a2'）、（a3)、（a3'）、（a3"）及 (a3"'）能夠在市場上銷售或者能夠合成，所以可以合成多種以通式（GO)表示的喹喔啉衍 生物。因此，本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物的特征是豐富的配體種類。
[0067]《以通式（G1)表示的本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物的合成方法》 接下來，說明使用以通式（G0)表示的喹喔啉衍生物形成的以通式（G1)表示的本發(fā)明 的一個方式的有機金屬銥配合物的合成方法。
[0068] 在通式（G1)中，R1至R3分別表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、苯基或者具有碳原子 數(shù)為1至6的烷基作為取代基的苯基。另外，L表示單陰離子配體。
[0069] 下面，示出以通式（G1)表示的有機金屬銥配合物的合成方案（B)。
[0070]
[0071] 在合成方案（B)中，R1至R3分別表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、苯基或者具有碳 原子數(shù)為1至6的烷基作為取代基的苯基。另外，Y表示鹵素。
[0072] 如上述合成方案（B)所示，通過在使用無溶劑、單獨使用醇類溶劑（例如，甘油、乙 二醇、2-甲氧基乙醇、或2-乙氧基乙醇）或者使用水和一種以上醇類溶劑的混合溶劑的惰 性氣體氣氛中對以通式（G0)表示的喹喔啉衍生物和包含鹵素的銥化合物（例如，氯化銥、 溴化銥、碘化銥）進行加熱，可以得到雙核配合物（P)，該雙核配合物（P)是具有鹵素橋接的 結(jié)構(gòu)的有機金屬銥配合物的一種。
[0073] 對加熱裝置沒有特別的限制，可以使用油浴、沙浴或鋁塊。此外，還可以使用微波 作為加熱裝置。
[0074] 再者，如下述合成方案（C)所示，在惰性氣體氣氛中將通過上述合成方案（B)得到 的雙核配合物（P)與配體HL起反應，以使配體HL的質(zhì)子脫離而單陰離子配體L配位到中 心金屬銥。由此，可以獲得以通式（G1)表不的本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物。
[0075]
[0076] 在合成方案（C)中，R1至R3分別表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、苯基或者具有碳 原子數(shù)為1至6的烷基作為取代基的苯基。另外，L表示單陰離子配體。
[0077] 對加熱裝置沒有特別的限制，可以使用油浴、沙浴或鋁塊。此外，還可以使用微波 作為加熱裝置。
[0078] 雖然上面說明本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物的合成方法的例子，但是本 發(fā)明的一個方式不局限于此，也可以采用其他任何合成方法。
[0079] 因為本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物能夠發(fā)射磷光，所以可以將其用作發(fā) 光材料或發(fā)光元件的發(fā)光物質(zhì)。
[0080] 通過使用本發(fā)明的一個方式的有機金屬銥配合物，可以得到一種高發(fā)光效率的發(fā) 光元件、發(fā)光裝置或照明裝置。本發(fā)明的一個方式也可以得到一種低耗電量的發(fā)光元件、發(fā) 光裝置或照明裝置。
[0081] 注意，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實施方式所示的結(jié)構(gòu)中的任一個適當?shù)?組合。
[0082] 實施方式2 在本實施方式中，參照圖1說明將在實施方式1中作為本發(fā)明的一個方式示出的有機 金屬銥配合物用于發(fā)光層的發(fā)光元件。
[0083] 在本實施方式所示的發(fā)光元件中，如圖1所示，在一對電極（第一電極（陽極）101 與第二電極（陰極）103)之間夾有包括發(fā)光層113的EL層102，EL層102除了發(fā)光層113 之外，還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層114、電子注入層115、電荷產(chǎn)生 層（E) 116 等。
[0084] 通過對這種發(fā)光元件施加電壓，從第一電極101 -側(cè)注入的空穴和從第二電極 103 -側(cè)注入的電子在發(fā)光層113中重新結(jié)合以使有機金屬銥配合物成為激發(fā)態(tài)。然后，當 處于激發(fā)態(tài)的有機金屬銥配合物回到基態(tài)時發(fā)光。如此，將本發(fā)明的一個方式的有機金屬 銥配合物用作發(fā)光元件中的發(fā)光物質(zhì)。
[0085] 包括在EL層102中的空穴注入層111包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)和受主物質(zhì)。 當由于受主物質(zhì)從具有高空穴傳輸性的物質(zhì)抽出電子時，產(chǎn)生空穴。因此，空穴從空穴注入 層111經(jīng)過空穴傳輸層112注入到發(fā)光層113。
[0086] 電荷產(chǎn)生層（E) 116包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)和受主物質(zhì)。由于受主物質(zhì)從 具有高空穴傳輸性的物質(zhì)抽出電子，并且被抽出的電子從具有電子注入性的電子注入層 115經(jīng)過電子傳輸層114注入到發(fā)光層113。
[0087] 說明制造本實施方式所示的發(fā)光元件的具體例子。
[0088] 作為第一電極（陽極）101及第二電極（陰極）103,可以使用金屬、合金、導電化合 物及它們的混合物等。具體而言，可以使用氧化銦-氧化錫（銦錫氧化物）、包含硅或氧化 硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅（銦鋅氧化物）、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金 (Au)、鉑（Pt)、鎳（Ni)、鎢（W)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、鐵（Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、鈀（Pd)、鈦（Ti)。 另外，還可以使用屬于元素周期表中第1族或第2族的元素，例如堿金屬諸如鋰（Li)或銫 (Cs)等、堿土金屬諸如鈣（Ca)或鍶（Sr)等、鎂（Mg)及包含它們的合金（MgAg、AlLi);稀 土金屬諸如銪（Eu)或鐿（Yb)等及包含它們的合金；以及石墨稀等。第一電極（陽極）101 及第二電極（陰極）103例如可以通過濺射法或蒸鍍法（例如，真空蒸鍍法）等形成。
[0089] 用于空穴注入層111、空穴傳輸層112及電荷產(chǎn)生層（E) 116的具有高空穴傳輸性 的物質(zhì)的例子包括4,4'-雙[N-(l-萘基）-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：NPB或a-NPD)、 Ν，Ν' -雙（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基 _[1，Γ-聯(lián)苯]_4,4' -二胺（簡稱：TPD)、4,4'， 4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（簡稱：TCTA)、4,4'，4"_三（N，N-二苯基氨基）三苯胺 (簡稱：TDATA)、4,4'，4"_三[N-(3-甲基苯基）-N-苯基氨基]三苯胺（簡稱：MTDATA)、4， 4' -雙[N-(螺-9,9' -二芴-2-基）-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：BSPB)等芳香胺化合物； 3-[1(9-苯基咔唑-3-基）4-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：?〇2?041)、3,6-雙[1(9-苯 基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：PCzPCA2)、3-[Ν-(1-萘基）-N-(9-苯 基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：PCzPCNl)等。其他例子包括4,4' -二（N-咔 唑基）聯(lián)苯（簡稱：CBP)、1，3,5-三[4-(N-咔唑基）苯基]苯（簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯 基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA)。這些物質(zhì)主要是具有10 6cm2/Vs以上的空穴 迀移率的物質(zhì)。注意，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用上述物質(zhì)之外 的物質(zhì)。
[0090] 其他例子包括高分子化合物諸如聚（N-乙烯咔唑）（簡稱：PVK)、聚（4-乙烯三苯 基胺）（簡稱：PVTPA)、聚[N- (4- {Ν' - [4- (4-二苯基氨基）苯基]苯基-Ν' -苯基氨基}苯 基）甲基丙烯酰胺](簡稱：PTPDMA)或聚[Ν，Ν' -雙（4- 丁基苯基）-Ν，Ν' -雙（苯基）聯(lián) 苯胺](簡稱：P〇ly_TPD)。
[0091] 用于空穴注入層111及電荷產(chǎn)生層（E) 116的受主物質(zhì)的例子包括屬于元素周期 表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言，氧化鉬是特別優(yōu)選的。
[0092] 發(fā)光層113包含實施方式1所示的有機金屬銥配合物作為用作發(fā)光物質(zhì)的客體材 料，并且包含具有比該有機金屬銥配合物高的三重激發(fā)態(tài)能的物質(zhì)作為主體材料。
[0093] 用來分散上述有機金屬銥配合物中的任一個的物質(zhì)（即，主體材料）的優(yōu)選例子 包括具有芳基胺骨架的化合物諸如2, 3-雙（4-二苯基氨基苯基）喹喔啉（簡稱：TPAQn) 及NPB;咔唑衍生物諸如CBP及4,4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（簡稱：TCTA);以及金 屬配合物諸如雙[2-(2-羥基苯基）吡啶]鋅（簡稱：Znpp2)、雙[2-(2-羥基苯基）苯并噁 唑]鋅（簡稱：Ζη(Β0Χ)2)、雙（2-甲基-8-羥基喹啉）（4-苯基苯酚）鋁（簡稱：BAlq)及 三（8-羥基喹啉）鋁（簡稱：Alq3)。另外，也可以使用高分子化合物諸如PVK。
[0094] 另外，在發(fā)光層113包含上述有機金屬銥配合物（客體材料）和主體材料時，可以 從發(fā)光層113得到具有高發(fā)光效率的磷光。
[0095] 電子傳輸層114是包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層。對于電子傳輸層114,可以 使用金屬配合物諸如Alq3、三（4-甲基-8-羥基喹啉合）鋁（簡稱：Almq3)、雙（10-羥基苯 并[h]_喹啉）鈹（II)(簡稱：BeBq2)、BAlq、Zn(B0X)2或雙[2-(2-羥基苯基）_苯并噻唑] 鋅（II)(簡稱：Zn(BTZ) 2)。此外，也可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁 基苯基）-1，3,4-噁二唑（簡稱：PBD)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基）-1，3,4-噁二唑-2-基] 苯（簡稱：(《0-7)、3-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基）-1，2,4-三唑（簡稱 ：了厶2)、 3-(4-叔丁基苯基）-4-(4-乙基苯基）-5-(4-聯(lián)苯基）-1，2,4-三唑（簡稱：？4?六2)、紅 菲咯啉（簡稱：Bphen)、浴銅靈（簡稱：BCP)、4,4'_雙（5-甲基苯并噁唑-2-基）均二苯乙 烯（簡稱：Bz0s)。另外，還可以使用高分子化合物諸如聚（2,5_吡啶二基）（簡稱：PPy)、聚 [(9,9_ 二己基芴 _2,7_ 二基）-共-(吡啶 _3,5_ 二基）](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9_ 二辛基 芴_2,7_二基）-共_(2,2' -聯(lián)吡啶_6,6' -二基）](簡稱：PF-BPy)。在此所述的物質(zhì)主 要是具有10W/Vs以上的電子迀移率的物質(zhì)。注意，只要是電子傳輸性高于空穴傳輸性 的物質(zhì)，就可以將上述物質(zhì)之外的物質(zhì)用于電子傳輸層114。
[0096] 電子傳輸層114不僅局限于單層，而且還可以采用包含上述物質(zhì)中的任一個的兩 層以上的疊層。
[0097] 電子注入層115包含具有高電子注入性的物質(zhì)。對于電子注入層115,可以使用堿 金屬、堿土金屬或它們的化合物，諸如氟化鋰（LiF)、氟化銫（CsF)、氟化鈣（CaF2)或鋰氧化 物（LiOx)。此外，可以使用氟化鉺（ErF3)等稀土金屬化合物。另外，也可以使用上述的用 于形成電子傳輸層114的物質(zhì)。
[0098] 另外，也可以將有機化合物與電子給體（供體）混合而成的復合材料用于電子注 入層115。這種復合材料的電子注入性及電子傳輸性是優(yōu)異的，因為電子給體使得電子產(chǎn)生 在有機化合物中。在此情況下，有機化合物優(yōu)選是在傳輸所產(chǎn)生的電子方面性能優(yōu)異的材 料。具體而言，例如，可以使用如上所述的用來形成電子傳輸層114的物質(zhì)（例如，金屬配 合物或雜芳族化合物）。作為電子給體，只要使用對有機化合物呈現(xiàn)電子供給性的物質(zhì)即 可。具體而言，優(yōu)選使用堿金屬、堿土金屬及稀土金屬，還可舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另 外，優(yōu)選使用堿金屬氧化物或堿土金屬氧化物，例如可舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物。 此外，可以使用氧化鎂等路易斯堿?；蛘?，也可以使用四硫富瓦烯（簡稱：TTF)等有機化合 物。
[0099] 另外，上述空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114、電子注 入層115和電荷產(chǎn)生層（E) 116都可以通過蒸鍍法（例如，真空蒸鍍法）、噴墨法或涂敷法等 方法形成。
[0100] 在上述發(fā)光元件中，因為施加到第一電極101與第二電極103之間的電位差而電 流流動，并且在EL層102中空穴和電子重新結(jié)合，由此發(fā)光。然后，該發(fā)光穿過第一電極 101和第二電極103中的任一方或雙方取出到外部。因此，第一電極101和第二電極103中 的任一方或雙方為具有透光性的電極。
[0101] 因為如上所述的發(fā)光元件可以從有機金屬銥配合物發(fā)射磷光，所以可以具有比使 用熒光化合物的發(fā)光元件高的效率。
[0102] 注意，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實施方式所示的結(jié)構(gòu)中的任一個適當?shù)?組合。
[0103] 實施方式3 在本實施方式中，作為本發(fā)明的一個方式，說明將有機金屬銥配合物與其他兩種以上 有機化合物用于發(fā)光層的發(fā)光元件。
[0104] 本實施方式所示的發(fā)光元件包括如圖2所示那樣的一對電極（陽極201與陰極 202)之間的EL層203。另外，EL層203至少包括發(fā)光層204,還可以包括空穴注入層、空穴 傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產(chǎn)生層（E)等。此外，對于空穴注入層、空穴傳輸層、 電子傳輸層、電子注入層、電荷產(chǎn)生層（E)，可以使用實施方式2所示的物質(zhì)。
[0105] 本實施方式所示的發(fā)光層204包括使用實施方式1所示的有機金屬銥配合物的磷 光化合物205、第一有機化合物206及第二有機化合物207。另外，磷光化合物205是發(fā)光層 204中的客體材料。將第一有機化合物206和第二有機化合物207中的包含在發(fā)光層204 中的量更多的一方是發(fā)光層204中的主體材料。
[0106] 在發(fā)光層204具有將上述客體材料分散到主體材料中的結(jié)構(gòu)時，可以抑制發(fā)光層 的晶化。另外，可以抑制由于客體材料的高濃度導致的濃度猝滅，從而發(fā)光元件可以具有更 高的發(fā)光效率。
[0107]另外，第一有機化合物206和第二有機化合物207的三重激發(fā)態(tài)能的能級（1\能 級）都優(yōu)選比磷光化合物205高。這是因為：在第一有機化合物206 (或第二有機化合物 207)的?\能級低于磷光化合物205的Ti能級時，第一有機化合物206 (或第二有機化合物 207)使有助于發(fā)光的磷光化合物205的三重激發(fā)態(tài)能猝滅（quench)，而發(fā)光效率降低。
[0108] 在此，為了提高從主體材料到客體材料的能量轉(zhuǎn)移效率，考慮到作為分子之間 的能量轉(zhuǎn)移機理而周知的福斯特（Fdrster)機理（偶極-偶極相互作用）及德克斯特 (Dexter)機理（電子交換相互作用）。根據(jù)這些機理，優(yōu)選的是，主體材料的發(fā)射光譜（來 自單重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移中的熒光光譜，來自三重激發(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)移中的磷光光譜）與客 體材料的吸收光譜（具體而言，最長波長（最低能量）一側(cè)的吸收帶中的光譜）大部分地 重疊。但是，通常難以使主體材料的熒光光譜與客體材料的最長波長（最低能量）一側(cè)的 吸收帶中的吸收光譜重疊。這是因為：若主體材料的熒光光譜與客體材料的最長波長（最 低能量）一側(cè)的吸收帶中的吸收光譜重疊，則主體材料的磷光光譜位于比熒光光譜長的波 長（低能