專利名稱：電子元件的聚合物基底的制作方法
電子元件的聚合物基底
相關(guān)的美國申請
本申請要求已轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人并于2007年3月30日提交的 名稱為"電子元件的聚合物基底"、序列號(hào)為No. 60/921,159、代理公司巻 號(hào)為SYNA-20070201-A1.PRO的共同未決臨時(shí)專利申請的優(yōu)先權(quán)，在此 引入其全部內(nèi)容作為參考。
背景技術(shù)：
表面貼裝技術(shù)和制作工藝已存在數(shù)十年。然而，隨著各種技術(shù)的發(fā) 展和改進(jìn)，表面貼裝技術(shù)和制作工藝也必須發(fā)展和改進(jìn)以滿足增加的制 造需求。這些增加的需求可以是更大的生產(chǎn)能力、更高產(chǎn)量、降低成本 或這些需求的任意組合。
改進(jìn)表面貼裝技術(shù)和制作工藝的一種嘗試是采用撓性基底。撓性基 底方法通常包括將電子元件安裝在由聚酰亞胺材料(例如，由特拉華州威 爾明頓市的E. I. Du Pont De Nemours禾B Company生產(chǎn)的KaptonTM帶)制 成的撓性基底上。雖然常規(guī)撓性基底在各種應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢，然而 常規(guī)撓性基底不是沒有缺點(diǎn)。
如上所述，常規(guī)撓性基底通常由高熔點(diǎn)材料如聚酰亞胺材料(例如 KaptonTM帶)制成，這些材料被認(rèn)為能夠與標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝技術(shù)和制作工藝
相關(guān)的高溫相容。遺憾的是，聚酰亞胺材料往往非常昂貴。這樣，撓性
基底對于成本是重要因素的應(yīng)用并非總是一種可行方案。
為了降低撓性基底的成本，已經(jīng)嘗試將撓性基底與更常見且便宜的 標(biāo)準(zhǔn)印刷電路板(PCB)基底結(jié)合起來使用。在這樣的方法中，必要元件和 電路的一部分被安裝在撓性基底上，這些必要元件和電路的另一部分被 安裝在剛性PCB上。隨后將撓性基底與PCB連接。撓性基底與剛性PCB 連接處的點(diǎn)往往受到很大應(yīng)力(由于撓性基底和剛性PCB之間的剛度不匹配)，常常成為組件中的故障點(diǎn)。雖然已經(jīng)提出并嘗試加固撓性基底與
剛性PCB之間的連接，然而這樣的加固在制造工藝中增加了額外費(fèi)用。
因此，有利的是，既能受益于撓性基底而又不會(huì)增加常規(guī)撓性基底 材料的成本。此外，有利的是，既能受益于撓性基底而又無需撓性基底 與剛性基底的易出現(xiàn)故障的連接。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明包括一種用于將電子元件固定地電連接 到聚合物基底的方法。在本實(shí)施方案中，獲得聚合物基底。所述聚合物 基底具有鄰近與所述聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的電子元件。本實(shí)施 方案還提供用于使所述聚合物基底的至少一部分與熱源隔絕的隔熱夾 具。所述隔熱夾具被設(shè)置成允許所述熱源的熱接近所述粘結(jié)劑。本實(shí)施 方案隨后使所述粘結(jié)劑受到所述熱源作用，使得所述熱源的熱致使所述 電子元件在所述粘結(jié)劑固化時(shí)被固定地電連接到所述聚合物基底。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有與其連接的焊盤和導(dǎo)電線路的聚合 物基底的立體圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的流程圖，說明用于將電子元件固定連 接到聚合物基底的方法。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的組件的分解立體圖，該組件由具有鄰近 粘結(jié)劑設(shè)置的電子元件的聚合物基底和保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具構(gòu) 成。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的組件的立體圖，該組件帶有均與 設(shè)置在其間的聚合物基底對準(zhǔn)的后平面和前平面。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的組件的分解立體圖，該組件部分地由具 有鄰近粘結(jié)劑設(shè)置的多個(gè)電子元件的聚合物基底和保護(hù)聚合物基底的隔 熱夾具構(gòu)成。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖5的組件的立體圖，該組件帶有均與
設(shè)置在其間的聚合物基底對準(zhǔn)的后平面和前平面。
圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的被折疊以制作多層組件的聚合物基底的 立體圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的聚合物基底的側(cè)視圖，該聚合物基底具 有與該聚合物基底的第一側(cè)和第二側(cè)均連接的電子元件。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括聚酯基底的電子組件的立體圖，其 中聚酯基底具有與其連接的電容傳感裝置和多個(gè)電子元件。
圖IO是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流程圖，說明對設(shè)置在聚酯基底上的外 露金屬層進(jìn)行掩模的方法。
圖IIA是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有設(shè)置在其上方的金屬層的聚酯基 底的側(cè)視圖。
圖11B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有設(shè)置在其上方的金屬層并且在該 金屬層的一部分的上方具有掩模的聚酯基底的側(cè)視圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的流程圖，說明對設(shè)置在聚酯基底上的外 露金屬區(qū)域進(jìn)行表面拋光的方法。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有設(shè)置其上方的金屬層并且該金屬 層的一部分經(jīng)過表面拋光工藝的聚酯基底的側(cè)視圖。
除非另有提及，否則說明書中所參考的附圖不應(yīng)被理解成是按比例 繪制的。
具體實(shí)施例方式
下面，將詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，其中在附圖中圖示出了本發(fā)明 的示例。盡管結(jié)合實(shí)施例來描述本發(fā)明，但應(yīng)理解并不旨在將本發(fā)明限 制于這些實(shí)施例。相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的 替換、修改和等同方案。此外，在以下對本發(fā)明的詳細(xì)描述中，闡明了 許多特定的細(xì)節(jié)來提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將 明白，本發(fā)明可以在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在其他情況中，沒有詳細(xì)描述公知的方法、過程、組件和電路，以避免不必要地混淆本發(fā)明的各個(gè)方面。
下面參照圖1，其中示出聚合物基底100的立體圖。在圖1的實(shí)施
例中，聚合物基底還具有第一組焊盤102a和與其連接的第二組焊盤102b。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例也非常適于具有設(shè)置在聚合物基底100與焊盤102a和/或102b之間的任何一種類型的中間層。在本實(shí)施例中，第一組焊盤102a和第二組焊盤102b通過導(dǎo)電線路104連接。在圖1的實(shí)施例中，為清楚簡明起見，圖示出與聚合物基底IOO連接的僅有兩組焊盤102a和102b以及僅有單一連接導(dǎo)電線路104?？梢岳斫獾氖牵景l(fā)明同樣非常適于其中更少或明顯更多數(shù)量的焊盤和相應(yīng)的導(dǎo)電線路與聚合物基底IOO連接的實(shí)施例。此外，本發(fā)明的實(shí)施例非常適于使用任何已知的焊盤和/或?qū)щ娋€路制造工藝(例如但不限于絲網(wǎng)印刷或光刻工藝)來形成焊盤102a和102b及導(dǎo)電線路104。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，聚合物基底100由聚酯材料構(gòu)成，例如但不限于聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中，聚合物基底100由熱塑性材料構(gòu)成。此外，在本文描述的各實(shí)施例中，聚合物基底的厚度范圍為約25-200微米。
為清楚簡明起見，隨后的附圖也顯示出與聚合物基底IOO連接的較少組數(shù)的焊盤102a和102b以及僅單一連接導(dǎo)電線路104。
下面參照圖2，提供了說明用于將電子元件固定連接到聚合物基底的方法的流程圖200。在步驟202，本實(shí)施例的方法獲得具有鄰近與聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的電子元件的聚合物基底。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，本方法獲得聚合物基底，例如圖1的聚合物基底100。在本實(shí)施例
中，使用粘結(jié)劑(例如但不限于焊膏材料)將電子元件連接到例如焊盤102a。圖3簡明并說明性地示出具有鄰近與聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的電子元件的聚合物基底，下面結(jié)合圖2的步驟204進(jìn)一步說明。圖3是組件300的分解立體圖，組件300部分地由聚合物基底100構(gòu)成并且具有鄰近粘結(jié)劑304設(shè)置的電子元件302。
在步驟204，本實(shí)施例設(shè)置用于使聚合物基底的至少一部分與熱源隔絕的隔熱夾具。為了實(shí)現(xiàn)本申請，該隔熱夾具通過將聚合物基底的至
9少一部分與熱源產(chǎn)生的熱隔絕而將聚合物基底的至少一部分與熱源隔
絕。為更清楚地描述圖2的步驟204，再次參照圖3。圖3的組件300包括由后平面306和前平面308組成的保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具。還應(yīng)注意的是，保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具還包括用于使后平面306和前平面308對準(zhǔn)的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)。在本實(shí)施例中，該對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)由后平面306的突出件312a-312d和前平面308的接收件314a-314d構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，通過將突出件312a-312d插入相應(yīng)的接收件314a-314d中來實(shí)現(xiàn)后平面306和前平面308的可拆卸連接。雖然圖3中顯示了圓形橫截面的四個(gè)突出件和接收件，然而可以理解的是，可以使用任意數(shù)量和類型的合適的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，其中對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)可以具有任何數(shù)量或形狀。例如，雖然在此描述了這樣的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，然而本發(fā)明非常適于以下的實(shí)施例，包括但不限于銷子、孔、槽、引導(dǎo)件和鉸鏈組件或者使后平面306和前平面308對準(zhǔn)的任何其他機(jī)構(gòu)或方法。主動(dòng)式機(jī)構(gòu)也可用于定位不同的對準(zhǔn)。例如，自動(dòng)系統(tǒng)可以使基底與保護(hù)基底的隔熱夾具對準(zhǔn)。
再次參照圖2的步驟204和圖3，在本實(shí)施例中，該保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具被設(shè)置成允許熱源的熱接近粘結(jié)劑304。更具體而言，該保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具的前平面308具有在其中形成的開口 310。開口310被定位和定向成使得當(dāng)后平面306和前平面308均與設(shè)置在其間的聚合物基底100對準(zhǔn)時(shí)，電子元件302和粘結(jié)劑304能夠從熱源接收熱。此外，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，熱源是單級(jí)熱源。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可以在無需使用多級(jí)熱源的情況下將電子元件固定連接到聚合物基底。
圖4提供后平面306和前平面308均與設(shè)置在其間的聚合物基底100對準(zhǔn)時(shí)的組件300的立體圖。如圖4所示，電子元件302和粘結(jié)劑304位于前平面308中的開口 310內(nèi)，使得粘結(jié)劑304能夠在鄰近熱源位置時(shí)接收熱。
下面參照圖2的步驟206，本方法隨后使粘結(jié)劑304受到熱源作用。當(dāng)受到熱源(例如紅外回流焊爐)作用時(shí)，熱源的熱使粘結(jié)劑304活化、回流或熔化。雖然上面提到了紅外熱源，然而本發(fā)明非常適于由其他熱源(例如但不限于蒸汽回流系統(tǒng)、熱空氣回流系統(tǒng)等)供熱的實(shí)施例。 一旦粘結(jié)劑304不再受到熱源的熱的作用，粘結(jié)劑304將固化。 一旦粘結(jié)劑304固化，固化的粘結(jié)劑將使電子元件固定地電連接到聚合物基底100。可以理解的是，電子元件通常被電連接和固定連接到與聚合物基底100連接的一個(gè)或多個(gè)焊盤上，例如，圖l的焊盤102a。
可以理解的是，方法200的步驟可重復(fù)任何次數(shù)，從而生產(chǎn)最終產(chǎn)品。例如，根據(jù)不同原因利用相同的聚合物基底重復(fù)所有步驟202、 204、206。在一個(gè)實(shí)施例中，重復(fù)這三個(gè)步驟以結(jié)合不同的電子元件。在本實(shí)施例中，每次重復(fù)步驟202,在相同的聚合物基底上設(shè)置不同的未結(jié)合的電子元件。每次重復(fù)步驟204，使用一組不同的保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具中不同的一個(gè)，其中每一個(gè)夾具具有用于暴露不同電子元件的不同開口。在這種情況下，在后來的重復(fù)中使用的保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具會(huì)有一個(gè)以上的凹部或其他特征來容納和隔絕任何已結(jié)合的電子元件。在本實(shí)施例中，在適當(dāng)時(shí)可以在相同或不同條件(例如溫度、濕度、持續(xù)時(shí)間等)下重復(fù)步驟206。
作為另一個(gè)例子，僅重復(fù)步驟204和206。在一個(gè)實(shí)施例中，對相同聚合物基底上的相同電子元件組重復(fù)這兩個(gè)步驟，從而將該組電子元件結(jié)合到該聚合物基底上。每次重復(fù)步驟204，也可以使用不同的保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具，每個(gè)隔熱夾具具有容納和隔絕或暴露特定電子元件的不同凹部或其他特征。在適當(dāng)時(shí)可以在相同或不同條件(例如溫度、濕度、持續(xù)時(shí)間等)下重復(fù)步驟206。
圖2所示的方法，可選地重復(fù)圖2的任何步驟或所有步驟，可用于將電子元件結(jié)合到聚合物基底的兩側(cè)。每一個(gè)保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具的凹部和開口可以設(shè)置在前平面和后平面的任一平面上或既在前平面上又在后平面上，容納和隔絕或暴露聚合物基底的一側(cè)或兩側(cè)上的元件。將電子元件結(jié)合到基底的兩側(cè)可以在方法200的一輪步驟中完成，或者重復(fù)方法200的步驟完成。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適于使用各種類型的粘結(jié)劑來用作粘結(jié)劑304。作為一個(gè)例子，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例使用由熔點(diǎn)約270°C的常規(guī)或標(biāo)準(zhǔn)焊料組成的粘結(jié)劑。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例使用由熔點(diǎn)約120°C的"低溫"焊料組成的粘結(jié)劑。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常適于使用具有其他不同熔點(diǎn)溫度的其他各種粘結(jié)劑。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常適于使用不是由焊料組成的粘結(jié)劑。
此外，在本實(shí)施例中，前平面308被設(shè)置成使聚合物基底100的前表面(S卩，將粘結(jié)劑304和電子元件302設(shè)置在其上的表面)的至少一部分與熱源產(chǎn)生的熱隔絕。具體而言，當(dāng)后平面306和前平面308均與設(shè)置在其間的聚合物基底IOO對準(zhǔn)時(shí)，聚合物基底100的前表面的未被開口310暴露的那部分與接近的熱源產(chǎn)生的熱隔絕。結(jié)果，聚合物基底100的隔絕部分不會(huì)遭受回流或熔化或活化粘結(jié)劑304所需要的高溫。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚合物基底100能夠由以前不可能用作基底的材料制成。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚合物基底IOO能夠由諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等材料制成。此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中，聚合物基底100由熱塑性材料制成。應(yīng)理解的是，在開發(fā)本發(fā)明的實(shí)施例之前，在表面貼裝技術(shù)(SMT)制作工藝中使用諸如PET和PEN等材料作為基底是不可能的，而且事實(shí)上也認(rèn)為是不可能的。
在常規(guī)SMT制作工藝過程中，回流溫度范圍為從低熔點(diǎn)焊料的約120°C到標(biāo)準(zhǔn)焊料的270。C。相比之下，PET的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為約79°C。可以理解的是，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是指超過該溫度時(shí)非晶材料(如PET、PEN等)的行為表現(xiàn)象液體(即變成橡膠態(tài))。因此，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例之前，諸如PET等聚酯基底將會(huì)變成橡膠態(tài)并可能遭受巻曲或扭曲，因此最終不適于在SMT工藝中用作基底。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具在加熱粘結(jié)劑304期間為聚合物基底100提供結(jié)構(gòu)剛度。具體而言，當(dāng)后平面306和前平面308均與設(shè)置在其間的聚合物基底100對準(zhǔn)時(shí)，該保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具在后平面306和前平面308之間剛性地保持聚合物基底100。這樣，即使在聚合物基底100的一部分(通過前平面308的開口 310暴露出來)經(jīng)受比其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度更高的溫度時(shí)，聚合物基底100的暴露部分也不會(huì)產(chǎn)生巻曲、扭曲或其他不希望的變形。相反，聚合物基底100甚至在回流工藝過程中也被該保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具保持在固定方位。也就是說，聚合物基底100通過后平面306和前平面308隔熱的部分限制了聚合物基底100未隔絕熱源產(chǎn)生的熱的那部分。結(jié)果，即
使在聚合物基底100通過開口 310暴露的部分被加熱超過其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，聚合物基底IOO的周圍隔絕部分(未被加熱超過玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的部分)也限制了聚合物基底IOO暴露部分的形狀，并確保暴露部分不會(huì)產(chǎn)生巻曲、扭曲或其他不希望的變形。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚合物基底100能夠由以前不可能用作基底的材料制成。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚合物基底100能夠由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于SMT制作工藝相關(guān)溫度的材料(如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或其他熱塑性材料)制成。
此外，保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具能夠?qū)㈦娮釉潭ㄟB接到聚合物基底，而無需使電子元件和聚合物基底在粘結(jié)劑受到熱源作用之后經(jīng)歷主動(dòng)冷卻工藝。也就是說，通過使用保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具，聚合物基底100已被充分隔熱，使得聚合物基底100能夠?qū)㈦娮釉B接在其上，而無需在粘結(jié)劑受到熱源作用之后經(jīng)歷主動(dòng)冷卻工藝。
下面參照圖5，圖示出部分地由聚合物基底100構(gòu)成的組件500的分解立體圖，其中聚合物基底100具有鄰近粘結(jié)劑304設(shè)置的多個(gè)電子元件302、 502和504。圖5的組件500包括由后平面306和前平面308組成的保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具。更具體而言，保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具的前平面308具有在其中形成的開口 310、 506和508。開口310、506和508被定位和定向成使得當(dāng)后平面306和前平面308與設(shè)置在其間的聚合物基底100對準(zhǔn)時(shí)，電子元件302、 502和504和粘結(jié)劑304能夠從熱源接收熱。
圖6提供后平面306和前平面308均與設(shè)置在其間的聚合物基底100對準(zhǔn)時(shí)的組件500的立體圖。如圖6所示，電子元件302、 502和504 (和相應(yīng)的粘結(jié)劑304)分別位于前平面308中的開口 310、 506和508內(nèi)，使
得粘結(jié)劑304能夠在鄰近熱源位置時(shí)接收熱。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供尤其是用于使聚合物基底的至少一部分與熱源隔絕同時(shí)仍允許熱源的熱接近粘結(jié)劑的定制的隔熱夾具。更具體而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例提供了這樣一種隔熱夾具，它尤其是用于使聚合物基底100的至少一部分與熱源隔絕同時(shí)仍允許所述熱源的熱接近聚合物基底100上的多個(gè)
13區(qū)域，在所述多個(gè)區(qū)域處鄰近與聚合物基底100連接的粘結(jié)劑304設(shè)置 電子元件(302、 502和504)。以上面結(jié)合圖3和圖4所描述的方式操作和 使用組件500，為簡明和清楚起見這里不再重復(fù)說明。
如上所述，圖5的組件包括多個(gè)開口 310、 506和508，從而允許同 時(shí)加熱與多個(gè)電子元件302、 502和504連接的粘結(jié)劑304。根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例還非常適于相繼使用一系列保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具中的每 一個(gè)，從而使粘結(jié)劑304的每個(gè)區(qū)域經(jīng)歷熱源的熱。在一個(gè)這樣的實(shí)施 例中，具有少于三個(gè)開口(例如，在前平面308中僅具有開口 310和506) 的第一保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具受到熱源作用。這樣，粘結(jié)劑304最 終將電子元件302和502與聚合物基底100結(jié)合。接下來，具有少于三 個(gè)開口(例如，在前平面308中僅具有開口 508)的第二保護(hù)聚合物基底的 隔熱夾具受到熱源作用。這樣，粘結(jié)劑304最終將電子元件504與聚合 物基底100結(jié)合。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適于使用一個(gè)以上的 保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具，從而使多個(gè)粘結(jié)劑區(qū)域經(jīng)歷熱源的熱。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚合物基底IOO能夠由玻璃化轉(zhuǎn) 變溫度低于SMT制作工藝相關(guān)溫度的材料(如聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN))制成。此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí) 施例中，聚合物基底100能夠由任何一種熱塑性材料制成。結(jié)果，根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例大幅降低了制作撓性基底的成本。具體而言，通過能夠 使用低溫基底(例如但不限于PET和PEN)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例既能受 益于撓性基底而又不會(huì)增加常規(guī)撓性基底材料的成本。此外，根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施例既能受益于撓性基底而又無需撓性基底與剛性基底的易出現(xiàn) 故障的連接。相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使整個(gè)集成電路能夠在低成本 聚合物材料(如PET或PEN)的不中斷單層上完成制作。此外，PET和PEN 在本發(fā)明中具有明顯優(yōu)勢。除了比常規(guī)聚酰亞胺材料(例如KaptonTM帶) 便宜很多之外，諸如PET和PEN等聚酯材料也比聚酰亞胺材料更容易重 復(fù)利用。此外，PET和PEN可以制成透明的。
還應(yīng)指出的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常適于其他各種SMT工 藝。為簡明清楚起見，圖3-6大致示出將兩個(gè)終端器件(例如電子元件302、 502和504)結(jié)合到與聚合物基底100 (例如由PET或PEN制成)連接的焊盤。然而，應(yīng)了解的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適于使用與任何數(shù)量
接線端結(jié)合的電子元件(如圖7中的702c所示)。例如，具有各種封裝類 型(如四側(cè)引腳扁平封裝(QFP)、方形扁平無引腳封裝(QFN)或球柵陣列封 裝(BGA))的集成電路均可以粘貼到基底上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常 適于利用引線結(jié)合SMT工藝將電子元件電連接到聚合物基底100。在一 種這樣的方法中，無需剛性支撐材料就可在聚酯基底上進(jìn)行引線結(jié)合工 藝，盡管在某些實(shí)施例中可以使用支撐材料。此外，在根據(jù)本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施例中，聚酯基底還要承受封裝材料的沉積，封裝材料通常涂布在 用于將集成電路模塊與焊盤電連接的引線粘結(jié)劑上，其中焊盤與聚合物 基底連接。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常適于利用倒裝芯片SMT工 藝將電子元件電連接到聚合物基底100。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，加熱的 模塊用于使各向異性導(dǎo)電膜將集成電路與多個(gè)相應(yīng)焊盤結(jié)合。根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施例清楚地證實(shí)了聚合物基底(如PET、 PEN或任何一種熱塑性材 料)能夠承受這種SMT工藝的加熱，而不會(huì)使聚合物基底巻曲、扭曲或 有其他不希望的變形。
下面參照圖7，圖示出被折疊以制作多層組件的聚合物基底100的 立體圖。如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適于使用聚合物基底100 以及上面結(jié)合圖1-6說明的方法和結(jié)構(gòu)來制作多層組件。在圖7示出的 實(shí)施例中，聚合物基底100具有利用上面結(jié)合圖1-6說明的方法和結(jié)構(gòu) 通過粘結(jié)劑與其連接的多個(gè)電子元件702b-702d。在圖7的實(shí)施例中，聚 合物基底IOO具有在其中形成的開口 703。如圖7所示，聚合物基底100 自身可以折疊，以產(chǎn)生多層組件。在這樣的實(shí)施例中，聚合物基底100 中的開口 703被用作通過它可以將熱施加于下層電子元件(如電子元件 702b)的開口。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于單層聚合物基 底組件。相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例(正如上文詳細(xì)說明的)非常適于結(jié)合 常規(guī)SMT工藝使用聚合物基底100產(chǎn)生多層組件。多層基底常常通過疊 置由具有較少層的基底制成?？蛇x擇的方式是通過折疊。
下面參照圖8，圖示出具有與聚合物基底100的第一側(cè)和第二側(cè)均 連接的電子元件的聚合物基底100的側(cè)視圖。在圖8的實(shí)施例中，電子 元件802a和802b鄰近與聚合物基底100的第一側(cè)連接的粘結(jié)劑(圖未示)設(shè)置。此外，電子元件802c、 802d和802e鄰近與聚合物基底100的第 二側(cè)連接的粘結(jié)劑(圖未示)設(shè)置，其中聚合物基底100的第二側(cè)與聚合物 基底100的第一側(cè)相對。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電通路形成 在通孔804內(nèi)，從而容易地使聚合物基底100的第一側(cè)上的一個(gè)以上電 子元件(802a和802b)與聚合物基底100的第二側(cè)上的一個(gè)以上電子元件 (802c、 802d和802e)電連接。使用聚合物基底100和上面結(jié)合圖1-6說 明的方法和結(jié)構(gòu)來制作圖8所示的實(shí)施例。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例并不局限于將電子元件僅設(shè)置在聚合物基底100的單側(cè)上。相反， 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例(正如上文詳細(xì)說明的)非常適于使用常規(guī)SMT工藝 將電子元件設(shè)置在聚合物基底100的多側(cè)上。
下面參照圖9，圖示出包括聚合物基底100的電子組件900的立體 圖，其中聚合物基底100具有與其連接的電容傳感裝置902和多個(gè)電子 元件904a-904f。在本實(shí)施例中，聚合物基底100由聚酯材料(如PET或 PEN)制成。此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中，聚合物基底100由熱 塑性材料制成。在圖9的實(shí)施例中，電容傳感裝置902設(shè)置在聚酯基底 100的第一區(qū)域906上，多個(gè)電子元件904a-904f設(shè)置在聚酯基底100的 第二區(qū)域908上。此外，在圖9的實(shí)施例中，多個(gè)電子元件卯4a-904f 與電容傳感裝置902通信。也就是說，多個(gè)電子元件卯4a-904f由與電容 傳感裝置902結(jié)合操作的元件構(gòu)成。電容傳感裝置902和多個(gè)電子元件 904a-904f通過與聚酯基底100連接的導(dǎo)電線路910而連接。在圖9所示 實(shí)施例的電子組件900中，使用上面結(jié)合圖1-6說明的方法和結(jié)構(gòu)將多 個(gè)電子元件904a-904f連接到聚合物基底。此外，盡管在圖9的電子組件 900中示出了多個(gè)電子元件904a-904f，然而根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常 適于僅具有與聚酯基底100連接的單個(gè)電子元件。相似地，根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例非常適于使用常規(guī)SMT工藝將電子元件設(shè)置在聚酯基底100的 多側(cè)上。
再參照圖9，電子組件900用作整個(gè)運(yùn)行中獨(dú)立操作的電子組件， 無需使聚酯基底IOO與剛性基底結(jié)合。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例大幅 降低了制作撓性基底的成本。具體而言，通過能夠使用低溫基底，例如 但不限于聚酯基底(如PET和PEN)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例既能受益于撓
16性基底而又不會(huì)增加常規(guī)撓性基底材料的成本(例如聚酰亞胺材料，如
KaptonTM帶)。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例既能受益于撓性基底而又無需 撓性基底與剛性基底的易出現(xiàn)故障的連接。相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 使整個(gè)撓性電子組件(如電容傳感裝置和其相應(yīng)的電子元件)能夠在低成 本聚酯材料(如PET、 PEN或任何其他熱塑性材料)的不中斷單層上完成 制作。
下面參照圖10,提供說明用于對設(shè)置在聚酯基底上的外露金屬層掩 模的方法的流程圖1000。在步驟1002，本實(shí)施例的方法獲得具有設(shè)置在 其上的外露金屬層的聚酯基底1002。圖11A-11B示出具有設(shè)置在其上的 金屬層1104的聚酯基底，下面結(jié)合圖10的流程圖1000進(jìn)一步說明。圖 11A是具有設(shè)置在其上的金屬層1104的聚酯基底1102的側(cè)視圖，其中 金屬區(qū)域1104g、 1104h、 1104i和1104j最終將保持外露(即未被掩模)。 在本實(shí)施例中，聚酯基底1102由例如但不限于PET或PEN等材料制成。 此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中，聚合物基底100由熱塑性材料制 成?？梢岳斫獾氖?，金屬層最終可以包括例如導(dǎo)電線路、焊盤、著陸焊 盤等的圖案。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還非常適于在具有設(shè)置在聚酯基底 1102兩側(cè)(頂側(cè)和底側(cè))上方的外露金屬層的聚酯基底上進(jìn)行下述掩模工 藝。
下面參照圖10的步驟1004和圖IIB，本實(shí)施例使聚酯基底1102經(jīng) 歷掩模工藝，使得外露金屬層1104具有設(shè)置在其上的掩模層(通常如 1108a、 1108b、 1108c、 1108d和1108e所示)。掩模層1108a、 1108b、 1108c、 1108d和1108e用于保護(hù)金屬層1104的下面部分(通常如受保護(hù)部分 1104a、 1104b、 1104c、 104d、 1104e禾口 1104f所示)免受例如后續(xù)SMT 工藝、暴露于周圍環(huán)境等。
在一個(gè)實(shí)施例中，掩模工藝是常規(guī)掩模工藝，如覆膜層壓或液態(tài)感 光(LPI)阻焊掩模工藝。常規(guī)覆膜層壓適用約150°C的溫度。LPI阻焊掩 模工藝與在約20-25°C溫度下進(jìn)行的初始沉積步驟一起進(jìn)行。在LPI阻 焊掩模工藝中，在初始沉積步驟之后，在約100°C的溫度下進(jìn)行固化步 驟。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚酯基底1102能夠由以前不可能用作 基底的材料制成。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使聚酯基底U02能夠由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于常規(guī)金屬層掩模工藝溫度的材料(如PET或PEN) 制成。
再參照圖10的步驟1004和圖11B，應(yīng)注意的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例能夠在沒有使聚酯基底1102不適于后續(xù)制作工藝的情況下進(jìn)行掩模
工藝。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例證實(shí)了聚酯基底(如PET或PEN) 能夠承受這種掩模工藝的加熱，而不會(huì)使聚酯基底產(chǎn)生巻曲、扭曲或其 他不希望的變形。應(yīng)理解的是，在開發(fā)本發(fā)明的實(shí)施例之前，結(jié)合掩模 工藝(如覆膜層壓和LPI阻焊掩模工藝)使用諸如PET和PEN等材料是不 可能的，而且事實(shí)上也認(rèn)為是不可能的。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使 聚酯基底1102能夠在以前被認(rèn)為與低溫基底(如PET、 PEN或其他任何 一種熱塑性材料)不相容的掩模工藝中使用。發(fā)現(xiàn)常規(guī)掩模工藝使聚酯基 底巻曲、扭曲或有其他不希望的變形。因此，覆膜層壓工藝使用壓印在 覆膜工藝過程中在高溫和高壓下來保持對準(zhǔn)。此外，LPI阻焊掩模工藝選 擇與PET和PEN粘合相容的LPI阻焊掩模材料。LPI阻焊掩模材料優(yōu)選 使用不引起巻曲、扭曲或不希望變形的溫度粘合到基底。優(yōu)選選擇LPI 阻焊掩模材料，使其經(jīng)受得住后續(xù)SMT工藝而不損壞。
下面參照圖12，提供說明用于對設(shè)置在聚酯基底上方的外露金屬區(qū) 域進(jìn)行表面拋光的方法的流程圖1200。在步驟1202，本實(shí)施例的方法獲 得具有設(shè)置在其上的外露金屬層的聚酯基底。圖IIB示出具有設(shè)置在其 上的外露金屬層的聚酯基底。在本實(shí)施例中，聚酯基底1002由例如但不 限于PET或PEN等材料制成。此外，在根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例中，聚 酯基底1002由熱塑性材料制成。如上所述，金屬層1104的部分1104g、 1104h、 1104i和1104j包括外露金屬區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬層1104 和外露金屬區(qū)域1104g、 1104h、 1104i和1104j由銅制成?？梢岳斫獾氖牵?金屬層最終可以包括例如導(dǎo)電線路、焊盤、著陸焊盤等的圖案。根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例還非常適于在具有設(shè)置在聚酯基底1102兩側(cè)(頂側(cè)和底側(cè)) 上方的外露金屬層的聚酯基底上進(jìn)行下述掩模工藝。還應(yīng)理解的是，銅 是快速氧化的化學(xué)活性金屬。因此，如果外露金屬區(qū)域1104g、 1104h、 1104i和1104j未進(jìn)行表面拋光工藝，那么它們將因其氧化而快速地變成不適于后續(xù)焊接。盡管如上所述金屬層1104由銅制成，但是根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例還非常適于使用由銅之外的金屬制成的金屬層。
下面參照圖12的步驟1204和圖13，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例隨后對聚 酯基底1102進(jìn)行表面拋光工藝，使得外露的金屬區(qū)域1106a和1106b分 別具有設(shè)置在其上的拋光層1302a和1302b。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適 于使用例如但不限于熱氣焊料調(diào)整(HASL)、貴金屬浸鍍和有機(jī)表面保護(hù) 劑(OSP)等表面拋光工藝。更具體而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使用諸如化 學(xué)鍍鎳金(ENiG)、沉錫和沉金等表面拋光工藝。發(fā)現(xiàn)常規(guī)加工條件會(huì)破 壞聚酯基底。因此，需要進(jìn)行拋光工藝，使得聚酯基底不會(huì)產(chǎn)生巻曲、 扭曲或其他不希望的變形。這通過在沒有使聚酯基底不適于后續(xù)制作工 藝的溫度下進(jìn)行工藝來實(shí)現(xiàn)。在另一實(shí)施例中，在任何高溫工藝過程中 均將基底固定到夾具上，以防止巻曲、扭曲或其他不希望的變形。
再參照圖12的步驟1204和圖13，應(yīng)注意的是，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例能夠在沒有使聚酯基底1102不適于后續(xù)制作工藝的情況下進(jìn)行表面拋 光工藝。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例證實(shí)了表面聚酯基底(如PET或 PEN)能夠承受這種表面拋光工藝，而不會(huì)使聚酯基底1102產(chǎn)生巻曲、扭 曲或其他不希望的變形。應(yīng)理解的是，在開發(fā)本發(fā)明的實(shí)施例之前，結(jié) 合表面拋光工藝(如HASL、貴金屬浸鍍和OSP工藝)使用諸如PET禾Q PEN 等材料是不可能的，而且事實(shí)上也認(rèn)為是不可能的。因此，根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例使聚酯基底1102能夠在以前被認(rèn)為與低溫基底(如PET、 PEN 或其他熱塑性材料)不相容的表面拋光工藝中使用。
為了示例和說明的目的，公開了本發(fā)明特定實(shí)施例的上述描述。它 們并不旨在窮盡列舉，也不旨在將本發(fā)明限制于所公開的精確形式，并 且顯然的是，基于上述教導(dǎo)，可以進(jìn)行許多修改和變型。選擇并描述了 這些實(shí)施例以最佳地解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域技 術(shù)人員可以最佳地利用本發(fā)明，并且具有不同修改的各種實(shí)施例適用于 可預(yù)期的具體應(yīng)用。
19
權(quán)利要求
1.一種用于將電子元件固定地電連接到聚合物基底的方法，所述方法包括獲得具有鄰近與所述聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的所述電子元件的所述聚合物基底；提供用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕的隔熱夾具，所述隔熱夾具被設(shè)置成允許所述單級(jí)熱源的熱接近所述粘結(jié)劑；以及使所述粘結(jié)劑受到所述單級(jí)熱源作用，使得所述單級(jí)熱源的熱致使所述電子元件在所述粘結(jié)劑固化時(shí)被固定地電連接到所述聚合物基底。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獲得所述聚合物基底包括 獲得具有鄰近與聚酯基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的所述電子元件的所述聚酯基底。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述聚酯基底選自聚對苯二甲 酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獲得所述聚合物基底包括 獲得具有鄰近與所述聚合物基底連接的由焊料構(gòu)成的粘結(jié)劑設(shè)置的所述電子元件的所述聚合物基底。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獲得所述聚合物基底包括-獲得具有鄰近與所述聚合物基底連接的由低熔點(diǎn)溫度焊料構(gòu)成的粘結(jié)劑設(shè)置的所述電子元件的所述聚合物基底。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述提供用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕的隔熱夾具包括提供尤其是用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕同 時(shí)仍允許所述單級(jí)熱源的熱接近所述粘結(jié)劑的定制的隔熱夾具。
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述提供用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕的隔熱夾具包括提供尤其是用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕同時(shí)仍允許所述單級(jí)熱源的熱接近所述聚合物基底上的多個(gè)區(qū)域，在所述多個(gè)區(qū)域處鄰近與所述聚合物基底連接的各自粘結(jié)劑設(shè)置電子元件。
8. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中連續(xù)重復(fù)所述用于將電子元件固定連接到聚合物基底的方法，從而鄰近置于所述聚合物基底上的多個(gè)粘結(jié)劑設(shè)置多個(gè)電子元件。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獲得具有鄰近與所述聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的所述電子元件的所述聚合物基底包括獲得具有鄰近與所述聚合物基底的第一側(cè)連接的粘結(jié)劑設(shè)置的第一電子元件的所述聚合物基底，所述聚合物基底具有鄰近與所述聚合物基底的第二側(cè)連接的粘結(jié)劑設(shè)置的第二電子元件。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述用于將電子元件固定地電連接到聚合物基底的方法無需使所述電子元件和所述聚合物基底在所述粘結(jié)劑受到所述單級(jí)熱源作用之后經(jīng)歷主動(dòng)冷卻工藝。
11. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述獲得所述聚合物基底包括獲得具有與其表面連接的加固結(jié)構(gòu)的所述聚合物基底。
12. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述提供用于使所述聚合物基底的至少一部分與單級(jí)熱源隔絕的隔熱夾具包括提供具有貫穿形成的至少一個(gè)附加開口的隔熱夾具，從而在所述電子元件固定地電連接到所述聚合物基底之后允許附加電子元件連接到所述聚合物基底。
13. —種用于對設(shè)置在聚酯基底上方的外露金屬區(qū)域進(jìn)行表面拋光的方法，所述方法包括獲得具有設(shè)置在其上方的所述外露金屬區(qū)域的所述聚酯基底，所述聚酯基底還具有設(shè)置在其上方的經(jīng)掩模的金屬區(qū)域；以及對所述聚酯基底進(jìn)行表面拋光工藝，使得所述外露金屬區(qū)域具有設(shè)置在其上方的拋光層，所述表面拋光工藝在沒有使所述聚酯基底不適于后續(xù)制作工藝的條件下進(jìn)行。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述獲得具有設(shè)置在其上方的所述外露金屬區(qū)域的所述聚酯基底包括獲得具有設(shè)置在其上方的由銅焊盤構(gòu)成的所述外露金屬區(qū)域的所述聚酯基底。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述表面拋光工藝選自熱氣焊料調(diào)整(HASL)、貴金屬浸鍍和有機(jī)表面保護(hù)劑(OSP)。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，所述獲得具有設(shè)置在其上方的所雄外露金屬區(qū)域的所述聚酯基底包括獲得具有設(shè)置在所述聚酯基底的第一側(cè)上方的所述外露金屬區(qū)域和具有設(shè)置在所述聚酯基底的第二側(cè)上方的第二外露金屬區(qū)域的所述聚酯基底。
17. —種電子組件，包括聚酯基底，所述聚酯基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；與所述聚酯基底的所述第一區(qū)域連接的電容傳感裝置；和固定地電連接到所述聚酯基底的所述第二區(qū)域的電子元件，所述電子元件與所述電容傳感裝置通信，所述電子元件通過與所述聚酯基底連接的線路與所述電容傳感裝置連接。
18. 如權(quán)利要求17所述的電子組件，其中所述電子組件是整個(gè)運(yùn)行中獨(dú)立操作的電子組件，無需使所述聚酯基底與剛性基底結(jié)合。
19. 如權(quán)利要求17所述的電子組件，還包括第二電子元件，其固定地電連接到所述聚酯基底的與所述聚酯基底上設(shè)有所述第二區(qū)域那側(cè)相對的一側(cè)上。
20. —種保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具，包括后平面，所述后平面被設(shè)置成用于使聚合物基底的后表面的至少一部分與單級(jí)熱源產(chǎn)生的熱隔絕；前平面，所述前平面被設(shè)置成用于使聚合物基底的前表面的至少一部分與所述單級(jí)熱源產(chǎn)生的熱隔絕，所述前平面被設(shè)置成允許所述單級(jí)熱源的熱接近設(shè)置在所述聚合物基底上的粘結(jié)劑；和用于使所述后平面和所述前平面對準(zhǔn)的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，所述保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具被設(shè)置成對準(zhǔn)在一起，從而在所述前平面與所述后平面之間封裝聚合物基底，使得所述保護(hù)聚合物基底的隔熱夾具為所述聚合物基底在其加熱期間提供結(jié)構(gòu)剛度。
21. —種用于對設(shè)置在聚酯基底上方的外露金屬層掩模的方法，所述方法包括獲得具有設(shè)置在其上方的所述外露金屬層的所述聚酯基底；和對所述聚酯基底進(jìn)行掩模工藝，使得所述外露金屬層具有設(shè)置在其上方的掩模層，所述掩模工藝在沒有使所述聚酯基底不適于后續(xù)制作工藝的條件下進(jìn)行。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述掩模工藝選自覆膜層壓和液態(tài)感光(LPI)阻焊掩模工藝。
全文摘要
在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明包括一種用于將電子元件固定地電連接到聚合物基底的方法。在本實(shí)施方案中，獲得聚合物基底。該聚合物基底具有鄰近與該聚合物基底連接的粘結(jié)劑設(shè)置的電子元件。本實(shí)施方案還提供用于使該聚合物基底的至少一部分與熱源隔絕的隔熱夾具。該隔熱夾具被設(shè)置成允許該熱源的熱接近該粘結(jié)劑。本實(shí)施方案隨后使該粘結(jié)劑受到該熱源作用，使得該熱源的熱致使該電子元件在該粘結(jié)劑固化時(shí)被固定地電連接到該聚合物基底。
文檔編號(hào)C08J7/16GK101663349SQ200880002502
公開日2010年3月3日 申請日期2008年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者哈姆馮·探馬索克, 波爾賽克·萊爾特普提平約 申請人:辛納普蒂克斯有限公司