本發(fā)明涉及配制物及制造的產(chǎn)品。更具體地，本發(fā)明涉及具有金屬或?qū)щ娏Ｗ拥膹?fù)合配制物和復(fù)合產(chǎn)品。

發(fā)明背景

導(dǎo)電金屬-塑料材料可用于各種組件。對(duì)于改進(jìn)這樣的組件來(lái)說(shuō)，較低的電阻率或較高的導(dǎo)電性是理想的。這樣的組件的延長(zhǎng)的使用壽命和借助焊接或借助其他行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法(例如，c形夾或彈簧單高蹺針(pogo pin))的到組件的容易的電接觸也是理想的。對(duì)這樣的組件的進(jìn)一步改進(jìn)允許在不同環(huán)境中更廣泛的用途。

可以在材料中使用銅粒子，制造相對(duì)良好導(dǎo)電的復(fù)合配制物。然而，這樣的材料不能用于某些應(yīng)用，當(dāng)暴露于各種電子、汽車(chē)產(chǎn)品所需的不同極端條件時(shí)不是環(huán)境上穩(wěn)定的，并且不和包含銀的材料一樣導(dǎo)電。然而，銀是昂貴的并且包括操作復(fù)雜性。

在不犧牲成本、操作復(fù)雜性、或運(yùn)行性能的情況下降低材料的復(fù)合材料電阻率并且增加材料的導(dǎo)電性仍然是在本領(lǐng)域中理想的。此外，具有低接觸電阻和/或在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性仍然是在本領(lǐng)域中理想的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比顯示出一種或多種改進(jìn)的復(fù)合配制物和復(fù)合產(chǎn)品將會(huì)是在本領(lǐng)域中理想的。

發(fā)明簡(jiǎn)述

在一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物包含具有金屬粒子的聚合物基質(zhì)，金屬粒子包含樹(shù)枝狀粒子和含錫粒子。金屬粒子是在大于聚合物基質(zhì)的熔體溫度(melt temperature)的溫度下在聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的。含錫粒子在復(fù)合配制物中按體積計(jì)的濃度在10％至36％之間，并且樹(shù)枝狀粒子在復(fù)合配制物中按體積計(jì)的濃度在16％至40％之間。將金屬粒子共混時(shí)的溫度造成金屬粒子的金屬-金屬擴(kuò)散，產(chǎn)生金屬間相，所述溫度至少為金屬粒子的金屬間退火溫度(intermetallic annealing temperature)。

在另一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物包含聚合物基質(zhì)和金屬粒子，金屬粒子包含銅粒子和錫粒子。金屬粒子是在高于聚合物基質(zhì)的熔體溫度的溫度下在聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的。將金屬粒子共混時(shí)的溫度造成金屬粒子的金屬-金屬擴(kuò)散，產(chǎn)生金屬間相和合金相之一或二者。金屬粒子包括選自由下列各項(xiàng)組成的組的形態(tài)：枝晶、類(lèi)球體粒子、薄片和它們的共混物。銅粒子具有在5微米至50微米之間的最大尺寸。錫粒子具有在2微米至50微米之間的最大尺寸。錫粒子在復(fù)合配制物中按體積計(jì)的濃度在10％至36％之間。銅粒子在復(fù)合配制物中按體積計(jì)的濃度在16％至40％之間。復(fù)合配制物具有在23℃下小于0.0006歐姆·cm的電阻率。

在另一個(gè)實(shí)施方案中，由復(fù)合配制物(所述復(fù)合配制物具有在小于金屬間退火溫度的溫度下在聚合物基質(zhì)內(nèi)共混的金屬粒子)制備的復(fù)合產(chǎn)品包含聚合物基質(zhì)和金屬粒子，金屬粒子包含錫粒子和銅粒子，以及由金屬粒子的至少一部分形成的金屬間化合物，所述金屬間化合物由在復(fù)合產(chǎn)品的制備期間在至少為金屬間退火溫度的溫度下被處理的復(fù)合配制物形成。

根據(jù)以下更詳細(xì)的描述，連同舉例說(shuō)明本發(fā)明的原理的附圖，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)是顯而易見(jiàn)的。

附圖簡(jiǎn)述

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的具有聚合物基質(zhì)和金屬粒子的復(fù)合配制物的示意圖。

圖2是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為由復(fù)合配制物形成的復(fù)合產(chǎn)品的屏蔽器的透視圖。

圖3是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為由復(fù)合配制物形成的復(fù)合產(chǎn)品的電連接器的透視圖。

圖4是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為由復(fù)合配制物形成的復(fù)合產(chǎn)品的天線(xiàn)的透視圖。

圖5示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為金屬粒子的成分的銅枝晶的掃描電子顯微照片。

圖6示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為金屬粒子的成分的銅薄片的掃描電子顯微照片。

圖7示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為金屬粒子的成分的含錫粉末的掃描電子顯微照片。

圖8示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的復(fù)合產(chǎn)品的掃描電子顯微照片的橫截面圖。

圖9示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的圖8的復(fù)合產(chǎn)品的掃描電子顯微照片的表面視圖。

圖10示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的復(fù)合產(chǎn)品的掃描電子顯微照片的表面視圖。

圖11示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的圖10的復(fù)合產(chǎn)品在用觸點(diǎn)擦拭(wiping)之后的掃描電子顯微照片的表面視圖。

圖12示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的復(fù)合產(chǎn)品在受控的氣氛中熱處理之前和之后的X射線(xiàn)衍射數(shù)據(jù)的圖形描繪。

圖13示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的具有圖15中所示的0.004歐姆·cm的電阻率的復(fù)合產(chǎn)品的掃描電子顯微照片的表面視圖。

圖14示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的具有圖15中所示的0.0003歐姆·cm的電阻率的復(fù)合產(chǎn)品的掃描電子顯微照片的表面視圖。

圖15示出了復(fù)合產(chǎn)品電阻率對(duì)實(shí)例工藝參數(shù)中的一種(如在金屬-金屬擴(kuò)散發(fā)生的溫度下復(fù)合配制物雙螺桿擠出機(jī)混合期間的螺桿轉(zhuǎn)速)的依賴(lài)性的圖形描繪。

圖16示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為圖10的復(fù)合產(chǎn)品的負(fù)載力的函數(shù)的平均接觸電阻的圖形描繪。

圖17示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為圖10的復(fù)合產(chǎn)品在85℃在85％相對(duì)濕度下的老化天數(shù)的函數(shù)的電阻率的圖形描繪。

圖18示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的作為圖10的復(fù)合產(chǎn)品在150℃在空氣中的老化天數(shù)的函數(shù)的電阻率的圖形描繪。

圖19示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的復(fù)合產(chǎn)品在各種暴露條件下基于200gm力的接觸電阻的圖形描繪。

圖20是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的具有焊接至復(fù)合產(chǎn)品的金屬觸點(diǎn)的復(fù)合產(chǎn)品的示意圖。

在任何可能的情況下，將會(huì)在整個(gè)附圖中使用相同的附圖編號(hào)以表示相同的部件。

發(fā)明詳述

提供了復(fù)合配制物和由復(fù)合配制物制造的復(fù)合產(chǎn)品。例如，與未能公開(kāi)在這里公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征的相似概念相比，本公開(kāi)的實(shí)施方案具有較低的電阻率(較高的導(dǎo)電性)，具有對(duì)于實(shí)現(xiàn)使用這樣的較低的電阻率(較高的導(dǎo)電性)來(lái)說(shuō)較低的接觸力要求，具有延長(zhǎng)的運(yùn)行壽命(例如，基于老化數(shù)據(jù))，能夠被焊接，能夠被擠出，能夠被成型，包括增加的金屬間相和/或合金相(如，基于在本文中所公開(kāi)的相似或不同的金屬粒子)，包括金屬-金屬擴(kuò)散和/或微焊接(如，在在本文中所公開(kāi)的相似或不同金屬粒子之間)，包括增加的粒子-粒子連接性，和/或能夠具有根據(jù)本公開(kāi)顯而易見(jiàn)的其他優(yōu)點(diǎn)和區(qū)別。如在本文中所使用的，用于小厚度(例如，小于0.5mm)和小橫截面(例如，小于10mm²)的術(shù)語(yǔ)“微焊接”融合技術(shù)包括但不限于，焊接技術(shù)如壓力接觸、電、靜電、冷、超聲、熱壓縮、電子束、激光、以及它們的組合。

參照?qǐng)D1，復(fù)合配制物100包含聚合物基質(zhì)101和金屬粒子103(例如，均勻共混的和/或與聚合物基質(zhì)101一起的，其按體積計(jì)濃度在45％至70％之間、50％至55％之間、51％至54％之間、52％至54％之間、52％至53％之間、51％、52％、52.5％、53％、54％、55％、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍)。共混借助任何適合的技術(shù)，如雙螺桿共混。

聚合物基質(zhì)101包括能夠具有共混在其內(nèi)的金屬粒子103的任何適合的材料。適合的材料包括但不限于：聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、液晶聚合物、和具有或不具有加工助劑的聚合物-共聚物共混物。在一個(gè)實(shí)施方案中，聚合物基質(zhì)101允許復(fù)合配制物100被擠出和/或成型(例如，注塑成型、熱成型、燒結(jié)、或它們的組合)。

復(fù)合配制物100包括任何其他適合的成分。在一個(gè)實(shí)施方案中，將加工助劑在聚合物基質(zhì)101內(nèi)共混，例如，按體積計(jì)濃度在3％和10％之間、6％和8％之間、7％和8％之間、6％、7％、7.5％、8％、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。一種適合的加工助劑是潤(rùn)滑劑，如癸二酸二辛酯二氧化硅共混物。能夠在聚合物基質(zhì)101內(nèi)共混的其他適合的成分包括但不限于：填料(例如，用于增加粘度和/或密度)、固化劑(例如，用于基于溶劑的固化和/或用于輻射固化)、潤(rùn)濕劑、消泡劑、染料或著色劑、或它們的組合。

復(fù)合配制物100中的金屬粒子103包含樹(shù)枝狀粒子501(參見(jiàn)圖5-6)和含錫粒子701(參見(jiàn)圖7)，如錫或錫合金。在高于聚合物熔體溫度的并且金屬-金屬擴(kuò)散在該溫度發(fā)生的溫度(如金屬間形成溫度)下，將金屬粒子103在聚合物基質(zhì)101內(nèi)共混，得到金屬間相或合金相或組合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，共混是在低于含錫粒子701的熔化溫度的溫度，如對(duì)于錫來(lái)說(shuō)232℃，或錫合金的熔化溫度。對(duì)于共混來(lái)說(shuō)適合的溫度范圍包括但不限于：小于230℃、小于220℃、小于210℃、在180℃至230℃之間、180℃至220℃之間、180℃至210℃之間、190℃至200℃之間、195℃至205℃之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

在一個(gè)實(shí)施方案中，成型或擠出溫度高于聚合物101的熔體溫度并且高于或低于含錫粒子701的熔體溫度，以進(jìn)一步完成金屬間擴(kuò)散和相形成。對(duì)于成型或擠出來(lái)說(shuō)適合的溫度范圍包括但不限于：小于300℃、小于270℃、小于250℃、小于210℃、小于180℃、在210℃至170℃之間、180℃至220℃之間、190℃至230℃之間、200℃至240℃之間、230℃至270℃之間、260℃至300℃之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

金屬粒子103包含兩種以上類(lèi)型的金屬。金屬粒子103為能夠在聚合物基質(zhì)101內(nèi)共混的任何適合的尺寸和形態(tài)。對(duì)于金屬粒子103的最大尺寸來(lái)說(shuō)適合的值包括但不限于：100微米、80微米、50微米、30微米、10微米、5微米、2微米、小于100微米、小于80微米、在50微米至100微米之間、50微米至80微米之間、30微米至100微米之間、30微米至80微米之間、30微米至50微米之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

樹(shù)枝狀粒子501和含錫粒子701大小相似或大小不同。對(duì)于樹(shù)枝狀粒子501來(lái)說(shuō)適合的最大尺寸包括但不限于：在25微米至50微米之間、25微米至50微米之間、15微米至25微米之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。對(duì)于含錫粒子701來(lái)說(shuō)適合的最大尺寸包括但不限于：在2微米至50微米之間、10微米至30微米之間、5微米至25微米之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

對(duì)于金屬粒子103來(lái)說(shuō)適合的形態(tài)包括但不限于：枝晶、類(lèi)球體粒子、薄片、粉末、或形態(tài)的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，樹(shù)枝狀粒子501和含錫粒子701形態(tài)不同。在一個(gè)實(shí)施方案中，含錫粒子701包括球形或圓柱形粉末的形態(tài)，和/或枝晶501，例如，具有銅粒子，如在圖5中所示，如在圖6中所示的薄片601，類(lèi)球體粒子，或這樣的形態(tài)的共混物。在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬粒子103包括兩種形態(tài)(因此如圖8-9中所示是二元的)、三種形態(tài)(因此是三元的)、或四種形態(tài)(因此是四元的)。

金屬粒子103如樹(shù)枝狀粒子501和含錫粒子701的濃度為復(fù)合配制物100提供了所需的性能。金屬粒子103在復(fù)合配制物100中按體積計(jì)的濃度在30％至50％之間、35％至45％之間、38％至42％之間、39％至41％之間、38％、39％、40％、41％、42％、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

在一個(gè)實(shí)施方案中，樹(shù)枝狀粒子501和/或銅在復(fù)合配制物100中按體積計(jì)的濃度在16％至40％之間、16％至20％之間、20％至24％之間、10％至30％之間、18％至22％之間、10％、16％、18％、20％、22％、24％、30％、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

在一個(gè)實(shí)施方案中，含錫粒子701在復(fù)合配制物100中按體積計(jì)的濃度在10％至36％之間、16％至30％之間、25％至36％之間、10％至40％之間、20％至30％之間、24％至28％之間、10％、16％、20％、24％、25％、28％、30％、36％、40％、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

在一個(gè)實(shí)施方案中，除了聚合物基質(zhì)101和樹(shù)枝狀粒子501和/或含錫粒子701之外，由復(fù)合配制物100制成的成型或擠出復(fù)合產(chǎn)品102在金屬粒子界面處具有金屬間相或合金相或組合物901(參見(jiàn)圖12)。

混合或成型或擠出工藝參數(shù)影響復(fù)合配制物的粒子分布、混合、金屬間相或合金相形成(參見(jiàn)圖13和圖14)。例如，這樣的參數(shù)可以包括但不限于：螺桿設(shè)計(jì)、雙螺桿擠出機(jī)的螺桿轉(zhuǎn)速、和在擠出機(jī)的不同區(qū)域的溫度。粒子-粒子連接性以及體電阻率取決于這些工藝參數(shù)。復(fù)合配制物100提供了一定的體電阻率(和相應(yīng)導(dǎo)電性)水平，其允許對(duì)于某些工藝參數(shù)的較低電阻(參見(jiàn)圖15，其示出了與圖14相對(duì)應(yīng)的較低電阻率值和與圖13相對(duì)應(yīng)的較高電阻率值)。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物100具有小于0.0006歐姆·cm、小于0.0004歐姆·cm、小于0.00035歐姆·cm、在0.00015至0.00030歐姆·cm之間或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍的電阻率。基于這樣的電阻率(和相應(yīng)導(dǎo)電性)，復(fù)合配制物100能夠用于復(fù)合產(chǎn)品102，如屏蔽器201(參見(jiàn)圖2)、連接器外殼301(參見(jiàn)圖3)、或天線(xiàn)401(參見(jiàn)圖4)。

復(fù)合配制物100允許一定力水平下的電連接，所述力水平小于與具有銅但不具有錫或錫合金比較配制物(未示出)(例如，與具有在0.0005至0.001歐姆·cm之間的電阻率的比較配制物)電連接所需的力水平。如在圖16中所示，在一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物100提供了如根據(jù)ASTMB539-02(用于測(cè)量電連接電阻的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試)測(cè)量的適合的接觸電阻。適合的接觸電阻值包括但不限于：在來(lái)自6mm涂金球的在10gm和50gm之間的力下小于100毫歐姆、在來(lái)自6mm涂金球的在50gm和100gm之間的力下小于50毫歐姆、在來(lái)自6mm涂金球的在50gm和100gm之間的力下小于50毫歐姆、在來(lái)自6mm涂金球的在100gm和200gm之間的力下小于50毫歐姆、在來(lái)自6mm涂金球的在100gm和200gm之間的力下小于20毫歐姆、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。類(lèi)似地，在一個(gè)實(shí)施方案中，與比較配制物相比，復(fù)合配制物實(shí)現(xiàn)了在400gm的力下較少的電阻值變化。

復(fù)合配制物100能夠維持電阻率，并且因此與具有銅但是不具有錫或錫合金的比較配制物(未示出)(例如，所述比較配制物具有0.0005至0.001歐姆·cm之間的電阻率)相比能夠在85℃或150℃的溫度下維持更長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間的逾滲(percolated)網(wǎng)絡(luò)連接。例如，盡管比較配制物在150℃空氣中在100小時(shí)的時(shí)間段內(nèi)從0.0005歐姆·cm增加至0.005歐姆·cm，在一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物100在85℃空氣中在12天內(nèi)維持小于0.0006歐姆·cm的電阻率(和相應(yīng)導(dǎo)電性)，如在圖17中所示在85℃和85％相對(duì)濕度中在10天內(nèi)小于0.0006歐姆·cm，和/或如在圖18中所示在150℃空氣中在10天內(nèi)小于0.0006歐姆·cm。在另一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物100在248℃至258℃空氣中在1天內(nèi)維持小于0.0006歐姆·cm的電阻率(和相應(yīng)導(dǎo)電性)。

復(fù)合產(chǎn)品102能夠在暴露于各種暴露條件時(shí)維持接觸電阻。圖19示出了復(fù)合產(chǎn)品102的實(shí)施方案在各種暴露條件下基于200gm力的接觸電阻。例如，在包括將復(fù)合產(chǎn)品102暴露于在空氣中85℃或150℃的溫度10天的第一組條件801下，在至少25微米的擦拭之后，接觸電阻為4至5毫歐姆之間。在包括將復(fù)合產(chǎn)品102暴露于85℃的溫度和85％的相對(duì)濕度10天的第二組條件803下，在至少100微米的擦拭之后，接觸電阻為5至7毫歐姆之間。在包括將復(fù)合產(chǎn)品102暴露于在95％的相對(duì)濕度的從25℃至65℃的溫度循環(huán)10天的第三組條件805下，在至少150微米的擦拭之后，接觸電阻為4至5毫歐姆之間。在包括在金屬銅通常腐蝕并且顯示出接觸電阻響應(yīng)的降低的條件下將復(fù)合產(chǎn)品102暴露于混合流動(dòng)氣體(例如，MFG級(jí)IIa)2天的第四組條件807下，在至少300微米的擦拭之后，接觸電阻為4至5毫歐姆之間。如在本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“降低”是指最初電阻率和/或最初接觸電阻的大于30％的損失。在所有四組條件下，即使在暴露于高溫、或溫度-濕度循環(huán)、或混合流動(dòng)氣體之后，約25um的擦拭也維持了在200gm的力下低于10毫歐姆的接觸電阻。

在一個(gè)實(shí)施方案中，將復(fù)合產(chǎn)品102在高于或低于含錫粒子701的熔體溫度在受控的真空或氣體氣氛中后處理。該處理在從復(fù)合配制物100制備復(fù)合產(chǎn)品102期間，例如在擠出期間和/或成型期間，或者在制備復(fù)合產(chǎn)品102之后進(jìn)行。在一個(gè)實(shí)施方案中，該處理在受控的氣氛(例如惰性的基本上由氬和/或氮組成的氣氛)、任何其他適合的惰性氣氛中進(jìn)行，或者在真空中進(jìn)行。在一個(gè)實(shí)施方案中，該處理允許復(fù)合配制物100進(jìn)一步形成金屬間或合金化合物和/或使其穩(wěn)定(參見(jiàn)圖12)。在一個(gè)實(shí)施方案中，該處理允許復(fù)合配制物100具有增加的粒子-粒子連接性，提供了金屬間相或合金相對(duì)金屬粒子103的部分或完全的覆蓋。用于該處理的適合的溫度范圍包括但不限于：高于或低于230℃、在180℃至250℃之間、220℃至250℃之間、240℃至250℃之間、或其中的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。該處理的適合的持續(xù)時(shí)間包括，但不限于至少5分鐘、至少30分鐘、至少1小時(shí)、至少3小時(shí)、至少6小時(shí)、在5分鐘至30分鐘之間、15分鐘至1小時(shí)之間、30分鐘至1小時(shí)之間、15分鐘至6小時(shí)之間、1小時(shí)至4小時(shí)之間、1小時(shí)至3小時(shí)之間、2小時(shí)至6小時(shí)之間、或它們的任何適合的組合、子組合、范圍、或子范圍。

與在不利用該處理制備時(shí)的復(fù)合產(chǎn)品102相比，該處理將電阻率降低(并且將相應(yīng)的導(dǎo)電性增加)，例如為2至10倍。另外地或備選地，在一個(gè)實(shí)施方案中，該處理將接觸力要求降低至例如25至50gm的力，如30gm，能夠維持小于0.1歐姆的接觸電阻。在一個(gè)實(shí)施方案中，與在不利用該處理制備時(shí)的復(fù)合產(chǎn)品102相比，延長(zhǎng)了復(fù)合產(chǎn)品102的運(yùn)行壽命。

參照?qǐng)D10，在一個(gè)實(shí)施方案中，復(fù)合配制物100和/或復(fù)合產(chǎn)品102包含至少一部分延伸通過(guò)聚合物基質(zhì)101的表面的金屬粒子103。在另一個(gè)實(shí)施方案中，如由圖11所示的，擦拭或涂抹(smear)復(fù)合配制物100和/或復(fù)合產(chǎn)品102(例如，用觸點(diǎn))，從而增加包含金屬粒子103的復(fù)合配制物和/或復(fù)合產(chǎn)品102的表面積的比例。

在一個(gè)實(shí)施方案中，將復(fù)合配制物100或復(fù)合產(chǎn)品102回流或手工焊接，例如至少6次，同時(shí)將電阻率維持在最初電阻率的30％內(nèi)。參照?qǐng)D20，在一個(gè)實(shí)施方案中，回流或手工焊接使用無(wú)鉛或鉛系焊料以在復(fù)合產(chǎn)品102上制備金屬觸點(diǎn)902。

實(shí)施例

在第一實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，將復(fù)合產(chǎn)品在200gm力下在85℃或150℃的溫度下在空氣中暴露于各種擦拭距離10天。所得接觸電阻在圖19中由第一組條件801示出。

在第二實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，將復(fù)合產(chǎn)品在200gm力下在85℃的溫度和85％的相對(duì)濕度下暴露于各種擦拭距離10天。所得接觸電阻在圖19中由第二組條件803示出。

在第三實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，將復(fù)合產(chǎn)品在200gm力和在95％相對(duì)濕度的從25℃至65℃的溫度循環(huán)下暴露于各種擦拭距離10天。所得接觸電阻在圖19中由第三組條件805示出。

在第四實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，在金屬銅通常腐蝕的條件下將復(fù)合產(chǎn)品在200gm力和混合流動(dòng)氣體(例如，MFG級(jí)IIa)下暴露于各種擦拭距離2天。所得接觸電阻在圖19中由第四組條件807示出。

在第五實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，復(fù)合配制物按體積計(jì)包含52.5％的聚偏二氟乙烯(PVDF)、7.5％的癸二酸二辛酯二氧化硅、24％的銅枝晶、和16％的錫粉末。在熱處理之前，體電阻率是5x10^-4歐姆·cm并且在100gm力下的接觸電阻是350毫歐姆。在熱處理之后，體電阻率是2x10^-4歐姆·cm并且在100gm力下的接觸電阻是15-40毫歐姆。

在第六實(shí)施例中，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案，復(fù)合配制物按體積計(jì)包含52.5％的聚偏二氟乙烯(PVDF)、7.5％的癸二酸二辛酯二氧化硅、16％的銅枝晶、和24％的錫粉末。在熱處理之前，體積電阻率是3x10^-4歐姆·cm并且在100gm力下的接觸電阻是15-40毫歐姆。

盡管已經(jīng)參照一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，可以作出各種改變并且多種等同物可以代替其多種要素而不背離本發(fā)明范圍。另外，可以做出許多修改以使特定的情況或材料適應(yīng)本發(fā)明的教導(dǎo)而不背離其基本范圍。因此，預(yù)期的是，本發(fā)明不限于作為預(yù)期用于實(shí)施本發(fā)明的最佳模式而公開(kāi)的具體實(shí)施方案，而是本發(fā)明將會(huì)包括落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的全部實(shí)施方案。另外，應(yīng)當(dāng)如同明確地確定了精確值和近似值二者一樣來(lái)解釋在詳細(xì)描述中確定的全部數(shù)值。