1.一種復合配制物，所述復合配制物包含：
聚合物基質(zhì)；和
金屬粒子，所述金屬粒子包含按體積計10％至36％之間的濃度的樹枝狀粒子，和含錫粒子；
其中所述含錫粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在10％至36％之間；
其中所述樹枝狀粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在16％至40％之間；
其中所述金屬粒子是在大于所述聚合物基質(zhì)的熔體溫度的溫度下在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的；
其中將所述金屬粒子共混時的溫度造成所述金屬粒子的金屬-金屬擴散，產(chǎn)生金屬間相，所述溫度至少為所述金屬粒子的金屬間退火溫度。
2.權(quán)利要求1所述的復合配制物，所述復合配制物還包含加工助劑。
3.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物是可擠出的或可成型的。
4.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述配制物還包含具有選自由下列各項組成的組的形態(tài)的金屬粒子：類球體粒子、粉末、薄片和它們的共混物。
5.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述樹枝狀粒子具有在5微米至100微米之間的最大尺寸。
6.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述含錫粒子具有在2微米至50微米之間的最大尺寸。
7.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述金屬粒子具有200微米的最大尺寸。
8.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述聚合物基質(zhì)包含選自由下列各項組成的組的聚合物：聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯和液晶聚合物。
9.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述含錫粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在10％至36％之間，并且所述樹枝狀粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在16％至40％之間。
10.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物具有在23℃下小于0.0006歐姆·cm的電阻率。
11.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中在低于所述含錫粒子的熔體溫度完成復合熔融混合。
12.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物能夠制備復合產(chǎn)品，所述復合產(chǎn)品是選自由下列各項組成的組的電氣組件：天線、屏蔽器和連接器外殼。
13.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物能夠被成型或擠出為復合產(chǎn)品，所述復合產(chǎn)品具有根據(jù)ASTM標準B539-02在30gm的力下小于100毫歐姆的接觸電阻。
14.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物能夠制備可以用鉛系和無鉛焊料之一或二者焊接的復合產(chǎn)品。
15.權(quán)利要求1所述的復合配制物，其中所述復合配制物能夠制備在暴露于150℃下10天之后維持在最初電阻率和最初接觸電阻的30％內(nèi)的電阻率和接觸電阻。
16.一種復合配制物，所述復合配制物包含：
聚合物基質(zhì)；和
金屬粒子，所述金屬粒子包含樹枝狀粒子和含錫粒子；
其中所述金屬粒子是在高于所述聚合物基質(zhì)的熔體溫度的溫度下在所述聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的；
其中將所述金屬粒子共混時的溫度造成所述金屬粒子的金屬-金屬擴散，產(chǎn)生金屬間相和合金相之一或二者；
其中所述樹枝狀粒子具有在5微米至50微米之間的最大尺寸；
其中所述含錫粒子具有在2微米至50微米之間的最大尺寸；
其中所述含錫粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在10％至36％之間；
其中所述樹枝狀粒子在所述復合配制物中按體積計的濃度在16％至40％之間；
其中所述復合配制物具有在23℃下小于0.0006歐姆·cm的電阻率。
17.一種由復合配制物制備的復合產(chǎn)品，所述復合配制物具有在聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的金屬粒子，所述復合產(chǎn)品包含：
所述聚合物基質(zhì)；
所述金屬粒子，所述金屬粒子包含含錫粒子和包含銅的樹枝狀粒子；和
由所述金屬粒子的至少一部分形成的金屬間化合物，所述金屬間化合物至少部分由在所述復合產(chǎn)品的制備期間或隨后的熱處理步驟期間在至少為金屬間退火溫度的溫度下被處理的復合配制物形成。
18.權(quán)利要求18所述的復合產(chǎn)品，其中所述復合產(chǎn)品是在受控的氣氛中在所述金屬-金屬擴散發(fā)生時的溫度下熱處理過的，其中所述復合產(chǎn)品具有在23℃下小于0.0004歐姆·cm的電阻率，并且其中所述復合產(chǎn)品顯示根據(jù)ASTM標準B539-02在30gm的力下小于100毫歐姆的接觸電阻。