì)量比為 0· 8 :0· 2 :0· 05 的方式通過(guò)共蒸鍍將 2mDBTBPDBq_II、 PCBBiF和[Ir(mdiBupq)2(acac)]沉積。發(fā)光元件3中的發(fā)光層1113的厚度為40nm。
[0230] 接著，通過(guò)在發(fā)光層1113上以厚度為20nm的方式蒸鍍而沉積2mDBTBPDBq-II，然 后以厚度為l〇nm的方式蒸鍍而沉積紅菲繞啉（簡(jiǎn)稱：Bphen)，由此形成電子傳輸層1114。 而且，在電子傳輸層1114上以厚度為lnm的方式蒸鍍而沉積氟化鋰來(lái)形成電子注入層 1115〇
[0231] 最后，在電子注入層1115上以厚度為200nm的方式蒸鍍而沉積鋁，從而形成用作 陰極的第二電極1103。通過(guò)上述步驟制造發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以及發(fā)光元件3。注意， 在上述蒸鍍步驟中，利用電阻加熱法進(jìn)行蒸鍍。
[0232] 表3示出在上述方式中制造的發(fā)光元件1至3的元件結(jié)構(gòu)。
[0233] [表 1]
[0234] 此外，在含有氮?dú)夥盏氖痔紫渲忻芊馑圃斓陌l(fā)光元件1至3以不使其不暴露于 大氣（具體而言，將密封材料涂敷于元件的外周部分，并且在密封時(shí)首先進(jìn)行UV處理，然后 以80°C進(jìn)行加熱處理1小時(shí)）。
[0235] 《發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以及發(fā)光元件3的發(fā)光特性》 測(cè)定所制造的發(fā)光元件1、發(fā)光元件2以及發(fā)光元件3的發(fā)光特性。
[0236] 圖18示出在以25mA/cm2的電流密度對(duì)發(fā)光元件1至3施加電流時(shí)得到的發(fā)光元 件1至3的發(fā)射光譜。如圖18所示，發(fā)光元件1的發(fā)射光譜在722nm附近具有峰值，這表 示該峰值來(lái)源于有機(jī)金屬銥配合物[Ir(dmdpq)2(dpm)]的發(fā)光。發(fā)光元件2的發(fā)射光譜 在708nm附近具有峰值，這表示該峰值來(lái)源于有機(jī)金屬銥配合物[Ir(mdmpq) 2 (acac)]的發(fā) 光。發(fā)光元件3的發(fā)射光譜在702nm附近具有峰值，這表示該峰值來(lái)源于有機(jī)金屬銥配合 物[Ir(mdiBupq)2(acac)]的發(fā)光。
[0237] 因此確定：在所有發(fā)光元件中得到來(lái)自發(fā)射近紅外光（發(fā)射波長(zhǎng)：700nm)的有機(jī) 金屬銥配合物的發(fā)光。換言之，將本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬銥配合物用于發(fā)光元件使 得發(fā)光元件具有高發(fā)光效率及長(zhǎng)使用壽命且發(fā)射近紅外光（發(fā)射波長(zhǎng)：700nm附近）。
[0238] (比較例） 在本比較例中，觀測(cè)：鍵合于不是喹喔啉骨架的骨架且鍵合于銥的苯基具有兩個(gè)取代 基，該取代基為碳原子數(shù)為1至6的烷基、苯基和具有碳原子數(shù)為1至6的烷基作為取代基 的苯基中的任一個(gè)，且該兩個(gè)取代基鍵合于與銥鍵合的苯基的4位和6位的結(jié)構(gòu)是否有效 于使具有該結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬銥配合物的發(fā)射波長(zhǎng)（峰值波長(zhǎng)）比不具有這種取代基的有機(jī) 金屬銥配合物的發(fā)射波長(zhǎng)長(zhǎng)。
[0239] 具體而言，測(cè)定如下兩種有機(jī)金屬銥配合物的發(fā)射光譜：具有鍵合于嘧啶骨架 且鍵合于銥的苯基在4位和6位處具有兩個(gè)取代基（甲基）的結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬銥配合物 [Ir(tBudmppm)2(acac)]以及具有鍵合于啼啶骨架且鍵合于銥的苯基不具有這種取代基的 結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬銥配合物[Ir(tBuppm)2(acac)]。下面，示出所測(cè)定的兩種有機(jī)金屬銥配合 物的結(jié)構(gòu)式。
[0240]
[0241] 如上述方法中那樣利用熒光分光光度計(jì)并使用脫氣的二氯甲烷溶液測(cè)定發(fā)射光 譜。圖19示出測(cè)定結(jié)果。該測(cè)定結(jié)果確定：具有鍵合于嘧啶骨架且鍵合于銥的苯基在4位 和6位處具有兩個(gè)取代基（甲基）的結(jié)構(gòu)的[Ir(tBudmppm)2(aCaC)]的發(fā)射波長(zhǎng)比具有鍵 合于啼啶骨架且鍵合于銥的苯基不具有這種取代基的結(jié)構(gòu)的[Ir(tBuppm)2(acac)]的發(fā)射 波長(zhǎng)稍微長(zhǎng)。
[0242] 因此，通過(guò)使具有喹喔啉骨架的本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬銥配合物具有鍵合 于喹喔啉骨架且鍵合于銥的苯基在4位和6位處具有兩個(gè)取代基的結(jié)構(gòu)，該有機(jī)金屬銥 配合物的發(fā)射波長(zhǎng)可以位于長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)。另外，由此能夠提供發(fā)射近紅外光（發(fā)射波長(zhǎng)： 700nm附近）的新的有機(jī)金屬銥配合物。 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0243] 101 :第一電極；102 :EL層；103 :第二電極；111 :空穴注入層；112 :空穴傳輸層； 113 :發(fā)光層；114 :電子傳輸層；115 :電子注入層；116 :電荷產(chǎn)生層；201 :陽(yáng)極；202 :陰極； 203 :EL層；204 :發(fā)光層；205 :磷光化合物；206 :第一有機(jī)化合物；207 :第二有機(jī)化合物； 301 :第一電極；302(1):第一EL層；302(2):第二EL層；302(n-l):第（n-l)EL層；302(n): 第（n)EL層；304 :第二電極；305 :電荷產(chǎn)生層⑴；305(1):第一電荷產(chǎn)生層⑴；305⑵： 第二電荷產(chǎn)生層（I) ;305(n-2):第（n-2)電荷產(chǎn)生層（I) ;305(n-l):第（n-1)電荷產(chǎn)生 層（I) ;401 :元件襯底；402 :像素部；403 :驅(qū)動(dòng)電路部（源極線驅(qū)動(dòng)電路）；404a、404b:驅(qū) 動(dòng)電路部（柵極線驅(qū)動(dòng)電路）；405 :密封劑；406 :密封襯底；407 :布線；408 :柔性印刷電路 (FPC) ;409:n溝道型FET;410:p溝道型FET;411 :開(kāi)關(guān)用FET;412 :電流控制用FET;413 : 第一電極（陽(yáng)極）；414 :絕緣物；415 :EL層；416 :第二電極（陰極）；417 :發(fā)光元件；418 : 空間；1100 :襯底；1101 :第一電極；1102 :EL層；1103 :第二電極；1111 :空穴注入層；1112 : 空穴傳輸層；1113 :發(fā)光層；1114 :電子傳輸層；1115 :電子注入層；8001 :照明裝置；8002 : 照明裝置；8003 :照明裝置；8004 :照明裝置 本申請(qǐng)基于2013年6月14日提交到日本專利局的日本專利申請(qǐng)No. 2013-125429,通 過(guò)引用將其完整內(nèi)容并入在此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種以通式（G1)表不的化合物： 其中：L表示單陰離子配體， R1及R2獨(dú)立地表示甲基、乙基、異丁基或者新戊基，且 R3表示甲基、乙基、異丁基、3, 5-二甲基苯基、2-甲基苯基、2, 6-二甲基苯基、或者 3, 5-二乙基苯基。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述單陰離子配體為具有β -二酮結(jié)構(gòu)的單陰 離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合 配體和兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體中的任一個(gè)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物， 其中： 所述單陰離子配體為以通式（L1)至（L7)中的任一個(gè)表示的配體：R71至R111獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、乙烯基、取代 或未取代的碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷氧基、或 者取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷硫基， A1至A 3獨(dú)立地表示氮、與氫鍵合的sp 2雜化碳或者具有取代基的sp 2雜化碳，并且 所述取代基表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、或者 苯基。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物， 其中： 所述化合物以通式（G2)表示：并且R4及R5獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、乙烯基、 取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷氧 基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷硫基。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述化合物以通式（100)、（114)和（118)中的 任一個(gè)表不：6. -種發(fā)光裝置，包括： 一對(duì)電極之間的層，所述層包括以通式（G1)表示的化合物：其中： L表示單陰離子配體， R1及R2獨(dú)立地表示甲基、乙基、異丁基或者新戊基，且 R3表示甲基、乙基、異丁基、3, 5-二甲基苯基、2-甲基苯基、2, 6-二甲基苯基、或者 3, 5-二乙基苯基。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中所述單陰離子配體為具有β -二酮結(jié)構(gòu)的單 陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯 合配體和兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體中的任一個(gè)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置， 其中： 所述單陰離子配體為以通式（L1)至（L7)中的任一個(gè)表示的配體：R71至R111獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、乙烯基、取代 或未取代的碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷氧基、或 者取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷硫基， A1至A 3獨(dú)立地表示氮、與氫鍵合的sp 2雜化碳或者具有取代基的sp 2雜化碳，并且 所述取代基表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、或者 苯基。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置， 其中： 所述化合物以通式（G2)表示：并且R4及R5獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、乙烯基、 取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷氧 基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷硫基。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中所述化合物以通式（100)、（114)和（118)中 的任一個(gè)表不：11. 一種照明裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有高發(fā)光效率及長(zhǎng)使用壽命長(zhǎng)且發(fā)射深紅色光(發(fā)射波長(zhǎng)：700nm附近)的有機(jī)金屬銥配合物。該有機(jī)金屬銥配合物具有以通式(G0)表示并至少具有二甲基苯基和喹喔啉骨架的配體的有機(jī)金屬銥配合物。在通式中，R1至R3分別表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、苯基或者具有碳原子數(shù)為1至6的烷基作為取代基的苯基。
【IPC分類】C07F15/00, H01L51/50, C07D241/42
【公開(kāi)號(hào)】CN105283461
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480033694
【發(fā)明人】井上英子, 山口知也, 瀨尾廣美, 高橋辰義, 瀨尾哲史
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
【公開(kāi)日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2014年5月23日
【公告號(hào)】US20140367662, WO2014199842A1