本發(fā)明涉及一種高分子化合物、其原料化合物、含有該高分子化合物的組合物、含有該高分子化合物的液狀組合物、有機薄膜、發(fā)光元件及顯示裝置。

背景技術：
作為用于發(fā)光元件用的發(fā)光材料，正在對例如含有由芳基胺衍生出的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(專利文獻1)及含有由芴衍生出的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物(專利文獻2)進行研究?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2004-143419號公報專利文獻2：日本特表2004-527628號公報

技術實現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的問題然而，使用了以往的高分子化合物的發(fā)光元件，其發(fā)光效率不一定充分。因此，本發(fā)明的目的在于，提供在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中有用的高分子化合物。本發(fā)明的目的還在于，提供含有所述高分子化合物的組合物、液狀組合物、有機薄膜、發(fā)光元件、面狀光源及顯示裝置。本發(fā)明的目的進一步在于，提供高分子化合物的原料化合物。用于解決問題的手段本發(fā)明提供一種高分子化合物，所述高分子化合物具有下述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元及下述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化1][式中，n1及n2分別獨立地表示1～5的整數(shù)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10分別獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基或未取代或取代的1價雜環(huán)基，分別存在多個R1、R2、R3及R4時，存在多個的R1、R2、R3及R4可以互相相同或不同，R1、R2、R3及R4之中相鄰的基團之間可以互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)，R7、R8、R9及R10之中相鄰的基團之間可以互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。][化2][式中，a及b分別獨立地表示0或1，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分別獨立地表示未取代或取代的亞芳基、未取代或取代的2價雜環(huán)基或選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團(該基團具有或不具有取代基。)，RA、RB及RC分別獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的1價雜環(huán)基，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分別可以與和該基團所鍵合的氮原子鍵合的該基團以外的基團互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。]利用這樣的高分子化合物，可制得發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件。本發(fā)明的高分子化合物可以具有下述式(3)所表示的結(jié)構(gòu)單元作為上述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化3][式中，RD表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基、或者未取代或取代的1價雜環(huán)基，X1表示單鍵、氧原子、硫原子或-C(R11)2-所表示的基團(R11表示未取代或取代的烷基、或者未取代或取代的芳基，存在多個的R11可以互相相同或不同。)。]本發(fā)明的高分子化合物可以進一步具有下述式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化4][式中，Ar5表示未取代或取代的亞芳基、未取代或取代的2價雜環(huán)基或選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團(該基團具有或不具有取代基。)。其中，式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元與上述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元不同。]本發(fā)明的高分子化合物可以具有含有未取代或取代的亞芴基(Fluorenediylgroup)的結(jié)構(gòu)單元作為上述式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的高分子化合物可以具有含有未取代或取代的2，7-亞芴基的結(jié)構(gòu)單元作為上述式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的高分子化合物可以具有含有選自未取代或取代的亞苯基、未取代或取代的亞萘基、未取代或取代的亞蒽基及下述式(5’)所表示的基團中的至少一種基團的結(jié)構(gòu)單元作為上述式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化5][式中，c1及c2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，c3表示0～5的整數(shù)，R12、R13及R14分別獨立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基、未取代或取代的1價雜環(huán)基、未取代或取代的烷氧羰基、未取代或取代的甲硅烷基、鹵原子、羧基或氰基，分別存在多個R12、R13及R14時，存在多個的R12、R13及R14可以互相相同或不同。]本發(fā)明的高分子化合物可以具有上述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、上述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、含有未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元和含有未取代或取代的亞苯基的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的高分子化合物可以具有上述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、上述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、含有未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元和含有未取代或取代的亞萘基的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的高分子化合物可以具有上述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、上述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、含有未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元和含有未取代或取代的亞蒽基的結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的高分子化合物可以具有上述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、上述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、含有未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元和下述式(5)所表示的結(jié)構(gòu)單元(即，含有式(5’)所表示的基團的結(jié)構(gòu)單元)。[化6][式中，c1及c2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，c3表示0～5的整數(shù)，R12、R13及R14分別獨立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基、未取代或取代的1價雜環(huán)基、未取代或取代的烷氧羰基、未取代或取代的甲硅烷基、鹵原子、羧基、或者氰基，分別存在多個R12、R13及R14時，存在多個的R12、R13及R14可以互相相同或不同。]就本發(fā)明的高分子化合物而言，上述式(1)中的n1及n2分別獨立地為3或4。本發(fā)明還提供下述式(6)所表示的化合物。[化7][式中，m1及m2分別獨立地表示1或2，R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29及R30分別獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基、或者未取代或取代的1價雜環(huán)基，X11、X12、X13及X14分別獨立地表示-C(R31)2-所表示的基團(R31表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基或未取代或取代的1價雜環(huán)基，存在多個的R31可以互相相同或不同。)，R27、R28、R29及R30之中相鄰的基團之間可以互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)，Z1及Z2分別獨立地表示選自下述取代基組的基團。其中，R21、R22、R23及R24之中至少1個為氫原子以外的基團。<取代基組>氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(＝O)2R41所表示的基團(R41表示烷基或可以被烷基、烷氧基、硝基、氟原子或氰基取代的芳基。)、-B(OR42)2所表示的基團(R42表示氫原子或烷基，存在多個的R42可以互相相同或不同，其可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)、-BF4Q1所表示的基團(Q1表示選自Li+、Na+、K+、Rb+及Cs+中的1價陽離子。)、-MgY1所表示的基團(Y1表示氯原子、溴原子或碘原子。)、-ZnY2所表示的基團(Y2表示氯原子、溴原子或碘原子。)以及-Sn(R43)3所表示的基團(R43表示氫原子或烷基，存在多個的R43可以互相相同或不同，其可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)。]本發(fā)明還提供一種組合物，所述組合物含有上述本發(fā)明的高分子化合物、和選自空穴傳輸材料、電子傳輸材料及發(fā)光材料中的至少一種。這樣的組合物可適宜地用于發(fā)光元件的制造，制得的發(fā)光元件成為發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件。本發(fā)明還提供含有上述本發(fā)明的高分子化合物和溶劑的液狀組合物。利用這樣的液狀組合物，可容易地制造含有上述高分子化合物的有機薄膜。本發(fā)明還提供含有上述本發(fā)明的高分子化合物的有機薄膜。這樣的有機薄膜在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中有用。本發(fā)明還提供使用了上述本發(fā)明的組合物的有機薄膜。這樣的有機薄膜在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中有用。本發(fā)明還提供具有上述本發(fā)明的有機薄膜的發(fā)光元件。這樣的發(fā)光元件成為發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件。本發(fā)明還提供具有上述本發(fā)明的發(fā)光元件的面狀光源及顯示裝置。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中有用的高分子化合物。根據(jù)本發(fā)明，還可提供含有所述高分子化合物的組合物、液狀組合物、有機薄膜、發(fā)光元件、面狀光源及顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可進一步提供高分子化合物的原料化合物。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光元件的一個實施方式的截面示意圖。圖2是表示本發(fā)明的發(fā)光元件的其他實施方式的截面示意圖。圖3是表示本發(fā)明的面狀光源的一個實施方式的截面示意圖。具體實施方式以下，根據(jù)需要，對在本說明書中通用的術語舉例說明。在本說明書中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Ph”表示苯基，“t-Bu”表示叔丁基。“結(jié)構(gòu)單元”是指，在高分子化合物中存在1個以上的單元結(jié)構(gòu)。優(yōu)選“結(jié)構(gòu)單元”以“重復單元”(即，在高分子化合物中存在2個以上的單元結(jié)構(gòu))的形式被包含在高分子化合物中。“Cx～Cy”(x及y是滿足x＜y的正整數(shù)。)這樣的術語是指與緊接在該術語之后記載的官能團名稱相當?shù)牟糠纸Y(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為x～y個。即，緊接在“Cx～Cy”之后記載的有機基團為組合多個官能團名稱來命名的有機基團(例如，Cx～Cy烷氧基苯基)時，在多個官能團名稱之中與緊接在“Cx～Cy”之后記載的官能團名稱(例如，烷氧基)相當?shù)牟糠纸Y(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為x～y個。例如，“C1～C12烷基”是指碳原子數(shù)為1～12個烷基，“C1～C12烷氧基苯基”是指具有“碳原子數(shù)為1～12個烷氧基”的苯基。在本說明書中，“未取代或取代的”這樣的術語是指緊接在該術語之后記載的官能團具有或不具有取代基。例如，“未取代或取代的烷基”是指“未取代烷基或具有取代基的烷基”。作為取代基，可列舉出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、烯基、炔基、氨基、甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、氧羰基(Oxycarbonyl)、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基、雜環(huán)硫基(Heterocyclicthiogroup)、亞胺殘基、酰胺化合物殘基、酰亞胺殘基、羧基、羥基、硝基、氰基等。這些基團可以進一步具有選自上述的取代基?！巴榛笨梢跃哂腥〈?，其可以是直鏈狀烷基、分支狀烷基及環(huán)狀烷基(環(huán)烷基)的任意一種。除非另行說明，在直鏈狀烷基及分支狀烷基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選烷基的碳原子數(shù)為1～20，更優(yōu)選為1～15，進一步優(yōu)選為1～12，在環(huán)狀烷基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為3～15，進一步優(yōu)選為3～12。作為烷基，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基?！巴檠趸笨梢跃哂腥〈?，其可以是直鏈狀烷氧基、分支狀烷氧基及環(huán)狀烷氧基(環(huán)烷氧基)的任意一種。除非另行說明，在直鏈狀烷氧基及分支狀烷氧基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選烷氧基的碳原子數(shù)為1～20，更優(yōu)選為1～15，進一步優(yōu)選為1～12，在環(huán)狀烷氧基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為3～15，進一步優(yōu)選為3～12。作為烷氧基，可列舉如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基?！巴榱蚧笨梢跃哂腥〈淇梢允侵辨湢钔榱蚧?、分支鏈狀烷硫基及環(huán)狀烷硫基(環(huán)烷硫基)的任意一種。除非另行說明，在直鏈狀烷硫基及分支狀烷硫基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選烷硫基的碳原子數(shù)為1～20，更優(yōu)選為1～15，進一步優(yōu)選為1～12，在環(huán)狀烷硫基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為3～15，進一步優(yōu)選為3～12。作為烷硫基，可列舉如：甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基?！胺蓟笔菑姆紵N除去1個與構(gòu)成芳香環(huán)的碳原子鍵合的氫原子后剩下的原子團。芳基可以具有取代基，作為芳基，包括具有苯環(huán)的基團和具有稠環(huán)的基團等。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選芳基的碳原子數(shù)為6～60，更優(yōu)選為6～48，進一步優(yōu)選為6～30。作為上述芳烴，可列舉出苯、萘、蒽、菲、并四苯、芴、芘、苝等。作為芳基，可列舉如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、2-芴基?！胺佳趸笔?O-Ar11所表示的基團(Ar11表示上述芳基。)，Ar11中的芳基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選芳氧基的碳原子數(shù)為6～60，更優(yōu)選為6～48，進一步優(yōu)選為6～30。作為芳氧基，可列舉如：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、2-芴氧基?！胺剂蚧笔?S-Ar12所表示的基團(Ar12表示上述芳基。)，Ar12中的芳基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選芳硫基的碳原子數(shù)為6～60，更優(yōu)選為6～48，進一步優(yōu)選為6～30。作為芳硫基，可列舉如：苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、1-蒽硫基、2-蒽硫基、9-蒽硫基、2-芴硫基?！跋┗笔窍N除去1個與sp2碳鍵合的氫原子后剩下的原子團。烯基可以具有取代基，其可以是直鏈狀烯基、分支狀烯基及環(huán)狀烯基的任意一種。除非另行說明，在直鏈狀烯基及分支狀烯基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選烯基的碳原子數(shù)為2～20，更優(yōu)選為2～15，進一步優(yōu)選為2～10，在環(huán)狀烯基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選為3～20，更優(yōu)選為4～15，進一步優(yōu)選為5～10。作為烯基，可列舉如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、1-辛烯基。“炔基”是炔烴除去1個與sp1碳鍵合的氫原子后剩下的原子團。炔基可以具有取代基，其可以是直鏈狀炔基、分支狀炔基及環(huán)狀炔基的任意一種。除非另行說明，在直鏈狀炔基及分支狀炔基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選炔基的碳原子數(shù)為2～20，更優(yōu)選為2～15，進一步優(yōu)選為2～10，在環(huán)狀炔基中，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選為5～20，更優(yōu)選為6～15，進一步優(yōu)選為7～10。作為炔基，可列舉如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、1-己炔基、2-己炔基、1-辛炔基。“氨基”可以具有取代基，優(yōu)選為未取代氨基以及被選自烷基、芳基、芳烷基及1價雜環(huán)基的1或2個取代基取代而成的氨基(以下，稱之為“取代氨基”。)。該取代基可以進一步具有取代基(以下，有將有機基團所具有的取代基進一步具有的取代基稱為“二次取代基”的情況。)。在不包括二次取代基的碳原子數(shù)時，優(yōu)選取代氨基的碳原子數(shù)為1～60，更優(yōu)選為2～48，進一步優(yōu)選為2～40。作為取代氨基，可列舉出甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨基、二丙氨基、異丙氨基、二異丙氨基、丁氨基、異丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、戊氨基、己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨基、癸氨基、3，7-二甲基辛氨基、十二烷基氨基、環(huán)戊氨基、二環(huán)戊氨基、環(huán)己氨基、二環(huán)己氨基、雙三氟甲基氨基、苯氨基、二苯氨基、C1～C12烷氧基苯氨基、雙(C1～C12烷氧基苯基)氨基、C1～C12烷基苯氨基、雙(C1～C12烷基苯基)氨基、1-萘氨基、2-萘氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基氨基、雙(C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基)氨基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基氨基、雙(C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基)氨基、1-萘基-C1～C12烷基氨基、2-萘基-C1～C12烷基氨基等。“甲硅烷基”可以具有取代基，優(yōu)選為未取代甲硅烷基以及被選自烷基、芳基、芳烷基及1價雜環(huán)基的1～3個取代基取代而成的甲硅烷基(以下，稱之為“取代甲硅烷基”。)。取代基可以具有二次取代基。在不包括二次取代基的碳原子數(shù)時，優(yōu)選取代甲硅烷基的碳原子數(shù)為1～60，更優(yōu)選為3～48，進一步優(yōu)選為3～40。作為取代甲硅烷基，可列舉出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅烷基、二甲基-異丙基甲硅烷基、二乙基-異丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。作為“?；?，可列舉如-C(＝O)-R44(R44表示上述烷基、上述芳基或后述1價雜環(huán)基。)所表示的基團。R44中的烷基、芳基及1價雜環(huán)基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選?；奶荚訑?shù)為2～20，更優(yōu)選為2～18，進一步優(yōu)選為2～16。作為酰基，可列舉如：乙酰基、丙酰基、丁酰基、異丁?；⑿挛祯；?、苯甲?；?。此外，作為具有取代基的?；?，可列舉出具有鹵原子作為取代基的?；?例如，三氟乙?；?、五氟苯甲?；?等。作為“酰氧基”，可列舉如-O-C(＝O)-R45(R45表示上述烷基、上述芳基或后述1價雜環(huán)基。)所表示的基團。R45中的烷基、芳基及1價雜環(huán)基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選酰氧基的碳原子數(shù)為2～20，更優(yōu)選為2～18，進一步優(yōu)選為2～16。作為酰氧基，可列舉如：乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基。此外，作為具有取代基的酰氧基，可列舉出具有鹵原子作為取代基的酰氧基(例如，三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基)等。作為“氧羰基”，可列舉出-C(＝O)-O-R45a(R45a表示上述烷基、上述芳基或后述1價雜環(huán)基。)所表示的基團。R45a中的烷基、芳基及1價雜環(huán)基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選氧羰基的碳原子數(shù)為2～20，更優(yōu)選為2～18，進一步優(yōu)選為2～16?！?價雜環(huán)基”是從雜環(huán)式化合物除去1個氫原子后剩下的原子團。雜環(huán)基可以具有取代基，作為雜環(huán)基，包括單環(huán)的基團、具有稠環(huán)的基團等。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選1價雜環(huán)基的碳原子數(shù)為4～60，更優(yōu)選為4～30，進一步優(yōu)選為4～20。雜環(huán)式化合物是指，在具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機化合物之中，作為構(gòu)成環(huán)的元素，不僅包含碳原子，還包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等雜原子的化合物。作為1價雜環(huán)基，優(yōu)選為1價芳香族雜環(huán)基。1價芳香族雜環(huán)基是從芳香族雜環(huán)式化合物除去1個氫原子后剩下的原子團。作為芳香族雜環(huán)式化合物，可列舉如：噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜茂、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜茂、二苯并呋喃、二苯并噻吩等含有雜原子的雜環(huán)本身顯示芳香性的化合物以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼雜環(huán)戊二烯(Dibenzoborole)、二苯并噻咯(Dibenzosilole)、苯并吡喃等即使含有雜原子的雜環(huán)本身不顯示芳香性，在該雜環(huán)上也縮合有芳香環(huán)的化合物。“雜環(huán)氧基”是-O-Ar13(Ar13表示上述1價雜環(huán)基。)，Ar13中的雜環(huán)基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選雜環(huán)氧基的碳原子數(shù)為4～60，更優(yōu)選為4～30，進一步優(yōu)選為4～20。作為雜環(huán)氧基，可列舉如：吡啶氧基、噠嗪氧基、嘧啶氧基、吡嗪氧基、三嗪氧基。“雜環(huán)硫基”是-S-Ar14(Ar14表示上述1價雜環(huán)基。)，Ar14中的雜環(huán)基可以具有取代基。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選雜環(huán)硫基的碳原子數(shù)為4～60，更優(yōu)選為4～30，進一步優(yōu)選為4～20。作為雜環(huán)硫基，可列舉如：吡啶硫基、噠嗪硫基、嘧啶硫基、吡嗪硫基、三嗪硫基?！皝啺窔埢笔侵笍木哂惺剑篐-N＝C(R46)2及式：H-C(R47)＝N-R48的至少一個所表示的結(jié)構(gòu)的亞胺化合物除去該式中的氫原子后剩下的殘基。式中，R46、R47及R48分別獨立地表示上述烷基、上述芳基，上述烯基、上述炔基或上述1價雜環(huán)基。R46、R47及R48中的烷基、芳基、烯基、炔基及1價雜環(huán)基可以具有取代基。存在多個的R46可以互相相同或不同，可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為亞胺殘基，可列舉如以下的結(jié)構(gòu)式所表示的基團。[化8]“酰胺化合物殘基”是指從具有式：H-N(R49)-C(＝O)R50及式：H-C(＝O)-N(R51)2的至少一個所表示的結(jié)構(gòu)的酰胺化合物除去該式中的氫原子后的殘基。式中，R49、R50及R51分別獨立地表示上述烷基、上述芳基、上述烯基、上述炔基或上述1價雜環(huán)基。R49、R50及R51中的烷基、芳基、烯基、炔基及1價雜環(huán)基可以具有取代基。存在多個的R51可以互相相同或不同，可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為酰胺化合物殘基，可列舉如：甲酰胺殘基、乙酰胺殘基、丙酰胺殘基、丁酰胺殘基、苯甲酰胺殘基、三氟乙酰胺殘基、五氟苯甲酰胺殘基、雙甲酰胺殘基、雙乙酰胺殘基、雙丙酰胺殘基、雙丁酰胺殘基、雙苯甲酰胺殘基、雙三氟乙酰胺殘基、雙五氟苯甲酰胺殘基?！磅啺窔埢笔侵笍孽啺烦?個與其氮原子鍵合的氫原子而得的殘基。優(yōu)選酰亞胺殘基的碳原子數(shù)為4～20，更優(yōu)選為4～18，進一步優(yōu)選為4～16。作為酰亞胺殘基，可列舉如以下的結(jié)構(gòu)式所表示的基團。[化9]作為“未取代或取代的烷基”，可列舉出未取代烷基及具有上述取代基的烷基。除非另行說明，優(yōu)選此處烷基所具有的取代基為選自烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。作為“未取代或取代的烷氧基”，可列舉出未取代烷氧基及具有上述取代基的烷氧基。除非另行說明，優(yōu)選此處烷氧基所具有的取代基為選自烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。作為“未取代或取代的芳基”，可列舉出未取代芳基及具有上述取代基的上述芳基。除非另行說明，優(yōu)選此處芳基所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。作為“未取代或取代的芳氧基”，可列舉出未取代芳氧基及具有上述取代基的芳氧基。除非另行說明，優(yōu)選此處芳氧基所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。作為“未取代或取代的1價雜環(huán)基”，可列舉出未取代1價雜環(huán)基及具有上述取代基的1價雜環(huán)基。除非另行說明，優(yōu)選此處1價雜環(huán)基所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。作為“未取代或取代的亞芳基”，可列舉出未取代亞芳基及具有上述取代基的亞芳基。除非另行說明，優(yōu)選此處亞芳基所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基?！皝喎蓟笔菑姆紵N除去2個與構(gòu)成芳香環(huán)的碳原子鍵合的氫原子后剩下的原子團。亞芳基可以具有取代基，亞芳基中還包括具有苯環(huán)的基團、具有稠環(huán)的基團。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選亞芳基的碳原子數(shù)為6～60，更優(yōu)選為6～48，進一步優(yōu)選為6～30。作為上述芳烴，可列舉如：苯、萘、蒽、菲、并四苯、芴、芘、苝等。作為亞芳基，可列舉如：1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1，2-亞苯基等亞苯基；1，4-亞萘基、1，5-亞萘基、2，6-亞萘基、2，7-亞萘基等亞萘基；1，4-亞蒽基、1，5-亞蒽基、2，6-亞蒽基、9，10-亞蒽基等亞蒽基；2，7-亞菲基等亞菲基；1，7-亞并四苯基、2，8-亞并四苯基、5，12-亞并四苯基等亞并四苯基；2，7-亞芴基、3，6-亞芴基等亞芴基；1，6-亞芘基、1，8-亞芘基、2，7-亞芘基、4，9-亞芘基等亞芘基；3，8-亞苝基、3，9-亞苝基、3，10-亞苝基等亞苝基。作為“未取代或取代的2價雜環(huán)基”，可列舉出未取代2價雜環(huán)基及具有上述取代基的2價雜環(huán)基。此處，除非另行說明，優(yōu)選2價雜環(huán)基所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基?！?價雜環(huán)基”是從雜環(huán)式化合物除去2個氫原子后剩下的原子團。2價雜環(huán)基可以具有取代基，在2價雜環(huán)基中包括單環(huán)的基團、稠環(huán)的基團。除非另行說明，在不包括取代基的碳原子數(shù)時優(yōu)選雜環(huán)基的碳原子數(shù)為4～60，更優(yōu)選為4～30，進一步優(yōu)選為4～20。作為2價雜環(huán)基，優(yōu)選為2價芳香族雜環(huán)基。2價芳香族雜環(huán)基是從芳香族雜環(huán)式化合物除去2個氫原子后剩下的原子團。作為2價雜環(huán)基，可列舉如：2，5-亞吡啶基、2，6-亞吡啶基等亞吡啶基；2，6-亞喹啉基等亞喹啉基；1，4-亞異喹啉基、1，5-亞異喹啉基等亞異喹啉基；5，8-亞喹喔啉基等亞喹喔啉基；2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二基等2，1，3-苯并噻二唑基；4，7-亞苯并噻唑基等亞苯并噻唑基；2，7-亞-二苯并噻咯基等亞-二苯并噻咯基(benzosilole)；4，7-亞二苯并呋喃基、3，8-亞二苯并呋喃基等亞二苯并呋喃基；4，7-亞二苯并噻吩基、3，8-亞二苯并噻吩基等亞二苯并噻吩基。作為“選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團”，可列舉如：2，7-亞聯(lián)苯基、3，6-亞聯(lián)苯基等亞聯(lián)苯基之類的選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的2個基團通過單鍵連接而成的2價基團。該2價基團可以具有取代基，除非另行說明，優(yōu)選該2價基團所具有的取代基為選自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環(huán)基、雜環(huán)氧基及鹵原子的取代基。以下，對本發(fā)明的高分子化合物、化合物、組合物、液狀組合物、有機薄膜、發(fā)光元件、面狀光源及顯示裝置的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。(高分子化合物)涉及本實施方式的高分子化合物具有下述式(1)所表示的第一結(jié)構(gòu)單元及下述式(2)所表示的第二結(jié)構(gòu)單元。通過具有這些結(jié)構(gòu)單元，上述高分子化合物成為在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中有用的物質(zhì)。優(yōu)選涉及本實施方式的高分子化合物為共軛系高分子化合物。此外，涉及本實施方式的高分子化合物可以進一步具有下述式(4)所表示的第三結(jié)構(gòu)單元。這樣的高分子化合物在發(fā)光效率優(yōu)異的發(fā)光元件的制造中更加有用。此處，“共軛系高分子化合物”是指，在主鏈骨架上共軛體系展開的高分子化合物，可舉例示出聚芴、聚亞苯等以亞芳基為結(jié)構(gòu)單元的聚亞芳烴；聚噻吩、聚二苯并呋喃等以2價雜環(huán)基為結(jié)構(gòu)單元的聚亞芳雜烴；聚亞苯基亞乙烯等聚亞芳烴亞乙烯，以及這些結(jié)構(gòu)單元組合而成的共聚物。此外，即使在主鏈內(nèi)在結(jié)構(gòu)單元中包含雜原子等，只要實質(zhì)上為共軛相連的物質(zhì)即可，例如，可以含有從三芳胺引入的結(jié)構(gòu)單元作為結(jié)構(gòu)單元。以下分別對第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元及第三結(jié)構(gòu)單元進行詳細敘述。(第一結(jié)構(gòu)單元)第一結(jié)構(gòu)單元是下述式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化10]在式(1)中，n1及n2分別獨立地表示1～5的整數(shù)。R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10分別獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基或未取代或取代的1價雜環(huán)基。因其單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R1、R2、R3及R4優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，更優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基。因其單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R5、R6、R7及R10優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，更優(yōu)選至少2個為氫原子。因?qū)⒏叻肿踊衔镉糜诎l(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R8及R9優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，更優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基。在式(1)中，n1為2～5的整數(shù)時，存在多個的R1可以互相相同或不同，存在多個的R2可以互相相同或不同。此外，n2為2～5的整數(shù)時，存在多個的R3可以互相相同或不同，存在多個的R4可以互相相同或不同。此外，R1、R2、R3及R4之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。此外，R7、R8、R9及R10之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選第一結(jié)構(gòu)單元的含量為全部結(jié)構(gòu)單元的0.5摩爾％以上，更優(yōu)選為0.5～80摩爾％，進一步優(yōu)選為5～60摩爾％。在第一結(jié)構(gòu)單元中，n1和/或n2為2以上，具有取代基時，R1及R2互相不同時以及R3及R4互相不同時，可產(chǎn)生立體異構(gòu)。高分子化合物可以僅含有具有相同的立體異構(gòu)的結(jié)構(gòu)單元，也可以含有具有互相不同的立體異構(gòu)的多個結(jié)構(gòu)單元。作為立體異構(gòu)，可列舉出非對映異構(gòu)體、對映異構(gòu)體。第一結(jié)構(gòu)單元由式(1-A)表示時，其立體異構(gòu)的例子由下述式(1-a)、式(1-b)、式(1-c)、式(1-d)表示。而且，下述式中，Ra及Rb分別獨立地表示烷基。[化11][化12]式(1-a)所表示的結(jié)構(gòu)單元、式(1-b)所表示的結(jié)構(gòu)單元、式(1-c)所表示的結(jié)構(gòu)單元及式(1-d)所表示的結(jié)構(gòu)單元互相為非對映異構(gòu)體的關系。在式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；?、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(1)中，可使R1、R2、R3及R4為例如氫原子、未取代或取代的烷基或未取代或取代的芳基。此處，作為R1、R2、R3及R4中的取代烷基，可選擇例如芳烷基或烷基芳烷基，作為R1、R2、R3及R4中的取代芳基，可選擇例如烷基芳基。在式(1)中，可使R5、R6、R7、R8、R9及R10為例如氫原子、未取代或取代的烷基或未取代或取代的芳基。此處，作為R5、R6、R7、R8、R9及R10中的取代烷基，可選擇例如芳烷基或烷基芳烷基，作為R5、R6、R7、R8、R9及R10中的取代芳基，可選擇例如烷基芳基。在式(1)中，“R1、R2、R3及R4之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)”是指，例如，R1、R2、R3及R4之中與同一個碳原子鍵合的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)，n1和/或n2為2個以上時，與相鄰位的碳原子鍵合的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。在式(1)中“R7、R8、R9及R10之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)”是指，與相鄰位的碳原子鍵合的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)，例如，R8可與R9連接形成環(huán)結(jié)構(gòu)。即，第一結(jié)構(gòu)單元可以是例如下述式(1-d)、(1-e)、(1-f)、(1-g)、(1-h)或(1-i)所表示的結(jié)構(gòu)。[化13]式(1-d)所表示的結(jié)構(gòu)及式(1-e)所表示的結(jié)構(gòu)是式(1)中的R7及R8互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)的例子，式(1-f)所表示的結(jié)構(gòu)、(1-g)所表示的結(jié)構(gòu)及式(1-h)所表示的結(jié)構(gòu)是式(1)中的R8及R9互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)的例子，式(1-i)所表示的結(jié)構(gòu)是R7、R8、R9及R10互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)的例子。形成的環(huán)結(jié)構(gòu)可以具有取代基，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基，取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；?、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(1)中的n1及n2為3～5的整數(shù)，更優(yōu)選為3或4，進一步優(yōu)選為3。n1及n2可以互相相同或不同，因單體的制造變?nèi)菀?，故?yōu)選n1及n2相同。作為式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元，可列舉如下述式(1A)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化14]式(1A)中，m1及m2分別獨立地表示1或2。此外，R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29及R30分別與上述R1～R10意思相同。分別存在多個R21、R22、R23及R24時，存在多個的R21、R22、R23及R24可以互相相同或不同。R21、R22、R23及R24之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。R27、R28、R29及R30之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。此外，X11、X12、X13及X14分別獨立地表示-C(R31)2-所表示的基團。此處，R31與上述R1～R4意思相同，存在多個的R31可以互相相同或不同。因單體的制造變?nèi)菀?，故?yōu)選m1及m2相同，因單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故更優(yōu)選為1。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R21、R22、R23及R24優(yōu)選氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，因高分子化合物對溶劑的溶解性提高，元件制作變得更加容易并且制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故更優(yōu)選至少1個為氫原子以外的基團。因單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R31優(yōu)選氫原子、取代或未取代烷基。此外，存在多個的R31之中，優(yōu)選至少1個為氫原子，更優(yōu)選全部為氫原子。因單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為R25、R26、R27、R28、R29及R30優(yōu)選氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，更優(yōu)選至少2個為氫原子。在式(1A)所表示的結(jié)構(gòu)單元之中，作為R21、R22、R23及R24之中至少1個為氫原子以外的基團的結(jié)構(gòu)單元，可從后述式(6)所表示的化合物容易地衍生出。作為第一結(jié)構(gòu)單元，可列舉如下述式(1-1)～(1-28)所表示的結(jié)構(gòu)單元。在式(1-1)～(1-28)所表示的結(jié)構(gòu)單元之中，因單體合成容易，并且將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-6)、(1-7)、(1-8)、(1-9)、(1-10)、(1-11)、(1-12)、(1-13)、(1-14)、(1-15)、(1-16)、(1-18)、(1-19)、(1-20)、(1-22)、(1-23)、(1-25)、(1-26)、(1-27)所表示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-6)、(1-7)、(1-8)、(1-9)、(1-10)、(1-11)、(1-12)、(1-13)、(1-14)、(1-15)、(1-18)、(1-19)、(1-20)、(1-23)、(1-25)、(1-26)、(1-27)所表示的結(jié)構(gòu)單元，進一步優(yōu)選為式(1-4)、(1-8)、(1-9)、(1-10)、(1-12)、(1-14)、(1-15)、(1-25)、(1-26)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化15][化16][化17][化18][化19][化20]高分子化合物可以僅具有一種上述結(jié)構(gòu)單元作為第一結(jié)構(gòu)單元，也可以具有在上述結(jié)構(gòu)單元之中不同的多個結(jié)構(gòu)單元。(第二結(jié)構(gòu)單元)第二結(jié)構(gòu)單元是下述式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化21]在式(2)中，a及b分別獨立地表示0或1。此外，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分別獨立地表示“未取代或取代的亞芳基”、“未取代或取代的2價雜環(huán)基”或“選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團(該基團可以具有取代基。)”。此外，RA、RB及RC分別獨立地表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基。Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分別可以與和該基團所鍵合的氮原子鍵合的該基團以外的基團互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(2)中的a為1。因單體的合成容易并且使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(2)中的b為0。因本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性變良好并且使用了所述高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(2)中的RA、RB及RC為取代烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基，更優(yōu)選為未取代或取代的芳基。式(2)中的Ar1、Ar2、Ar3及Ar4所表示的基團具有取代基時，作為該取代基，可列舉出烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；?、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。因本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性變良好并且使用了所述高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選式(2)中的Ar1、Ar2、Ar3及Ar4所表示的基團為未取代或取代的亞芳基或未取代或者取代的2價雜環(huán)基，特別優(yōu)選為未取代或取代的亞芳基。在式(2)中，作為Ar1、Ar2、Ar3及Ar4中的亞芳基，可列舉如：1，2-亞苯基、1，3-亞苯基、1，4-亞苯基、1，4-亞萘基、2，6-亞萘基、2，7-亞萘基、2，6-亞蒽基、9，10-亞蒽基、2，7-亞菲基、5，12-亞并四苯基、2，7-亞芴基、3，6-亞芴基、1，6-亞芘基、2，7-亞芘基、3，8-亞苝基，優(yōu)選為1，4-亞苯基、2，7-亞芴基、2，6-亞蒽基、9，10-亞蒽基、2，7-亞菲基及1，6-亞芘基，它們可以具有上述取代基。在式(2)中，作為Ar1、Ar2、Ar3及Ar4中的2價雜環(huán)基，可列舉如：2，5-亞吡咯基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二基，它們可以具有上述取代基。其中，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4中的2價雜環(huán)基中不包括后述式(3)所表示的基團。在式(2)中，作為選自Ar1、Ar2、Ar3及Ar4中的亞芳基及2價雜環(huán)基的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團，例如，可選擇下述式(2a-1)、(2a-2)、(2a-3)、(2a-4)、(2a-5)、(2a-6)或(2a-7)所表示的基團，優(yōu)選為下述式(2a-1)所表示的基團，它們可以具有上述取代基。[化22]式(2)中的RA、RB及RC所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；⑶杌?，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(2)中，作為RA、RB及RC中的烷基，可列舉如C1～C20烷基。烷基可以具有上述取代基。在式(2)中，作為RA、RB及RC中的芳基，可列舉如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、2-芴基，它們可以具有上述取代基。在式(2)中，作為RA、RB及RC中的1價雜環(huán)基，可列舉如：吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基，它們可以具有上述取代基。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選第二結(jié)構(gòu)單元的含量為全部結(jié)構(gòu)單元的0.1摩爾％以上，更優(yōu)選為0.1～50摩爾％，進一步優(yōu)選為0.1～40摩爾％。作為第二結(jié)構(gòu)單元，可列舉如：下述式(2-a)、(2-b)、(2-c)及(2-d)所表示的結(jié)構(gòu)單元，因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選為式(2-b)、(2-c)及(2-d)所表示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(2-c)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化23]在式(2-a)～(2-d)中，R52表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、酰基、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基或氰基。優(yōu)選R52為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、酰基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。存在多個的R52可以互相相同或不同。此外，存在多個的R52之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為第二結(jié)構(gòu)單元，也優(yōu)選下述式(2A)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化24]在式(2A)中，s及t分別獨立地為0～4的整數(shù)，u為1或2，v為0～5的整數(shù)。R53、R54及R55分別獨立地表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基或氰基。存在多個R53、R54或R55時，存在多個的基團可以互相相同或不同。存在多個的R53之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。存在多個的R54之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。在式(2A)中，因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選s及t為0～2，優(yōu)選u為2，優(yōu)選v為1～5。更優(yōu)選v為1～3。在式(2A)中，因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選R53、R54及R55為烷基、烷氧基或芳基。第二結(jié)構(gòu)單元可以是下述式(3)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化25]在式(3)中，RD表示氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基。X1表示單鍵、氧原子、硫原子或-C(R11)2-所表示的基團。R11表示未取代或取代的烷基或未取代或取代的芳基，存在多個的R11可以互相相同或不同。因本實施方式的高分子化合物的穩(wěn)定性良好，并且使用了所述高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選RD為未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基，更優(yōu)選為未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基，進一步優(yōu)選為未取代或取代的芳基。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選X1為單鍵或氧原子，更優(yōu)選為氧原子。式(3)中的RD所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、酰基、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、酰基、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(3)中，作為RD中的烷基，可列舉如C1～C20烷基，它們可以具有上述取代基。在式(3)中，作為RD中的芳基，可列舉如，苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基及2-芴基，它們可以具有上述取代基。在式(3)中，作為RD中的雜環(huán)基，可列舉如吡啶基、嘧啶基、三嗪基及喹啉基，它們可以具有上述取代基。在式(3)中的R11所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、酰基、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(3)中，作為R11中的烷基，可列舉如C1～C20烷基，它們可以具有上述取代基。在式(3)中，作為R11中的芳基，可列舉如：苯基、1-萘基、2-萘基，1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基及2-芴基，它們可以具有上述取代基。作為第二結(jié)構(gòu)單元，可列舉如下述式(2-1)～(2-12)所表示的結(jié)構(gòu)單元。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故在式(2-1)～(2-12)所表示的結(jié)構(gòu)單元之中，優(yōu)選式(2-1)、(2-2)、(2-3)、(2-4)、(2-5)、(2-6)、(2-7)、(2-8)、(2-9)、(2-10)、(2-12)所表示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(2-1)、(2-2)、(2-4)、(2-5)、(2-6)、(2-7)、(2-8)、(2-9)、(2-10)所表示的結(jié)構(gòu)單元，進一步優(yōu)選為式(2-2)、(2-4)、(2-8)、(2-9)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化26][化27][化28]高分子化合物可以僅具有一種上述結(jié)構(gòu)單元作為第二結(jié)構(gòu)單元，也可以具有在上述結(jié)構(gòu)單元之中不同的多個結(jié)構(gòu)單元。(第三結(jié)構(gòu)單元)第三結(jié)構(gòu)單元是下述式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化29]在式(4)中，Ar5表示未取代或取代的亞芳基、未取代或取代的2價雜環(huán)基或選自亞芳基及2價雜環(huán)基中的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團(該基團可以具有取代基。)，優(yōu)選為未取代或取代的亞芳基或者未取代或取代的2價雜環(huán)基。其中，式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元與上述式(3)所表示的結(jié)構(gòu)單元不同。在式(4)中的Ar5所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、1價雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；?、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(4)中，作為Ar5中的亞芳基，可列舉如：1，2-亞苯基、1，3-亞苯基、1，4-亞苯基、1，4-亞萘基、2，6-亞萘基、2，7-亞萘基、2，6-亞蒽基、9，10-亞蒽基、2，7-亞菲基、5，12-亞并四苯基、2，7-亞芴基、3，6-亞芴基及3，8-亞苝基，它們可以具有上述取代基。將本實施方式的高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故作為式(4)的Ar5優(yōu)選為1，3-亞苯基、1，4-亞苯基、2，6-亞萘基、2，7-亞萘基、2，6-亞蒽基、9，10-亞蒽基、2，7-亞菲基、2，7-亞芴基、3，6-亞芴基。在式(4)中，作為Ar5中的2價雜環(huán)基，可列舉如：2，5-亞吡咯基、2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二基、亞二苯并呋喃基及亞二苯并噻吩基，它們可以具有上述取代基。在式(4)中，作為選自Ar5中的亞芳基及2價雜環(huán)基的相同或不同的2個以上的基團連接而成的2價基團，可列舉如：上述式(2a-1)、(2a-2)、(2a-3)、(2a-4)、(2a-5)、(2a-6)或(2a-7)所表示的基團，它們可以具有上述取代基。作為第三結(jié)構(gòu)單元，可列舉如下述式(3-1)～(3-35)所表示的結(jié)構(gòu)單元。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故在式(3-1)～(3-36)所表示的結(jié)構(gòu)單元之中，優(yōu)選式(3-1)、(3-2)、(3-3)、(3-4)、(3-5)、(3-6)、(3-7)、(3-8)、(3-9)、(3-10)、(3-11)、(3-12)、(3-13)、(3-14)、(3-21)、(3-22)、(3-23)、(3-25)、(3-27)、(3-28)、(3-30)、(3-32)、(3-33)、(3-35)、(3-36)所表示的結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為式(3-1)、(3-2)、(3-3)、(3-4)、(3-5)、(3-6)、(3-7)、(3-8)、(3-9)、(3-10)、(3-11)、(3-12)、(3-13)、(3-14)、(3-28)、(3-30)所表示的結(jié)構(gòu)單元，進一步優(yōu)選為式(3-1)、(3-2)、(3-4)、(3-5)、(3-12)、(3-13)、(3-14)、(3-30)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化30][化31][化32][化33]此外，作為第三結(jié)構(gòu)單元，還可選擇例如下述式(5)所表示的結(jié)構(gòu)單元(包含下述式(5’)所表示的基團的結(jié)構(gòu)單元)。[化34][化35]在式(5)及式(5’)中，c1及c2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，c3表示0～5的整數(shù)。R12、R13及R14分別獨立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的芳氧基、未取代或取代的1價雜環(huán)基、未取代或取代的烷氧羰基、未取代或取代的甲硅烷基、鹵原子、羧基或氰基。分別存在多個R12、R13及R14時，存在多個的R12、R13及R14可以互相相同或不同。因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故在式(5)及式(5’)中，優(yōu)選c1及c2為0～2的整數(shù)，優(yōu)選c3為1～3的整數(shù)。在式(5)及式(5’)中的R12、R13及R14所表示的基團具有取代基時，優(yōu)選該取代基為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、鹵原子、?；?、酰氧基、雜環(huán)基、羧基、硝基、氰基，更優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、?；?、氰基，進一步優(yōu)選為烷基、烷氧基、芳基。在式(5)及式(5’)中，可以使R12、R13及R14為例如氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的烷氧基或未取代或取代的芳基。此處，作為R12、R13及R14中的取代烷基，可列舉如芳烷基或烷基芳烷基，作為R12、R13及R14中的取代烷氧基，可列舉如被芳烷氧基或烷氧基取代而成的烷氧基，作為R12、R13及R14中的取代芳基，可列舉如烷基芳基。因使用了本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選R12、R13及R14為氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基，更優(yōu)選未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基。優(yōu)選高分子化合物具有包含未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元作為第三結(jié)構(gòu)單元，更優(yōu)選為具有包含未取代或取代的2，7-亞芴基的結(jié)構(gòu)單元。優(yōu)選高分子化合物具有包含選自未取代或取代的亞苯基、未取代或取代的亞萘基、未取代或取代的亞蒽基及上述式(5’)所表示的基團中的至少一種基團的結(jié)構(gòu)單元作為第三結(jié)構(gòu)單元。高分子化合物可以僅具有一種上述結(jié)構(gòu)單元作為第三結(jié)構(gòu)單元，也可以具有在上述結(jié)構(gòu)單元之中不同的多個結(jié)構(gòu)單元。高分子化合物可以具有例如第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞苯基的結(jié)構(gòu)單元。高分子化合物可以具有第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞萘基的結(jié)構(gòu)單元。高分子化合物可以具有第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞芴基結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞蒽基的結(jié)構(gòu)單元。高分子化合物可以具有第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元、包含未取代或取代的亞芴基的結(jié)構(gòu)單元、和上述式(5)所表示的結(jié)構(gòu)單元。將高分子化合物用于發(fā)光元件的制作時，因制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異，故優(yōu)選第三結(jié)構(gòu)單元的含量(總含量)為全部結(jié)構(gòu)單元的0.1～99.9摩爾％，更優(yōu)選為30～99.9摩爾％，進一步優(yōu)選為50～99.9摩爾％。以下顯示高分子化合物中的結(jié)構(gòu)單元的組合的例子。[化36][化37][化38][化39][化40][化41][化42][化43][化44][化45][化46]若本實施方式的高分子化合物在端基處直接殘留有聚合性基團，則使用高分子化合物制作的發(fā)光元件的發(fā)光特性或壽命有降低的可能性。因此，優(yōu)選端基為穩(wěn)定的基團(例如，芳基、1價雜環(huán)基(特別是1價芳香族雜環(huán)基))。本實施方式的高分子化合物可以是任意的共聚物，例如，嵌段共聚物、無規(guī)共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任意一種。本實施方式的高分子化合物作為發(fā)光材料、電荷傳輸材料等有用，其可與其他化合物并用或用作后述組合物。優(yōu)選本實施方式的高分子化合物通過凝膠滲透色譜法(以下，稱之為“GPC”)的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1×103～1×107，更優(yōu)選為1×104～5×106。此外，優(yōu)選本實施方式的高分子化合物的聚苯乙烯換算的重均分子量為1×104～5×107，更優(yōu)選為5×104～1×107。因相對于制作發(fā)光元件用的各種工序的耐久性優(yōu)異，發(fā)光元件的耐熱性變得良好，故優(yōu)選本實施方式的高分子化合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為70℃以上。使用了該高分子化合物的發(fā)光元件是可以以優(yōu)異的發(fā)光效率進行驅(qū)動的高性能的發(fā)光元件。因此，該發(fā)光元件在液晶顯示器的背光源、作為照明用的曲面狀或平面狀的光源、段式顯示裝置、點陣顯示裝置等中有用。進一步，本實施方式的高分子化合物還可用作激光用色素、有機太陽能電池用材料、有機晶體管用有機半導體、導電性薄膜、有機半導體薄膜等導電性薄膜用材料、發(fā)出熒光或磷光的發(fā)光性薄膜材料。(高分子化合物的制備方法)高分子化合物可以通過例如使下述式(1M)所表示的化合物(以下，根據(jù)情況稱之為“化合物1M”。)和下述式(2M)所表示的化合物(以下，根據(jù)情況稱之為“化合物2M”。)進行縮聚來制備。在本說明書中，有將將化合物1M、化合物2M和后述化合物4M統(tǒng)稱為“單體”的情況。[化47][化48]在式(1M)中，n1、n2、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10與上述意思相同，Z1及Z2分別獨立地表示選自下述取代基組(下述取代基A組或下述取代基B組)的基團。在式(2M)中，a、b、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、RA及RB與上述意思相同，Z3及Z4表示選自下述取代基A組或下述取代基B組的基團。<取代基A組>氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(＝O)2R41(R41表示烷基或可以被烷基、烷氧基、硝基、氟原子或氰基取代的芳基。)所表示的基團。<取代基B組>-B(OR42)2(R42表示氫原子或烷基，存在多個的R42可以互相相同或不同，可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)所表示的基團、-BF4Q1(Q1表示選自Li+、Na+、K+、Rb+及Cs+中的1價陽離子。)所表示的基團、-MgY1(Y1表示氯原子、溴原子或碘原子。)所表示的基團、-ZnY2(Y2表示氯原子、溴原子或碘原子。)所表示的基團以及-Sn(R43)3(R43表示氫原子或烷基，存在多個的R43可以互相相同或不同，可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)所表示的基團。已知，具有選自取代基A組的基團的化合物和選自取代基B組的基團的化合物是指，通過公知的偶聯(lián)反應進行縮聚，與該基團鍵合的碳原子之間鍵合。因此，若將具有2個選自取代基A組的基團的化合物A和具有2個選自取代基B組的基團的化合物B供于公知的偶聯(lián)反應中，則通過縮聚，可制得化合物A及化合物B的縮聚物。此外，具有2個選自取代基A組的基團的化合物也可以通過例如利用Ni(0)催化劑進行聚合的方法(Yamamoto聚合)(ProgressinPolymerScience(聚合物科學進展)，第17卷，1153～1205頁，1992年)來制得縮聚物。在這樣的縮聚中，從化合物1M衍生出第一結(jié)構(gòu)單元，從化合物2M衍生出第二結(jié)構(gòu)單元。在高分子化合物的制備方法中，可以將上述以外的化合物供于縮聚中，例如，還可將下述式(4M)所表示的化合物(以下，根據(jù)情況稱之為“化合物4M”。)供于縮聚中。通過將化合物4M供于縮聚中，在制得的高分子化合物中引入第三結(jié)構(gòu)單元。[化49]Z5-Ar5-Z6(4M)在式(4M)中，Ar5與上述意思相同，Z5及Z6表示選自取代基A組或取代基B組的基團?？筛鶕?jù)化合物1M中的Z1及Z2以及化合物2M中的Z3及Z4來選擇Z5及Z6。作為縮聚的方法，可列舉如：通過鈴木(Suzuki)偶聯(lián)反應進行聚合的方法(Chem.Rev.(化學評論)，第95卷，第2457-2483頁(1995年))、通過格氏(Grignard)反應進行聚合的方法(Bull.Chem.Soc.Jpn.，第51卷，第2091頁(1978年))、通過Ni(0)催化劑進行聚合的方法(ProgressinPolymerScience(聚合物科學進展)，第17卷，第1153～1205頁，1992年)、使用施蒂勒(Stille)偶聯(lián)反應的方法(EuropeanPolymerJournal(歐洲聚合物雜志)，第41卷，第2923-2933頁(2005年))等。在這些之中，從原料的合成的容易程度及聚合反應操作的簡便性的觀點考慮，優(yōu)選通過鈴木偶聯(lián)反應進行聚合的方法、通過Ni(0)催化劑進行聚合的方法，若考慮高分子化合物的結(jié)構(gòu)控制的容易程度，更優(yōu)選通過鈴木偶聯(lián)反應、格氏反應、施蒂勒偶聯(lián)反應等芳基-芳基交叉偶聯(lián)反應進行聚合的方法，特別優(yōu)選通過鈴木偶聯(lián)反應進行聚合的反應。作為縮聚的方法，可列舉出使上述各化合物根據(jù)需要與適當?shù)拇呋瘎┗驂A同時反應的方法。選擇通過鈴木偶聯(lián)反應進行聚合的方法時，為了制得具有所希望的分子量的高分子化合物，只要調(diào)整各化合物所具有的選自取代基A組的基團的總摩爾數(shù)與選自取代基B組的基團的總摩爾數(shù)的比率即可。通常，優(yōu)選相對于前者的摩爾數(shù)的后者的摩爾數(shù)的比率為0.95～1.05，更優(yōu)選為0.98～1.02，進一步優(yōu)選為0.99～1.01。相對于化合物1M及其他單體的總摩爾量，優(yōu)選在縮聚中的化合物1M的用量為0.5摩爾％以上，更優(yōu)選為0.5～80摩爾％，進一步優(yōu)選為5～60摩爾％。相對于化合物2M及其他單體的總摩爾量，優(yōu)選在縮聚中的化合物2M的用量為0.1摩爾％以上，更優(yōu)選為0.1～50摩爾％，進一步優(yōu)選為0.1～40摩爾％。通過使用由這樣的縮聚制得的高分子化合物，可制作上述發(fā)光元件。單體可以使用預先合成然后分離出的物質(zhì)，也可以在反應體系中合成然后直接使用。將制得的高分子化合物用于發(fā)光元件時，存在其純度給發(fā)光元件的性能帶來影響的情況。因此，優(yōu)選通過蒸餾、色譜法、升華精制、重結(jié)晶等方法或它們的組合來對這些單體進行精制。在本實施方式的高分子化合物的制備方法中，優(yōu)選在催化劑的存在下對單體進行聚合。作為催化劑，通過鈴木偶聯(lián)反應進行聚合時，可列舉出[四(三苯基膦)]鈀、[三(二芐叉丙酮)]二鈀、醋酸鈀、二氯雙(三苯基膦)鈀等的鈀絡合物等過渡金屬絡合物，以及在這些過渡金屬絡合物上三苯基膦、三叔丁基膦、三環(huán)己基膦等配體配位而成的絡合物等。此外，通過Ni(0)催化劑進行聚合時，作為Ni(0)催化劑，可列舉出[四(三苯基膦)]鎳、[1，3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳、[雙(1，4-環(huán)辛二烯)]鎳等的鎳絡合物等過渡金屬絡合物，以及在這些過渡金屬絡合物上三苯基膦、三叔丁基膦、三環(huán)己基膦、二苯基膦基丙烷、取代或未取代聯(lián)吡啶、取代或未取代菲咯啉等配體配位而成的絡合物等。上述催化劑可以使用預先合成的物質(zhì)，也可直接使用在反應體系中制備的物質(zhì)。此外，這些催化劑可以單獨一種或兩種以上并用。催化劑的用量只要是作為催化劑的有效量即可，例如，相對于聚合反應中的全部單體的總計100摩爾％，以過渡金屬換的摩爾數(shù)換算計，通常為0.0001～300摩爾％，優(yōu)選為0.001～50摩爾％，更優(yōu)選為0.01～20摩爾％。在通過鈴木偶聯(lián)反應進行聚合的方法中，優(yōu)選使用堿。作為堿，可列舉出碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氟化鉀、氟化銫、磷酸三鉀等無機堿，四丁基氟化銨、四丁基氯化銨、四丁基溴化銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨等有機堿。相對于聚合反應中的全部單體的總計100摩爾％，堿的用量通常為50～2000摩爾％，優(yōu)選為100～1000摩爾％。聚合反應可以不存在溶劑的情況下進行或在溶劑的存在下進行，但通常在有機溶劑的存在下進行。此處，作為有機溶劑，可列舉出甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫呋喃、1，4-二噁烷、二甲氧基乙烷、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺等。通常，為了抑制副反應，使用進行過脫氧處理的溶劑為宜。有機溶劑可以單獨使用一種或并用兩種以上。就有機溶劑的用量而言，優(yōu)選聚合反應中的全部單體的總濃度變成0.1～90重量％的量，更優(yōu)選為變成1～50重量％的量，進一步優(yōu)選為變成2～30重量％的量。優(yōu)選聚合反應的反應溫度為-100～200℃，更優(yōu)選為-80～150℃，進一步優(yōu)選為0～120℃。此外，反應時間通常為1小時以上，優(yōu)選為2～500小時。在聚合反應中，為了避免在本實施方式的高分子化合物的末端殘留聚合性基團(例如，Z1、Z2)，可以使用下述式(1T)所表示的化合物作為鏈終止劑。由此，可制得末端為芳基或1價雜環(huán)基(特別是1價芳香族雜環(huán)基)的高分子化合物。ZT-ArT(1T)在式(1T)中，ArT表示可以具有取代基的芳基，或可以具有取代基的1價雜環(huán)基(特別是1價芳香族雜環(huán)基)，ZT表示選自上述取代基A組及上述取代基B組的基團。作為ArT中的芳基、1價雜環(huán)基(特別是1價芳香族雜環(huán)基)，可舉例示出與分別作為上述R1而舉例示出芳基、1價雜環(huán)基(特別是1價芳香族雜環(huán)基)相同的基團。聚合反應的后處理可通過公知的方法進行，例如，可單獨或組合進行利用分液除去水溶性雜質(zhì)的方法或在甲醇等低級醇中加入聚合反應后的反應液，對析出的沉淀進行過濾，使所述沉淀干燥的方法等。本實施方式的高分子化合物的純度低時，只要通過利用重結(jié)晶、再沉淀、索氏提取器進行的連續(xù)提取、柱色譜法等通常的方法進行精制即可，但將本實施方式的高分子化合物用于發(fā)光元件時，因有其純度給發(fā)光特性等的發(fā)光元件的性能帶來影響的情況，故在縮聚后，優(yōu)選進行利用再沉淀精制、色譜法進行分離等的純化處理。(化合物)涉及本實施方式的化合物是下述式(6)所表示的化合物。[化50]在式(6)中，m1及m2分別獨立地表示1或2。R21、R22、R23及R24分別與上述R1～R4意思相同。X11、X12、X13及X14分別獨立地表示-C(R31)2-所表示的基團。此處，R31與上述R1、R2、R3及R4意思相同，存在多個的R31可以互相相同或不同。此外，R25、R26、R27、R28、R29及R30分別與上述R5、R6、R7、R8、R9及R10意思相同，R27、R28、R29及R30之中相鄰的基團之間可互相連接而形成環(huán)結(jié)構(gòu)。Z1及Z2分別獨立地表示選自取代基組(取代基A組及取代基B組)的基團。其中，R21、R22、R23及R24之中至少1個為氫原子以外的基團。式(6)中的R21及R22互相不同時，或R23及R24互相不同時，在式(6)所表示的化合物中可存在立體異構(gòu)體(非對映異構(gòu)體和/或?qū)τ钞悩?gòu)體)。式(6)所表示的化合物可以是單一的立體異構(gòu)體或不同的立體異構(gòu)體的混合物。以下，對于式(6)所表示的化合物的制備方法，以m1及m2為1的情況為例進行說明。式(6)所表示的化合物可通過例如下述路線1～5中記載的方法來制備。[化51][路線1]式中，波浪線表示具有所述波浪線的化合物為幾何異構(gòu)體混合物。在路線1中，Z1a及Z1b分別獨立地表示氫原子或取代基組(選自取代基A組的基團)，R1a表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的1價雜環(huán)基。存在多個的R1a可以互相相同或不同。在路線1中，首先，通過將式(6-1-1)所表示的化合物(以下，稱之為“化合物(6-1-1)”。以下，關于式(6-1-2)所表示的化合物也一樣。)供于維蒂希(Wittig)反應或霍納爾-沃茲沃思-埃蒙斯(Horner-Wadsworth-Emmons)反應等中，可制得化合物(6-1-2)。接著，通過將化合物(6-1-2)供于還原反應中，可制得化合物(6-1-3)?；衔?6-1-3)中的Z1a及Z1b為氫原子時，通過將化合物(6-1-3)供于溴化反應等的反應中，可使該氫原子變成選自取代基A組的基團。此外，化合物(6-1-3)中的Z1a及Z1b為選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應變?yōu)檫x自取代基B組的基團。[化52][路線2]在路線2中，aa表示0或1，Z2a及Z2b分別獨立地表示氫原子或選自取代基A組的基團，ZA表示選自取代基A組的基團，R2a表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的1價雜環(huán)基。存在多個的aa可以互相相同或不同。存在多個R2a時，它們可以相同或不同。在路線2中，首先，在堿存在下，通過化合物(6-2-1)與R2a-ZA的加成反應，可制得化合物(6-2-2)。接著，通過將化合物(6-2-2)供于還原反應，可制得化合物(6-2-3)?；衔?6-2-3)中的Z2a及Z2b為氫原子時，通過將化合物(6-2-3)供于溴化反應等的反應中，可將該氫原子變?yōu)檫x自取代基A組的基團。此外，化合物(6-2-3)中的Z2a及Z2b為選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應變?yōu)檫x自取代基B組的基團。[化53][路線23]在路線3中，Z3a及Z3b分別獨立地表示氫原子或選自取代基A組的基團，R3a表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的1價雜環(huán)基。M1表示鋰、鉀等堿金屬或-MIIZH所表示的基團，MII表示Mg或Zn，ZH表示鹵原子。存在多個的R3a可以互相相同或不同。在路線3中，首先，通過化合物(6-3-1)與R3a-M1的反應，可制得化合物(6-3-2)。接著，通過利用公知的反應將化合物(6-3-2)中的羥基變?yōu)闅湓樱芍频没衔?6-3-3)?；衔?6-3-3)中的Z3a及Z3b為氫原子時，通過將化合物(6-3-3)供于溴化反應等的反應中，可將該氫原子變?yōu)檫x自取代基A組的基團。化合物(6-3-3)中的Z3a及Z3b為選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應變?yōu)檫x自取代基B組的基團。[化54][路線4]在路線4中，Z4a及Z4b分別獨立地表示氫原子或選自取代基A組的基團，R4a表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基。M2表示鋰、鉀等堿金屬或-MIIZH所表示的基團，MII表示Mg或Zn，ZH表示鹵原子。在路線4中，首先，通過化合物(6-4-1)與R4a-M2的反應，可制得化合物(6-4-2)。接著，通過將化合物(6-4-2)供于還原反應，可制得化合物(6-4-3)?；衔?6-4-3)中的Z4a及Z4b為氫原子時，通過將化合物(6-4-3)供于溴化反應等的反應，可將該氫原子變?yōu)檫x自取代基A組的基團。此外，化合物(6-4-3)中的Z4a及Z4b為選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應變?yōu)檫x自取代基B組的基團。[化55][路線5]在路線5中，Z5a及Z5b分別獨立地表示氫原子或選自取代基A組的基團，R5a及R5b分別獨立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基，R’表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或者取代的1價雜環(huán)基，M3及M4分別獨立地表示鋰、鉀等堿金屬或-MgZH所表示的基團，ZH表示鹵原子。存在多個的R5a及R5b可以分別相同或不同。在路線5中，首先，通過化合物(6-5-1)與R5a-M3的反應，可制得化合物(6-5-2)。接著，通過將化合物(6-5-2)供于例如甲磺酰化等的反應中，可制得具有離去基團的化合物(6-5-3)?？蛇M一步使化合物(6-5-3)與R5b-M4反應，通過該反應，可制得化合物(6-5-4)?；衔?6-5-3)及化合物(6-5-4)中的Z5a及Z5b為氫原子時，通過將化合物(6-5-3)供于溴化反應等的反應中，可將該氫原子變?yōu)檫x自取代基A組的基團。此外，化合物(6-5-3)中的Z5a及Z5b為選自取代基A組的基團時，該基團可通過公知的反應變?yōu)檫x自取代基B組的基團。涉及具有立體異構(gòu)體的化合物，作為制得特定的立體異構(gòu)體的方法，例如，在上述路線1中，可通過立體選擇性地實施加氫反應(Hydrogenationreaction)來合成。此外，通過優(yōu)先析出晶體，還可將特定的立體異構(gòu)體濃縮、精制。此外，合成立體異構(gòu)體混合物后，還可利用色譜法對特定的立體異構(gòu)體分離精制。而且，上述化合物(6-1-1)、化合物(6-2-1)、化合物(6-3-1)、化合物(6-4-1)及化合物(6-5-1)可通過例如，J.Org.Chem.2003，68，8715-8718.中記載的方法或JournaloftheChemicalSociety(化學學會會刊)，PerkinTransactions1：OrganicandBio-OrganicChemistry(有機和生物化學)(1997)，(22)，3471-3478.中記載的方法。(組合物)本實施方式的組合物含有上述高分子化合物、和選自空穴傳輸材料、電子傳輸材料及發(fā)光材料中的至少一種。該組合物可適宜地用于發(fā)光元件的制造，制得的發(fā)光元件的發(fā)光效率更優(yōu)異。作為空穴傳輸材料，可列舉出聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯)及其衍生物，聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯)及其衍生物等。此外，還可列舉出在日本特開昭63-70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日本特開平3-37992號公報、日本特開平3-152184號公報中記載的空穴傳輸材料。相對于組合物中的高分子化合物100重量份，優(yōu)選空穴傳輸材料的含量為1～500重量份，更優(yōu)選為5～200重量份。作為電子傳輸材料，可列舉出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷(Anthraquinodimethane)及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物、蒽及其衍生物、蒽與芴的共聚物等。此外，還可列舉出在日本特開昭63-70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日本特開平3-37992號公報、日本特開平3-152184號公報中記載的電子傳輸材料。此外，電子傳輸材料可以是具有式(1)所表示的結(jié)構(gòu)單元且不具有式(2)所表示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物。相對于組合物中的高分子化合物100重量份，優(yōu)選電子傳輸材料的含量為1～500重量份，更優(yōu)選為5～200重量份。作為發(fā)光材料，可列舉出低分子熒光發(fā)光材料、磷光發(fā)光材料等。作為發(fā)光材料的例子，可列舉出萘衍生物、蒽及其衍生物、蒽與芴的共聚物、苝及其衍生物、聚甲炔系色素、呫噸系色素、香豆素系色素、花菁系色素等色素類，具有8-羥基喹啉作為配體的金屬絡合物、具有8-羥基喹啉衍生物作為配體的金屬絡合物、其他熒光性金屬絡合物、芳香胺、四苯基環(huán)戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物、芪系、含硅芳香族系、噁唑系、氧化呋咱系、噻唑系、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、甲基環(huán)芬(Metacyclophane)系、乙炔系等低分子化合物的熒光性材料，銥絡合物、鉑絡合物等的金屬絡合物、三重激發(fā)發(fā)光絡合物等。此外，還可列舉出日本特開昭57-51781號公報、日本特開昭59-194393號公報等中記載的發(fā)光材料。相對于組合物中的高分子化合物100重量份，優(yōu)選發(fā)光材料的含量為1～500重量份，更優(yōu)選為5～200重量份。(液狀組合物)可以使本實施方式的高分子化合物溶解或分散于溶劑，優(yōu)選為有機溶劑，制成液狀組合物(溶液或分散液)。也將這樣的液狀組合物稱為油墨、清漆。為了形成在發(fā)光元件中使用的有機薄膜，使用該液狀組合物時，優(yōu)選液狀組合物為溶液。除了本實施方式的高分子化合物以外，液狀組合物還可含有選自空穴傳輸材料、電子傳輸材料及發(fā)光材料中的至少一種(即，上述組合物的一個實施方式。)。此外，只要不妨礙本發(fā)明的效果，就可以在液狀組合物中添加其他物質(zhì)。作為其他物質(zhì)，可列舉出抗氧化劑、粘度調(diào)節(jié)劑，表面活性劑等。此處，作為有機溶劑，只要本實施方式的高分子化合物在其中溶解或分散，就沒有特別限制，但可列舉出以下有機溶劑(以下，有稱之為“溶劑組”的情況。)。芳烴系溶劑：甲苯、二甲苯(各異構(gòu)體或它們的混合物)、1，2，3-三甲苯、1，2，4-三甲苯、均三甲苯(1，3，5-三甲基苯)、乙苯、丙苯、異丙苯、丁苯、異丁苯、2-苯基丁烷、叔丁苯、戊苯、新戊苯、異戊苯、己苯、環(huán)己苯、庚苯、辛苯、3-丙基甲苯、4-丙基甲苯、1-甲基-4-丙苯、1，4-二乙苯、1，4-二丙苯、1，4-二叔丁苯、茚滿、萘滿(1，2，3，4-四氫萘)等。脂肪烴系溶劑：正戊烷、正己烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、十氫化萘等。芳香族系醚系溶劑：苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、戊氧基苯、環(huán)戊氧基苯、己氧基苯、環(huán)己氧基苯、庚氧基苯、辛氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、4-乙基苯甲醚、4-丙基苯甲醚、4-丁基苯甲醚、4-戊基苯甲醚、4-己基苯甲醚、二苯醚、4-甲基苯氧基苯、4-乙基苯氧基苯、4-丙基苯氧基苯、4-丁基苯氧基苯、4-戊基苯氧基苯、4-己基苯氧基苯、4-苯氧基甲苯、3-苯氧基甲苯、1，3-二甲氧基苯、2，6-二甲基苯甲醚、2，5-二甲基苯甲醚、2，3-二甲基苯甲醚、3，5-二甲基苯甲醚等。脂肪族醚系溶劑：四氫呋喃、二噁烷、二氧戊環(huán)等。酮系溶劑：丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、苯乙酮等。酯系溶劑：乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纖劑醋酸酯等。氯化溶劑：二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等。醇系溶劑：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇、苯酚等。多元醇及其衍生物：乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙醚、甘油、1，2-己二醇等。非質(zhì)子性極性溶劑：二甲基亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等。這些有機溶劑可以單獨使用一種或兩種以上作為混合溶劑使用。使用混合溶劑時，雖然優(yōu)選組合上述溶劑組中的溶劑的兩種或三種以上，但也可以組合上述舉例示出的相同的系的溶劑組中的多個或組合不同的系的溶劑組中各1種以上。可以考慮各溶劑的物性及高分子化合物等的溶解性來決定其組成比。作為從相同的系的溶劑組選擇多種進行組合時的優(yōu)選的例子，可列舉出從芳烴系溶劑選出多種、從芳香醚系溶劑選出多種等。作為從不同的系的溶劑組分別選擇1種以上進行組合時的優(yōu)選的例子，可列舉出以下組合。芳烴系溶劑與脂肪烴系溶劑；芳烴系溶劑與芳香醚系溶劑；芳烴系溶劑與脂肪族醚系溶劑；芳烴系溶劑與非質(zhì)子性極性溶劑；芳香醚系溶劑與非質(zhì)子性極性溶劑等。此外，還可在單一溶劑或混合溶劑中添加水。在這些有機溶劑之中，從粘度及成膜性的觀點考慮，優(yōu)選含有一種以上有機溶劑的單一溶劑或混合溶劑，所述有機溶劑具有含有苯環(huán)的結(jié)構(gòu)，熔點為0℃以下，且沸點為100℃以上，其中特別優(yōu)選含有一種以上芳烴系溶劑、芳香醚系溶劑的單一溶劑或混合溶劑。有機溶劑可以單獨使用一種或兩種以上作為混合溶劑使用，但從成膜性的觀點考慮優(yōu)選使用混合溶劑。此外，根據(jù)需要，可以通過洗滌、蒸餾、與吸附劑接觸等的方法對有機溶劑進行精制然后使用。利用上述液狀組合物，可容易地制造含有本實施方式的高分子化合物的有機薄膜。具體地，可將上述液狀組合物涂布在基板上，通過利用加熱、鼓風、減壓等蒸餾除去有機溶劑，可制得含有本實施方式的高分子化合物的有機薄膜。就有機溶劑的蒸餾除去而言，可以根據(jù)使用的有機溶劑來改變條件，作為條件，可列舉如50～150℃的氣氛溫度(加熱)或10-3pa左右的減壓氣氛等。在涂布中，可使用旋涂法、澆鑄法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒式涂布法、輥式涂布法、拉絲錠涂布法、浸涂法、狹縫涂布法、毛細管涂布(Capillarycoating)法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔性印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、噴嘴涂布(Nozzlecoating)法等涂布法。上述液狀組合物的合適的粘度也根據(jù)印刷法的不同而不同，但在25℃時優(yōu)選為0.5～1000mPa.s，更優(yōu)選為0.5～500mPa.s。此外，像噴墨印刷法那樣的，上述液狀組合物經(jīng)過噴出裝置時，為了防止噴出時的堵塞或飛濺，優(yōu)選25℃中的粘度為0.5～50mPa.s，更優(yōu)選為0.5～20mPa.s。液狀組合物中的本實施方式的高分子化合物的濃度沒有特別限制，但優(yōu)選為0.01～10重量％，更優(yōu)選為0.1～5重量％。(有機薄膜)本實施方式的有機薄膜含有上述高分子化合物。本實施方式的有機薄膜可像上述那樣由上述液狀組合物容易地制造。本實施方式的有機薄膜可作為后述發(fā)光元件中的發(fā)光層而適宜地使用。此外，其還可適宜地用于有機半導體元件。因本實施方式的有機薄膜含有上述高分子化合物，故作為發(fā)光元件的發(fā)光層使用時，所述發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異。(發(fā)光元件)本實施方式的發(fā)光元件具有上述有機薄膜。具體地，本實施方式的發(fā)光元件具有陽極、陰極、在該陽極及該陰極之間存在的含有上述高分子化合物的層。此處，優(yōu)選含有上述高分子化合物的層是包含上述有機薄膜的層，優(yōu)選所述層作為發(fā)光層起作用。以下，將含有上述高分子化合物的層作為發(fā)光層起作用的情況作為一個優(yōu)選的實施方式舉例示出。作為本實施方式的發(fā)光元件，可列舉出具有以下的(a)～(d)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。而且，“/”表示其前后的層相鄰而層疊(例如，“陽極/發(fā)光層”表示，陽極與發(fā)光層相鄰而層疊。)。(a)陽極/發(fā)光層/陰極(b)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極(c)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極(d)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極發(fā)光層是指具有發(fā)光的功能的層，空穴傳輸層是指具有傳輸空穴的功能的層，電子傳輸層是指具有傳輸電子的功能的層。有將空穴傳輸層和電子傳輸層統(tǒng)稱為電荷傳輸層的情況。有將與發(fā)光層相鄰的空穴傳輸層稱為夾層的情況。各層的層疊和成膜可以分別使用含有各層的構(gòu)成成分的溶液來進行。用溶液進行的層疊和成膜中，可使用旋涂法、澆鑄法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒式涂布法、輥式涂布法、拉絲錠涂布法、浸涂法、狹縫涂布法、毛細管涂布法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔性印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、噴嘴涂布法等涂布法。只要使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率變成適度的值來選擇發(fā)光層的厚度即可，通常為1nm～1μm，優(yōu)選為2nm～500nm，進一步優(yōu)選為5nm～200nm。優(yōu)選空穴傳輸層含有上述空穴傳輸材料?？昭▊鬏攲拥某赡た梢酝ㄟ^任意方法進行，但在空穴傳輸材料為高分子化合物時，優(yōu)選用含有空穴傳輸材料的溶液來成膜，在空穴傳輸材料為低分子化合物時，優(yōu)選用含有高分子粘結(jié)劑和空穴傳輸材料的混合液來成膜。作為成膜方法，可采用與上述涂布法相同的方法。可與上述空穴傳輸材料混合的高分子粘結(jié)劑優(yōu)選是不會極度阻礙電荷傳輸?shù)幕衔铮覍梢姽馕詹粡姷幕衔?。作為高分子粘結(jié)劑，可列舉出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。只要使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率變成適度的值來選擇空穴傳輸層的厚度即可，通常為1nm～1μm，優(yōu)選為2nm～500nm，進一步優(yōu)選為5nm～200nm。優(yōu)選電子傳輸層含有上述電子傳輸材料。電子傳輸層的成膜可以通過任意方法進行，但電子傳輸材料為高分子化合物時，優(yōu)選用含有電子傳輸材料的溶液來成膜的方法、將電子傳輸材料熔融來成膜的方法。電子傳輸材料為低分子化合物時，優(yōu)選使用電子傳輸材料的粉末通過真空蒸鍍法來成膜的方法、用含有電子傳輸材料的溶液來成膜的方法、將電子傳輸材料熔融來成膜的方法。作為用含有電子傳輸材料的溶液來成膜的方法，可舉例示出與上述涂布法相同的方法。在溶液中可以含有高分子粘結(jié)劑?？膳c上述電子傳輸材料混合的高分子粘結(jié)劑優(yōu)選是不會極度阻礙電荷傳輸?shù)幕衔?，且對可見光吸收不強的化合物。作為高分子粘結(jié)劑，可列舉出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯)及其衍生物、聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。只要使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率變成適度的值來選擇電子傳輸層的厚度即可，通常為1nm～1μm，優(yōu)選為2nm～500nm，進一步優(yōu)選為5nm～200nm。在與電極相鄰設置的電荷傳輸層之中，對于具有改善來自電極的電荷注入效率的功能、且具有降低元件的驅(qū)動電壓的效果的層，有時特別稱為電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。為了提高與電極的密合性及改善來自電極的電荷注入，可以在電極上相鄰設置上述電荷注入層或絕緣層，為了提高界面的密合性及防止混合，可以在電荷傳輸層及發(fā)光層的界面上插入薄的緩沖層。而且，層疊的層的順序及層數(shù)以及各層的厚度只要考慮發(fā)光效率及亮度壽命來選擇即可。作為設置有電荷注入層的發(fā)光元件，可列舉出具有以下(e)～(p)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。(e)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極(f)陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極(g)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極(h)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極(i)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極(j)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極(k)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷傳輸層/陰極(1)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極(m)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極(n)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電荷傳輸層/陰極(o)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極(p)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極作為電荷注入層，可列舉出(I)含有導電性高分子的層、(II)設置于陽極和空穴傳輸層之間，含有具有在陽極中的陽極材料與空穴傳輸層中的空穴傳輸材料之間的中間值的電離勢的材料的層、(III)設置于陰極與電子傳輸層之間，含有具有在陰極中的陰極材料與電子傳輸層中的電子傳輸材料之間的中間值的電子親和力的材料的層等。電荷注入層為含有(I)導電性高分子的層時，優(yōu)選該導電性高分子的電導率為10-5S/cm～103S/cm，為了使發(fā)光像素間的漏電流變小，更優(yōu)選為10-5S/cm～102S/cm，特別優(yōu)選為10-5S/cm～101S/cm。為了滿足這樣的范圍，可以在導電性高分子中摻入適量的離子。就摻入的離子的種類而言，若為空穴注入層則是陰離子，若為電子注入層則是陽離子。作為陰離子，可列舉出聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等。作為陽離子，可列舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。優(yōu)選電荷注入層的厚度為1～100nm，更優(yōu)選為2～50nm。作為導電性高分子，只要根據(jù)其與電極及相鄰的層的材料的關系選擇即可，可列舉出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯亞乙烯及其衍生物、聚亞噻吩基亞乙烯及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主鏈或側(cè)鏈含有芳香胺結(jié)構(gòu)的聚合物等的導電性高分子。作為電荷注入層，也可列舉出金屬酞菁(銅酞菁等)、含有碳等的層。絕緣層是具有使電荷注入變?nèi)菀椎墓δ艿膶?。絕緣層的厚度通常為0.1～20nm，優(yōu)選為0.5～10nm，更優(yōu)選為1～5nm。作為用于絕緣層的材料，可列舉出金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。作為設置有絕緣層的發(fā)光元件，可列舉出具有以下的(q)～(ab)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。(q)陽極/絕緣層/發(fā)光層/陰極(r)陽極/發(fā)光層/絕緣層/陰極(s)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(t)陽極/絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極(u)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(v)陽極/絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(w)陽極/絕緣層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極(x)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/絕緣層/陰極(y)陽極/絕緣層/發(fā)光層/電子傳輸層/絕緣層/陰極(z)陽極/絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極(aa)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/絕緣層/陰極(ab)陽極/絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/絕緣層/陰極優(yōu)選本實施方式的發(fā)光元件具有與陽極或陰極相鄰的基板。作為基板，優(yōu)選為形成電極及各層時形狀或性狀不變的基板，可列舉如：玻璃、塑料、高分子膜、硅等基板。在不透明的基板的情況下，優(yōu)選與該基板所接觸的電極的相反側(cè)的電極為透明或半透明。在本實施方式的發(fā)光元件中，通常，包含陽極及陰極的電極的至少一個為透明或半透明，優(yōu)選陽極為透明或半透明。作為陽極的材料，可使用導電性的金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等?？删唧w使用利用包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫、銦·錫·氧化物(ITO)的復合氧化物，包含銦·鋅·氧化物的復合氧化物等的導電性無機化合物制作的膜；NESA、金、鉑、銀、銅等。作為陽極，可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有機透明導電膜。為了使電荷注入變?nèi)菀祝稍陉枠O上設置包含酞菁衍生物、導電性高分子、碳等的層，或包含金屬氧化物或金屬氟化物、有機絕緣材料等的層。作為陽極的制作方法，可列舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法、電鍍法等?？梢钥紤]光的透過性和電導率來選擇陽極的厚度，但通常為10nm～10μm，優(yōu)選為20nm～1μm，進一步優(yōu)選為30nm～500nm。作為陰極的材料，優(yōu)選為功函數(shù)小的材料，可使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬、包含該金屬之中的兩種以上的合金、包含該金屬之中的1種以上和金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中的1種以上的合金、石墨或石墨層間化合物等。作為陰極的制作方法，可使用真空蒸鍍法、濺射法、對金屬薄膜進行熱壓接的層壓法等?？梢钥紤]電導率及耐久性來選擇陰極的厚度，但通常為10nm～10μm，優(yōu)選為20nm～1μm，進一步優(yōu)選為50nm～500nm。在陰極與發(fā)光層或陰極與電子傳輸層之間，可以設置包含導電性高分子的層或包含金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料等的層，制作陰極后，可以安裝保護發(fā)光元件的保護層。出于長期穩(wěn)定地使用發(fā)光元件的目的，為了保護元件不受外部的影響，優(yōu)選安裝保護層和/或保護罩。作為保護層，可使用樹脂、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。作為保護罩，可使用玻璃板、在表面施以過低透水率處理的塑料板等，可適宜地采用用熱固化樹脂或光固化樹脂使該保護罩與元件基板貼合而密閉的方法。若使用間隔件來維持空間，則可容易地防止元件損傷。若在該空間內(nèi)封入氮氣或氬氣等不活潑氣體，則可防止陰極的氧化，通過再在該空間內(nèi)設置氧化鋇等干燥劑，變得易抑制在制造工序中吸附的水分對元件造成損壞。圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光元件的一個實施方式(具有上述(p)的構(gòu)成的發(fā)光元件)的截面示意圖。圖1中所示的發(fā)光元件100具有基板10、在該基板10上形成的陽極11、空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15、電子注入層16及陰極17。陽極11以與基板10接觸的方式被設置在基板10上，在陽極11的與基板10的相反側(cè)上，依次層疊著空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15、電子注入層16及陰極17。圖2是表示本發(fā)明的發(fā)光元件的其他實施方式(具有上述(h)的構(gòu)成的發(fā)光元件)的截面示意圖。圖2中所示的發(fā)光元件110具有基板10、在該基板10上形成的陽極11、空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14及陰極17。陽極11以與基板接觸的方式被設置在基板10上，在陽極11的與基板10的相反側(cè)上，依次層疊著空穴注入層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14及陰極17。含有本實施方式的高分子化合物的發(fā)光元件在曲面狀光源、平面狀光源等面狀光源(例如，照明)；段式顯示裝置、點陣顯示裝置(例如，點陣的平面顯示器)、液晶顯示裝置(例如，液晶顯示裝置、液晶顯示器的背光源)等顯示裝置等中有用。此外，本實施方式的高分子化合物除了作為用于它們的制作的材料而適宜以外，還作為激光用色素、有機太陽能電池用材料、有機晶體管用有機半導體、導電性薄膜、有機半導體薄膜等的導電性薄膜用材料、發(fā)出熒光的發(fā)光性薄膜材料、高分子場效應晶體管的材料等而有用。使用本實施方式的發(fā)光元件，欲獲得面狀的發(fā)光，只要將面狀的陽極與陰極以重疊的方式配置即可。此外，欲獲得圖案狀的發(fā)光，有下述方法：在上述面狀的發(fā)光元件的表面上設置配置有圖案狀的窗的掩模的方法、將陽極或陰極的任意一個或兩個電極形成圖案狀的方法。利用任意一種方法形成圖案，通過將數(shù)個電極以可獨立地ON/OFF(開/關)的方式進行配置，可制得可顯示數(shù)字或文字、簡單的記號等的段式顯示裝置。欲制成點陣顯示裝置，只要將陽極和陰極以同時形成條紋狀并垂直相交的方式進行配置即可。通過分別涂布多種發(fā)光顏色不同的高分子化合物的方法或使用濾色器或熒光轉(zhuǎn)換過濾器的方法，變得可進行部分彩色顯示、多色顯示。點陣顯示裝置可以是被動驅(qū)動或與TFT等組合進行主動驅(qū)動。這些顯示裝置可用作計算機、電視、移動終端、手機、汽車導航、攝像機的取景器等的顯示裝置。圖3是表示本發(fā)明的面狀光源的一個實施方式的截面示意圖。圖3中所示的面狀光源200包含基板20、陽極21、空穴注入層22、發(fā)光層23、陰極24和保護層25。陽極21以與基板20接觸的方式被設置在基板20上，在陽極21的與基板20的相反側(cè)上依次層疊有空穴注入層22、發(fā)光層23及陰極24。保護層25以下述方式形成：將在基板20上形成的陽極21、電荷注入層22、發(fā)光層23及陰極24的全部覆蓋、并且在端部與基板20接觸。在發(fā)光層23中包含上述高分子化合物。圖3中所示的面狀光源200是還具有多層發(fā)光層23以外的發(fā)光層的構(gòu)成，在各發(fā)光層中分別使用紅色發(fā)光材料、藍色發(fā)光材料及綠色發(fā)光材料，通過控制各發(fā)光層的驅(qū)動，可制得彩色顯示裝置。[實施例]以下，根據(jù)實施例對本發(fā)明加以更具體的說明，但本發(fā)明不限于實施例。高分子化合物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量使用凝膠滲透色譜法(GPC)(島津制作所制，商品名：LC-10Avp)通過以下的測定條件求出。<測定條件>使測定的高分子化合物以約0.05重量％的濃度溶解于四氫呋喃中，在GPC中注入10μL。使用四氫呋喃作為GPC的流動相，以2.0mL/分鐘的流速流動。使用PLgelMIXED-B(PolymerLaboratories制)作為柱。使用示差折射率檢測器(島津制作所制，商品名：RID-10A)作為檢測器。使測定試樣5～20mg溶解于約0.5mL的有機溶劑中，使用NMR(Varian，Inc.制，商品名：INOVA300)進行NMR的測定。通過以下的方法進行LC-MS的測定。使測定試樣以1～10mg/mL的濃度溶解于適當?shù)挠袡C溶劑(氯仿、四氫呋喃、乙酸乙酯、甲苯等)中，通過LC-MS(安捷倫科技制，商品名：1100LCMSD)測定、分析。使用離子交換水、乙腈、四氫呋喃或它們的混合液作為LC-MS的流動相，根據(jù)需要添加乙酸。柱使用L-column2ODS(3μm)(化學物質(zhì)評價研究機構(gòu)制，內(nèi)徑：4.6mm、長度：250mm、粒徑3μm)。<實施例1：化合物4及化合物5的合成>(化合物2的合成)首先，使用化合物1，如下合成化合物2。[化56](式中，波浪線表示具有所述波浪線的化合物是幾何異構(gòu)體混合物。)在具備攪拌器的1L的四口燒瓶中加入庚基三苯基溴化鏻(115.0g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氬氣。在該燒瓶內(nèi)加入甲苯(375g)，冷卻至5℃以下。加入叔丁醇鉀(29.2g)，升溫至室溫后，在室溫下邊保溫3小時保溫邊攪拌。在反應液中生成的紅色漿料中加入化合物1(15.0g)，邊在室溫下保溫12小時邊攪拌。在反應液中加入乙酸(10.0g)攪拌15分鐘后，過濾，得到濾液和殘渣。接著，用甲苯洗滌殘渣多次，得到洗滌液。此處，將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮，向其中加入己烷后生成漿料。邊將該漿料在50℃下保溫1小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫，過濾，得到濾液和殘渣。接著，用己烷洗滌殘渣多次，得到洗滌液。此處，通過將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮，得到粗產(chǎn)物。通過使用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制該粗產(chǎn)物，得到21.7g無色透明液體的化合物2。LC-MS(ESI，positive，添加KCl)：[M+K]+491.1H-NMR(CDCl3、300MHz)δ(ppm)：0.87(6H、t)、1.20～1.36(16H、m)、1.82～1.97(4H、m)、2.57～2.81(8H、m)、5.20(2H、br)、7.23～7.32(4H、m)、7.41～7.48(2H、m)、7.87～7.90(2H、m).(化合物3的合成)接著，使用化合物2，如下合成化合物3。[化57](式中，波浪線表示具有所述波浪線的化合物是幾何異構(gòu)體混合物。*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在配備攪拌器的1L四口燒瓶中加入化合物2(21.7g)后，加入乙酸乙酯(152.4g)和乙醇(151.6g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。在其中加入5重量％Pd/C(約50重量％含水品)(4.3g)后，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氫氣后，在氫氣氣氛下，邊在40℃下保溫27小時邊攪拌。將制得的混合物冷卻至室溫，用預涂了硅藻土的過濾器過濾，得到濾液和殘渣。接著，用乙酸乙酯洗滌殘渣多次，得到洗滌液。此處，通過將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮，得到粗產(chǎn)物。通過用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制該粗產(chǎn)物，得到21.7g無色透明液體的化合物3。LC-MS(APPI，positive)：[M]+456.1H-NMR(CDCl3、300MHz)δ(ppm)：0.66～0.98(6H、m)、1.00～2.22(34H、m)、7.13～7.50(6H、m)、7.80～7.98(2H、m).(化合物4的合成)接著，使用化合物3，如下合成化合物4。[化58](式中，*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在配備攪拌器的500mL的四口燒瓶中加入化合物3(21.7g)、氯仿(261.1g)及三氟乙酸(44g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氬氣。對四口燒瓶整體遮光，在室溫下用15分鐘在燒瓶內(nèi)滴加溴(19.0g)與氯仿(65.3g)的混合物，然后升溫至35℃。在35℃下邊保溫7小時邊攪拌后，冷卻至15℃以下。在反應液中加入10重量％亞硫酸鈉水溶液(109g)，升溫至室溫。從反應液分離水層，依次用水、5重量％碳酸氫鈉水溶液、水洗滌有機層。用硫酸鎂使得到的有機層干燥、過濾，通過濃縮濾液，得到粗產(chǎn)物。在乙醇和己烷的混合液中對該粗產(chǎn)物進行兩次重結(jié)晶。使得到的固體溶解于己烷中，用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制，在得到的己烷溶液中加入活性炭(2.1g)，在45℃下邊保溫1小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫，通過預涂了硅藻土的過濾器過濾，用己烷洗滌殘渣多次，合并多次的濾液，部分地濃縮，得到己烷溶液。在該己烷溶液中加入乙醇，通過重結(jié)晶，得到18.8g化合物4的白色固體。LC-MS(ESI，negative，添加KCl)：[M+Cl]-648.1H-NMR(CDCl3、300MHz)δ(ppm)：0.66～0.98(6H、m)、1.00～2.20(34H、m)、7.22～7.78(6H、m).從1H-NMR的測定結(jié)果確認了化合物4為立體化學上的不同的異構(gòu)體(4a∶4b∶4c＝51∶39∶10)(摩爾比)的混合物。[化59](化合物5的合成)接著，使用化合物4如下合成化合物5。[化60](式中，*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在200mL的4頸燒瓶內(nèi)加入化合物4(9.70g)、雙(頻哪醇合)二硼(8.82g)及乙酸鉀(9.25g)后，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。在其中加入1，4-二噁烷(95mL)、氯化鈀(二苯基膦基二茂鐵)二氯甲烷加成物(PdCl2(dppf)(CH2Cl2)(0.195g)及二苯基膦基二茂鐵(dppf)(0.131g)，在105℃下攪拌7小時。將得到的溶液冷卻至室溫后，用預涂了硅藻土的漏斗過濾。使減壓濃縮濾液而得的濃縮物溶解于己烷后，加入活性炭邊在40℃下加熱1小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫后，用預涂了硅藻土的漏斗過濾。通過將減壓濃縮濾液而得到的固體在甲苯和乙腈的混合溶劑中重結(jié)晶，得到9.0g白色固體的化合物5。LC-MS(ESI，positive，添加KCl)：[M+K]+747.<實施例2：化合物9的合成>(1-溴-3，5，5-三甲基己烷的合成)接著，使用3，5，5-三甲基己醇，如下合成1-溴-3，5，5-三甲基己烷。[化61]在配備攪拌器的500mL燒瓶中加入3，5，5-三甲基己醇(72.1g)及三苯基膦(157.4g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。在其中加入氯仿121mL，用冰浴冷卻，分次滴加N-溴代琥珀酰亞胺(106.8g)。移除冰浴，在室溫下攪拌反應液1小時。加入10重量％碳酸鈉水溶液(200mL)，分去水層，用己烷稀釋有機層。過濾析出的固體，濃縮后，用硅膠柱精制(展開溶劑：己烷)得到的濃縮殘渣，得到95.3g1-溴-3，5，5-三甲基己烷。(化合物6的合成)接著，用1-溴-3，5，5-三甲基己烷如下合成化合物6。[化62]在配備攪拌器的500mL燒瓶中加入1-溴-3，5，5-三甲基己烷(104.8g)、三苯基膦120.6g及甲苯(139mL)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。將得到的混合物升溫至回流溫度，回流20小時。將反應液冷卻至室溫，過濾析出的固體。邊用己烷攪拌得到的固體3次邊洗滌，通過減壓干燥得到171.7g化合物6。(化合物7的合成)接著，使用化合物6如下合成化合物7。[化63](式中，波浪線表示具有所述波浪線的化合物是幾何異構(gòu)體混合物。*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在配備攪拌器的1L的四口燒瓶中加入化合物6(169g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。在該燒瓶內(nèi)，加入甲苯(594mL)，冷卻至5℃以下。加入叔丁醇鉀(39.2g)，升溫至室溫后，邊在室溫下保溫3小時邊攪拌。在反應液中生成的紅色漿料中加入化合物1(20.1g)，邊在室溫下保溫20小時邊攪拌。在反應液中加入乙酸(13mL)然后攪拌15分鐘后，過濾，得到濾液和殘渣。接著，用甲苯洗滌殘渣多次，得到洗滌液。將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮，加入己烷后生成漿料。在50℃下邊保溫該漿料1小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫，過濾，得到濾液和殘渣。接著，用己烷洗滌殘渣多次，得到洗滌液。通過將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮得到粗產(chǎn)物。通過用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制該粗產(chǎn)物，得到34.5g無色透明的液體的化合物7。(化合物8的合成)接著，使用化合物7，如下合成化合物8。[化64](式中，波浪線表示具有所述波浪線的化合物是幾何異構(gòu)體混合物。*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在配備攪拌器的1L的四口燒瓶中加入化合物7(35.8g)后，加入乙酸乙酯(278mL)和乙醇(318mL)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。在其中加入5重量％Pd/C(約50重量％含水品)(7.2g)后，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氫氣，在氫氣氣氛下，邊在40℃下保溫30小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫，通過預涂了硅藻土的過濾器過濾，得到濾液和殘渣。接著，用乙酸乙酯洗滌殘渣多次，得到洗滌液。通過將濾液與多次的洗滌液合并然后濃縮，得到粗產(chǎn)物。通過用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制該粗產(chǎn)物，得到34.0g無色透明的液體的化合物8。LC-MS(ESI，negative，添加KCl)：[M+Cl]-547.(化合物9的合成)接著，使用化合物8，如下合成化合物9。[化65](式中，*表示帶有其的碳原子是不對稱碳原子。)在配備攪拌器的500mL的四口燒瓶中加入化合物8(31.5g)、氯仿(298mL)及三氟乙酸(63g)，將燒瓶內(nèi)的氣體置換為氮氣。對四口燒瓶整體遮光，在室溫下用15分鐘在燒瓶內(nèi)滴加溴(24.5g)和氯仿(21mL)的混合物，然后升溫至30℃。邊在30℃下保溫得到的混合物7小時邊攪拌后，冷卻至15℃以下。在反應液中加入10重量％亞硫酸鈉水溶液(46mL)，升溫至室溫。從反應液分離水層，依次用水、5重量％碳酸氫鈉水溶液、水洗滌有機層。通過用硫酸鎂使得到的有機層干燥，過濾并濃縮濾液，得到粗產(chǎn)物。用乙醇和己烷的混合液對該粗產(chǎn)物進行兩次重結(jié)晶。使得到的固體溶解于己烷中，用硅膠柱(展開溶劑：己烷)精制，在得到的己烷溶液中加入活性炭(2.1g)，邊在45℃下保溫1小時邊攪拌。將得到的混合物冷卻至室溫，通過預涂了硅藻土的過濾器過濾，得到濾液和殘渣。接著，用己烷洗滌殘渣多次，得到洗滌液。將濾液與多次的洗滌液合并，部分地濃縮，得到己烷溶液。在該己烷溶液中加入乙醇，通過重結(jié)晶，得到24.7g白色固體的化合物9。LC-MS(ESI，negative，添加KCl)：[M+Cl]-705.1H-NMR(CDCl3、300MHz)δ(ppm)：0.75～1.36(38H、m)、1.56～1.82(5H、m)2.17～2.24(5H、m)、7.33～7.68(6H、m).<合成例1：化合物12的合成>(化合物10的合成)接著，用1，5-萘基雙(三氟甲烷磺酸酯)如下合成化合物10。[化66]在氮氣氣氛下，投入1，5-萘基雙(三氟甲烷磺酸酯)(25.0g)和[1，1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(II)二氯甲烷加成物(0.24g)和叔丁基甲基醚(410mL)，在10℃以下滴加2-乙基己基溴化鎂(1mol/L二乙醚溶液173mL)，在室溫下攪拌4小時。反應結(jié)束后，在水(500ml)與2N鹽酸(100ml)的混合液中注入反應液，用乙酸乙酯提取，用氯化鈉水溶液洗滌得到的有機層，用硫酸鎂干燥洗滌過的有機層后，在減壓下蒸餾除去溶劑。通過硅膠柱色譜法(展開溶劑：己烷)對殘留物進行精制，得到21.3g淡黃色油狀物的化合物10。LC-MS(ESI，positive)：[M+]353.1H-NMR(300MHz、CDCl3)δ(ppm)0：.75～1.00(12H，m)，1.10～1.50(16H，m)，1.69～1.85(2H，m)，2.90～3.05(4H，m)，7.24～7.38(3H，m)，7.35～7.44(3H，m)，7.90～7.95(3H，m).(化合物11的合成)接著，使用化合物10，如下合成化合物11。[化67]在氮氣氣氛下，在100℃下攪拌3小時下述混合物：化合物10(21.3g)、雙(頻哪醇合)二硼(4，4，4’，4’，5，5，5’，5’-八甲基-2，2’-二-1，3，2-二氧雜環(huán)戊硼烷)(46.0g)、二(1，5-環(huán)辛二烯)二-μ-甲氧基二銥(I)(0.24g)(Aldrich公司制)、4，4’-二叔丁基-2，2’-二吡啶(0.19g)及二噁烷(140mL)的混合物。將得到的混合物冷卻后，在減壓下蒸餾除去二噁烷。在殘留物中加入甲醇(200mL)，濾取析出的固體，使其干燥。使得到的固體溶解于甲苯(250mL)中，加入活性白土(20g)，在60℃下攪拌30分鐘后，用預涂了硅膠的過濾器進行熱過濾，在減壓下濃縮得到的濾液。在得到的濃縮物中加入甲醇(250mL)，濾取析出的固體，使其干燥得到28.0g白色粉末的化合物11。LC-MS(ESI，positive)：[M+]605.1H-NMR(300MHz、CDCl3)δ(ppm)：0.85～0.95(12H，m)，1.24～1.50(16H，m)，1，66～1.85(2H，m)，2.90～3.18(4H，m)，7.60(2H，s)，8.47(2H，s).(化合物12的合成)接著，使用化合物11，如下合成化合物12。[化68]在氮氣氣氛下，在化合物11(28.0g)、二噁烷(420mL)、N，N-二甲基甲酰胺(420mL)及水(210mL)的混合液中加入溴化銅(II)(62.7g)，在95℃下攪拌2小時。再在相同的溫度下追加溴化銅(II)(31.4g)，攪拌1.5小時。然后，再在相同的溫度下追加溴化銅(II)(31.4g)，攪拌1.5小時。將反應液冷卻后，加入己烷(300mL)，攪拌。然后，對有機層進行分液，用硫酸鎂干燥后，在減壓下蒸餾除去溶劑。通過硅膠柱色譜法(展開溶劑：己烷)對殘留物進行精制，濃縮后，得到固體(21.0g)。使得到的固體溶解于甲苯(150mL)中，加入活性炭(5g)，在60℃下攪拌30分鐘。然后，用預涂了硅藻土的過濾器對得到的混合物進行熱過濾，在減壓下濃縮得到的濾液。用甲苯與甲醇的混合液對得到的濃縮物進行重結(jié)晶，得到13.2g白色固體的化合物12。LC-MS(ESI，positive)[M+]511.1H-NMR(300MHz、CDCl3)δ(ppm)：0.80～0.98(12H，m)，1.20～1.44(16H，m).1.64～1.80(2H，m)，2，77～2.95(4H，m)，7.37(2H，s)，8.00(2H，s).<實施例3：高分子化合物A1的合成>如下進行聚合物(高分子化合物A1)的合成，所述聚合物以20∶50∶25∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化69][化70][化71][化72]氬氣氣氛下，混合通過實施例1合成的化合物4(0.492g，0.80mmol)、下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、下述式(M-3-BR)所表示的化合物(0.548g，1.00mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.148g，0.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化73][化74][化75]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流2小時40分鐘。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，進一步使其回流18.5小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加甲醇后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.25g高分子化合物A1。高分子化合物A1的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1.30×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為3.26×105。<實施例4：高分子化合物A2的合成>如下進行聚合物(高分子化合物A2)的合成，所述聚合物以20∶50∶25∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-5)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-6)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化76][化77][化78][化79]在氬氣氣氛下，混合通過實施例2合成的化合物9(0.537g，0.80mmol)、下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、通過合成例1合成的化合物12(0.510g，1.00mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.148g，0.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化80][化81]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流3小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，進一步使其回流18小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次洗滌。由于在甲醇中滴加得到的溶液后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.25g高分子化合物A2。高分子化合物A2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1.06×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為2.53×105。<實施例5：高分子化合物A3的合成>如下進行聚合物(高分子化合物A3)的合成，所述聚合物以50∶45∶3∶2的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-7)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-8)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化82][化83][化84][化85]在氬氣氣氛下，混合通過實施例1合成的化合物5(1.387g，2.00mmol)、下述式(M-7-B)所表示的化合物(1.463g，1.80mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.089g，0.12mmol)、下述式(M-8-BR)所表示的化合物(0.088g，0.08mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化86][化87][化88]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流3小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，再使其回流18小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加到甲醇中后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.19g高分子化合物A3。高分子化合物A3的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2.04×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為5.39×105。<實施例6：高分子化合物A4的合成>如下進行聚合物(高分子化合物A4)的合成，所述聚合物以20∶50∶25∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-9)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化89][化90][化91][化92]在氬氣氣氛下，混合通過實施例1合成的化合物4(0.492g，0.80mmol)、下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、下述式(M-3-BR)所表示的化合物(0.548g，1.00mmol)、下述式(M-9-BR)所表示的化合物(0.092g，0.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化93][化94][化95]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流3小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，再使其回流18小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加到甲醇中后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.20g高分子化合物A4。高分子化合物A4的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1.10×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為2.89×105。<實施例7：高分子化合物A5的合成>如下進行聚合物(高分子化合物A5)的合成，所述聚合物以20∶60∶15∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-10)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化96][化97][化98][化99]在氬氣氣氛下，混合通過實施例1合成的化合物4(0.492g，0.80mmol)、下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、下述式(M-2-BR)所表示的化合物(0.258g，0.40mmol)、下述式(M-10-BR)所表示的化合物(0.381g，0.60mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.148g，0.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化100][化101][化102][化103]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流3小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，再使其回流18小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加到甲醇中后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.39g高分子化合物A5。高分子化合物A5的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為0.90×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為2.29×105。<合成例2：高分子化合物AA的合成>如下進行聚合物(高分子化合物AA)的合成，所述聚合物以42∶8∶50的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-9)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-10)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化104][化105][化106]在氬氣氣氛下，混合下述式(M-3-Z)所表示的化合物(17.57g，33.13mmol)、下述式(M-9-BR)所表示的化合物(12.88g，28.05mmol)、下述式(M-10-BR)所表示的化合物(2.15mg，5.01mmol)、醋酸鈀(II)(7.4mg)、三(2-甲基苯基)膦(70mg)、季銨氯化物的0.74M甲苯溶液(Aliquat(注冊商標)336，Sigma-Aldrich公司制，3g)和甲苯(200g)。[化107][化108][化109]在混合液中滴加18重量％碳酸鈉水溶液(64g)，加熱3小時以上，使其回流。反應后，在其中加入苯基硼酸(0.4g)，再使其回流5小時以上。接著，用甲苯稀釋反應液，依次用3重量％乙酸水溶液、離子交換水洗滌后，在提取出的有機層中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉三水合物(1.5g)，攪拌4小時。通過將氧化鋁與硅膠的等量混合物用作固定相的柱色譜法來精制得到的溶液。在甲醇中滴加得到的甲苯溶液，攪拌后，濾取得到的沉淀物，使其干燥，得到高分子化合物AA。高分子化合物AA的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為8.9×104，聚苯乙烯換算的重均分子量為4.2×105。<實施例8：發(fā)光元件1的制作與評價>在利用濺射法并以45nm的厚度帶有ITO膜的玻璃基板上，通過旋涂用聚噻吩磺酸的乙二醇單丁醚/水＝3/2(體積比)的混合液(Sigma-Aldrich公司，商品名：PlexcoreOC1200)以35nm的厚度成膜，在電熱板上在170℃下使其干燥15分鐘。接著，使高分子化合物AA溶解于二甲苯中制備0.7重量％的二甲苯溶液。通過旋涂用該二甲苯溶液形成厚度20nm的薄膜。將其在氮氣氣氛中，在電熱板上在180℃下加熱60分鐘。接著，使高分子化合物A1溶解于二甲苯中，制備1.3重量％的二甲苯溶液。通過旋涂用該二甲苯溶液形成厚度65nm的薄膜，在氮氣氣氛中在130℃下加熱10分鐘使其干燥后，作為陰極，蒸鍍氟化鈉約3nm，接著蒸鍍鋁約80nm，制作發(fā)光元件1。而且，待真空度到1×10-4Pa以下后開始金屬的蒸鍍。對得到的發(fā)光元件1施加電壓，結(jié)果由該元件獲得在455nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為8.8cd/A。結(jié)果示于表1。<實施例9：發(fā)光元件2的制作與評價>除了使用高分子化合物A2代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件2。對得到的發(fā)光元件2施加電壓后，由該元件獲得在460nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為9.0cd/A。結(jié)果示于表1。<實施例10：發(fā)光元件3的制作與評價>除了使用高分子化合物A3代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件3。對得到的發(fā)光元件3施加電壓后，由該元件獲得在460nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為8.8cd/A。結(jié)果示于表1。<實施例11：發(fā)光元件4的制作與評價>除了使用高分子化合物A4來代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件4。對得到的發(fā)光元件4施加電壓后，由該元件獲得在445nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為5.1cd/A。結(jié)果示于表1。<比較例1：高分子化合物B的合成及發(fā)光元件C1的制作與評價>如下進行聚合物(高分子化合物B)的合成，所述聚合物以20∶50∶30的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-1)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化110][化111][化112]在氬氣氣氛下，混合通過實施例1合成的化合物4(0.492g，0.80mmol)、下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、下述式(M-3-BR)所表示的化合物(0.658g，1.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化113][化114]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流2小時40分鐘。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，再使其回流18.5小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加到甲醇中后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.31g高分子化合物B。高分子化合物B的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為9.6×104，聚苯乙烯換算的重均分子量為2.44×105。除了使用高分子化合物B來代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件C1。對得到的發(fā)光元件C1施加電壓后，由該元件獲得在435nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為4.1cd/A。結(jié)果示于表1。<比較例2：高分子化合物C的合成及發(fā)光元件C2的制作與評價>如下進行聚合物(高分子化合物C)的合成，所述聚合物以50∶45∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化115][化116][化117]在氬氣氣氛下，混合下述式(M-2-E)所表示的化合物(4.3884g，5.94mmol)、下述式(M-3-BR)所表示的化合物(2.9621g，5.40mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.4430g，0.60mmol)、醋酸鈀(3.24mg)、三(鄰甲氧基苯基)膦(19.3mg)及甲苯(67mL)，在105℃下加熱。[化118][化119][化120]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(20mL)，使其回流2小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(370mg)，再使其回流2小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。通過在甲醇中滴加得到的溶液并濾取，得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到3.49g高分子化合物C。高分子化合物C的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1.5×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為3.8×105。除了使用高分子化合物C來代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件C2。對得到的發(fā)光元件C2施加電壓后，由該元件獲得在455nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為7.6cd/A。結(jié)果示于表1。<比較例3：高分子化合物D的合成及發(fā)光元件C3的制作與評價>如下進行聚合物(高分子化合物D)的合成，所述聚合物以50∶25∶20∶5的摩爾比(根據(jù)投入的原料得到的理論值)具有下述式(K-2)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-3)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述式(K-11)所表示的結(jié)構(gòu)單元和下述式(K-4)所表示的結(jié)構(gòu)單元。[化121][化122][化123][化124]在氬氣氣氛下，混合下述式(M-2-E)所表示的化合物(1.477g，2.00mmol)、下述式(M-3-BR)所表示的化合物(0.548g，1.00mmol)、下述式(M-11-BR)所表示的化合物(0.472g，0.80mmol)、下述式(M-4-BR)所表示的化合物(0.148g，0.20mmol)、二氯雙(三(鄰甲氧基苯基))膦鈀(1.77mg)和甲苯(50mL)，在105℃下加熱。[化125][化126][化127][化128]在反應液中滴加20重量％氫氧化四乙銨水溶液(6.6mL)，使其回流3小時。反應后，在其中加入苯基硼酸(24mg)及甲苯(5mL)，再使其回流18小時。接著，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液，在80℃下攪拌2小時。將得到的混合物冷卻后，對于有機層，用水洗滌兩次、用3重量％乙酸水溶液洗滌兩次、用水洗滌兩次。由于將得到的溶液滴加到甲醇中后生成沉淀物，故通過對其進行濾取而得到沉淀物。使該沉淀物溶解于甲苯中，通過依次流過氧化鋁柱、硅膠柱來精制。將得到的溶液滴加甲醇中，攪拌后，通過濾取得到的沉淀物并使其干燥，得到1.31g高分子化合物D。高分子化合物D的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為0.91×105，聚苯乙烯換算的重均分子量為2.47×105。除了使用高分子化合物D來代替實施例8中的高分子化合物A1以外，與實施例8同樣地制作發(fā)光元件C3。對得到的發(fā)光元件C3施加電壓后，由該元件獲得在460nm處具有峰的EL發(fā)光，最大發(fā)光效率為7.5cd/A。結(jié)果示于表1。[表1]符號說明10...基板、11...陽極、12...空穴注入層、13...空穴傳輸層、14...發(fā)光層、15...電子傳輸層、16...電子注入層、17...陰極、20...基板、21...陽極、22...空穴注入層、23...發(fā)光層、24...陰極、25...保護層、100...發(fā)光元件、110...發(fā)光元件、200...面狀光源。