本發(fā)明涉及式I化合物，一種其的生產(chǎn)方法及其在電子器件，尤其是場(chǎng)致發(fā)光器件中的用途。當(dāng)在場(chǎng)致發(fā)光器件中用作空穴傳輸材料時(shí)，式I化合物可以提供具有改進(jìn)效率、穩(wěn)定性、可制造性或光譜特性的場(chǎng)致發(fā)光器件。Khan，MisbahulAin；Ribeiro，VeraLuciaTeixeira，PakistanJournalofScientific和IndustrialResearch43(2000)168-170描述了通過(guò)亞磷酸三烷基酯誘導(dǎo)脫氧和和1-(鄰硝基苯基)-和1-(鄰疊氮基苯基)苯并咪唑的熱解合成苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(R＝H、Me、Et)。PedroMolina等.Tetrahedron(1994)10029-10036報(bào)道了由二(2-氨基苯基)胺與2當(dāng)量異氰酸酯衍生的二(亞氨基正磷)的氮雜Wittig類(lèi)型反應(yīng)直接提供苯并咪唑并[1,2,a]苯并咪唑衍生物。(R＝R’＝R＝和R’＝R＝異丙基和R’＝乙基)Kolesnikova，I.V.；ZhurnalOrganicheskoiKhimii25(1989)1689-95描述了1,2,3,4,7,8,9,10-八氟-5-(2,3,4,5,6-五氟苯基-5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑)的合成。Achour，Reddouane；Zniber，Rachid，BulletindesSocietesChimiquesBelges96(1987)787-92描述了苯并咪唑并苯并咪唑(R＝H，-CH(CH3)2)的合成，其由苯并咪唑啉酮衍生物制備。Hubert，AndreJ.；Reimlinger，Hans，ChemischeBerichte103(1970)2828-35描述了苯并咪唑并苯并咪唑(R＝H，CH3，)的合成。JP2001160488描述了一種場(chǎng)致發(fā)光元件，其在相對(duì)的陽(yáng)極和陰極之間具有發(fā)光層，其具有單層或多層有機(jī)化合物膜，其中至少一層有機(jī)化合物膜含有至少一種由式所示的化合物。明確公開(kāi)如下化合物：US20100244006涉及一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，該器件包括：陰極；陽(yáng)極；和在陰極和陽(yáng)極之間的至少一個(gè)有機(jī)層。所述至少一個(gè)有機(jī)層包括含有至少一種發(fā)光材料的發(fā)光層。在所述至少一個(gè)有機(jī)層中含有由下式所表示的化合物：其中n為2或更大的整數(shù)，L為n價(jià)連接基團(tuán)且R1、R2、R3和R4各自獨(dú)立地為氫原子或取代基。US20100244006中所述的化合物優(yōu)選在發(fā)光層中用作主體。代表了US20100244006中所公開(kāi)的化合物的一個(gè)實(shí)例。KR1020110008784涉及式的新型有機(jī)發(fā)光化合物和包含其的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。US2005079387涉及一種含有式Ar1-Ar2-Ar3化合物的咪唑環(huán)(發(fā)藍(lán)光主體化合物)和使用其的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(EL)顯示器件。Ar2選自Ar1和Ar3各自獨(dú)立地選自其中X’為O或S。US2005074632涉及一種含有式化合物的咪唑環(huán)和使用其的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(EL)顯示器件。含咪唑環(huán)化合物尤其可以單獨(dú)或與摻雜劑組合在有機(jī)膜如場(chǎng)致發(fā)光層中用作材料。A選自-N(R13R14)和B選自X選自–O-、-S-、-Se-和–NH-。JP2007180147涉及一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，其夾在陽(yáng)極和陰極之間且含有至少一個(gè)發(fā)光層，其含有由通式1、2、3或4所表示的化合物：Ar1-Ar4＝芳族基團(tuán)或芳族雜環(huán)基團(tuán)；R1-R5＝H或取代基；Z1＝形成5或6員雜環(huán)所需殘基；L1、L2＝鍵或偶聯(lián)基團(tuán)；和X1-X16＝碳或氮。在Ar1和Ar2以及Ar3和Ar4的一個(gè)部分中可以形成新環(huán)。明確公開(kāi)了如下化合物：US6551723涉及一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件，其在一對(duì)電極之間包含一個(gè)發(fā)光層或含有發(fā)光層的多個(gè)有機(jī)化合物薄層，其中有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件中的至少一個(gè)層包含至少一種由式(I)至(VII)所表示的雜環(huán)化合物：R11、R12、R13、R21、R22、R31、R32、R41、R42、R51、R61和R71各自獨(dú)立地為氫原子或取代基；Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6和Z7為形成5或6員環(huán)所必需的原子的基團(tuán)。尤其將由式(I)至(VII)所表示的化合物加入發(fā)光層和/或電子注入/傳輸層。明確公開(kāi)了如下化合物：WO2011160757涉及一種電子器件，其包含陽(yáng)極、陰極和至少一個(gè)有機(jī)層，該有機(jī)層含有下式化合物：其中X可以為單鍵且L可以為二價(jià)基團(tuán)。明確公開(kāi)了如下4H-咪唑并[1,2-a]咪唑化合物：盡管存在這些進(jìn)展，仍然需要包含新型空穴傳輸材料以提供具有改進(jìn)效率、穩(wěn)定性、可制造性和/或光譜特性的場(chǎng)致發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光器件。因此，本發(fā)明的目的是相對(duì)于上述現(xiàn)有技術(shù)提供適合用于OLED和有機(jī)電子中的其他應(yīng)用的其他材料。更特別地，應(yīng)可以提供用于OLED的空穴傳輸材料、電子/激子阻斷劑材料和基體材料。該材料應(yīng)尤其適合用于包含至少一個(gè)磷光發(fā)光體，尤其是至少一個(gè)綠色發(fā)光體或至少一個(gè)藍(lán)色發(fā)光體的OLED。此外，該材料應(yīng)適合用于提供OLED，其確保OLED具有良好效率、良好操作壽命和對(duì)熱應(yīng)力的高穩(wěn)定性以及低使用電壓和操作電壓。發(fā)現(xiàn)一些咪唑衍生物尤其是(R9’具有R9的含義，R10’具有R10的含義)適合用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中。尤其是一些咪唑衍生物為具有良好效率和耐久性的磷光發(fā)光體的合適空穴傳輸材料或主體材料。該目的由式化合物實(shí)現(xiàn)：其中X6為–N＝且X7為–NR1-，或X7為＝N-且X6為–NR1-，R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為可以任選被G取代的C6-C24亞芳基，或可以任選被G取代的C2-C30亞雜芳基；其中基團(tuán)A1、A2、A3和A4可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)–(SiR7R8)-間隔；R6為H，基團(tuán)–(SiR20R21R22)，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基；R7和R8相互獨(dú)立地為C1-C25烷基，或C6-C24芳基，其可以任選被G取代；X1為N或CR9；X2為N或CR10，R9、R10、R9’和R10’相互獨(dú)立地為H，可以任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基；或R9和R10和/或R9’和R10’一起形成可任選被取代的環(huán)，R20、R21和R22相互獨(dú)立地為C1-C25烷基，或C6-C24芳基，其可以任選被G取代；D為-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63＝CR64-或-C≡C-，E為-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或鹵素，G為E或C1-C18烷基，C6-C24芳基，任選被F取代的C6-C24芳基，C1-C18烷基或任選被O間隔的C1-C18烷基，C2-C30雜芳基或任選被F取代的C2-C30雜芳基，C1-C18烷基或任選被O間隔的C1-C18烷基；R63和R64相互獨(dú)立地為C6-C18芳基，被C1-C18烷基、C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基；R65和R66相互獨(dú)立地為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基；或者R65和R66一起形成5或6員環(huán)，R67為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R68為H，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R69為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R70和R71相互獨(dú)立地為C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及R72為C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基；條件是排除如下化合物：尤其是所述目的由式化合物，非常特別是實(shí)現(xiàn)，其中X6為–N＝且X7為–NR1-，或X7為＝N-且X6為–NR1-，其中R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為可以任選被G取代的C6-C24亞芳基，或可以任選被G取代的C2-C30亞雜芳基；其中基團(tuán)A1、A2、A3和A4可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)–(SiR7R8)-間隔；R2、R3、R4和R5相互獨(dú)立地為H，可任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基；可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基；R6為H，基團(tuán)–(SiR20R21R22)，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基；R7和R8相互獨(dú)立地為C1-C25烷基，或C6-C24芳基，其可以任選被G取代；X1為N或CR9；X2為N或CR10，R9和R10相互獨(dú)立地為H，可以任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基；或R9和R10一起形成可任選被取代的環(huán)，R20、R21和R22相互獨(dú)立地為C1-C25烷基，或C6-C24芳基，其可以任選被G取代；D為-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63＝CR64-或-C≡C-，E為-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或鹵素，G為E或C1-C18烷基，C6-C24芳基，任選被C1-C18烷基取代的C6-C24芳基；R63和R64相互獨(dú)立地為C6-C18芳基，被C1-C18烷基、C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基；R65和R66相互獨(dú)立地為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基；或者R65和R66一起形成5或6員環(huán)，R67為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R68為H，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R69為C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-間隔的C1-C18烷基，R70和R71相互獨(dú)立地為C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及R72為C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。本發(fā)明化合物可以用于電攝影感光體，光電轉(zhuǎn)換器，有機(jī)太陽(yáng)能電池(有機(jī)光伏器件)，開(kāi)關(guān)元件，如有機(jī)晶體管，例如有機(jī)FET和有機(jī)TFT，有機(jī)發(fā)光場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OLEFET)，圖像傳感器，染料激光器和場(chǎng)致發(fā)光器件，例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。因此，本發(fā)明的另一主題涉及一種包含本發(fā)明化合物的電子器件。該電子器件優(yōu)選為場(chǎng)致發(fā)光器件。式I化合物原則上可以用于EL器件的任何層，但是優(yōu)選用作主體、空穴傳輸和電子阻斷材料。特別地，式I化合物在發(fā)藍(lán)光的磷光發(fā)光體中用作主體材料。因此，本發(fā)明的另一主題涉及一種包含本發(fā)明式I化合物的空穴傳輸層。本發(fā)明的另一主題涉及一種包含本發(fā)明式I化合物的發(fā)光層。在所述實(shí)施方案中，式I化合物優(yōu)選作為主體材料與磷光發(fā)光體組合使用。本發(fā)明的另一主題涉及一種包含本發(fā)明式I化合物的電子阻斷層。式I化合物尤其是式的化合物，其中X6為–N＝且X7為–NR1-，或X7為＝N-且X6為–NR1-，R2、R3、R4和R5相互獨(dú)立地為H，可以任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基，X1、X2、R1、E、D和G如上所定義。式I化合物可以為式的化合物，X6為–N＝且X7為–NR1-或X7為＝N-且X6為–NR1-。尤其優(yōu)選如下式Id化合物，其中R9和R10一起形成環(huán)其中R11、R12、R13和R14如下所定義。R11、R12、R13和R14優(yōu)選為H。R2、R3、R4和R5優(yōu)選為H。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，式(I)化合物為式的化合物。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，式(I)化合物為式的化合物。優(yōu)選地，式I化合物為式的化合物。優(yōu)選式Ib’和Id’的化合物。更優(yōu)選式Id’化合物。甚至更優(yōu)選如下式Id’化合物，其中R9和R10一起形成環(huán)其中R11、R12、R13和R14如下所定義。R11、R12、R13和R14優(yōu)選為H。R2、R3、R4和R5優(yōu)選為H。不呈軸向?qū)ΨQ(chēng)的式I化合物，例如其中R9和R10為H的式Id’化合物可以以?xún)煞N異構(gòu)體形式存在：參考實(shí)施例2，其描述了如下化合物的混合物的合成：4H-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑如ARKIVOC2002(v)48-61中所述制備。4H-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑與1-溴-3-碘苯的Ullmann反應(yīng)得到比值af約為1:1的兩種異構(gòu)體。R20、R21和R22優(yōu)選為C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、異戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，C6-C14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基，或被G取代的C6-C14芳基，例如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu。R9和R10優(yōu)選為H或C6-C14芳基，例如苯基、萘基或聯(lián)苯基，其可以任選被一個(gè)或多個(gè)C1-C8烷基取代；或C2-C30雜芳基，例如二苯并呋喃基，其可以任選被一個(gè)或多個(gè)C1-C8烷基取代。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式尤其是的化合物，其中X6為–N＝且X7為–NR1-或X7為＝N-且X6為–NR1-，R11、R12、R13和R14相互獨(dú)立地為H，可任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基，可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基，和E、D、G、R1、R2、R3、R4和R5如上所定義。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，式(II)化合物為式的化合物。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，式(II)化合物為式的化合物。甚至更優(yōu)選如下式II化合物，其中R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13和R14為H和R1如上所定義：R6可以為可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基?？梢匀芜x被G取代的C6-C24芳基R6通常為苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基，萘基，尤其是1-萘基或2-萘基，聯(lián)苯基，三聯(lián)苯基，芘基，2-或9-芴基，菲基或蒽基，其可為未取代或取代的。可以任選被G取代的C2-C30雜芳基R6表示具有5-7個(gè)環(huán)原子的環(huán)或稠合環(huán)體系，其中氮、氧或硫?yàn)榭赡艿碾s原子，并且通常為具有5-30個(gè)原子且具有至少6個(gè)共軛π-電子的雜環(huán)基，例如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯(lián)吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、中氮茚基、異氮茚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、2,3-二氮雜萘基、1,5-二氮雜萘基、喹喔啉基、喹唑啉基、肉啉基、蝶啶基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、異噻唑基、吩噻嗪基、異唑基、呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基或吩嗪基，其可為未取代或取代的。此外，C2-C30雜芳基R6包括4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑基，其可為未取代或取代的。C6-C24芳基和C2-C30雜芳基可以被G取代且優(yōu)選被一個(gè)或多個(gè)C1-C8烷基取代。優(yōu)選的C2-C30雜芳基為吡啶基、三嗪基、嘧啶基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基、二苯并呋喃基，其可為未取代或被取代的，尤其是被C6-C10芳基或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基或C2-C5雜芳基取代。4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑基也代表了一個(gè)優(yōu)選的C2-C30雜芳基R6。A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為可以任選被G取代的C6-C24亞芳基，或可以任選被G取代的C2-C30亞雜芳基?？梢匀芜x被G取代的C6-C24亞芳基A1、A2、A3和A4通常為亞苯基、4-甲基亞苯基、4-甲氧基亞苯基，亞萘基，尤其是1-亞萘基或2-亞萘基，亞聯(lián)苯基，三亞聯(lián)苯基，亞芘基，2-或9-亞芴基，亞菲基或亞蒽基，其可為未取代或取代的?？梢匀芜x被G取代的C2-C30亞雜芳基A1、A2、A3和A4表示具有5-7個(gè)環(huán)原子的環(huán)或稠合環(huán)體系，其中氮、氧或硫?yàn)榭赡艿碾s原子，并且通常為具有5-30個(gè)原子且具有至少6個(gè)共軛電子的雜環(huán)基，例如亞噻吩基、亞苯并噻吩基、亞二苯并噻吩基、亞噻蒽基、亞呋喃基、亞糠基、2H-亞吡喃基、亞苯并呋喃基、亞異苯并呋喃基、亞二苯并呋喃基、亞苯氧基噻吩基、亞吡咯基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞吡啶基、亞聯(lián)吡啶基、亞三嗪基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基、亞中氮茚基、亞異氮茚基、亞吲哚基、亞吲唑基、亞嘌呤基、亞喹嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、2,3-亞二氮雜萘基、1,5-亞二氮雜萘基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞肉啉基、亞蝶啶基、亞咔啉基、亞苯并三唑基、亞苯并唑基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞嘧啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞異噻唑基、亞吩噻嗪基、亞異唑基、亞呋咱基、亞咔唑基或亞吩嗪基，其可為未取代或取代的。優(yōu)選的C6-C24亞芳基為1,3-亞苯基、3,3’-亞聯(lián)苯基、3,3’-亞間三聯(lián)苯基、2-或9-亞芴基，亞菲基，其可為未取代或取代的。優(yōu)選的C2-C30亞雜芳基為亞吡啶基、亞三嗪基、亞嘧啶基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基，其可為未取代或被取代的，尤其是被C6-C10芳基或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基或C2-C5雜芳基取代。更優(yōu)選C2-C30亞雜芳基為亞咔唑基和亞二苯并呋喃基，其可以任選被C6-C10芳基取代，C6-C10芳基可任選被一個(gè)或多個(gè)C1-C4烷基取代。C6-C24亞芳基和C2-C30亞雜芳基可以被G取代且優(yōu)選被一個(gè)或多個(gè)C1-C8烷基取代。作為術(shù)語(yǔ)“C2-C30雜芳基”包括例如式尤其是的基團(tuán)，基團(tuán)A1、A2、A3和A4可以例如被一個(gè)或多個(gè)式尤其是的基團(tuán)取代，例如得到式的化合物[n為2或3，尤其是2]，其中A1為式的基團(tuán)，和R6為式尤其是的基團(tuán)。此外，R6可以為式的基團(tuán)。X6’為–N＝且X7’為–N<或X7’為＝N-且X6’為–N<。m3為0或1-4的整數(shù)。m4為0或整數(shù)1-3。R1優(yōu)選為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，例如-A1-R6、-A1-A2-R6、-A1-A2-A3-R6、-A1-A2-A3-A4-R6或其中A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中m5為0或1-4的整數(shù)，m2為0或整數(shù)1-3，X3為–O-、-S-或–NR15-，R7和R8為C1-C18烷基，R15為C1-C18烷基；或被-O-間隔的C1-C18烷基；C6-C18芳基；被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；C2-C20雜芳基或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C2-C20雜芳基，R41在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同且為F，C1-C18烷基，被E取代和/或被D間隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20雜芳基或被G取代的C2-C20雜芳基，和R6、p、q、r、E、D和G如上文或下文所定義。式基團(tuán)比式的基團(tuán)較不優(yōu)選。更優(yōu)選地，A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中R15為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。R15優(yōu)選為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基。優(yōu)選基團(tuán)-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-，其中A1、A2、A3和A4中至少一個(gè)為式的基團(tuán)，其中Y為–O-、-S-或–NR15-，其中R15如上所定義。更優(yōu)選基團(tuán)-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-，其中A1、A2、A3和A4中至少一個(gè)為式的基團(tuán)。優(yōu)選的基團(tuán)-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的實(shí)例如下所示：式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)的額外實(shí)例為式在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，例如-A1-R6、-A1-A2-R6、-A1-A2-A3-R6或-A1-A2-A3-A4-R6，其中基團(tuán)A1、A2、A3和A4中至少一個(gè)為式的基團(tuán)；且其他相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中R15為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。優(yōu)選的基團(tuán)-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的實(shí)例如下所示：R6尤其為式的基團(tuán)，非常尤其為式的基團(tuán)。R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13、R14、R43和m3如上所定義。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，R6為式(X6’為–N＝且X7’為–N<或X7’為＝N-且X6’為–N<)，尤其是的基團(tuán)或基團(tuán)–(SiR20R21R22)，其中R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13和R14相互獨(dú)立地為H，可任選被E取代和/或被D間隔的C1-C25烷基；可以任選被G取代的C6-C24芳基，或可以任選被G取代的C2-C30雜芳基，R16為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。R20、R21和R22相互獨(dú)立地為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，R43在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同且為F，C1-C18烷基，被E取代和/或被D間隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20雜芳基或被G取代的C2-C20雜芳基，m3為0或1-4的整數(shù)，m4為0或1-3的整數(shù)，和E、D和G如上文或下文所定義。D優(yōu)選為-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-，其中R65為C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或仲丁基，或C6-C14芳基，例如苯基、甲苯基、萘基或聯(lián)苯基。E優(yōu)選為–OR69；-SR69；-NR65R65；-COR68；-COOR67；-CONR65R65；或-CN；其中R65、R67、R68和R69相互獨(dú)立地為C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基，或C6-C14芳基，例如苯基、甲苯基、萘基或聯(lián)苯基。G具有與E相同的優(yōu)選情形或?yàn)镃1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基或?yàn)镃1-C18全氟烷基如-CF3。R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13和R14優(yōu)選為H.R43優(yōu)選為H，或C6-C14芳基，例如苯基、甲苯基、萘基或聯(lián)苯基，其可以任選被取代。m3優(yōu)選為0或1，最優(yōu)選0。m4優(yōu)選為0或1，最優(yōu)選0。M2優(yōu)選為0或1，最優(yōu)選0。m5優(yōu)選為0或1，最優(yōu)選0。R20、R21和R22優(yōu)選為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基。更優(yōu)選地，R6為式或的基團(tuán)，其中R16為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。R16優(yōu)選為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式的化合物，其中R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，R6為式的基團(tuán)，和R15為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基，且p、q和r如上所定義。在所述實(shí)施方案中，式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)尤其為下式的基團(tuán)：式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)的額外實(shí)例為下式的基團(tuán)：目前最優(yōu)選式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)為式(IVa)、(IVb)、(IVe)、(IVl)、(IVk)、(IVs)、(IVv)和(VIj)的基團(tuán)。優(yōu)選的化合物的實(shí)例為化合物A-1至A-20，尤其是顯示在權(quán)利要求8中的A-1至A-19，和顯示在下表中的化合物A-21至A-32：在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式的化合物，其中R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，其中基團(tuán)A1、A2、A3和A4中至少一個(gè)為式的基團(tuán)；且其他相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，R6為式的基團(tuán)，和R15為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基，且p、q和r如上所定義。在所述實(shí)施方案中，式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)尤其為下式的基團(tuán)：目前最優(yōu)選式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)為式(IVa)、(IVb)、(IVe)、(IVl)、(IVk)、(IVs)、(IVv)和(VIj)的基團(tuán)。在將式I化合物在藍(lán)色或綠色磷光發(fā)光體中用作主體材料或用作電子/激子阻斷材料的情況下，較不優(yōu)選如下基團(tuán)A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-，其含有式的基團(tuán)，即式(IVp)和(IVr)的基團(tuán)。優(yōu)選的化合物的實(shí)例為顯示在下表中的化合物C-1至C-78。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式的化合物。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式和的化合物。在所述實(shí)施方案中，R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)，其中A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，R6為式的基團(tuán)；R15和R16為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基，且p、q和r如上所定義。此外，A1、A2、A3和A4可以為式的基團(tuán)。此外，R6可為式的基團(tuán)。在所述實(shí)施方案中，式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)尤其為式的基團(tuán)。此外，式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)可以為式的基團(tuán)。優(yōu)選的化合物的實(shí)例為化合物B-1至B-5，尤其是顯示在權(quán)利要求9中的B-1至B-4，和顯示在下表中的化合物B-6至B-35：優(yōu)選化合物的額外實(shí)例為顯示在下表中的化合物J-1至J-35、K-1至K-35和L-1至L-35：在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式的化合物，其中R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6的基團(tuán)；和A1、A2、A3、A4、R2、R3、R4、R5、p、q和r如上所定義。R1優(yōu)選為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R6或的基團(tuán)，其中A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中m5為0或1-4的整數(shù)，m2為0或整數(shù)1-3，X3為–O-、-S-或–NR15-，R7和R8為C1-C18烷基，R15為C1-C18烷基；或被-O-間隔的C1-C18烷基；C6-C18芳基；被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；C2-C20雜芳基或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C2-C20雜芳基，和R41在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同且為F，C1-C18烷基，被E取代和/或被D間隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20雜芳基或被G取代的C2-C20雜芳基。R6優(yōu)選為式的基團(tuán)，R43在每次出現(xiàn)時(shí)可以相同或不同且為F，C1-C18烷基，被E取代和/或被D間隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20雜芳基或被G取代的C2-C20雜芳基，m3為0或1-4的整數(shù)。E、D、G、R11、R12、R13和R14如上所定義。R2、R3、R4和R5優(yōu)選為氫。優(yōu)選地，A1、A2、A3和A4相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中R15為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。R15優(yōu)選為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基。R6為式的基團(tuán)，尤其是式的基團(tuán)。R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13、R14、R43和m3如上所定義。在所述實(shí)施方案中，式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)尤其為式(IVa)、(IVb)、(IVc)、(IVd)、(IVe)、(IVf)、(IVg)、(IVh)、(IVi)、(IVj)、(IVk)、(IVl)、(IVm)、(IVn)、(IVo)、(IVp)、(IVq)、(IVr)、(IVs)、(IVt)、(IVu)、(IVv)、(IVw)、(IVx)、(IVy)、(IVz)、(VIa)、(VIb)、(VIc)、(VId)、(VIe)、(VIf)、(VIg)、(VIh)、(VIi)、(VIj)、(VIk)、(VIl)、(VIm)、(VIn)、(VIo)、(VIp)、(VIq)、(VIr)、(VIs)、(VIt)或(VIu)的基團(tuán)。目前最優(yōu)選式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-的基團(tuán)為式(IVa)、(IVb)、(IVe)、(IVl)、(IVk)、(IVs)、(IVv)和(VIj)的基團(tuán)。優(yōu)選的化合物的實(shí)例為顯示在下表中的化合物D-1至D-144、E-1至E-183以及H-1至H-264。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及式的化合物，其中R1為式-A1-(A2)p-(A3)q-A4-R6的基團(tuán)；其中A1、A2和A3相互獨(dú)立地為式的基團(tuán)，其中R15為C6-C18芳基；或被一個(gè)或多個(gè)C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，A4為式的基團(tuán)，其經(jīng)由N原子鍵于A3；R6為式的基團(tuán)，且p和q如上所定義。R15優(yōu)選為式的基團(tuán)，其中R100為C1-C8烷基。在所述實(shí)施方案中，式-A1-(A2)p-(A3)q-的基團(tuán)尤其為式(IVa)、(IVb)、(IVc)、(IVd)、(IVe)、(IVf)、(IVg)、(IVi)、(IVj)、(IVk)、(IVl)、(IVm)、(IVn)、(IVo)、(IVp)、(IVq)、(IVr)、(IVs)、(IVt)、(IVu)、(IVv)、(IVw)、(IVx)、(IVy)、(IVz)、(VIa)、(VIb)、(VIc)、(VId)、(VIe)、(VIf)、(VIg)、(VIh)、(VIi)、(VIj)、(VIk)、(VIl)、(VIm)、(VIn)、(VIo)、(VIp)、(VIq)、(VIr)、(VIs)、(VIt)或(VIu)的基團(tuán)。目前最優(yōu)選式-A1-(A2)p-(A3)q-的基團(tuán)為式(IVa)、(IVb)、(IVe)、(IVl)、(IVk)、(IVs)、(IVv)和(VIj)的基團(tuán)。在將式I化合物在藍(lán)色或綠色磷光發(fā)光體中用作主體材料或用作電子/激子阻斷材料的情況下，較不優(yōu)選如下基團(tuán)A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-，其含有式的基團(tuán)，即式(IVp)和(IVr)的基團(tuán)。優(yōu)選的化合物的實(shí)例為顯示在下表中的化合物F-1至F-62以及G-1至G-62。(-A4-R6＝)(-A4-R6＝)在以上表格中，標(biāo)記1)、2)、3)和4)具有如下含義：1)L1＝2)虛線表示與式的基團(tuán)的鍵。3)虛線表示分別與式的基團(tuán)的鍵。4)虛線表示與式的基團(tuán)的鍵。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物M-1至M-62，其由化合物F-1至F-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物N-1至N-62，其由化合物F-1至F-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物O-1至O-62，其由化合物F-1至F-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物P-1至P-62，其由化合物G-1至G-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物Q-1至Q-62，其由化合物G-1至G-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明涉及化合物R-1至R-62，其由化合物G-1至G-62通過(guò)由式的基團(tuán)替換式的基團(tuán)得到。目前最優(yōu)選化合物為如下化合物：發(fā)現(xiàn)含有式咪唑結(jié)構(gòu)部分的化合物特別適合用于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。鹵素為氟、氯、溴和碘。C1-C25烷基(C1-C18烷基)通常為線性的或可能的話(huà)為支化的。實(shí)例是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、異庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基。C1-C4烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基。C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)是直鏈或支化烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、異戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、異辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。C1-C8烷氧基的實(shí)例是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基，優(yōu)選C1-C4烷氧基，如通常是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基。術(shù)語(yǔ)“環(huán)烷基”通常為C4-C18環(huán)烷基，尤其是C5-C12環(huán)烷基，如環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)壬基、環(huán)癸基、環(huán)十一烷基、環(huán)十二烷基，優(yōu)選環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基或環(huán)辛基，它們可以未被取代或被取代?？梢匀芜x被取代的C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常為苯基，4-甲基苯基，4-甲氧基苯基，萘基，尤其是1-萘基或2-萘基，聯(lián)苯基，三聯(lián)苯基，芘基，2-或9-芴基，菲基或蒽基，其可以未被取代或被取代。C2-C30雜芳基表示具有5-7個(gè)環(huán)原子的環(huán)或者稠合環(huán)體系，其中氮、氧或硫?yàn)榭赡艿碾s原子，并且通常為具有5-30個(gè)原子且具有至少6個(gè)共軛π-電子的雜環(huán)基團(tuán)如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、氧芴基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯(lián)吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、中氮茚基、異氮雜茚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、2,3-二氮雜萘基、1,5-二氮雜萘基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、異噻唑基、吩噻嗪基、異唑基、呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基或吩嗪基，其可以未被取代或被取代。C6-C24芳基(C6-C18芳基)和C2-C30雜芳基優(yōu)選被一個(gè)或多個(gè)C1-C8烷基取代。術(shù)語(yǔ)“芳基醚基團(tuán)”通常為C6-24芳氧基，即O-C6-24芳基，例如苯氧基或4-甲氧基苯基。上述基團(tuán)的可能取代基是C1-C8烷基，羥基，巰基，C1-C8烷氧基，C1-C8烷硫基，鹵素，鹵代-C1-C8烷基或氰基。若取代基如R41在基團(tuán)中不止一次出現(xiàn)，則在每次出現(xiàn)時(shí)可能不同。術(shù)語(yǔ)“被G取代”是指可能存在一個(gè)或多個(gè)，尤其是1-3個(gè)取代基G。如上所述，上述基團(tuán)可以被E取代和/或需要的話(huà)被D間隔。間隔當(dāng)然僅在含有至少兩個(gè)通過(guò)單鍵相互連接的碳原子的基團(tuán)情況下是可能的；C6-C18芳基不被間隔；間隔的芳基烷基在烷基結(jié)構(gòu)部分中含有單元D。被一個(gè)或多個(gè)E取代和/或被一個(gè)或多個(gè)單元D間隔的C1-C18烷基例如為(CH2CH2O)1-9-Rx，其中Rx為H或C1-C10烷基或C2-C10鏈烷?；?例如CO-CH(C2H5)C4H9)，CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry，其中Ry為C1-C18烷基、C5-C12環(huán)烷基、苯基、C7-C15苯基烷基，以及Ry'包括與Ry相同的定義或?yàn)镠；C1-C8亞烷基-COO-Rz，例如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz，其中Rz為H，C1-C18烷基，(CH2CH2O)1-9-Rx，并且Rx包括上面所示定義；CH2CH2-O-CO-CH＝CH2；CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)＝CH2。的合成例如描述于Achour，Reddouane；Zniber，Rachid，BulletindesSocietesChimiquesBelges96(1987)787-92中。式的合適基礎(chǔ)骨架可市購(gòu)(尤其是在X為S、O、NH的情況下)或可以通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法得到。參考WO2010079051和EP1885818。鹵化可以通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法進(jìn)行。優(yōu)選在式(II)2,8位(二苯并呋喃和二苯并噻吩)或3,6位(咔唑)的基礎(chǔ)骨架的3和6位(二溴化)或3或6位(單溴化)溴化或碘化。任選取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以用溴或NBS在冰乙酸或氯仿中進(jìn)行2,8位(二苯并呋喃和二苯并噻吩)或3,6位(咔唑)的二溴化。例如，用Br2溴化可以在冰乙酸或氯仿中在低溫如0℃下進(jìn)行。合適的方法例如描述于M.Park，J.R.Buck，C.J.Rizzo，Tetrahedron，54(1998)12707-12714(對(duì)于X＝NPh)和W.Yang等，J.Mater.Chem.13(2003)1351(對(duì)于X＝S)。此外，3,6-二溴咔唑、3,6-二溴-9-苯基咔唑、2,8-二溴二苯并噻吩、2,8-二溴二苯并呋喃、2-溴咔唑、3-溴二苯并噻吩、3-溴二苯并呋喃、3-溴咔唑、2-溴二苯并噻吩和2-溴二苯并呋喃可市購(gòu)。在二苯并呋喃(和類(lèi)似地對(duì)二苯并噻吩)的4位的單溴化例如描述于J.Am.Chem.Soc.1984，106，7150。二苯并呋喃(二苯并噻吩)可以在3位通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知包括硝化、還原和隨后的Sandmeyer反應(yīng)的順序進(jìn)行單溴化。在二苯并呋喃或二苯并噻吩的2位的單溴化和在咔唑的3位的單溴化類(lèi)似于二溴化進(jìn)行，不同在于僅加入1當(dāng)量溴或NBS。或者，還可以使用碘化的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑。制備尤其描述于Tetrahedron.Lett.47(2006)6957-6960，Eur.J.Inorg.Chem.24(2005)4976-4984，J.heterocyclicChem.39(2002)933-941，J.Am.Chem.Soc.124(2002)11900-11907，J.heterocyclicChem，38(2001)77-87。對(duì)于親核取代，需要Cl-或F-取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑。氯化尤其描述于J.heterocyclicChemistry，34(1997)891-900或g.Lett.，6(2004)3501-3504；J.Chem.Soc.[Section]C：Organic，16(1971)2775-7，TetrahedronLett.25(1984)5363-6，J.Org.Chem.69(2004)8177-8182。氟化描述于J.Org.Chem.63(1998)878-880和J.Chem.Soc.，PerkinTrans.2，5(2002)953-957?；鶊F(tuán)的引入在堿的存在下進(jìn)行。合適的堿對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知且優(yōu)選選自堿金屬和堿土金屬的氫氧化物，例如NaOH、KOH、Ca(OH)2，堿金屬氫化物，例如NaH、KH，堿金屬酰胺化物，例如NaNH2，堿金屬或堿土金屬的碳酸鹽，例如K2CO3或Cs2CO3，和堿金屬醇鹽，例如NaOMe、NaOEt。此外，上述堿的混合物是合適的。特別優(yōu)選NaOH、KOH、NaH或K2CO3。雜芳基化可以通過(guò)使銅催化偶聯(lián)為鹵化式的化合物進(jìn)行(Ullmann反應(yīng))。N-芳基化例如描述于H.Gilman和D.A.Shirley，J.Am.Chem.Soc.66(1944)888；D.Li等，DyesandPigments49(2001)181–186和Eur.J.Org.Chem.(2007)2147–2151。反應(yīng)可以在溶劑中或以熔體進(jìn)行。合適的溶劑例如為(極性)非質(zhì)子性溶劑如二甲亞砜、二甲基甲酰胺、NMP、十三烷或醇。9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑的合成描述于WO2010079051中。2-溴-8-碘二苯并呋喃的合成描述于EP1885818中。式化合物的可能合成路徑顯示在以下圖解中：參考Angew.Chem.Int.Ed.46(2007)1627-1629。含有二硼酸或二硼酸鹽基團(tuán)的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以容易通過(guò)增加數(shù)量的路徑制備。合成路徑的概述例如在Angew.Chem.Int.Ed.48(2009)9240–9261中給出。通過(guò)一種常見(jiàn)路徑，含有二硼酸或二硼酸鹽基團(tuán)的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以通過(guò)使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑與(Y1O)2B-B(OY1)2、在催化劑如[1,1′-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf))和堿如乙酸鉀存在下在溶劑如二甲基甲酰胺、二甲亞砜、二烷和/或甲苯中反應(yīng)而制備(參見(jiàn)PrasadAppukkuttan等，Synlett8(2003)1204)，其中Y1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為C1-C18烷基且Y2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為C2-C10亞烷基，例如–CY3Y4-CY5Y6-或–CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互獨(dú)立地為氫或C1-C18烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，且Y13和Y14相互獨(dú)立地為氫或C1-C18烷基。含有二硼酸或二硼酸鹽基團(tuán)的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑還可以通過(guò)使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑與烷基鋰試劑，例如正丁基鋰或叔丁基鋰反應(yīng)并隨后與硼酸酯例如B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3或反應(yīng)而制備(參見(jiàn)Synthesis(2000)442–446)。含有二硼酸或二硼酸鹽基團(tuán)的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑還可以通過(guò)使二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑與氨基鋰如二異丙基氨基鋰(LDA)反應(yīng)并隨后與硼酸酯例如B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3或反應(yīng)而制備(J.Org.Chem.73(2008)2176-2181)?？梢允购卸鹚峄蚨鹚猁}基團(tuán)的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，例如與等摩爾量鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，例如在溶劑中和在催化劑存在下反應(yīng)。催化劑可為μ-鹵化(三異丙基膦)(η3-烯丙基)鈀(II)類(lèi)型的一種(例如參見(jiàn)WO99/47474)。優(yōu)選地，Suzuki反應(yīng)在有機(jī)溶劑如芳族烴或常規(guī)極性有機(jī)溶劑如苯、甲苯、二甲苯、四氫呋喃或二烷或其混合物，最優(yōu)選甲苯存在下進(jìn)行。溶劑的量通常在1-10L/mol硼酸衍生物范圍內(nèi)選擇。還優(yōu)選該反應(yīng)在惰性氣氛如氮?dú)饣驓鍤庀逻M(jìn)行。此外，優(yōu)選在水性堿如堿金屬氫氧化物或碳酸鹽如NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3等存在下進(jìn)行該反應(yīng)，優(yōu)選選擇K2CO3水溶液。該堿與硼酸或硼酸酯衍生物的摩爾比通常在0.5:1-50:1范圍內(nèi)選擇，非常尤其為1:1。反應(yīng)溫度通常在40-180℃范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選在回流條件下。優(yōu)選反應(yīng)時(shí)間在1-80小時(shí)，更優(yōu)選20-72小時(shí)范圍內(nèi)選擇。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，使用偶聯(lián)反應(yīng)或縮聚反應(yīng)常用的催化劑，優(yōu)選WO2007/101820中所述的Pd基催化劑。鈀化合物基于待閉合的鍵數(shù)目以1:10000-1:50，優(yōu)選1:5000-1:200的比例加入。優(yōu)選例如使用鈀(II)鹽如PdAc2或Pd2dba3并加入選自的配體；其中該配體基于Pd以1:1-1:10的比例加入。還優(yōu)選該催化劑作為溶液或懸浮液加入。優(yōu)選使用合適的有機(jī)溶劑如上述那些，優(yōu)選苯、甲苯、二甲苯、THF、二烷，更優(yōu)選甲苯，或其混合物。溶劑的量通常在1-10L/mol硼酸衍生物范圍內(nèi)選擇。有機(jī)堿如四烷基氫氧化銨和相轉(zhuǎn)移催化劑如TBAB可提高硼的活性(例如參見(jiàn)Leadbeater&Marco；Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407和其中所引用的文獻(xiàn))。其他反應(yīng)條件的變體由T.I.Wallow和B.M.Novak，J.Org.Chem.59(1994)5034-5037；和M.Remmers，M.Schulze，G.Wegner，Macromol.RapidCommun.17(1996)239-252和G.A.MolanderundB.Canturk，Angew.Chem.，121(2009)9404–9425中給出。化合物A-1的可能合成路徑顯示于以下反應(yīng)圖解中：化合物B-3的可能合成路徑顯示于以下反應(yīng)圖解中：鹵素/金屬交換使用nBuLi/THF在-78℃下或使用tBuLi/THF在-78℃下進(jìn)行。參考WO2010/079051，其中描述了該類(lèi)化合物的合成。式的化合物還可以通過(guò)使式的化合物在催化劑如乙酸銅(Cu(OAc)2)；配體如PPh3和1,10-菲咯啉；堿如乙酸鈉(NaOAc)、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、磷酸鉀和碳酸氫鈉；溶劑如鄰-、間-、和對(duì)二甲苯，和氧氣(1atm)在升高的溫度下，尤其是在100-160℃的溫度下反應(yīng)而合成。參考X.Wang等，Org.Lett.14(2012)452-455[網(wǎng)上公布：12月29日，2011]。式化合物為在本發(fā)明化合物生產(chǎn)中的中間體，為新的且構(gòu)成本發(fā)明的另一主題。X6’為–N＝且X7’為–NR1’-或X7’為＝N-且X6’為–NR1’-，R1’為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-(R6’)t的基團(tuán)，t為1或2，尤其是1；p、q、r、A1、A2、A3、A4、X1、X2、R2、R3、R4和R5如上所定義。在一個(gè)實(shí)施方案中，R6’為鹵素，尤其是Cl、Br或J；-OS(O)2CF3，-OS(O)2-芳基，尤其是或-OS(O)2CH3，非常尤其是Br或J。在另一實(shí)施方案中，R6’為ZnX12；-SnR207R208R209，其中R207、R208和R209相同或不同且為H或C1-C6烷基，其中兩個(gè)基團(tuán)任選形成公用環(huán)且這些基團(tuán)任選支化或未支化；和X12為鹵原子，尤其是I或Br；-B(OH)2、-B(OY1)2、-BF4Na或-BF4K，其中Y1在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為C1-C10烷基且Y2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地為C2-C10亞烷基，例如-CY3Y4-CY5Y6-或–CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互獨(dú)立地為氫或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，和Y13和Y14相互獨(dú)立地為氫或C1-C10烷基。就p、q、r、A1、A2、A3、A4、X1、X2、R2、R3、R4和R5而言，適用與式I化合物相同的優(yōu)選情形。中間體的實(shí)例如下所示：式I化合物可以由中間體和合適的共反應(yīng)物開(kāi)始例如通過(guò)Suzuki-、Stille-或Negishi-偶聯(lián)反應(yīng)獲得。制備其中R2、R3、R4、R5、R11、R12、R13和R14為H和R1如上所定義的式的化合物的方法可包括(a)加熱在H3PO4、多磷酸、CH3SO3H/P2O5、CH3SO3H或硫酸中的式的化合物以得到式的化合物；和(b)使式XI化合物反應(yīng)而得到式II化合物。上文說(shuō)明了步驟b)的各種實(shí)例。在步驟a)中，可存在沸點(diǎn)在140℃以上的溶劑或溶劑混合物，例如二甲苯或。式X的化合物在惰性氣體如氮?dú)饣驓鍤獾臍夥障略?40℃以上，優(yōu)選160℃以上，更優(yōu)選180℃以上的溫度下攪拌30分鐘至3周，優(yōu)選1-48h。已發(fā)現(xiàn)式I化合物特別適合用于其中要求載流子導(dǎo)電性的應(yīng)用，尤其是用于有機(jī)電子應(yīng)用，例如選自開(kāi)關(guān)元件如有機(jī)晶體管，例如有機(jī)FET和有機(jī)TFT，有機(jī)太陽(yáng)能電池和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的有機(jī)電子應(yīng)用，其中式I化合物特別適合在OLED中在發(fā)光層中用作基體材料和/或用作空穴和/或激子阻斷劑材料和/或用作電子和/或激子阻斷劑材料，尤其是與磷光發(fā)光體組合。在將本發(fā)明式I化合物用于OLED的情況下，得到了具有良好效率和長(zhǎng)使用壽命且可以尤其是在低使用和操作電壓下操作的OLED。本發(fā)明式I化合物特別適合在藍(lán)色和綠色發(fā)光體如淺藍(lán)色或深藍(lán)色發(fā)光體中用作基體和/或空穴/激子阻斷劑材料，這些尤其是磷光發(fā)光體。此外，式I化合物可在選自開(kāi)光元件和有機(jī)太陽(yáng)能電池的有機(jī)電子應(yīng)用中用于導(dǎo)體/補(bǔ)充材料。式I化合物可在有機(jī)電子應(yīng)用，尤其是OLED中用作基體材料和/或空穴/激子阻斷劑材料和/或電子/激子阻斷劑材料和/或空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導(dǎo)體材料(空穴傳輸材料)和/或電子導(dǎo)體材料(電子傳輸材料)，優(yōu)選用作基體材料和/或電子/激子阻斷劑和/或空穴傳輸材料。本發(fā)明式I化合物更優(yōu)選在有機(jī)電子應(yīng)用，尤其是OLED中用作基體材料。在OLED的發(fā)光層或發(fā)光層之一中，可以將發(fā)光劑材料與式I化合物的基體材料以及具有例如良好空穴導(dǎo)體(空穴傳輸)性能的其他基體材料組合。這實(shí)現(xiàn)了該發(fā)光層的高量子效率。當(dāng)將式I化合物在發(fā)光層中用作基體材料和額外用作空穴/激子阻斷劑材料和/或電子/激子阻斷劑材料時(shí)，由于所述材料的化學(xué)相同或類(lèi)似性，在發(fā)光層和相鄰空穴/激子阻斷劑材料和/或電子/激子阻斷劑材料之間獲得改善的界面，這可以導(dǎo)致在相同亮度下電壓的降低和OLED使用壽命的延長(zhǎng)。此外，將相同材料用于空穴/激子阻斷劑材料和/或電子/激子阻斷劑材料和發(fā)光層的基體可以使OLED的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)化，這是因?yàn)榭梢詫⑼粊?lái)源用于式I化合物之一的材料的氣相沉積工藝。有機(jī)電子器件的合適結(jié)構(gòu)對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員是已知的且如下所述。有機(jī)晶體管通常包括由具有空穴傳輸能力和/或電子傳輸能力的有機(jī)層形成的半導(dǎo)體層；由導(dǎo)電層形成的柵極電極；以及在該半導(dǎo)體層和該導(dǎo)電層之間引入的絕緣層。在該排列上安裝源電極和漏電極以產(chǎn)生該晶體管元件。此外，在該有機(jī)晶體管中可以存在本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的其他層。該有機(jī)太陽(yáng)能(光電轉(zhuǎn)換元件)通常包括存在于兩個(gè)平行設(shè)置的板式電極之間的有機(jī)層。該有機(jī)層可以構(gòu)造在梳形電極上。對(duì)于該有機(jī)層的位置沒(méi)有特殊限制且對(duì)于電極材料沒(méi)有特殊限制。然而，當(dāng)使用平行設(shè)置的板式電極時(shí)，至少一個(gè)電極優(yōu)選由透明電極，例如ITO電極或氟摻雜的氧化錫電極形成。該有機(jī)層由兩個(gè)子層，即具有p型半導(dǎo)體性能或空穴傳輸能力的層和具有n型半導(dǎo)體性能或電子傳輸能力的層形成。此外，在該有機(jī)太陽(yáng)能電池中可以存在本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的其他層。具有空穴傳輸能力的層可包含式I化合物。同樣可能的是式I化合物存在于發(fā)光層(優(yōu)選作為基體材料)和電子阻斷層(作為電子/激子阻斷劑)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包含陽(yáng)極An和陰極Ka，設(shè)置在陽(yáng)極An和陰極Ka之間的發(fā)光層E，以及合適的話(huà)至少一個(gè)選自至少一個(gè)空穴/激子阻斷層、至少一個(gè)電子/激子阻斷層、至少一個(gè)空穴注入層、至少一個(gè)空穴導(dǎo)體層、至少一個(gè)電子注入層和至少一個(gè)電子導(dǎo)體層的其他層，其中所述至少一種式I化合物存在于發(fā)光層E和/或其他層中至少一個(gè)中。所述至少一種式I化合物存在于發(fā)光層和/或空穴阻斷層。本申請(qǐng)進(jìn)一步涉及包含至少一種式I化合物的發(fā)光層。本發(fā)明OLED的結(jié)構(gòu)本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)因此通常具有下列結(jié)構(gòu)：陽(yáng)極(An)和陰極(Ka)，設(shè)置在陽(yáng)極(An)和陰極(Ka)之間的發(fā)光層E。本發(fā)明OLED例如在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中可以由下列層形成：1.陽(yáng)極2.空穴導(dǎo)體層3.發(fā)光層4.空穴/激子阻斷層5.電子導(dǎo)體層6.陰極不同于上述結(jié)構(gòu)的層順序也是可能的并且為本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知。例如，可能的是該OLED不具有所有所述層；例如，同樣合適的為具有層(1)(陽(yáng)極)、(3)(發(fā)光層)和(6)(陰極)的OLED，在這種情況下，相鄰層呈層(2)(空穴導(dǎo)體層)和(4)(空穴/激子阻斷層)以及(5)(電子導(dǎo)體層)的功能。同樣合適的為具有層(1)、(2)、(3)和(6)或?qū)?1)、(3)、(4)、(5)和(6)的OLED。此外，OLED可以在空穴導(dǎo)體層(2)和發(fā)光層(3)之間具有電子/激子阻斷層。額外可能的是將多個(gè)上述功能(電子/激子阻斷劑、空穴/激子阻斷劑、空穴注入、空穴傳導(dǎo)、電子注入、電子傳導(dǎo))組合在一層中并且例如由存在于該層中的單一材料呈現(xiàn)。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，用于空穴導(dǎo)體層中的材料可以同時(shí)阻斷激子和/或電子。此外，在上面所述那些中的OLED的各單層又可以由兩個(gè)或更多個(gè)層形成。例如空穴導(dǎo)體層可以由將空穴由電極注入其中的層和將空穴由該空穴注入層傳輸至發(fā)光層的層形成。電子導(dǎo)體層同樣可以由多個(gè)層構(gòu)成，例如由在其中由電極注入電子的層和接收來(lái)自電子注入層的電子并將它們傳輸至發(fā)光層的層構(gòu)成。所述這些層各自根據(jù)諸如能級(jí)、耐熱性和載流子遷移率的因素以及還有就有機(jī)層或金屬電極的所述各層的能量差而選擇。本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員能夠選擇OLED的結(jié)構(gòu)以使它與按照本發(fā)明用作發(fā)光體物質(zhì)的有機(jī)化合物最佳匹配。為了獲得特別有效的OLED，例如該空穴導(dǎo)體層的HOMO(最高被占分子軌道)應(yīng)與陽(yáng)極的功函數(shù)相匹配且該電子導(dǎo)體層的LUMO(最低未占分子軌道)應(yīng)與陰極的功函數(shù)相匹配，條件是上述各層存在于本發(fā)明OLED中。陽(yáng)極(1)為提供正載流子的電極。它例如可以由包括金屬、各種金屬的混合物、金屬合金、金屬氧化物或各種金屬氧化物的混合物的材料形成。或者，陽(yáng)極可以為導(dǎo)電性聚合物。合適的金屬包括主族、過(guò)渡族和鑭系金屬及其合金，尤其是元素周期表第Ib、IVa、Va和VIa族金屬和第VIIIa族過(guò)渡金屬及其合金。當(dāng)陽(yáng)極呈透明時(shí)，通常使用元素周期表(IUPAC版)第IIb、IIIb和IVb族的混合金屬氧化物，例如氧化銦錫(ITO)。同樣可能的是陽(yáng)極(1)包含有機(jī)材料，例如聚苯胺，例如如Nature，第357卷，第477-479頁(yè)(1992年6月11日)所述。至少陽(yáng)極或陰極應(yīng)至少部分透明以能夠發(fā)射形成的光。用于陽(yáng)極(1)的材料優(yōu)選為ITO。適合本發(fā)明OLED的層(2)的空穴導(dǎo)體材料例如公開(kāi)于Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology，第4版，第18卷，第837-860頁(yè)，1996中?？昭▊鬏敺肿雍途酆衔锞梢杂米骺昭▊鬏敳牧?。通常使用的空穴傳輸分子選自三[N-(1-萘基)-N-(苯基氨基)]三苯基胺(1-NaphDATA)，4,4'-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(α-NPD)，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-[1,1'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)，1,1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)，N,N'-二(4-甲基苯基)-N,N'-二(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(ETPD)，四(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)，α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)，對(duì)(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)，三苯基胺(TPA)，二[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)，1-苯基-3-[對(duì)(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對(duì)(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)，1,2-反式-二(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)，N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(TTB)，4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)，4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)，N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)聯(lián)苯胺(β-NPB)，N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-9,9-螺二芴(Spiro-TPD)，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-9,9-螺二芴(Spiro-NPB)，N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-9,9-二甲基芴(DMFL-TPD)，二[4-(N,N-二-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-9,9-二甲基芴，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2-二甲基聯(lián)苯胺，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)聯(lián)苯胺，N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)聯(lián)苯胺，2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)，4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺，4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺，吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈(PPDN)，N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)聯(lián)苯胺(MeO-TPD)，2,7-二[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(MeO-Spiro-TPD)，2,2'-二[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-MeO-Spiro-TPD)，N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NTNPB)，N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NPNPB)，N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(β-NPP)，N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-9,9-二苯基芴(DPFL-TPD)，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-9,9-二苯基芴(DPFL-NPB)，2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9'-螺二芴(Spiro-TAD)，9,9-二[4-(N,N-二(聯(lián)苯-4-基)氨基)苯基]-9H-芴(BPAPF)，9,9-二[4-(N,N-二(萘-2-基)氨基)苯基]-9H-芴(NPAPF)，9,9-二[4-(N,N-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基氨基)苯基]-9H-芴(NPBAPF)，2,2',7,7'-四[N-萘基(苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-2NPB)，N,N'-二(菲-9-基)-N,N'-二(苯基)聯(lián)苯胺(PAPB)，2,7-二[N,N-二(9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴(Spiro-5)，2,2'-二[N,N-二(聯(lián)苯-4-基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-Spiro-DBP)，2,2'-二(N,N-二苯基氨基)-9.9-螺二芴(Spiro-BPA)，2,2',7,7'-四(N,N-二甲苯基)氨基螺二芴(Spiro-TTB)，N,N,N',N'-四萘-2-基聯(lián)苯胺(TNB)，卟啉化合物以及酞菁類(lèi)如銅酞菁和氧化鈦酞菁。通常使用的空穴傳輸聚合物選自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺。同樣可以通過(guò)將空穴傳輸分子摻雜到聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯中獲得空穴傳輸聚合物。合適的空穴傳輸分子是已經(jīng)在上面提到的分子。此外，在一個(gè)實(shí)施方案中可以使用卡賓配合物作為空穴導(dǎo)體材料，該至少一種空穴導(dǎo)體材料的帶隙通常大于所用發(fā)光體材料的帶隙。在本申請(qǐng)上下文中，“帶隙”應(yīng)理解為指三線態(tài)能量。合適的卡賓配合物例如為WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970，WO2007/115981和WO2008/000727中所述的卡賓配合物。合適卡賓配合物的一個(gè)實(shí)例是例如公開(kāi)于WO2005/019373中式的Ir(dpbic)3。原則上，空穴導(dǎo)體層可包含至少一種式I化合物作為空穴導(dǎo)體材料。發(fā)光層(3)包含至少一種發(fā)光體材料。它原則上可以是熒光或磷光發(fā)光體，合適的發(fā)光體材料為本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知。該至少一種發(fā)光體材料優(yōu)選為磷光發(fā)光體。優(yōu)選使用的磷光發(fā)光體化合物基于金屬配合物，尤其是金屬Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物，特別是Ir的配合物具有重要性。式I化合物可以在發(fā)光層中用作基體。適合用于本發(fā)明OLED中的金屬配合物例如描述于文獻(xiàn)WO02/60910A1、US2001/0015432A1、US2001/0019782A1、US2002/0055014A1、US2002/0024293A1、US2002/0048689A1、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453A1、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512A1、WO02/15645A1、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301A1、WO2006/067074A1、WO2006/056418、WO2006121811A1、WO2007095118A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2010129323、WO2010056669和WO10086089中。其他合適的金屬配合物為市售金屬配合物三(2-苯基吡啶)銥(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶根合-N,C2’)銥(III)、雙(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮根合)銥(III)、三(1-苯基異喹啉)銥(III)、雙(2,2’-苯并噻吩基)吡啶根合-N,C3’)銥(III)(乙酰丙酮化物)、三(2-苯基喹啉)銥(III)、雙(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根合-N,C2)皮考啉銥(III)、雙(1-苯基異喹啉)銥(III)(乙酰丙酮化物)、雙(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮根合)銥(III)、雙(二苯并[f,h]喹喔啉)銥(III)(乙酰丙酮化物)、雙(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)銥(III)(乙酰丙酮化物)和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙?；?5-吡唑啉基)鋱(III)、雙[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)異喹啉](乙酰丙酮根合)銥(III)、雙(2-苯基苯并噻唑根合)(乙酰丙酮根合)銥(III)、雙(2-(9,9-二己基芴基)-1-吡啶)(乙酰丙酮根合)銥(III)、雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮根合)銥(III)。另外，以下市售物質(zhì)是合適的：三(二苯甲酰丙酮根合)單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲酰甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲酰甲烷)單(5-氨基菲咯啉)銪(III)、三(二-2-萘酰甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(4-溴苯甲酰甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(二(聯(lián)苯)甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲酰甲烷)單(4,7-二苯基菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲酰甲烷)單(4,7-二甲基菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲酰甲烷)單(4,7-二甲基菲咯啉二磺酸)銪(III)二鈉鹽、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]單(菲咯啉)銪(III)和三[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]單(5-氨基菲咯啉)銪(III)、雙(3-三氟甲基-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑根合)二苯基甲基膦鋨(II)、雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑根合)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑根合)二甲基苯基膦鋨(II)、三[4,4'-二叔丁基(2,2')-聯(lián)吡啶]釕(III)、雙(2-(9,9-二丁基芴基)-1-異喹啉鋨(II)(乙酰丙酮化物)。發(fā)光層優(yōu)選包含式的化合物，其描述于WO2005/019373A2中，其中各符號(hào)具有下列含義：M為選自Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag和Au的金屬原子，其處于相應(yīng)金屬原子的任何可能氧化態(tài)；碳烯為可以不帶電荷的或者一價(jià)陰離子的并且單齒、二齒或三齒的碳烯配體，其中該碳烯配體還可以是雙碳烯或三碳烯配體；L為一價(jià)陰離子或二價(jià)陰離子配體，其可以是單齒或二齒的；K為不帶電荷的單齒或二齒配體，其選自膦；膦酸酯和其衍生物；砷酸酯和其衍生物；亞磷酸酯；CO；吡啶；腈類(lèi)以及與M1形成π配合物的共軛二烯；n1為碳烯配體的數(shù)量，其中n1至少為1，并且當(dāng)n1>1時(shí)，式I配合物中的碳烯配體可以相同或不同；m1為配體L的數(shù)量，其中m1可以為0或≥1，并且當(dāng)m1>1時(shí)，配體L可以相同或不同；o為配體K的數(shù)量，其中o可以為0或≥1，并且當(dāng)o>1時(shí)，配體K可以相同或不同；其中n1+m1+o之和取決于金屬原子的氧化態(tài)和配位數(shù)，取決于配體碳烯、L和K的齒數(shù)以及取決于配體，碳烯和L上的電荷，條件是n1至少為1。為合適的三線態(tài)發(fā)光體的卡賓配合物例如描述于WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981和WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404和WO2011073149。更優(yōu)選如下通式的金屬-碳烯配合物：其描述于美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?1/286046、61/323885和歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)10187176.2(PCT/EP2010/069541)中，其中M、n1、Y、A2、A3、A4、A5、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59、K、L、m1和o各自定義如下：M為Ir或Pt，n1為選自1、2和3的整數(shù)，Y為NR51、O、S或C(R25)2，A2、A3、A4和A5各自獨(dú)立地為N或C，其中2A＝氮原子且至少一個(gè)碳原子存在于環(huán)中兩個(gè)氮原子之間，R51為線性或支化烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有1-20個(gè)碳原子；環(huán)烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有3-20個(gè)碳原子；取代或未取代的芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有6-30個(gè)碳原子；取代或未取代的雜芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子，如果A2、A3、A4和/或A5為N，則R52、R53、R54和R55各自為游離電子對(duì)，或者如果A2、A3、A4和/或A5為C，則各自獨(dú)立地為氫；線性或支化烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有1-20個(gè)碳原子；環(huán)烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有3-20個(gè)碳原子；取代或未取代的芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有6-30個(gè)碳原子；取代或未取代的雜芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子；具有給體或受體作用的基團(tuán)，或者R53和R54與A3和A4一起形成任選取代的不飽和環(huán)，其任選被至少一個(gè)其他雜原子間隔且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子，R56、R57、R58和R59各自獨(dú)立地為氫；線性或支化烷基，其任選被至少一個(gè)其他雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有1-20個(gè)碳原子；環(huán)烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有3-20個(gè)碳原子；環(huán)雜烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有3-20個(gè)碳原子；取代或未取代的芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有6-30個(gè)碳原子；取代或未取代的雜芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子；具有給體或受體作用的基團(tuán)，或者R56和R57、R57和R58或R58和R59與它們所鍵合的碳原子一起形成飽和、不飽和或芳族、任選取代的環(huán)，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子，和/或如果A5為C，則R55和R56一起形成飽和或不飽和、線性或支化橋，其任選包含雜原子、芳族單元、雜芳族單元和/或官能團(tuán)且具有總共1-30個(gè)碳原子和/或雜原子，任選稠合有包含碳原子和/或雜原子的取代或未取代的5-8員環(huán)，R25獨(dú)立地為線性或支化烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有1-20個(gè)碳原子；環(huán)烷基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有3-20個(gè)碳原子；取代或未取代的芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有6-30個(gè)碳原子；取代或未取代的雜芳基，其任選被至少一個(gè)雜原子間隔，任選帶有至少一個(gè)官能團(tuán)且具有總共5-18個(gè)碳原子和/或雜原子，K為不帶電荷的單齒或二齒配體，L為一價(jià)陰離子或二價(jià)陰離子配體，優(yōu)選一價(jià)陰離子配體，其可以是單齒或二齒的，m1為0、1或2，其中當(dāng)m1為2時(shí)，配體K可以相同或不同，o為0、1或2，其中當(dāng)o為2時(shí)，配體L可以相同或不同。式IX化合物優(yōu)選為下式化合物：均配型(homoleptic)金屬-碳烯配合物可以面式異構(gòu)體或子午線式異構(gòu)體形式存在，優(yōu)選面式異構(gòu)體。在雜配型(heteroleptic)金屬-碳烯配合物的情況下，可存在四種不同異構(gòu)體，優(yōu)選假-面式異構(gòu)體。除發(fā)光體材料外，發(fā)光層可包含其他組分。例如，發(fā)光層中可存在熒光染料以改變發(fā)光體材料的發(fā)射顏色。此外，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，可使用基體材料。該基體材料可為聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而，基體材料可為小分子，例如4,4’-N,N’-二咔唑聯(lián)苯(CDP＝CBP)或叔芳族胺，例如TCTA。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，將至少一種式I化合物用作基體材料。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，發(fā)光層由2-40重量％，優(yōu)選5-35重量％至少一種上述發(fā)光體材料和60-98重量％，優(yōu)選75-95重量％至少一種上述基體材料-在一個(gè)實(shí)施方案中至少一種式I化合物-形成，其中發(fā)光體材料和基體材料的總和合計(jì)為100重量％。在特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，發(fā)光層包含式I化合物，例如和兩種卡賓配合物，優(yōu)選式的卡賓配合物。在所述實(shí)施方案中，發(fā)光層由2-40重量％，優(yōu)選5-35重量％和60-98重量％，優(yōu)選65-95重量％式I化合物和形成，其中卡賓配合物和式I化合物的總和合計(jì)為100重量％。因此，適于與式I化合物一起在OLED中用作基體材料和/或空穴/激子阻斷劑材料和/或電子/激子阻斷劑材料和/或空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導(dǎo)體材料和/或電子導(dǎo)體材料，優(yōu)選作為基體材料和/或空穴/激子阻斷劑材料的金屬配合物例如還有如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981和WO2008/000727所述的碳烯配合物。此處明確參考所引用WO申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容，應(yīng)認(rèn)為將這些公開(kāi)內(nèi)容并入本申請(qǐng)的內(nèi)容中。如果空穴/激子阻斷層(4)不含任何式I化合物，則OLED具有-如果空穴阻斷層存在的話(huà)-常用OLED于中的空穴阻斷劑材料例如為2,6-二(N-咔唑基)吡啶(mCPy)，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bathocuproin，(BCP))，二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-苯基苯酚根合)鋁(III)(BAIq)，吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物和1,3,5-三(N-苯基-2-芐基咪唑基)苯)(TPBI)，TPBI也適合作為電子傳導(dǎo)材料。其他合適的空穴阻斷劑和/或電子導(dǎo)體材料是2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑，8-羥基喹啉根合鋰，4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑，1,3-二[2-(2,2'-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉，3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑，6,6'-二[5-(聯(lián)苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2'-聯(lián)吡啶，2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽，2,7-二[2-(2,2'-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴，1,3-二[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯，2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉，三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷，2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉，1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉。在另一實(shí)施方案中，可以在發(fā)光層(3)中使用WO2006/100298中所公開(kāi)的包含經(jīng)由含羰基的基團(tuán)連接的芳族或雜芳族環(huán)的化合物，例如如在本申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)日還未公布的PCT申請(qǐng)PCT/EP2008/058207和PCT/EP2008/058106中所述的選自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基苯并呋喃、二甲硅烷基苯并噻吩、二甲硅烷基苯并磷雜環(huán)戊二烯(disilylbenzophosphole)、二甲硅烷基苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基苯并噻吩S,S-二氧化物的二甲硅烷基化合物以及如WO2008/034758中所公開(kāi)的二甲硅烷基化合物作為空穴/激子阻斷層(4)或作為基體材料。適合本發(fā)明OLED的層(5)的電子導(dǎo)體材料包括與喔星類(lèi)(oxinoid)化合物螯合的金屬，例如2,2’,2”-(1,3,5-亞苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)，三(8-喹啉根合)鋁(Alq3)，基于菲咯啉的化合物如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA＝BCP)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)，以及唑類(lèi)化合物如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)和3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)，8-羥基喹啉根合鋰(Liq)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)，二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-(苯基苯酚根和)鋁(BAlq)，1,3-二[2-(2,2’-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)，6,6’-二[5-(聯(lián)苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2’-聯(lián)吡啶(BP-OXD-Bpy)，4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)，2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)，2,7-二[2-(2,2’-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴(Bby-FOXD)，1,3-二[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯(OXD-7)，三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)，1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉(2-NPIP)，2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽(PADN)，2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(HNBphen)。該層(5)既可以用于促進(jìn)電子傳輸又可以用作緩沖層或阻隔層以防止激子在該OLED各層的界面處猝滅。該層(5)優(yōu)選改善電子的遷移率并降低激子的猝滅。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，將TBPI用作電子導(dǎo)體材料。在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，將BCP用作電子導(dǎo)體材料。原則上可能的是該電子導(dǎo)體層包含至少一種式I化合物作為電子導(dǎo)體材料。在上面作為空穴導(dǎo)體材料和電子導(dǎo)體材料提到的材料中，一些可能滿(mǎn)足幾個(gè)功能。例如，一些電子導(dǎo)體材料在具有低HOMO時(shí)同時(shí)也是空穴阻斷材料。這些例如可以用于空穴/激子阻斷層(4)中。然而，同樣可以的是也采用層(5)作為空穴/激子阻斷劑，使得可以省去層(4)。電荷傳輸層也可以是電子摻雜的，以改善所用材料的傳輸性能，首先使層厚更大(避免針孔/短路)，其次使該器件的操作電壓最小化。例如，該空穴導(dǎo)體材料可以用電子受體摻雜；例如，酞菁或芳基胺如TPD或TDTA可以用四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)或MoO3或WO3摻雜。電子導(dǎo)體材料可以例如摻雜有堿金屬，例如含有鋰的Alq3。此外，電子導(dǎo)體可以摻雜有鹽，例如Cs2CO3或8-羥基喹啉根合鋰(Liq)。電子摻雜為本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知且例如公開(kāi)于W.Gao，A.Kahn，J.Appl.Phys.，第94卷，第1期，2003年7月1日(p-摻雜有機(jī)層)；A.G.Werner，F(xiàn).Li，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo.Appl.Phys.Lett.，第82卷，第25期，2003年6月23日以及Pfeiffer等，OrganicElectronics2003，4，89-103中。例如，該空穴導(dǎo)體層除了卡賓配合物如Ir(dpbic)3外還可以被MoO3或WO3摻雜。例如，電子導(dǎo)體層可包含摻雜有Cs2CO3的BCP。陰極(6)為用于引入電子或負(fù)載流子的電極。適合陰極的材料選自元素周期表(老的IUPAC版)第Ia族堿金屬，例如Li、Cs，第IIa族堿土金屬，例如鈣、鋇或鎂，第IIb族金屬，包括鑭系元素和錒系元素，例如釤。此外，還可以使用金屬如鋁或銦，以及所有所述金屬的組合。此外，可以在該有機(jī)層和陰極之間施加含有堿金屬，尤其是含有鋰的有機(jī)金屬化合物或堿金屬氟化物，例如LiF、CsF或KF，以降低操作電壓。本發(fā)明的OLED可以額外包括本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的其他層。例如，可以在層(2)和發(fā)光層(3)之間施加促進(jìn)正電荷傳輸和/或使各層的帶隙相互匹配的層。或者，該其他層可以用作保護(hù)層。以類(lèi)似方式，可以在發(fā)光層(3)和層(4)之間存在額外層，以促進(jìn)負(fù)電荷傳輸和/或使各層之間的帶隙相互匹配?；蛘撸搶涌梢杂米鞅Ｗo(hù)層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明OLED除了層(1)-(6)外還包括下文所述下列層中的至少一個(gè)：-厚度為2-100nm，優(yōu)選5-50nm的在陽(yáng)極(1)和空穴傳輸層(2)之間的空穴注入層；-在空穴傳輸層(2)和發(fā)光層(3)之間的電子阻斷層；-在電子傳輸層(5)和陰極(6)之間的電子注入層。用于空穴注入層的材料可以選自銅酞菁，4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)，4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)，4,4',4”-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(1T-NATA)，4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(NATA)，氧化鈦酞菁，2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)，吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈(PPDN)，N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)聯(lián)苯胺(MeO-TPD)，2,7-二[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(MeO-Spiro-TPD)，2,2'-二[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-MeO-Spiro-TPD)，N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二-甲苯基氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NTNPB)，N,N'-二苯-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NPNPB)，N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(α-NPP)。原則上可能的是該空穴注入層包含至少一種式I化合物作為空穴注入材料。此外，可以使用聚合物空穴注入材料，如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)，聚噻吩，聚吡咯，聚苯胺，自摻雜聚合物如磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(OCConductingInks，由Plextronics市購(gòu))以及共聚物如也稱(chēng)為PEDOT/PSS的聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)。作為電子注入層的材料，例如可以選擇LiF。原則上，電子注入層可以包含至少一種式I化合物作為電子注入材料、本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員知曉(例如基于電化學(xué)研究)如何選擇合適材料。適合各層的材料對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而言是已知的且例如公開(kāi)于WO00/70655中。此外，可能的是一些用于本發(fā)明OLED中的層已經(jīng)進(jìn)行表面處理，以提高載流子傳輸效率。對(duì)所述各層的材料選擇優(yōu)選通過(guò)獲得具有高效率和使用壽命的OLED決定。本發(fā)明OLED可以通過(guò)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的方法生產(chǎn)。通常而言，本發(fā)明OLED通過(guò)在合適基底上依次氣相沉積各層而生產(chǎn)。合適的基底例如為玻璃，無(wú)機(jī)半導(dǎo)體，或聚合物薄膜。對(duì)于氣相沉積，可以使用常規(guī)技術(shù)，如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及其他技術(shù)。在一種替換方法中，可以使用本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知的涂敷技術(shù)由在合適溶劑中的溶液或分散體施加該OLED的有機(jī)層。不同的層通常具有下列厚度：陽(yáng)極(1)50-500nm，優(yōu)選100-200nm；空穴傳導(dǎo)層(2)5-100nm，優(yōu)選20-80nm，發(fā)光層(3)1-100nm，優(yōu)選10-80nm，空穴/激子阻斷層(4)2-100nm，優(yōu)選5-50nm，電子傳導(dǎo)層(5)5-100nm，優(yōu)選20-80nm，陰極(6)20-1000nm，優(yōu)選30-500nm?？昭ê碗娮釉诒景l(fā)明OLED中的再結(jié)合區(qū)相對(duì)于陰極的相對(duì)位置以及因此該OLED的發(fā)光光譜尤其可以由各層的相對(duì)厚度影響。這意味著電子傳輸層的厚度應(yīng)優(yōu)選選擇得使再結(jié)合區(qū)的位置與該二極管的光學(xué)共振器性能匹配并因此與該發(fā)光體的發(fā)光波長(zhǎng)匹配。該OLED中各層的層厚比例取決于所用材料。所用任何額外層的層厚為本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員已知?？赡艿氖请娮觽鲗?dǎo)層和/或空穴傳導(dǎo)層在電摻雜時(shí)具有的厚度大于所述層厚度。將式I化合物用于OLED的至少一個(gè)層，優(yōu)選在發(fā)光層(優(yōu)選作為基體材料)中和/或在用于空穴/激子的阻斷層中可以獲得具有高效率以及低使用和操作電壓的OLED。通過(guò)使用式I化合物獲得的OLED通常額外具有高使用壽命。該OLED的效率可以通過(guò)優(yōu)化該OLED的其他層而額外改善。例如，可以使用高效率陰極如Ca或Ba，如果合適的話(huà)，與LiF的中間層組合。成型基底和導(dǎo)致操作電壓降低或量子效率提高的新型空穴傳輸材料同樣可以用于本發(fā)明OLED中。此外，額外層可以存在于該OLED中以調(diào)節(jié)不同層的能級(jí)并促進(jìn)場(chǎng)致發(fā)光。該OLED可以進(jìn)一步包括至少一個(gè)第二發(fā)光層。該OLED的總發(fā)光可以包含至少兩個(gè)發(fā)光層的發(fā)光且還可以包括白光。該OLED可以用于所有其中場(chǎng)致發(fā)光有用的設(shè)備中。合適的器件優(yōu)選選自固定和移動(dòng)可視顯示單元以及照明單元。固定可視顯示單元例如為計(jì)算機(jī)、電視的可視顯示單元，打印機(jī)、廚房用具和廣告板、照明和信息板中的可視顯示單元。移動(dòng)可視顯示單元例如為移動(dòng)電話(huà)、臺(tái)式PC、便攜式電腦、數(shù)字相機(jī)、MP3播放器、車(chē)輛以及公共汽車(chē)和火車(chē)上的目的地顯示中的可視顯示單元。其中可以使用本發(fā)明OLED的其他器件例如為鍵盤(pán)；衣物；家具；壁紙。此外，本發(fā)明涉及選自如下的器件：固定可視顯示單元如計(jì)算機(jī)、電視的可視顯示單元，打印機(jī)、廚房用具和廣告板、照明、信息板中的可視顯示單元以及移動(dòng)可視顯示單元如移動(dòng)電話(huà)、臺(tái)式PC、便攜式電腦、數(shù)字相機(jī)、MP3播放器、車(chē)輛以及公共汽車(chē)和火車(chē)上的目的地顯示中的可視顯示單元；照明單元；鍵盤(pán)；衣物；家具；壁紙，其包含至少一種本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管或至少一種本發(fā)明發(fā)光層。下列實(shí)施例僅以說(shuō)明目的包括在此且不限制權(quán)利要求書(shū)的范圍。除非另有指明，所有份數(shù)和百分?jǐn)?shù)按重量計(jì)。實(shí)施例實(shí)施例1a)在-78℃下在氬氣下將16.4ml(27.9mmol)在戊烷中的叔丁基鋰加入5.00g(12.1mmol)9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑(其合成描述于WO2010079051)在30ml無(wú)水四氫呋喃(THF)中的溶液中。在15分鐘之后，緩慢加入2.93g(15.8mmol)2-異丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷。將反應(yīng)混合物在-78℃下在氬氣下攪拌3h，傾入水中并將水相用乙醚萃取。使有機(jī)相用硫酸鎂干燥并除去溶劑。由醚結(jié)晶得到2.57g化合物1(產(chǎn)率：46％)。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ8.50(s,1H),8.18-8.23(m,3H),8.05(dd,J＝8.3Hz,J＝1.3Hz,1H),7.80-7.82(m,1H),7.64-7.70(m,2H),7.43-7.49(m,4H),7.28-7.37(m,2H),1.43(s,12H).b)在180℃下將11.3g(50.0mmol)3-(2-氨基苯基)-1H-苯并咪唑-2-酮加入50g多磷酸。將反應(yīng)混合物在220℃下在氮?dú)庀聰嚢?h并傾入水中。將產(chǎn)物濾出并用水和甲醇洗滌。將50ml30％氫氧化鈉溶液加入產(chǎn)物在200mlTHF中的懸浮液。將該混合物攪拌30分鐘并使有機(jī)相分離，使用硫酸鎂干燥并蒸除溶劑。獲得9.26g化合物2(產(chǎn)率：89％)。1HNMR(400MHz,DMSO-d6)：δ7.88(d,J＝7.7Hz,2H),7.39(d,J＝8.0Hz,2H),7.12-7.16(m,2H),6.97-7.01(m,2H).5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑和3-(2-氨基苯基)-1H-苯并咪唑-2-酮的合成描述于Bull.Soc.Chem.Belg.96(1987)787中。c)在氮?dú)庀聦?.00g(13.4mmol)2-溴-8-碘二苯并呋喃(其合成描述于EP1885818)、8.74g(26.8mmol)碳酸銫、255mg(1.34mmol)碘化銅(I)和309mg(2.68mmol)L-脯氨酸加入2.78g(13.4mmol)在75ml二甲基甲酰胺中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在150℃下加熱19h并在HyfloSuperCel(R)介質(zhì)，F(xiàn)luka56678，CAS[91053-39-3]上使用THF過(guò)濾。用水洗滌有機(jī)相。蒸除溶劑。用甲苯/乙酸乙酯19/1在硅膠上柱層析得到化合物3(產(chǎn)率：2.29g(37.7％))。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.66(s,1H),8.41(s,1H),8-01-8-16(m,3H),7.89(d,J＝8.8Hz,1H),7.63-7.75(m,4H),7.25-7.49(m,4H).d)將1.98g(3.41mmol)化合物1和4.02g(16.6mmol)磷酸三鉀單水合物(potassiumphosphatetribasicmonohydrate)、15ml二烷、60ml甲苯和12ml水加入1.50g(3.32mmol)化合物3中。將該混合物用氬氣脫氣。加入81mg(0.199mmol)2-二環(huán)己基膦基-2',6'-二甲氧基聯(lián)苯(sPhos)和74mg(0.033mmol)乙酸鈀(II)。將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣并在氬氣下在100℃下攪拌4.5h。加入40ml氰化鈉的1％溶液并將反應(yīng)混合物回流1小時(shí)。加入二氯甲烷，將有機(jī)相用水洗滌并用硫酸鎂干燥。用甲苯和然后甲苯/乙酸乙酯9/1在硅膠上柱層析得到化合物A-1(產(chǎn)率：1.42g(61％))。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.71(s,1H),8.54-8.58(m,2H),8.41(s,1H),8.20(d,J＝7.8Hz,2H),7.62-8.11(m,12H),7.26-7.31(m,10H).實(shí)施例24H-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑的合成描述于ARKIVOC2002(v)48-61中。a)在氮?dú)庀聦?.02g(51.0mmol)4H-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、15.9g(56.1mmol)1-溴-3-碘苯、33.2g(102mmol)碳酸銫、1.94g(10.2mol)碘化銅(I)和2.35g(20.4mol)L-脯氨酸在200ml二甲亞砜(DMSO)中在100℃下攪拌24h。將固體濾出并用二氯甲烷洗滌。將有機(jī)相用水洗滌并用硫酸鎂干燥。蒸除溶劑。用甲苯和然后甲苯/乙酸乙酯(20/1)柱層析得到產(chǎn)物混合物(3.89g(24％)異構(gòu)體A和4.46g(28％)異構(gòu)體B)。兩種異構(gòu)體的分離通過(guò)用甲苯/乙酸乙酯(甲苯100％，甲苯/乙酸乙酯95/5，甲苯/乙酸乙酯90/10和乙酸乙酯100％)梯度柱層析實(shí)現(xiàn)。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.54-8.56(m,1H),8.33(dd,J＝7.8Hz,J＝1.4Hz,1H),7.80(d,J＝2.8Hz,1H),7.76(d,J＝2.8Hz,1H),7.79(d,J＝8.6Hz,2H),7.39-7.46(m,2H),7.20-7.29(m,1H),7.12-7.16(m,1H).1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.23(s,1H),7.95-7.97(m,1H),7.70-7.74(m,2H),7.56(s,1H),7.45-7.53(m,2H),7.24-7.33(m,2H),7.17(s,1H).b)合成化合物C-1類(lèi)似于合成化合物A-1進(jìn)行。1HNMR(400MHz,THF-d8)：8.63(s,1H),8.52(s,1H),8.42(s,1H),8.32-8.35(m,1H),8.20-8.22(m,2H),7.59-8.02(m,10H),7.40-7.47(m,4H),7.09-7.20(m,4H).c)實(shí)施例2c)的產(chǎn)物的合成類(lèi)似于合成化合物A-1進(jìn)行。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ＝8.51(d,J＝1.7Hz,1H),8.41(d,J＝2.1Hz,1H),8.37-8.39(m,1H),8.21(s,1H),8.19(s,1H),7.98(dd,J＝8.6Hz,J＝1.9Hz,1H),7.91-7.94(m,2H),7.65-7.82(m,6H),7.57(d,J＝1.5Hz,1H),7.37-7.44(m,4H),7.24-7.34(m,4H),7.12(d,J＝1.5Hz,1H).應(yīng)用實(shí)施例1-混合基體首先將用作陽(yáng)極的ITO基底用LCD生產(chǎn)用市售清潔劑(20NS和25ORGAN-中和劑)清潔，然后在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為了消除任何可能的有機(jī)殘余物，在臭氧爐中將該基底暴露于連續(xù)臭氧流另外25分鐘。該處理也改進(jìn)該ITO的空穴注入性能。然后旋涂OCAJ20-1000(由PlextronicsInc.市購(gòu))并干燥，形成空穴注入層(～40nm)。然后在約10-7-10-9毫巴下通過(guò)氣相沉積將下述有機(jī)材料以約0.5-5nm/min的速率施加于該清潔基底上。作為空穴傳輸和激子阻斷劑，將(Ir(dpbic)3)(對(duì)于制備見(jiàn)申請(qǐng)WO2005/019373中的Ir配合物(7))以20nm的厚度施加于該基底上，其中最初10nm用MoOx(～10％)摻雜以改善導(dǎo)電率。隨后，將30重量％發(fā)光劑化合物8重量％化合物Ir(dpbic)3和62重量％化合物的混合物以30nm厚度通過(guò)氣相沉積施加。然后通過(guò)氣相沉積以5nm的厚度施加作為阻斷劑的材料BAlq接下來(lái)通過(guò)氣相沉積以20nm的厚度施加Cs2CO3摻雜的BCP層作為電子傳輸層，最后施加100nm厚的Al電極完成器件。所有制造部件用玻璃蓋和吸氣劑密封在惰性氮?dú)鈿夥罩小?yīng)用實(shí)施例2–單基體OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例1中進(jìn)行，不同的是發(fā)光層僅由30重量％化合物和70重量％化合物構(gòu)成，即不包含化合物Ir(dpbic)3。為了表征該OLED，在各種電流和電壓下記錄場(chǎng)致發(fā)光光譜。此外，與發(fā)射的光輸出組合測(cè)量電流-電壓特性。光輸出可以通過(guò)用光度計(jì)校正而轉(zhuǎn)化成測(cè)光參數(shù)。為了測(cè)定使用壽命，使該OLED在恒定電流密度下操作并記錄光輸出降低。使用壽命定義為直到亮度降低至初始亮度的一半所流逝的時(shí)間。1)外部量子效率(EQE)為由物質(zhì)或器件逃逸所產(chǎn)生的光子#/流過(guò)它的電子#。實(shí)施例3在氮?dú)庀聦?.30g(10mmol)1,3-二碘苯、13.0g(40.0mmol)碳酸銫、1.90g(1.00mmol)碘化銅(I)和2.30g(20.0mmol)L-脯氨酸加入4.56g(22.0mmol)mmol)在100ml二甲亞砜(DMSO)中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌5h。將反應(yīng)混合物傾入水中并濾出產(chǎn)物。將產(chǎn)物由甲苯結(jié)晶兩次。產(chǎn)率為1.6g(48％)。MS(APCI(pos)：m/z＝489(M+1).1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.79(s,1H),8.22(d,J＝8.4Hz,2H),8.15-8.18(m,2H),8.00-8.06(m,4H),7.88(t,J＝8.1Hz,1H)7.71(d,J＝7.9Hz,2H),7.41-7.49(m,4H),7.25-7.34(m,4H).實(shí)施例4a)在氮?dú)庀聦?.78g(25mmol)1-溴-3-碘苯、16.3g(50.0mmol)碳酸銫、1.24g(6.50mmol)碘化銅(I)和1.50g(13.0mmol)L-脯氨酸加入5.18g(25.0mmol)在100ml二甲亞砜(DMSO)中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌18h。將反應(yīng)混合物傾入水中。將有機(jī)相用二氯甲烷萃取。將有機(jī)相用硫酸鎂干燥。蒸除溶劑。用甲苯在硅膠上柱層析得到產(chǎn)物。產(chǎn)率為8.35g(92％)。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ8.25(s,1H),7.90-8.05(m,3H),7.95-8.05(m,3H),7.71(d,J＝7.9Hz,1H),7.65(d,J＝7.9Hz,1H).7.50-7.65(m,2H),7.26-7.45(m,4H).b)將1.09g(3.00mmol)實(shí)施例4a)的產(chǎn)物、690mg(2.70mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)-1,3,2-二氧雜戊硼烷、5.86g(1.80mmol)在20mlDMF中的碳酸鉀用氬氣脫氣。加入1,1′-雙(二苯膦基)二茂鐵)二氯化鈀(II)并將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣。將反應(yīng)混合物在80℃下攪拌18h。濾出產(chǎn)物并用二甲基甲酰胺(DMF)、水和甲醇洗滌。產(chǎn)率為370mg(44％)。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ8.43(s,2H),7.95-8.10(m,6H)7.70-7.90(m,6H),7.63(d,J＝7.6Hz,2H),7.20-7.45(m,8H).實(shí)施例5a)將5.78g(16.0mmol)實(shí)施例4a)的產(chǎn)物、12.16g(47.8mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)-1,3,2-二氧雜戊硼烷、12.5g(0.128mol)乙酸鉀在50mlDMF中用氬氣脫氣。加入1,1′-雙(二苯膦基)二茂鐵)二氯化鈀(II)并將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣。將反應(yīng)混合物在60℃下攪拌22h并傾入氯化鈉的飽和水溶液。將水相用四氫呋喃(THF)萃取，將有機(jī)相用硫酸鎂干燥并蒸除溶劑。將產(chǎn)物由乙醚和環(huán)己烷結(jié)晶。產(chǎn)率為3.62g(59％)。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.26(s,1H),8.09-8.10(m,1H),8.07-8.09(m,2H),7.86(s,J＝7.6Hz,1H),7.60-7.67(m,3H),7.28-7.42(m,4H),1.39(s,12H).K3PO4*H2O，b)2.72g(6.01mmol)5-(8-溴二苯并呋喃-2-基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑和6.92g(3.01mmol)磷酸三鉀單水合物、27ml二烷、100ml甲苯和21ml水加入3.20g(7.82mmol)5-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)苯基]苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將混合物用氬氣脫氣。加入148mg(0.361mmol)2-二環(huán)己基膦基-2',6'-二甲氧基聯(lián)苯(sPhos)和135mg(0.060mmol)乙酸鈀(II)。將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣并在氬氣下在100℃下攪拌22h。加入110ml氰化鈉的1％溶液并將反應(yīng)混合物回流1小時(shí)。加入二氯甲烷，將有機(jī)相用水洗滌并用硫酸鎂干燥。產(chǎn)物用甲醇煎煮(產(chǎn)率：1.62g(41％))。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.69(d,J＝1.1Hz,1H),8.57(d,J＝1.6Hz,1H),8.42(s,1H),8.05-8.08(m,1H),7.89-7.99(m,6H),7.80-7.85(m,2H),7.76-7.75(m,4H),7.57-7.61(m,2H),7.18-7.37(m,8H).實(shí)施例6a)將20.0g(78.8mmol)1,3-二溴-5-氟苯、16.3g(78.8mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑和43.5g(0.315mmol)碳酸鉀在200mlDMF中在170℃下攪拌17h。將反應(yīng)混合物趁熱過(guò)濾并將來(lái)自母液的沉淀物在冷卻之后過(guò)濾。將產(chǎn)物用水和乙醇洗滌并用乙醚和乙醇煎煮。產(chǎn)率為21.2g(61％)。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.21-8.26(m,4H),7.98-7.8.00(m,1H),7.68-7.73(m,2H),7.31-7.49(m,4H).b)將2.00g(4.53mmol)5-(3,5-二溴苯基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑和4.15g(3.00mmol)碳酸鉀、27ml二烷、100ml甲苯和21ml水加入3.20g(7.82mmol)2-二苯并呋喃-2-基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷。將混合物用氬氣脫氣。加入37mg(0.090mmol)2-二環(huán)己基膦基-2',6'-二甲氧基聯(lián)苯(sPhos)和10mg(0.0045mmol)乙酸鈀(II)。將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣并在氬氣下在120℃下攪拌19h。加入110ml氰化鈉的1％溶液并將反應(yīng)混合物回流1小時(shí)。蒸除溶劑。加入30ml甲苯，濾出產(chǎn)物，用水和環(huán)己烷洗滌并由甲基丁基酮(MEK)結(jié)晶。產(chǎn)率為1.84g(66％)。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.21-8.26(m,4H),7.98-7.8.00(m,1H),7.68-7.73(m,2H),7.31-7.49(m,4H).實(shí)施例7實(shí)施例7的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例6中描述的程序制備。1HNMR(400MHz,DMSO-d6)：δ8.59(d,J＝1.5Hz,2H),8.46-8.47(m,1H),8.24-8.33(m,6H),8.13(d,J＝8.0Hz,1H),7.99-8.01(m,2H),7.78(d,J＝8.2Hz,2H),7.37-7.68(m,9H),7.29-7.37(m,2H)實(shí)施例8將3.85g(8.51mmol)5-(8-溴二苯并呋喃-2-基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑和10.3g(4.26mmol)磷酸三鉀單水合物、20ml二烷、80ml甲苯和16ml水加入2.01g(4.09mmol)4,4,5,5-四甲基-2-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)苯基]-1,3,2-二氧雜戊硼烷。將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣。加入210mg(0.511mmol)2-二環(huán)己基膦基-2',6'-二甲氧基聯(lián)苯(sPhos)和191mg(0.085mmol)乙酸鈀(II)。將反應(yīng)混合物用氬氣脫氣并在氬氣下在100℃下攪拌22h。加入110ml氰化鈉的1％溶液并將反應(yīng)混合物回流1小時(shí)。加入二氯甲烷，將有機(jī)相用水洗滌并用硫酸鎂干燥。產(chǎn)物用乙醚煎煮。產(chǎn)率為1.31g(39％)。1HNMR(400MHz,DMF-d7)：δ8.90(d,J＝1.7Hz,2H),8.86(d,J＝2.2Hz,2H),8.37(s,1H),8.26-8.31(m,4H),8.14-8.21(m,4H),8.08-8.11(m,2H),7.94-7.96(m,2H),7.89-7.93(m,2H),7.76-7.78(m,2H),7.66-7.71(m,3H),7.32-7.49(m,8H)實(shí)施例9a)2,6-二碘二苯并呋喃根據(jù)WO2011/111423的實(shí)施例13制備并通過(guò)由環(huán)己烷結(jié)晶純化。b)實(shí)施例9的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例5中描述的程序制備。實(shí)施例10在氮?dú)庀聦?.20g(10mmol)2,8-二碘二苯并呋喃、13.0g(40.0mmol)碳酸銫、1.90g(1.00mmol)碘化銅(I)和2.30g(20.0mmol)L-脯氨酸加入4.56g(22.0mmol)在100ml二甲亞砜(DMSO)中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌24h，過(guò)濾并用二氯甲烷洗滌。將有機(jī)相用硫酸鎂干燥并蒸除溶劑。將產(chǎn)物由醚結(jié)晶。產(chǎn)率為4.7g(81％)。1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ8.73(d,J＝1.2Hz,2H),8.14(d,J＝2.3Hz,J＝8.8Hz,2H),7.96-8.02(m,4H),7.92(d,J＝8.8Hz,2H),7.70-7.73(m,2H),7.62(d,J＝7.1Hz,2H),7.25-7.40(m,8H).實(shí)施例11a)2-溴二苯并呋喃根據(jù)E.Hand,J.Org.Chem.62(1997)1348制備并通過(guò)由叔丁基甲基醚(TBME)結(jié)晶而純化。b)在氬氣下將47.27g(0.199mol)2-溴苯并呋喃溶于440ml干燥THF并冷卻至-78℃。在1h內(nèi)，將二異丙基氨基鋰的溶液(LDA；由81.2ml(0.219mol)正丁基鋰(2.7M，在庚烷中)和20.18g(0.199mol)二異丙基胺在250ml干燥THF中制備)加入，保持溫度在-73℃以下。將所得黃色溶液在-78℃下攪拌2h。然后將50.6g(0.199mol)溶于150ml干燥THF中的碘溶液在50分鐘內(nèi)加入，保持溫度在-73℃以下。將所得褐色溶液溫?zé)嶂潦覝?，傾入500ml緩沖溶液pH＝7并用2NHCl中和至pH＝7。將有機(jī)溶劑蒸發(fā)并將水相用乙酸乙酯萃取3次。將合并的有機(jī)相用水洗滌3次，用硫酸鎂干燥，過(guò)濾并將溶劑蒸發(fā)。由環(huán)己烷/TBME＝1:1結(jié)晶兩次得到35.0g2-溴-4-碘二苯并呋喃(產(chǎn)率：45.6％)。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ7.99(d,J＝1.8Hz,1H),7.95(d,J＝1.8Hz,1H),7.85(d,J＝8Hz,1H),7.63(d,J＝8Hz,1H),7.51(t,J＝8Hz,1H),7.37(t,J＝8Hz,1H).實(shí)施例12a)4-溴二苯并呋喃根據(jù)US2011/0006670的實(shí)施例1制備并通過(guò)由甲醇結(jié)晶純化。b)6-溴-2-碘二苯并呋喃根據(jù)US2011/0006670的實(shí)施例1制備并通過(guò)由2-丙醇結(jié)晶純化。c)在氮?dú)庀聦?.00g(2.68mmol)6-溴-2-碘二苯并呋喃、1.75g(5.36mmol)碳酸銫、130mg(0.67mmol)碘化銅(I)和150mg(1.34mmol)L-脯氨酸加入670mg(3.22mmol)在20mlDMSO中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌18h并過(guò)濾。將THF和甲苯加入有機(jī)相并將有機(jī)相用水洗滌。將有機(jī)相用硫酸鎂干燥并蒸除溶劑。產(chǎn)物可以不經(jīng)進(jìn)一步純化用于步驟d)(產(chǎn)率＝650mg(78％))。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ8.66(d,J＝2.2Hz,1H),8.13-8.19(m,2H),7.96-8.07(m,3H),7.66-7.78(m,3H),7.25-7.45(m,5H).d)實(shí)施例12的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例5中描述的程序制備。MS(APCI(pos),m/z)：615.5(M+1).1HNMR(400MHz,THF-d8)：8.68(d,J＝2.1Hz,1H),8.34(t,J＝1.8Hz,1H),8.21(d,J＝7.7Hz,3H),7.85-7.15(m,7H),7.65-7.77(m,5H),7.47-7.58(m,3H),7.28-7.44(m,6H).實(shí)施例139-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)苯基]咔唑的合成描述于Chem.Mater.20(2008)1691–1693。實(shí)施例21的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例5中描述的程序制備。實(shí)施例142-碘二苯并呋喃根據(jù)A.Kryska,JournalofChemicalResearch,Miniprint10(1999)2501制備并通過(guò)由甲醇結(jié)晶純化。實(shí)施例15a)2,4-二碘二苯并呋喃類(lèi)似于實(shí)施例11中描述的程序制備，由2-碘二苯并呋喃(實(shí)施例14)開(kāi)始并由2-丙醇結(jié)晶純化(產(chǎn)率：80％)。1HNMR(400MHz,CDCl3)：δ8.17(s,1H),8.07(s,1H),7.84(d,J＝7.6Hz,1H),7.63(d,J＝7.6Hz,1H),7.51(t,J＝7.6Hz,1H),7.37(t,J＝7.6Hz,1H).b)實(shí)施例15的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例10中描述的程序制備。實(shí)施例16a)在氮?dú)庀聦?.00g(24.7mmol)1-溴-4-碘苯、10.5g(32.2mmol)碳酸銫、2.36g(12.4mmol)碘化銅(I)和2.85g(24.7mmol)L-脯氨酸加入5.13g(24.7mmol)在80mlDMSO中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌15h并在150℃下攪拌4h，用二氯甲烷在Hyflo上過(guò)濾。將有機(jī)相用水洗滌。將有機(jī)相用硫酸鎂干燥。將產(chǎn)物用乙醚和甲基乙基酮(MEK)煎煮。產(chǎn)率：2.90g(77％)。1HNMR(400MHz,DMF-d7)：δ7.93-8.10(m,4H),7.78-7.92(m,2H),7.72-7.79(m,1H),7.49-7.71(m,1H),7.31-7.49(m4H).b)實(shí)施例16b)的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例4b)中描述的程序制備。1HNMR(400MHz,DMF-d7)：δ＝8.19-8.33(m,10H),7.83-7.87(m,2H),7.73-7.77(m,2H),7.35-7.54(m,4H).一個(gè)信號(hào)被DMF覆蓋。MS(APCI(pos),m/z)：565(M+1).實(shí)施例17實(shí)施例17的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例4b)中描述的程序制備。實(shí)施例18實(shí)施例18的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例5b)中描述的程序制備。MS(APCI(pos),m/z)：615(M+1)。實(shí)施例19在氮?dú)庀聦?g(4.04mmol)3,6-二碘-9-苯基咔唑、5.26g(16.2mmol)碳酸銫、190mg(0.101mmol)碘化銅(I)和233mg(2.02mmol)L-脯氨酸加入1.84g(8.89mmol)在40mlDMSO中的5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。將反應(yīng)混合物在150℃下攪拌10h，在HyfloSuperCel(R)介質(zhì)(Fluka56678，CAS[91053-39-3])上過(guò)濾并用二氯甲烷洗滌。將有機(jī)相用硫酸鎂干燥并蒸除溶劑。用環(huán)己烷/甲苯(環(huán)己烷100％，環(huán)己烷/甲苯10/1，環(huán)己烷/甲苯4/1)梯度柱層析得到產(chǎn)物(產(chǎn)率：70mg(3％))。MS(APCI(pos),m/z)：654(M+1).1HNMR(400MHz,THF-d8)：δ＝8.81(d,J＝1.9Hz,2H),7.99-7.05(m,6H),7.70-7.83(m,11H),7.22-7.41(m,8H).除了Cpd.A-12以外，通過(guò)HPLC-MS還檢出如下化合物：(MS(APCI(pos),m/z)：449(M+1)).(MS(APCI(pos),m/z)：575(M+1)).實(shí)施例20a)實(shí)施例20a)的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例1c)中描述的程序制備。參考J.HeterocyclicCompounds(1989)168和J.Org.Chem42(1977)542關(guān)于4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑的合成和用于其合成的原料。MS(MALDI-MS(,m/z)：403(M+1).b)實(shí)施例20b)的產(chǎn)物類(lèi)似于實(shí)施例13)中描述的程序制備。實(shí)施例21a)在氮?dú)庀聦?g(31.6mmol)4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑、20.6g(63.2mmol)碳酸銫、1.5g(7.9mmol)碘化銅(I)和910mg(7.9mmol)L-脯氨酸加入17.8g(8mL)(63.2mmol)在60mLDMSO中的1-溴-3-碘苯。將反應(yīng)混合物在85℃下攪拌15h。將反應(yīng)混合物用二氯甲烷濾過(guò)硅膠。將有機(jī)相由水、NaCl溶液洗滌并使用硫酸鈉干燥。將產(chǎn)物用乙醚煎煮(產(chǎn)率：8.0g(80％))。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.02(s,1H),7.98(s,1H),7.90-7.88(m,1H),7.71-7.68(m,1H),7.60-7.58(d,1H),7.52-7.48(t,1H),7,46-7.40(m,2H).13CNMR(500MHz,CD2Cl2)：δ155.05(d,1C),153.47(s,1C),136.82(s,1C),134.23(s,1C),131.63(d,1C),130.78(d,1C),126.69(d,1C),124.95(s,1C),124.87(d,1C),123.50(s,1C),123.26(d,1C),122.45(d,1C),112.15(d,1C),111.66(d,1C).b)在氬氣下將1.25g(4mmol)4-(3-溴苯基)-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑、2.4g(5.2mmol)9-[8-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)二苯并呋喃-2-基]咔唑和4.3g(20mmol)在40mL甲苯中的磷酸鉀加入在二烷/水40mL/10mL中的90mg(0.03mmol)乙酸鈀(II)、100mg(0.24mmol)2-二環(huán)己基膦基-2',6'-二甲氧基聯(lián)苯(sPhos)中。將反應(yīng)混合物在85℃下攪拌15h并用二氯甲烷濾過(guò)C鹽。將有機(jī)相由水、NaCl溶液洗滌并使用硫酸鈉干燥(產(chǎn)率：1.75g(77％))。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.41(d,1H),8.37(d,1H),8.34(d,2H),8.25(t,1H),8.17(s,1H),8.06-8.04(m,3H),7.93-7.86(m,4H),7.84(d,1H),7.82(d,1H),7.59-7.54(m,6H),7.47-7.43(m,2H).13CNMR(500MHz,CD2Cl2)：δ157.22(s,1C),155.97(s,1C),155.07(d,1C),153.80(s,1C),143.30(s,1C),141.80(s,2C),136.12(s,1C),135.79(s,1C),134.68(s,1C),133.14(s,1C),130.81(d,1C),127.78(d,1C),127.31(d,1C),126.79(d,1C),126.36(d,2C),125.87(s,1C),124.91(s,1C),124.89(s,1C),124.76(d,1C),123.51(d,2C),122.92(d,1C),122.88(d,1C),120.61(d,2C),120.31(d,1C),120.26(d,2C),122.65(d,1C),120.03(d,1C),113.40(d,1C),112.66(d,1C),112.21(d,1C),111.58(d,1C),110.02(d,2C).實(shí)施例22將160mg(0.48mmol)1,3-二碘苯和170mg(1.06mmol)4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑在10mLDMSO中在氬氣下攪拌15分鐘。加入625mg(1.9mmol)碳酸銫、120mg(1.06mmol)L-脯氨酸和90mg(0.48mmol)碘化銅(I)。將反應(yīng)混合物在100℃下攪拌15h并用二氯甲烷濾過(guò)C鹽。將有機(jī)相由水、NaCl溶液洗滌并使用硫酸鈉干燥。將產(chǎn)物由異丙醇結(jié)晶(產(chǎn)率：130mg(69％))。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.35(s,1H),8.06(s,2H),7.94-7.84(m,7H),7.50-7.42(m,4H).13CNMR(500MHz,CD2Cl2)：δ155.12(d,2C),153.59(s,2C),137.10(s,2C),134.27(s,2C),131.07(d,1C),125.09(s,2C),125.06,(d,2C),123.39(d,2C),121.80(d,2C),118.36(d,1C),112.51(d,2C),111.73(d,2C).實(shí)施例23將1g(2.4mmol)2,8-二碘二苯并呋喃和840mg(5.3mmol)4H-[1,2,4]三唑并[1,5-a]苯并咪唑在10mLDMSO中在氬氣下攪拌15分鐘。加入3.1gmg(9.6mmol)碳酸銫、550mg(4.8mmol)L-脯氨酸和460mg(2.4mmol)碘化銅(I)。將褐色反應(yīng)混合物在100℃下攪拌15h。將水加入反應(yīng)混合物中并過(guò)濾且用甲醇洗滌。將產(chǎn)物由甲苯結(jié)晶(產(chǎn)率：330mg(28％))。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.38(s,1H),8.05(s,2H),7.92-7.85(m,8H),7.42-7.13(dd,2H)實(shí)施例249-(9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑根據(jù)文獻(xiàn)程序制備(J.Org.Chem,2008,73,1809)。a)實(shí)施例24a)的產(chǎn)物根據(jù)實(shí)施例10的程序制備。純化：FC(SiO2，環(huán)己烷/CH2Cl24：1.產(chǎn)率：85％。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.34(s,1H),8.18(m,5H),7.87(d,1H),7.77(d,1H),7.67(d,1H),7.59(m,3H),7.51-7.39(m,6H),7.31(m,3H).b)將Pd(dppf)*CH2Cl2(8mg，0.01mmol)加入5-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)苯基]苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(133mg，0.33mmol)、實(shí)施例24a)的產(chǎn)物(144mg，0.25mmol)在二烷(5mL)和NaOH(3M，0.25mL)中的經(jīng)脫氣(Ar)的混合物。將反應(yīng)混合物在80℃下加熱8h并濾過(guò)C鹽和FC(SiO2，CH2Cl2)得到產(chǎn)物(產(chǎn)率：50mg，26％)。1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.33(2xs,2+1H),8.18(m,4H),7.88(m,5H),7.81-7.73(m,4H),7.69-7.62(m,3H),7.56(d,1H),7.49(d,2H),7.42-7.27(m,11H).應(yīng)用實(shí)施例3ITO基底的制備以及隨后完整二極管的表征與應(yīng)用實(shí)施例1相同，不同的是如下層的組成不同：作為空穴傳輸和激子阻斷劑，將Ir(dpbic)3以20nm的厚度施加于該基底上，其中最初10nm用MoO3(～10％)摻雜以改善導(dǎo)電率。隨后，將30重量％發(fā)光劑化合物15重量％化合物Ir(dpbic)3和55重量％化合物的混合物以30nm厚度通過(guò)氣相沉積施加。然后通過(guò)氣相沉積以5nm的厚度施加作為空穴阻斷劑的化合物A-10。隨后以20nm的厚度蒸鍍50重量％材料和50重量％材料的混合物作為電子傳輸層，最后沉積～2nmKF作為電子注入層并沉積100nm厚的Al電極完成器件。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例1OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例3中進(jìn)行，不同如下：在空穴傳輸層中，MoO3在Ir(dpbic)3中的摻雜濃度為5重量％。發(fā)光層由30重量％化合物15重量％化合物Ir(dpbic)3和55重量％化合物構(gòu)成?？昭ㄗ钄鄬佑苫衔颮ef-1構(gòu)成且電子傳輸層25nm厚。*將應(yīng)用實(shí)施例3測(cè)量的使用壽命設(shè)定為100且對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例1的使用壽命的規(guī)定與應(yīng)用實(shí)施例3的那些有關(guān)。應(yīng)用實(shí)施例4OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例3中進(jìn)行，不同如下：具有MoO3和Ir(dpbic)3的空穴傳輸層15nm厚且具有未摻雜的電子阻斷劑Ir(dpbic)3的空穴傳輸層僅5nm厚。發(fā)光層由30重量％化合物10重量％化合物Ir(dpbic)3和60重量％化合物構(gòu)成，厚度為40nm?？昭ㄗ钄鄬佑刹牧螧-5構(gòu)成。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例2OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例3中進(jìn)行，不同如下：發(fā)光層由30重量％化合物10重量％化合物Ir(dpbic)3和60重量％化合物構(gòu)成，厚度為40nm?？昭ㄗ钄鄬佑苫衔颮ef-2構(gòu)成。主體材料電壓@300nits[V]使用壽命@4000nits*應(yīng)用實(shí)施例4B-54.55100對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例2Ref-24.3470*將應(yīng)用實(shí)施例4測(cè)量的使用壽命設(shè)定為100且對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例2的使用壽命的規(guī)定與應(yīng)用實(shí)施例4的那些有關(guān)。應(yīng)用實(shí)施例5OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例1中進(jìn)行，不同如下：發(fā)光層由30重量％化合物10重量％化合物Ir(dpbic)3和60重量％化合物構(gòu)成，厚度為30nm。電子傳輸層25nm厚。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例3OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例1中進(jìn)行，不同如下：發(fā)光層由30重量％化合物10重量％化合物Ir(dpbic)3和60重量％化合物構(gòu)成，厚度為30nm。電子傳輸層25nm厚。主體材料電壓@300nits[V]EQE@300nits[％]應(yīng)用實(shí)施例5A-203.4311.3對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例3Ref-33.8113.6*將應(yīng)用實(shí)施例5測(cè)量的使用壽命設(shè)定為100且對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例3的使用壽命的規(guī)定與應(yīng)用實(shí)施例5的那些有關(guān)。應(yīng)用實(shí)施例6OLED的生產(chǎn)和構(gòu)造按照應(yīng)用實(shí)施例3中進(jìn)行，不同如下：發(fā)光層由30重量％化合物10重量％化合物Ir(dpbic)3和60重量％化合物構(gòu)成，厚度為40nm?？昭ㄗ钄鄬佑刹牧螦-3構(gòu)成。主體材料電壓@300nits[V]EQE@300nits[％]CIE應(yīng)用實(shí)施例6A-204.5612.80.18/0.36當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3