本發(fā)明涉及一種新型化合物及包含上述化合物的有機(jī)發(fā)光元件，尤其涉及如下的新型化合物，將其應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)，空穴注入和空穴傳輸特性優(yōu)異，從而能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)電磁屏蔽特性優(yōu)異，提高空穴遷移率(hole mobility)，實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命，能夠防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化，能夠使驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性優(yōu)異。
背景技術(shù)：
最近，自發(fā)光型的可低電壓驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光元件與作為平板顯示元件的主流的液晶顯示器(LCD，liquid crystal display)相比，視場角、對比度等更優(yōu)異，不需要背光，可實(shí)現(xiàn)輕量及薄型，在耗電方面上也有利，顏色再現(xiàn)范圍寬，從而作為下一代顯示元件受到關(guān)注。
有機(jī)發(fā)光元件中用作有機(jī)物層的材料按功能大致可分為發(fā)光材料、空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。上述發(fā)光材料按分子量可分為高分子和低分子，按發(fā)光機(jī)理可分為來自電子的單重激發(fā)態(tài)的熒光材料、以及來自電子的三重激發(fā)態(tài)的磷光材料，發(fā)光材料按發(fā)光顏色可分為藍(lán)色、綠色、紅色發(fā)光材料、以及為了呈現(xiàn)更好的天然色所需的黃色和橙色發(fā)光材料。此外，為了增加通過色純度的增加和能量轉(zhuǎn)移的發(fā)光效率，可以使用主體/摻雜劑體系作為發(fā)光物質(zhì)。其原理如下：如果在發(fā)光層中混合少量的與主要構(gòu)成發(fā)光層的主體相比能帶隙小且發(fā)光效率優(yōu)異的摻雜劑，則在主體中產(chǎn)生的激子傳輸?shù)綋诫s劑而發(fā)出效率高的光。此時(shí)，主體的波長向摻雜劑的波段移動(dòng)，因此可以根據(jù)所使用的摻雜劑和主體的種類，得到所期望的波長的光。
目前為止，作為用于這樣的有機(jī)發(fā)光元件的物質(zhì)，已知多種化合物，但在利用以往已知的物質(zhì)的有機(jī)發(fā)光元件的情況下，由于高驅(qū)動(dòng)電壓、低效率、以及短壽命而在實(shí)用化方面存在許多困難。因此，為了利用具有優(yōu)異特性的物質(zhì)來開發(fā)出具有低電壓驅(qū)動(dòng)、高亮度及長壽命的有機(jī)發(fā)光元件而不斷努力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種新型化合物，將其應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)，空穴注入和空穴傳輸特性優(yōu)異，從而能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)電磁屏蔽特性優(yōu)異，提高空穴遷移率(hole mobility)，實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命，能夠防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化，能夠使驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性優(yōu)異。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種有機(jī)發(fā)光元件，其包含上述新型化合物，空穴注入和空穴傳輸特性優(yōu)異，從而能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)電磁屏蔽特性優(yōu)異，提高空穴遷移率(hole mobility)，實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命，能夠防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種由下述化學(xué)式1表示的化合物。
【化學(xué)式1】
上述式中，
X為O或S,
L為單鍵；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50亞芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50亞雜芳基，
Ar1和Ar2各自獨(dú)立地為被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50雜芳基，
R1、R2、R3、R4和R5各自獨(dú)立地為氫；氘；鹵素；氨基；氰基；硝基；硅烷基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30烯基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30炔基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷氧基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30芳氧基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50雜芳基。
此外，本發(fā)明提供一種包含由上述化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)發(fā)光元件。
根據(jù)本發(fā)明的新型化合物在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)，空穴注入和空穴傳輸特性優(yōu)異，從而能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)電磁屏蔽特性優(yōu)異，提高空穴遷移率(hole mobility)，實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命，能夠防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化，能夠使驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性優(yōu)異。
附圖說明
圖1是簡略地表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的OLED的剖面的圖。
符號(hào)說明
10：基板
11：陽極
12：空穴注入層
13：空穴傳輸層
14：發(fā)光層
15：電子傳輸層
16：陰極
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的化合物由下述化學(xué)式1表示。
【化學(xué)式1】
上述式中，
X為O或S,
L為單鍵；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50亞芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50亞雜芳基，
Ar1和Ar2各自獨(dú)立地為被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50雜芳基，
R1、R2、R3、R4和R5各自獨(dú)立地為氫；氘；鹵素；氨基；氰基；硝基；硅烷基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30烯基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30炔基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷氧基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30芳氧基；被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、鹵素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50雜芳基。
具體而言，L、Ar1和Ar2可以不包含芳胺；更具體而言，Ar1和Ar2中至少一個(gè)可以包含芴。此時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)異的空穴遷移率(hole mobility)導(dǎo)致的低電壓驅(qū)動(dòng)、高效率的有機(jī)發(fā)光元件。
本發(fā)明中，由上述化學(xué)式1表示的化合物的具體例子如下：
本發(fā)明涉及的由化學(xué)式1表示的化合物在應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光元件時(shí)具有如下優(yōu)點(diǎn)：
1.苯并呋喃/苯并噻吩與芳胺結(jié)合，形成適合于空穴注入和空穴傳輸?shù)腍OMO?？蛇M(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。
2.苯并呋喃/苯并噻吩與芳胺結(jié)合，形成容易電磁屏蔽的LUMO?？蓪?shí)現(xiàn)高效率。
3.通過苯并呋喃/噻吩第3位取代，提高空穴遷移率(hole mobility)?？蓪?shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命。
4.防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化。提高驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。
此外，本發(fā)明的化合物可以通過下述反應(yīng)式1制造。
[反應(yīng)式1]
上述反應(yīng)式1中，L、Ar1、Ar2、R1、R2、R3、R4、R5的定義同化學(xué)式1中的定義。
此外，本發(fā)明提供一種有機(jī)物層中包含由上述化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)發(fā)光元件。具體而言，包含空穴注入物質(zhì)或空穴傳輸物質(zhì)，更具體而言，包含空穴傳輸物質(zhì)，此時(shí)，本發(fā)明的化合物可以單獨(dú)使用，或者與公知的有機(jī)發(fā)光化合物一起使用。特別是，化學(xué)式1中，L、Ar1和Ar2不包含芳胺，Ar1或Ar2包括芴時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)異的空穴遷移率(holemobility)導(dǎo)致的低電壓驅(qū)動(dòng)、高效率的有機(jī)發(fā)光元件。
此外，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件包括含有由上述化學(xué)式1表示的化合物的1層以上的有機(jī)物層，上述有機(jī)發(fā)光元件的制造方法說明如下：
上述有機(jī)發(fā)光元件可以在陽極(anode)和陰極(cathod)之間包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等有機(jī)物層1層以上。
首先，在基板上部蒸鍍具有高功函數(shù)的陽極電極用物質(zhì)而形成陽極。此時(shí)，上述基板可以使用普通有機(jī)發(fā)光元件中使用的基板，特別優(yōu)選使用機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面平滑性、操作性和防水性優(yōu)異的玻璃基板或者透明塑料基板。此外，作為陽極電極用物質(zhì)，可以使用透明且導(dǎo)電性優(yōu)異的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等。上述陽極電極用物質(zhì)可以采用通常的陽極形成方法蒸鍍，具體而言，可以采用蒸鍍法或者濺射法來蒸鍍。
其次，可以采用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、澆注法、LB(Langmuir-Blodgett)法等方法，在上述陽極電極上部形成空穴注入層物質(zhì)。采用上述真空蒸鍍法形成空穴注入層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)作為空穴注入層的材料使用的化合物，目標(biāo)空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱力學(xué)特性等，會(huì)有所不同，但一般情況下，可以在50-500℃的蒸鍍溫度，10-8至10-3torr的真空度，0.01至的蒸鍍速度，至5μm的層厚范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。
上述空穴注入層物質(zhì)可以使用本發(fā)明的由化學(xué)式1表示的化合物，也可與公知物質(zhì)一同使用。上述公知物質(zhì)沒有特別限制，可以采用美國專利第4,356,429號(hào)中公開的銅酞菁等酞菁化合物或星型胺衍生物類即TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺)、m-MTDAPB(4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)苯氧基苯)、HI-406(N1,N1'-(聯(lián)苯-4,4'-二基)雙(N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺)等作為空穴注入層物質(zhì)。
然后，可以采用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、澆注法、LB法等，在上述空穴注入層上部形成空穴傳輸層物質(zhì)。采用上述真空蒸鍍法形成空穴傳輸層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)所采用的化合物會(huì)有所不同，但在一般情況下，優(yōu)選在與空穴注入層的形成大致同等條件范圍內(nèi)選擇。
此外，上述空穴傳輸層物質(zhì)可以使用本發(fā)明的由化學(xué)式1表示的化合物，也可與公知物質(zhì)一同采用。上述公知物質(zhì)沒有特別限制，可以在空穴傳輸層中使用的通常的公知物質(zhì)中任意選擇使用。具體而言，上述空穴傳輸層物質(zhì)可以使用N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等咔唑衍生物，N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)等具有芳香族稠環(huán)的通常的胺衍生物等。
再然后，可以采用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、澆注法、LB法等方法，在上述空穴傳輸層上部形成發(fā)光層物質(zhì)。采用上述真空蒸鍍法形成發(fā)光層時(shí)，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物會(huì)有所不同，但在一般情況下，優(yōu)選在與空穴注入層的的大致同等條件范圍內(nèi)選擇。此外，上述發(fā)光層材料可以將公知化合物作為主體或者摻雜劑使用。
此外，作為一個(gè)例子，就上述發(fā)光層材料而言，作為熒光摻雜劑，可以使用從出光興產(chǎn)公司(Idemitsu公司)可購入的IDE102或者IDE105、或者BD142(N6,N12-雙(3,4-二甲基苯基)-N6,N12-二基-6,12-二胺)，作為磷光摻雜劑，可以共同真空蒸鍍(摻雜)有綠色磷光摻雜劑Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合銥)、作為藍(lán)色磷光摻雜劑的F2Irpic(雙[4,6-二氟苯基吡啶-N,C2′]吡啶甲酰合銥(III)，iridium(III)bis[4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2′]picolinate)、UDC公司的7號(hào)紅色磷光摻雜劑RD61等。
此外，在發(fā)光層中并用磷光摻雜劑的情況下，為了防止三重態(tài)激子或空穴擴(kuò)散到電子傳輸層的現(xiàn)象，可以通過真空蒸鍍法或旋涂法，進(jìn)一步層疊空穴阻擋材料(HBL)。此時(shí)可使用的空穴阻擋物質(zhì)沒有特別限制，可以從用作空穴阻擋材料的公知的材料中選擇任一種來使用。例如可以舉出二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物或日本特開平11-329734(A1)中所記載的空穴阻擋材料等，可以代表性地使用Balq(雙(8-羥基-2-甲基喹啉)-聯(lián)苯酚鋁)、菲咯啉(phenanthrolines)系化合物(例如，UDC公司的BCP(Bathocuproine，浴銅靈))等。
在如前所述形成的發(fā)光層上會(huì)形成電子傳輸層，此時(shí)，上述電子傳輸層可以通過真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、澆注法等方法形成。
上述電子傳輸層材料發(fā)揮將從電子注入電極注入的電子穩(wěn)定地傳輸?shù)淖饔茫浞N類沒有特別限制，例如可以使用喹啉衍生物，特別是三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、或ET4(6,6'-(3,4-二基-1,1-二甲基-1H-噻咯-2,5-二基)二-2,2'-聯(lián)吡啶(6,6'-(3,4--1,1--1H--2,5-)-2,2'-))。此外，在電子傳輸層上部，可以層疊具有容易使電子從陰極注入的作用的物質(zhì)，即電子注入層(EIL)，作為電子注入層物質(zhì)，可以利用LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO等物質(zhì)。
此外，上述電子傳輸層的蒸鍍條件根據(jù)所使用的化合物會(huì)有所不同，但一般情況下，優(yōu)選在與空穴注入層的形成大致同等條件范圍內(nèi)選擇。
此后，上述電子傳輸層上部可以形成電子注入層物質(zhì)，此時(shí)，上述電子傳輸層可以采用真空蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、澆注法等方法形成普通的電子注入層物質(zhì)。
最后，采用真空蒸鍍法或噴鍍法等方法，在電子注入層上部形成陰極形成用金屬，從而用作陰極。這里，作為陰極形成用金屬，可以使用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物。作為具體例，有鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等。此外，為了得到頂部發(fā)光元件也可以采用使用ITO、IZO的透射型陰極。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件不僅能夠?qū)崿F(xiàn)陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件，而且能夠?qū)崿F(xiàn)各種結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，根據(jù)需要，也可以根據(jù)需要進(jìn)一步形成一層或兩層的中間層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明形成的各有機(jī)物層的厚度可以根據(jù)要求的程度來調(diào)節(jié)，具體而言，可以為10至1000nm，更具體而言，優(yōu)選為20至150nm。
另外，本發(fā)明的包含由上述化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)物層由于能夠以分子單位調(diào)節(jié)有機(jī)物層的厚度，因此存在表面均勻、形態(tài)穩(wěn)定性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件通過包含由上述化學(xué)式1表示的化合物，空穴注入和空穴傳輸特性優(yōu)異，從而能夠進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)電磁屏蔽特性優(yōu)異，提高空穴遷移率(hole mobility)，實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率、長壽命，能夠防止因高Tg導(dǎo)致的薄膜的再結(jié)晶化，能夠使驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性優(yōu)異。
下面，為了有助于理解本發(fā)明而舉出具體實(shí)施例，但是，下述實(shí)施例只是用于例示本發(fā)明，本發(fā)明的范圍不限于下述實(shí)施例。
OP的合成
為了合成目標(biāo)化合物，OP的準(zhǔn)備經(jīng)上述步驟合成。
下述OP1的合成法如下。
在圓底燒瓶中，將10g的N-([1,1'-聯(lián)苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine)、11.0g的1-溴-4-碘苯(1-bromo-4-iodobenzene)、4.0g的t-BuONa、1.0g的Pd2(dba)3、1.6ml的(t-Bu)3P溶解于200ml的甲苯后，在50℃攪拌。利用TLC確認(rèn)反應(yīng)，加水后，終止反應(yīng)。用EA萃取有機(jī)層，進(jìn)行減壓過濾后，上柱精制，得到6.72g的OP1(收率47％)。
采用與上述OP1相同的方法，合成下述OP2至OP11。
化合物1的合成
在圓底燒瓶中，將1.13g的苯并呋喃-3-硼酸(benzofuran-3-ylboronic acid)、3.0g的OP1溶解于40ml的1,4-二烷(1,4-dioxan)，放入8.5ml的K2CO3(2M)和0.20g的Pd(PPh3)4后，進(jìn)行回流攪拌。利用TLC確認(rèn)反應(yīng)，加水后，終止反應(yīng)。用MC萃取有機(jī)層，減壓過濾后，上柱精制，得到12.03g的化合物(收率63％)。
m/z：553.24(100.0％)，554.24(44.8％)，555.25(9.8％)，556.25(1.5％)
化合物2的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP2代替OP1而合成化合物2。(收率58％)
m/z：677.27(100.0％)，678.28(55.6％)，679.28(15.4％)，680.28(2.9％)
合成化合物3
采用與化合物1相同的方法，使用OP3代替OP1而合成化合物3。(收率55％)
m/z：629.27(100.0％)，630.28(51.3％)，631.28(13.1％)，632.28(2.3％)
化合物4的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP4代替OP1而合成化合物4。(收率57％)
m/z：669.30(100.0％)，670.31(54.6％)，671.31(14.8％)，672.31(2.7％)
化合物5的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP5代替OP1而合成化合物5。(收率50％)
m/z：629.27(100.0％)，630.28(51.3％)，631.28(13.1％)，632.28(2.3％)
化合物6的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP6代替OP1而合成化合物6。(收率52％)
m/z：669.30(100.0％)，670.31(54.6％)，671.31(14.8％)，672.31(2.7％)
化合物7的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP7代替OP1而合成化合物7。(收率55％)
m/z：629.27(100.0％)，630.28(51.3％)，631.28(13.1％)，632.28(2.3％)
化合物8的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP8代替OP1而合成化合物8。(收率60％)
m/z：669.30(100.0％)，670.31(54.6％)，671.31(14.8％)，672.31(2.7％)
化合物9的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP9代替OP1而合成化合物9。(收率48％)
m/z：629.27(100.0％)，630.28(51.3％)，631.28(13.1％)，632.28(2.3％)
化合物10的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP10代替OP1而合成化合物10。(收率44％)
m/z：669.30(100.0％)，670.31(54.6％)，671.31(14.8％)，672.31(2.7％)
化合物11的合成
在圓底燒瓶中，將1.45g的苯并呋喃-3-硼酸(benzofuran-3-ylboronic acid)、3.5g的OP1溶解于50ml的1,4-二烷(1,4-dioxan)，放入10.2ml的K2CO3(2M)和0.23g的Pd(PPh3)4，進(jìn)行回流攪拌。利用TLC確認(rèn)反應(yīng)，加水后，終止反應(yīng)。用MC萃取有機(jī)層，減壓過濾后，上柱精制，得到2.32g的化合物11(收率60％)。
m/z：569.22(100.0％)，570.22(45.5％)，571.22(10.1％)，571.21(4.5％)，572.22(2.1％)，572.23(1.4％)
化合物12的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP2代替OP1而合成化合物12。(收率58％)
m/z：693.25(100.0％)，694.25(56.3％)，695.26(15.1％)，695.24(4.5％)，696.26(2.8％)，696.25(2.6％)
化合物13的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP3代替OP1而合成化合物13。(收率63％)
m/z：645.25(100.0％)，646.25(52.0％)，647.26(12.9％)，647.24(4.5％)，648.25(2.4％)，648.26(2.2％)
化合物14的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP4代替OP1而合成化合物14。(收率60％)
m/z：685.28(100.0％)，686.28(55.2％)，687.29(14.6％)，687.28(5.2％)，688.29(2.7％)，688.28(2.5％)
化合物15的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP5代替OP1而合成化合物15。(收率55％)
m/z：645.25(100.0％)，646.25(52.0％)，647.26(12.9％)，647.24(4.5％)，648.25(2.4％)，648.26(2.2％)
化合物16的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP6代替OP1而合成化合物16。(收率58％)
m/z：685.28(100.0％)，686.28(55.2％)，687.29(14.6％)，687.28(5.2％)，688.29(2.7％)，688.28(2.5％)
化合物17的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP7代替OP1而合成化合物17。(收率54％)
m/z：645.25(100.0％)，646.25(52.0％)，647.26(12.9％)，647.24(4.5％)，648.25(2.4％)，648.26(2.2％)
化合物18的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP8代替OP1而合成化合物18。(收率54％)
m/z：685.28(100.0％)，686.28(55.2％)，687.29(14.6％)，687.28(5.2％)，688.29(2.7％)，688.28(2.5％)
化合物19的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP9代替OP1而合成化合物19。(收率50％)
m/z：645.25(100.0％)，646.25(52.0％)，647.26(12.9％)，647.24(4.5％)，648.25(2.4％)，648.26(2.2％)
化合物20的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP10代替OP1而合成化合物20。(收率48％)
m/z：685.28(100.0％)，686.28(55.2％)，687.29(14.6％)，687.28(5.2％)，688.29(2.7％)，688.28(2.5％)
化合物21的合成
采用與化合物1相同的方法，使用OP11代替OP1而合成化合物21。(收率63％)
m/z：717.30(100.0％)，718.31(58.9％)，719.31(17.2％)，720.31(3.3％)
化合物22的合成
采用與化合物11相同的方法，使用OP11代替OP1而合成化合物22。(收率67％)
m/z：733.28(100.0％)，734.28(59.6％)，735.29(17.0％)，735.28(5.2％)，736.29(3.4％)，736.28(2.7％)
化合物23的合成
在圓底燒瓶中，將8.8g的N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9,9-二苯基-9H-芴-2-胺(N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-amine)、3.0g的3-溴苯并呋喃(3-bromobenzofuran)、2.2g t-BuONa、0.6g Pd2(dba)3、0.7ml的(t-Bu)3P溶解于120ml的甲苯后，進(jìn)行回流攪拌。利用TLC確認(rèn)反應(yīng)，加水后，終止反應(yīng)。用EA萃取有機(jī)層，減壓過濾后，再結(jié)晶而得到6.84g的化合物23(收率70％)。
m/z：641.27(100.0％)，642.28(52.4％)，643.28(13.6％)，644.28(2.4％)
化合物24的合成
采用與化合物23相同的方法，使用3-溴苯并[b]噻吩(3-bromobenzo[b]thiophene)代替3-溴苯并呋喃(3-bromobenzofuran)而合成化合物24。
m/z：657.25(100.0％)，658.25(53.1％)，659.26(13.4％)，659.24(4.5％)，660.25(2.4％)，660.26(2.3％)
有機(jī)發(fā)光元件的制造
根據(jù)圖1中記載的結(jié)構(gòu)制造有機(jī)發(fā)光元件。有機(jī)發(fā)光元件從下依次層疊陽極(空穴注入電極11)/空穴注入層12/空穴傳輸層13/發(fā)光層14/電子傳輸層15/陰極(電子注入電極16)。
下述實(shí)施例和比較例的空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15使用如下物質(zhì)。
有機(jī)發(fā)光元件的制造
實(shí)施例1
將以厚度薄膜涂布有氧化銦錫(ITO)的玻璃基板用蒸餾水超聲波清洗。蒸餾水清洗結(jié)束后，用異丙醇、丙酮、甲醇等溶劑進(jìn)行超聲波清洗并干燥，然后移送至等離子清洗機(jī)后，利用氧等離子體，將上述基板清洗5分鐘后，利用熱真空鍍膜機(jī)(thermal evaporator)，在ITO基板上部，制造作為空穴注入層的DNTPD的膜、作為空穴傳輸層的化合物1的膜。然后，作為上述發(fā)光層，在主體BH01中摻雜3％的摻雜劑BD01制造的膜。然后，作為電子傳輸層，以ET01：Liq(1：1)制造的膜后，制造LiF的膜、鋁(Al)的膜，將該元件在手套箱中密封(Encapsulation)，從而制作有機(jī)發(fā)光元件。
實(shí)施例2至實(shí)施例24
采用與實(shí)施例1相同的方法，分別使用化合物2至24制成空穴傳輸層，制造有機(jī)發(fā)光元件。
比較例1
使用NPB代替化合物1制成上述實(shí)施例1的空穴傳輸層，除此之外，均采用相同的方法制造元件。
比較例2至比較例6
分別使用Ref.1至Ref.5代替化合物1制成上述實(shí)施例1的空穴傳輸層，除此之外，均采用相同的方法制造元件。
有機(jī)發(fā)光元件的性能評價(jià)
利用吉時(shí)利2400數(shù)字源表(Kiethley 2400source measurement unit)施加電壓，注入電子和空穴后，利用柯尼卡美能達(dá)(KonicaMinolta)分光輻射計(jì)(CS-2000)，測定發(fā)出光時(shí)的亮度，從而在大氣壓條件下測定針對施加電壓的電流密度和亮度，評價(jià)實(shí)施例和比較例的有機(jī)發(fā)光元件的性能，將其結(jié)果示于表1。
[表1]
如上述表1所示，可以確認(rèn)本發(fā)明的化合物作為空穴傳輸層使用時(shí)，與比較例1至6相比，在所有方面具有優(yōu)異的物性。特別是，與比較例3至4相比，可知相同的Ar1和Ar2不包含芳胺，與比較例5至6相比，可知芳胺取代在苯并呋喃和苯并噻吩的第3位時(shí)，可以維持電磁屏蔽容易的LUMO，且在薄膜狀態(tài)下，分子排列優(yōu)異，空穴遷移率優(yōu)異，從而對提高效率和壽命帶來大的影響。