本發(fā)明揭示一種有機化合物、一種有機光電裝置以及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
：有機光電裝置(organicoptoelectricdevice)是將電能轉(zhuǎn)換成光能以及將光能轉(zhuǎn)換成電能的裝置。有機光電裝置根據(jù)其驅(qū)動原理可分類如下。一類是光電裝置(optoelectricdevice)，其中通過光能產(chǎn)生激子，激子分離成電子與空穴，并轉(zhuǎn)移至不同的電極以產(chǎn)生電能，且另一類是發(fā)光裝置(lightemittingdevice)，其中將電壓或電流提供至電極以自電能產(chǎn)生光能。有機光電裝置的實例可為有機光電裝置(organicphotoelectricdevice)、有機發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode)、有機太陽電池(organicsolarcell)及有機光導鼓(organicphotoconductordrum)。在該些裝置中，由于對平板顯示器(flatpaneldisplay)的需求增加，有機發(fā)光二極管(OLED)最近受到關(guān)注。此種有機發(fā)光二極管通過向有機發(fā)光材料施加電流而將電能轉(zhuǎn)換成光。有機發(fā)光二極管具有將有機層夾置于陽極與陰極之間的結(jié)構(gòu)。有機發(fā)光二極管的性能可受有機層特性的影響，且其中可主要受有機層的有機材料的特性的影響。特定而言，需要開發(fā)能夠增加空穴及電子遷移率并同時增加電化學穩(wěn)定性的有機材料，從而可將有機發(fā)光二極管應用至大尺寸平板顯示器。技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題一個實施例提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)具有高效率及長壽命的有機光電裝置的有機化合物。另一實施例提供一種包含所述有機化合物的有機光電裝置。再一實施例提供一種包含所述有機光電裝置的顯示裝置。解決問題的技術(shù)手段根據(jù)一個實施例中，提供一種由化學式1表示的有機化合物。[化學式1]在化學式1中，L1至L3分別獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30伸芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30伸環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)，Ar1至Ar3分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?；坊?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30雜環(huán)硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30羧基、二茂鐵基、其組合、上述基團的組合稠環(huán)、或由以下化學式A表示的基團，且Ar1至Ar3中的至少一者為由以下化學式A表示的基團，[化學式A]其中，在化學式A中，X為O或S，R1至R8獨立地為氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基(aminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺基(aminegroup)、硝基、羧基、二茂鐵基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10乙烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C20芳氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺磺酰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20磺?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20雜環(huán)硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、或其組合，且*表示連接點。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種有機光電裝置包含相互面對的陽極與陰極及至少一個有機層，所述至少一個有機層位于所述陽極與所述陰極之間，其中所述有機層包含所述有機化合物。根據(jù)另一實施例，提供一種包含所述有機光電裝置的顯示裝置。發(fā)明的效果可實現(xiàn)具有高效率及長壽命的有機光電裝置。附圖說明圖1至圖3分別是根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管的剖視圖。具體實施方式在下文中，對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。然而，該些實施例是示例性的，且本發(fā)明并不僅限于此。如本文所用，當不另外提供定義時，術(shù)語“經(jīng)取代”是指經(jīng)選自氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C3至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C6至C30雜環(huán)基、C1至C20烷氧基、氟基、例如三氟甲基等C1至C10三氟烷基、或氰基的取代基取代，來代替取代基或化合物的至少一個氫。另外，選自經(jīng)取代的鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C3至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C6至C30雜環(huán)基、C1至C20烷氧基、氟基、例如三氟甲基等C1至C10三氟烷基、或氰基的兩個相鄰取代基可相互稠合而形成環(huán)。舉例而言，經(jīng)取代的C6至C30芳基可與另一相鄰的經(jīng)取代的C6至C30芳基稠合而形成經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的芴環(huán)。在本說明書中，當不另外提供具體的定義時，“雜”是指在一個官能基中包含1至3個選自N、O、S、P、及Si的雜原子且其余為碳。如本文所用，“芳基”是指具有至少一個烴芳族環(huán)部分的基團，且廣義上包含通過單鍵連接的烴芳族環(huán)部分及包含直接或間接稠合的烴芳族環(huán)部分的非芳族稠環(huán)。芳基可以是單環(huán)、多環(huán)或稠多環(huán)(即，共享相鄰的碳原子對的環(huán))基團。如本文所用，“雜環(huán)基”包含雜芳基、及包含至少一個選自N、O、S、P、及Si的雜原子代替環(huán)狀化合物的碳(C)的環(huán)狀基團，例如芳基、環(huán)烷基、稠環(huán)、或其組合。當雜環(huán)基為稠環(huán)時，雜環(huán)基的每一環(huán)或整個環(huán)可包含至少一個雜原子。如本文所用，“雜環(huán)基”可指在一個官能基中包含1至3個選自N、O、S、P、及Si的雜原子且其余為碳的芳基或環(huán)烷基。當雜環(huán)基為稠環(huán)時，雜環(huán)基的整個環(huán)或每一環(huán)可包含雜原子。更具體而言，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基和/或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的稠四苯基(naphthacenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的對-三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的間-三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的屈基(chrysenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)三苯基(triphenylenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯硫基(thiophenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的惡二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吲哚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹唑啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹惡啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吖啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡噻嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的啡惡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)，但并不僅限于此。如本文所用，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸雜芳基是指上文所定義的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳基且具有兩個連接點，舉例而言，為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸稠四苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三聯(lián)苯基(terphenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸四聯(lián)苯基(quaterphenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸屈基(chrysenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸聯(lián)三苯基(triphenylenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸茚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯硫基(thiophenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸惡二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸噻二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯并咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吲哚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸喹唑啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸喹惡啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸萘啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯并惡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯并噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吖啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸啡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸啡噻嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸啡惡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸咔唑基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)，但并不僅限于此。在本說明書中，空穴特性是指當施加電場時能夠提供電子而形成空穴的特性、以及在陽極中所形成的空穴由于根據(jù)最高占據(jù)分子軌道(highestoccupiedmolecularorbital，HOMO)能階的傳導特性而容易注入發(fā)射層中并在發(fā)射層中傳輸?shù)奶匦?。另外，電子特性是指當施加電場時能夠接受電子的特性、以及在陰極中所形成的電子由于根據(jù)最低未占據(jù)分子軌道(lowestunoccupiedmolecularorbital，LUMO)能階的傳導特性而容易注入發(fā)射層中并在發(fā)射層中傳輸?shù)奶匦浴Ｏ挛闹袑Ω鶕?jù)一個實施例的有機化合物進行說明。根據(jù)一個實施例的有機化合物由以下化學式1表示。[化學式1]在化學式1中，L1至L3分別獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30伸芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30伸環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、其組合或上述基團的組合稠環(huán)，Ar1至Ar3分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30烷氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C30芳氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30磺?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺磺?；坊?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30雜環(huán)硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30羧基、二茂鐵基、其組合、上述基團的組合稠環(huán)、或由以下化學式A表示的基團，且Ar1至Ar3中的至少一者為由以下化學式A表示的基團，[化學式A]其中，在化學式A中，X為O或S，R1至R8獨立地為氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基(aminogroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺基(aminegroup)、硝基、羧基、二茂鐵基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10乙烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C20芳氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺磺?；坊?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20磺?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20雜環(huán)硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、或其組合，且*表示連接點。所述由化學式1表示的有機化合物是經(jīng)具有雜原子的稠環(huán)取代的胺化合物，且所述胺化合物與所述具有雜原子的稠環(huán)的最外面的環(huán)組合。在所述有機發(fā)光二極管中，與發(fā)射層相鄰的層(空穴傳輸層(holetransportlayer，HTL)、電子傳輸層(electrontransportlayer，ETL))，特別是空穴傳輸層應具有高的LUMO能階，以有效地阻擋穿過發(fā)射層自電子傳輸層傳輸?shù)碾娮右约皾M足高的S1能階以增加發(fā)光效率及壽命。與將所述胺化合物與所述稠環(huán)的中間進行組合時相比，將所述胺化合物與所述稠環(huán)的最外面的環(huán)進行組合時所述由化學式1表示的有機化合物具有更高的S1能階以及LUMO能階，且因此可增加有機發(fā)光二極管的效率及壽命，如表1中所示。在下表1中，HOMO能階、LUMO能階及S1能階是通過利用高斯程式(Gaussianprogram)的DFT方法在B3LYP/6-31G(d,p)階中使化合物的結(jié)構(gòu)最佳化而獲得。(表1)HOMO(eV)LUMO(eV)S1能階(eV)化學式A-1-4.88-1.323.08比較化合物-4.93-1.452.97在化學式1中，Ar1至Ar3中的至少一者可以是由化學式A表示的基團，例如1至3個由化學式A表示的基團。在化學式1的Ar1至Ar3中，除由化學式A表示的基團以外的其余基團可分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)。舉例而言，在Ar1至Ar3中，除由化學式A表示的基團以外的其余基團可分別獨立地為以下族群1中所列出的基團中的一者，但并不僅限于此。[族群1]在族群1中，R9至R70獨立地為氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺基、硝基、羧基、二茂鐵基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10乙烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20酰胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20烷氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7至C20芳氧羰基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺磺?；坊?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20磺酰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C20芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20雜環(huán)硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20酰脲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40硅烷基、或其組合，且*表示連接點。在化學式A中，舉例而言，R1至R8可分別獨立地為氫。在化學式A中，舉例而言，R1至R4可分別獨立地為氫。根據(jù)由化學式A表示的基團的數(shù)目，所述有機化合物可由以下化學式2至化學式4中的一者表示。在化學式2至化學式4中，X1至X3、L1至L3、Ar1及Ar3與上文所述者相同，且R1a至R8a、R1b至R8b及R1c至R8c分別獨立地與R1至R8相同。舉例而言，在化學式2至化學式4中，Ar1及Ar3可分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)。舉例而言，Ar1及Ar3分別獨立地選自族群1中所列出的基團，但并不僅限于此。舉例而言，在化學式2至化學式4中，R1a至R8a、R1b至R8b及R1c至R8c可分別獨立地為氫。舉例而言，在化學式2至化學式4中，R1a至R4a、R1b至R4b及R1c至R4c可分別獨立地為氫。根據(jù)結(jié)合位置，化學式2可，舉例而言，由以下化學式2-I至化學式2-III中的一者表示。在化學式2-I至化學式2-III中，X1、L1至L3、Ar1、Ar3及R1a至R8a與上文所述者相同。舉例而言，在化學式2-I至化學式2-III中，Ar1及Ar3可分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)。舉例而言，Ar1及Ar3分別獨立地選自族群1中所列出的基團，但并不僅限于此。舉例而言，在化學式2-I至化學式2-III中，R1a至R8a可分別獨立地為氫。舉例而言，在化學式2-I至化學式2-III中，R1a至R4a可分別獨立地為氫。根據(jù)結(jié)合位置，化學式3可，舉例而言，由以下化學式3-I至化學式3-III中的一者表示。在化學式3-I至化學式3-III中，，X1、X2、L1至L3、Ar1、R1a至R8a及R1b至R8b與上文所述者相同。舉例而言，在化學式3-I至化學式3-III中，Ar1可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30雜環(huán)基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、其組合或上述基團的組合稠環(huán)。舉例而言，Ar1可選自族群1中所列出的基團，但并不僅限于此。舉例而言，在化學式3-I至化學式3-III中，R1a至R8a及R1b至R8b可分別獨立地為氫。舉例而言，在化學式3-I至化學式3-III中，R1a至R4a及R1b至R4b可分別獨立地為氫。根據(jù)結(jié)合位置，化學式4可，舉例而言，由以下化學式4-I至化學式4-III中的一者表示。在化學式4-I至化學式4-III中，X1、X2、X3、L1至L3、R1a至R8a、R1b至R8b及R1c至R8c與上文所述者相同。舉例而言，在化學式4-I至化學式4-III中，R1a至R8a、R1b至R8b及R1c至R8c可分別獨立地為氫。舉例而言，在化學式4-I至化學式4-III中，R1a至R4a、R1b至R4b及R1c至R4c可分別獨立地為氫?；瘜W式1至化學式4、化學式2-I至化學式2-III、化學式3-I至化學式3-III、化學式4-I至化學式4-III中的L1至L3可分別獨立地為，舉例而言，單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸四聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸咔唑基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)。舉例而言，化學式1至化學式4、化學式2-I至化學式2-III、化學式3-I至化學式3-III、化學式4-I至化學式4-III中的L1至L3可分別獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸二苯并苯硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸咔唑基、其組合、或上述基團的組合稠環(huán)。所述有機化合物可以是，舉例而言，以下族群2中所列出的化合物中的一者，但并不僅限于此。[族群2]所述有機化合物可用于有機光電裝置。所述有機化合物可單獨地或與另一有機化合物一起應用至有機光電裝置。當所述有機化合物與另一有機化合物一起使用時，其可以組合物的形式應用。下文對應用所述有機化合物的有機光電裝置進行說明。所述有機光電裝置可以是將電能轉(zhuǎn)換成光能并且反之亦然的任何裝置，其并無具體限制，并且可以是，舉例而言，有機光電裝置、有機發(fā)光二極管、有機太陽電池、及有機光導鼓。所述有機光電裝置包含相互面對的陽極與陰極、以及夾置于所述陽極與所述陰極之間的至少一個有機層，其中所述有機層包含所述有機化合物。在本文中，參照圖式對作為有機光電裝置的一個實例的有機發(fā)光二極管進行說明。圖1至圖3分別是根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管的剖視圖。參照圖1，根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管(100)包含相互面對的陽極(120)與陰極(110)以及夾置于陽極(120)與陰極(110)之間的有機層(105)。陽極(120)可由具有高功函數(shù)(workfunction)的導體制成，以有助于空穴注入，且可以是，舉例而言，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?conductivepolymer)。陽極(120)可以是，舉例而言，金屬鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金等或其合金；金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氧化銦鋅(indiumzincoxide，IZO)等；金屬與氧化物的組合，例如ZnO與Al或SnO2與Sb；導電聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene)，PEDOT)、聚吡咯、及聚苯胺，但并不僅限于此。陰極(110)可由具有低功函數(shù)的導體制成，以有助于電子注入，且可以是，舉例而言，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陰極(110)可以是，舉例而言，金屬或其合金，例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇等；多層式(multi-layer)結(jié)構(gòu)材料，例如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al、及BaF2/Ca，但并不僅限于此。有機層(105)包含所述有機化合物，參照圖2，根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管(200)包含相互面對的陽極(120)與陰極(110)以及夾置于陽極(120)與陰極(110)之間的有機層(105)，其中有機層(105)包含發(fā)射層(130)及空穴傳輸層(140)。空穴傳輸層(140)位于陽極(120)與發(fā)射層(130)之間，且可包含所述有機化合物。參照圖3，根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光二極管(300)包含相互面對的陽極(120)與陰極(110)以及夾置于陽極(120)與陰極(110)之間的有機層(105)。有機層(105)包含發(fā)射層(130)及空穴傳輸層(140)，且空穴傳輸層(140)包含位置靠近陽極(120)的第一空穴傳輸層(141)以及位置靠近發(fā)射層(130)的第二空穴傳輸層(142)。所述有機化合物可包含于位置靠近發(fā)射層(130)的第二空穴傳輸層(142)中。第一空穴傳輸層(141)可包含，舉例而言，由以下化學式5表示的化合物。[化學式5]在化學式5中，R71至R74分別獨立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基、或其組合，R71與R72分別獨立地存在或相互稠合而形成稠環(huán)，R73與R74分別獨立地存在或相互稠合而形成稠環(huán)，Ar4至Ar6分別獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基，且L4至L7分別獨立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10伸烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10伸烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C10伸炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30伸芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)基或其組合。舉例而言，化學式5的Ar4可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基，且化學式5的Ar5及Ar6可獨立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雙芴基(bisfluorenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的伸三苯基(triphenylenegroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基(terphenylgroup)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并苯硫基(dibenzothiophenylgroup)中的一者。所述由化學式5所表示的化合物可以是，舉例而言，以下J-1至J-144所表示的化合物中的一者，但并不僅限于此。在圖1至圖3中，除發(fā)射層(130)及空穴傳輸層(140)外，有機層(105)可更包含空穴注入層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和/或空穴阻擋層。有機發(fā)光二極管(100、200、300)可如下制造：于基板上形成陽極或陰極，根據(jù)例如蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)、電漿鍍覆(plasmaplating)及離子鍍覆(ionplating)等干式涂布方法形成有機層，以及于其上形成陰極或陽極。所述有機發(fā)光二極管可應用至有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。下文參照實例對實施例進行更詳細地闡述。然而，該些實例不應在任何意義上理解為限制本發(fā)明的范圍。在下文中，除非明確提及，否則實例及合成實例中所使用的起始材料及反應材料是購自西格瑪奧德里奇有限公司(Sigma-AldrichCo.Ltd.)或梯希愛公司(TCIInc.)。中間體的合成中間體K-1的合成將53.15克(250.61毫摩爾)4-二苯并呋喃硼酸、50克(227.83毫摩爾)2-溴-5-氯-苯甲醛、62.98克(455.66毫摩爾)碳酸鉀以及7.89克(6.84毫摩爾)四三苯基膦鈀(tetrakistriphenylphosphinepalladium)放入圓底燒瓶中，然后懸浮于1000毫升甲苯以及500毫升蒸餾水中，并于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，用甲苯提取生成物，將提取液用硫酸鎂干燥、用硅膠過濾，并且于減壓下濃縮。然后，將300毫升甲醇加至濃縮液，并且將其中產(chǎn)生的固體攪拌1小時并過濾，獲得64.64克化合物K-1(產(chǎn)率為93％)。LC-Mass(理論值：306.74克/摩爾，量測值：M+＝306.79克/摩爾)中間體K-2的合成將64.64克(210.73毫摩爾)化合物K-1及79.46克(231.80毫摩爾)氯化(甲氧甲基)三苯基鏻((methoxymethyl)triphenylphosphoniumchloride)于圓底燒瓶中懸浮于600毫升四氫呋喃中，然后保持在0℃。隨后，于0℃下向其中緩慢加入28.38克(252.87毫耳)第三丁醇鉀，并將混合物于室溫下攪拌12小時。當反應結(jié)束時，向其中加入600毫升蒸餾水，提取混合物，并將提取液濃縮、懸浮于500毫升二氯甲烷(methylenechloride)中并用硫酸鎂干燥、用硅膠過濾，然后再次濃縮。將濃縮反應液溶解于400毫升二氯甲烷中，向其中緩慢加入20克甲酸，并將混合物于室溫下攪拌12小時。當反應結(jié)束時，過濾出其中所生成的固體，用200毫升蒸餾水及200毫升甲醇洗滌，并干燥，獲得48.4克化合物K-2(產(chǎn)率為76％)。LC-Mass(理論值：302.75克/摩爾，量測值：M+＝303.84克/摩爾)中間體K-4的合成將10克(33.03毫摩爾)所合成的中間體K-2、1.74克(14.86毫摩爾)乙酰胺、及8.21克(59.45毫摩爾)碳酸鉀于圓底燒瓶中加入130毫升二甲苯中并溶解于其中。向其中依序加入1.13克(5.94毫摩爾)碘化銅(I)及1.04克(11.8毫摩爾)N,N-二甲基乙二胺并且于氮氣氣氛下攪拌4天。當反應結(jié)束時，用甲苯及蒸餾水提取生成物，并將所提取的有機層用硫酸鎂干燥、過濾、并于減壓下濃縮。將產(chǎn)物用甲苯重結(jié)晶并干燥，并且將6克(10.14毫摩爾)所合成的材料及4.59克(30.42毫摩爾)氫氧化鉀于圓底燒瓶中加入80毫升四氫呋喃及80毫升乙醇中并溶解于其中。將生成物于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物于減壓下濃縮，用二氯甲烷(dichloromethane)及蒸餾水提取，并將所提取的有機層用硫酸鎂干燥、過濾、并于減壓下濃縮。將生成物用甲苯重結(jié)晶，獲得5克化合物K-4(產(chǎn)率為61％)。中間體K-5的合成將20克(476.41毫摩爾)N-(4-溴苯基)-N,N-雙(1,1’-聯(lián)苯-4-基)胺及1.03克(1.26mmol)Pd(dppf)Cl2、12.8克(50.38毫摩爾)雙戊酰二硼(bis(pinacolato)diboron)、及12.36克(125.94毫摩爾)乙酸鉀于圓底燒瓶中懸浮于210毫升甲苯中并且回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫、用硅膠過濾并濃縮。將生成物用丙酮重結(jié)晶，獲得17克化合物K-5(產(chǎn)率為77％)。中間體K-2-1的合成將11克(36.33毫摩爾)所合成的化合物K-2、1.25克(2.18毫摩爾)Pd(dba)2、10.7克(109.00毫摩爾)KOAc、2.45克(8.72毫摩爾)P(Cy)3、及11.07克(43.60毫摩爾)雙戊酰二硼于圓底燒瓶中懸浮于150毫升DMF中，并且回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，加入300毫升蒸餾水并將生成物攪拌1小時。于攪拌期間，過濾所生成的固體并用甲醇洗滌，熱溶解于300毫升甲苯中，用硅膠過濾，將濾過液濃縮并用甲苯重結(jié)晶，獲得9.05克化合物K-2-1(產(chǎn)率為63％)。中間體K-6的合成將15克(117.58毫摩爾)4-氯苯胺、65.78克(282.20毫摩爾)3-溴聯(lián)苯、3.38克(5.88毫摩爾)Pd(dba)2、2.38克(11.76毫摩爾)P(t-Bu)3、及33.9克NaO(t-Bu)于圓底燒瓶中懸浮于500毫升甲苯中，并且回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，并將所提取的有機層用硅膠柱層析(己烷/二氯甲烷＝9:1(體積/體積))，獲得31克化合物K-6(產(chǎn)率為61％)。中間體K-7的合成將20克(49.96毫摩爾)N-(4-溴苯基)-N-苯基聯(lián)苯-4-胺、1.22克(1.50毫摩爾)Pd(dppf)Cl2、15.22克(59.95毫摩爾)雙戊酰二硼、及14.71克(149.88毫摩爾)乙酸鉀于圓底燒瓶中懸浮于250毫升甲苯中，并且回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，將濾過液用硅膠過濾，并濃縮。將生成物用丙酮重結(jié)晶，獲得7.18克化合物K-7(產(chǎn)率為81％)。中間體K-8的合成將22.96克(71.43毫摩爾)N-(聯(lián)苯-3基)-聯(lián)苯-4-胺、1.23克(2.14毫摩爾)Pd(dba)2、0.43克(2.14毫摩爾)P(t-Bu)3、及10.29克(107.15毫摩爾)NaO(t-Bu)于圓底燒瓶中懸浮于500毫升60℃的DMF中，并且回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，并將所提取的有機層用硅膠層析(己烷/二氯甲烷＝9:1(體積/體積))，獲得24克化合物K-8(產(chǎn)率為78％)。有機化合物的合成合成實例1：化合物A-1將9.8克(32.34毫摩爾)化合物、10.4克(32.34毫摩爾)雙(4-聯(lián)苯)胺及6.22克(64.67毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中并溶解于160毫升甲苯中。接著，向其中依序加入0.56克(0.97毫摩爾)二(二伸芐基丙酮)鈀(0)Pd(dba)2)及0.4克(1.94毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，用甲苯及蒸餾水提取生成物，將由此獲得的有機層用硫酸鎂干燥并過濾，然后于減壓下濃縮。然后，向濃縮液加入200毫升丙酮，并且過濾其中所生成的固體并用二氯甲烷重結(jié)晶，獲得13.0克化合物A-1(產(chǎn)率為68％)。LC-Mass(理論值：587.71克/摩爾，量測值：M+＝587.95克/摩爾)合成實例2：化合物A-4將10克(33.03毫摩爾)化合物K-2、11.94克(33.03毫摩爾)聯(lián)苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-胺、及6.35克(66.06毫摩爾)第三丁醇鈉放入圓底燒瓶中并溶解于160毫升甲苯中。接著，向其中依序加入0.57克(0.99毫摩爾)Pd(dba)2及0.4克(1.98毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，用甲苯及蒸餾水提取生成物，并將由此獲得的有機層用硫酸鎂干燥并過濾，然后于減壓下濃縮。然后，向濃縮液加入200毫升丙酮，攪拌混合物，并且過濾其中所生成的固體并用二氯甲烷及乙酸乙酯重結(jié)晶，獲得15.3克化合物A-4(產(chǎn)率為74％)。LC-Mass(理論值：627.77克/摩爾，量測值：M+＝628.14克/摩爾)合成實例3：化合物B-2將12.96克(23.59毫摩爾)化合物K-4、5克(21.45毫摩爾)4-溴-聯(lián)苯及4.12克(42.9毫摩爾)第三丁醇鈉于圓底燒瓶中溶解于120毫升甲苯中。然后，向其中依序加入0.37克(0.64毫摩爾)Pd(dba)2及0.26克(1.28毫摩爾)三-第三丁基膦，并將混合物于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，過濾其中所生成的固體并分別用200毫升蒸餾水及200毫升甲醇洗滌。通過加熱將固體溶解于300毫升二氯苯(dichlorobenzene，DCB)中，通過硅膠過濾所述溶液，向其中加入300毫升甲醇，并將混合物攪拌1小時。然后，將其中所生成的固體過濾并用200毫升丙酮洗滌，獲得14.4克化合物B-2(產(chǎn)率為87％)。LC-Mass(理論值：701.81克/摩爾，量測值：M+＝701.94克/摩爾)合成實例4：化合物A-26的合成將15克(49.55毫摩爾)化合物K-2、27.2克(52.02毫摩爾)化合物K-5、及32.3克(99.09毫摩爾)碳酸銫加至圓底燒瓶，加入250毫升1,4-二惡烷中并溶解。依序加入0.85克(1.49毫摩爾)Pd(dba)2及0.7克(3.47毫摩爾)三-第三丁基膦，并于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，過濾所生成的固體并用蒸餾水及甲醇各200毫升洗滌。將固體熱溶解于300毫升二氯苯(DCB)中，用硅膠過濾，加入300毫升甲醇并將生成物攪拌1小時。過濾所生成的固體并用200毫升丙酮洗滌，獲得17.2克化合物A-26(產(chǎn)率為52％)。LC-Mass(理論值：663.8克/摩爾，量測值：M+＝663.4克/摩爾)合成實例5：化合物A-38的合成將9.05克(22.95毫摩爾)所合成的化合物K-2-1、9.92克(22.95毫摩爾)化合物K-6、及14.96克(45.91毫摩爾)碳酸銫于圓底燒瓶中加入150毫升1,4-二惡烷中并溶解。依序加入0.4克(0.69毫摩爾)Pd(dba)2及0.33克(1.61毫摩爾)三-第三丁基膦，并于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，過濾所生成的固體并用蒸餾水及甲醇各200毫升洗滌。將固體熱溶解于300毫升甲苯(DCB)中，用硅膠過濾，并用丙酮重結(jié)晶，獲得11.28克目標化合物，即化合物A-38(產(chǎn)率為74％)。LC-Mass(理論值：663.8克/摩爾，量測值：M+＝663.9克/摩爾)合成實例6：化合物A-111的合成將10克(33.03毫摩爾)化合物K-2、14.77克(33.03毫摩爾)化合物K-7、及21.52克(66.06毫摩爾)碳酸銫于圓底燒瓶中加入200毫升1,4-二惡烷中并溶解。依序加入0.57克(0.99毫摩爾)Pd(dba)2及0.4克(1.98毫摩爾)三-第三丁基膦，并于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，過濾所生成的固體并用蒸餾水及甲醇各200毫升洗滌。將固體熱溶解于300毫升甲苯(DCB)中，用硅膠過濾，并用丙酮重結(jié)晶，獲得11.28克目標化合物，即化合物A-111(產(chǎn)率為56％)。LC-Mass(理論值：587.7克/摩爾，量測值：M+＝587.4克/摩爾)合成實例7：化合物A-112的合成將9.27克(23.51毫摩爾)化合物K-2-1、10.16克(23.51毫摩爾)化合物K-8及15.32克(47.02毫摩爾)碳酸銫于圓底燒瓶中加入150毫升1,4-二惡烷中并溶解。依序加入0.41克(0.71毫摩爾)Pd(dba)2及0.33克(1.65毫摩爾)三-第三丁基膦，并于氮氣氣氛下回流并攪拌12小時。當反應結(jié)束時，將生成物冷卻至室溫，加入蒸餾水，將生成物攪拌30分鐘，過濾所生成的固體并用蒸餾水及甲醇各200毫升洗滌。將固體熱溶解于300毫升甲苯(DCB)中，并用硅膠吸附層析，獲得8.1克目標化合物，即化合物A-112(產(chǎn)率為52％)。LC-Mass(理論值：663.8克/摩爾，量測值：M+＝663.2克/摩爾)有機發(fā)光二極管的制造實例1將氧化銦錫(ITO)于玻璃基板上涂覆至1500埃厚，并將經(jīng)涂覆的玻璃基板用蒸餾水進行超音波洗滌。用蒸餾水洗滌后，將洗滌后的玻璃基板用異丙醇、丙酮、甲醇等溶劑進行超音波洗滌，并移至電漿清洗器(plasmacleaner)中，使用氧電漿將基板清洗5分鐘并移至真空沈積器(vacuumdepositor)。如此獲得的ITO透明電極被用作陽極，將4,4'-雙[N-[4-{N,N-雙(3-甲基苯基)胺基}-苯基]-N-苯基胺基]聯(lián)苯[4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl，DNTPD]真空沈積于ITO基板上而形成600埃厚的空穴注入層。隨后，真空沈積所述由化學式J-9表示的化合物而形成250埃厚的第一空穴傳輸層，然后真空沈積合成實例1中合成的化合物A-1而形成50埃厚的第二空穴傳輸層。于所述空穴傳輸層上，將9,10-二-(2-萘基)蒽(9,10-di-(2-naphthyl)anthracene，ADN)用作主體并通過真空沈積而摻雜3重量％的2,5,8,11-四(第三丁基)苝(2,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene，TBPe)而形成250埃厚的發(fā)射層。隨后，于所述發(fā)射層上，真空沈積Alq3而形成250埃厚的電子傳輸層。于所述電子傳輸層上，依序真空沈積10埃LiF及1000埃Al而形成陰極，藉此制成有機發(fā)光二極管。實例2除使用合成實例2的化合物A-4而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。實例3除使用合成實例3的化合物B-2而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。實例4除使用合成實例4的化合物A-26而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。實例5除使用合成實例5的化合物A-38而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。實例6除使用合成實例6的化合物A-111而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。實例7除使用合成實例7的化合物A-112而非合成實例1的化合物A-1形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。對照實例1除形成300埃厚的第一空穴傳輸層而不形成第二空穴傳輸層外，根據(jù)與實例1相同的方法制造有機發(fā)光二極管。評估量測根據(jù)實例1至實例7及對照實例1的每一有機發(fā)光二極管的電流密度及亮度隨電壓的變化以及發(fā)光效率。量測具體而言用以下方法進行，且結(jié)果提供于下表2中。(1)隨電壓變化的電流密度變化的量測使用電流電壓計(Keithley2400)在將電壓從0伏(V)增大到10伏的同時量測所制造的有機發(fā)光二極管的單元裝置(unitdevice)中的電流值，將所測得的電流值除以面積而得出結(jié)果。(2)隨電壓變化的亮度變化的量測使用亮度計(MinoltaCs-1000A)在將電壓從0伏增大到10伏的同時量測所制造的有機發(fā)光二極管的亮度。(3)電流效率的量測使用項(1)和項(2)的亮度、電流密度和電壓(V)來計算在相同電流密度(10mA/m2)下的電流效率(cd/A)。(表2)*電流密度：10mA/cm2參照表2，與根據(jù)對照實例1的有機發(fā)光二極管相比，根據(jù)實例1至實例7的有機發(fā)光二極管顯示出較低的驅(qū)動電壓、以及改善的效率及壽命特性。雖然已結(jié)合目前被認為實用的示例性實施例對本發(fā)明進行了說明，但應理解，本發(fā)明并不僅限于所揭示的實施例，而是相反地意欲涵蓋隨附權(quán)利要求書的精神及范圍內(nèi)所包含的各種潤飾及等效配置。因此，上述實施例應理解為是示例性的而非以任何方式限制本發(fā)明?！痉栒f明】100、200、300：有機發(fā)光二極管105：有機層110：陰極120：陽極130：發(fā)射層140：空穴傳輸層141：第一空穴傳輸層142：第二空穴傳輸層當前第1頁1 2 3