專利名稱：：基底的涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于將一個或多個涂層和基底有效粘合的方法。更具體而言，本發(fā)明涉及將導(dǎo)體或半導(dǎo)體的涂層涂覆于非導(dǎo)體基底，如典型的曲面或復(fù)雜形狀的玻璃上的方法，雖然本發(fā)明并不局限于此特殊應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：在大多數(shù)已知的工業(yè)方法中，如商業(yè)鏡子的生產(chǎn)中，金屬或?qū)w膜被涂覆于玻璃或其它非導(dǎo)體基底上，膜的粘合性質(zhì)(盡管是一優(yōu)點)并不十分重要。隨后的金屬或有機涂層可防止導(dǎo)致膜粘合損失的的膜損害。在其他的涂層方法中，如印刷電路板的生產(chǎn)中所應(yīng)用的方法，金屬涂層被沉積于塑料、陶瓷或其它非導(dǎo)體基底上，以此種方式制備的物體被用作涂層的機械固定(anchorage)。表面制備需用蝕刻、噴沙處理等。氣體和化學(xué)還原試劑的使用也有助于金屬在上述基底上的沉積。真空氣體蒸發(fā)和濺射是其他已知的在基底上產(chǎn)生涂層的方法。在這些方法中，基底和涂層之間的界面通常是明顯的，許多情況下產(chǎn)生較差的粘合。這些方法也生產(chǎn)厚度有限的涂層。在其他已知的方法中，如那些用于生產(chǎn)電子工業(yè)之半導(dǎo)體元件的方法中，導(dǎo)體和/或半導(dǎo)體膜遷移至一被選基底表面內(nèi)的方法已成功完成。經(jīng)表面遷移方法產(chǎn)生的膜通常表現(xiàn)出較好的粘合強度，然而，當(dāng)這些膜的隨后作用不必依賴它們表面粘合的機械強度時，這通常也就談不上是優(yōu)點了。當(dāng)必須提高膜的厚度或調(diào)整表面遷移膜時，這些膜的主要缺點便出現(xiàn)了。增加膜厚度通常用許多標(biāo)準技術(shù)之一來完成，包含真空沉積、無電鍍、離子交換和電鍍。目前用于增加膜厚度的技術(shù)和方法不但昂貴、不方便，而且規(guī)模也受到限制。進一步說，眾所周知，當(dāng)遷移方法產(chǎn)生一個表面涂層，這個涂層會表現(xiàn)出和使用物質(zhì)本身性質(zhì)不同的物理和化學(xué)性質(zhì)。因而，由表面遷移方法產(chǎn)生的導(dǎo)體或半導(dǎo)體涂層所表現(xiàn)出的性質(zhì)很可能使隨后增加厚度變得很困難或不可能。一些已知的方法要求使用中間涂層，如產(chǎn)生有效的基底—導(dǎo)體膜粘合強度的粘合。這些復(fù)合涂層有許多缺點，包括溫度和溶劑敏感性。另外，中間涂層的使用會影響已涂覆基底的以后使用。當(dāng)在非導(dǎo)體基底上生產(chǎn)導(dǎo)體或半導(dǎo)體涂層的精密勾劃圖案(delineatedpattern)時，另外的問題出現(xiàn)了。模版印刷、光刻掩模、保護層(resists)、后蝕刻等是目前用于在非導(dǎo)體基底上生產(chǎn)導(dǎo)體或半導(dǎo)體涂層之精密勾劃圖案的裝置和方法。為了建立涂層圖案，在所進行的強熱和其它物理、化學(xué)處理期間，模版印刷及類似裝置難以保養(yǎng)。最后，將涂層涂覆于基底上的已知方法通常設(shè)計用于平展基底，而不十分適用于彎曲基底表面。本發(fā)明的一個目的是提供一種將涂層涂覆于非導(dǎo)體基底上的改進方法，它至少克服或改進了以前涂覆方法上述的一些缺點。本發(fā)明的優(yōu)選目的是提供一種涂層技術(shù)，通過它，導(dǎo)體或半導(dǎo)體涂層圖案的精密勾劃可被精確制造，而且，在熱處理或其它物理、化學(xué)處理期間精密圖案可保持。本發(fā)明進一步優(yōu)選的目的是提供一種在非導(dǎo)體基底上制備精密勾劃的導(dǎo)體或半導(dǎo)體多層涂層的有效方法。發(fā)明概述在寬的形式下，本發(fā)明提供了一個在非導(dǎo)體基底上涂層的方法，此方法包含以下步驟將涂層沉積在膜上，把膜放在基底上，在受控條件下處理基底、膜和涂層的復(fù)合體，以除去膜并使涂層能夠和基底粘合。典型的涂層是一薄的導(dǎo)體或半導(dǎo)體層。在本發(fā)明的優(yōu)選情況下，膜包含在加熱時揮發(fā)而基本上不留任何殘余物的物質(zhì)。將已涂覆的膜放在基底上后，基底在80-3,800℃的范圍內(nèi)進行熱處理，典型的是在600-1200℃間進行。以上熱處理優(yōu)選在受控條件下，準確地交替在中性、氧化和還原環(huán)境中進行。熱處理可在直接或間接方式下進行。當(dāng)進行該熱處理時，膜揮發(fā)而不留下任何殘余物。更進一步，在控制的氣體環(huán)境中進行選擇的熱處理，得到燒結(jié)和熔融效果，因此，涂層物質(zhì)遷移到基底中。(如果是多個涂層，涂層中其他層的均相熔融也可得到)。膜物質(zhì)合適的是化學(xué)物質(zhì)，如單硬酯酸二甘醇酯或聚乙烯醇。膜物質(zhì)可包含和淀粉相連的纖維素交聯(lián)基料。膜可以通過用上述化學(xué)物質(zhì)和或材料在表面上涂覆至合適的表層(不超過150微米)來制備?；瘜W(xué)物質(zhì)一被固定于干燥柔軟膜的條件下，就被從表面除去。這個表層最好用防粘涂層如硅氧烷或TEFLONTM(PTFE)進行預(yù)處理，以利于膜的除去。典型膜的規(guī)格是約300mm×480mm。然而，用連續(xù)涂層方法，面積大到6m×50m的也可生產(chǎn)。進一步的實施方案中，膜包含在揮發(fā)時基本上不留下任何殘余物的基底接觸物質(zhì)，而且，該物質(zhì)被一柔軟的含可熔融物的溶膠凝膠制備物涂覆。在本發(fā)明的另一種情況下，膜包含一完全或部分可溶于溶劑溶液的物質(zhì)。此復(fù)合體置于溶劑中以使膜溶解，使涂層和基底粘合。在本發(fā)明的又一種情況，膜包含基底接觸物質(zhì)，此物質(zhì)和基底物質(zhì)在化學(xué)、物理上相容，而且隨后經(jīng)熱和/或化學(xué)處理，與基底形成粘合。上述基底接觸物質(zhì)之一是復(fù)合硅膠。其他的對于膜合適的物質(zhì)包括由硅酸鹽和硼酸鹽摻合聚乙烯醇粘合劑的懸浮液中制備的柔軟的凝膠。類似的水溶或油基多聚物可作為粘合劑或凝膠基料。在一些情況，涂層物質(zhì)的已勾劃層可以被“印”在金箔的初始“膜”上。涂層可適當(dāng)?shù)匕韵挛镔|(zhì)，如金、鉑、銀、銠、銅和鈀。涂層可作為金屬層涂覆在膜上，或者，通過絲網(wǎng)印刷涂覆在膜上。在后一種方法中，金屬或絕緣物以細粉末形式(不超過10微米)任意分散在粘合劑/墨介質(zhì)液體中。對于上述金屬粉末，合適的粘合劑/墨介質(zhì)是在松油醇中的乙基纖維素。在另一實施方案中，涂層可以是膠體溶液或墨水樣懸浮液的形式，可被印在膜上并粘附在那。這種涂層通常涂覆在于精密勾劃圖案中的膜上。在膜上涂層的位置和圖案可由光刻法或其他已知的印刷方法來完成。本發(fā)明的另一實施方案，通過真空蒸發(fā)或濺射技術(shù)將導(dǎo)體或半導(dǎo)體物質(zhì)的多個層沉積在膜上。通過合適物質(zhì)如光敏乳膠等的模版印刷，可得到涂層的精密勾劃圖案。本發(fā)明的另一實施方案，涂層可作為薄層沉積在膜上，此膜已沉積在其他的一層或多層物質(zhì)上。這些其他的物質(zhì)可以具有導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體和/或能產(chǎn)生定位氧化或還原的性質(zhì)。在選擇的涂層之間可制成導(dǎo)體和/或半導(dǎo)體的相互聯(lián)通。此種相互聯(lián)通提供了可實現(xiàn)至一層和/或多層涂層的電子聯(lián)通的手段。涂層也可包含一融合物質(zhì)，以有助于涂層和基底和/或在基底上的其他導(dǎo)體/半導(dǎo)體或絕緣體層的結(jié)合或熔融。一種合適的融合物質(zhì)是摻合玻璃粉和/或金屬氧化物的硼砂組合物。在本發(fā)明的一個特殊應(yīng)用中，涂層可包含光和/或電-色相(electro-chromatic)化合物。當(dāng)被置于玻璃基底上，光或電-色相涂層能被用來改變涂層玻璃的光學(xué)性質(zhì)，從不透明到透明，或深淺不同的的顏色。典型的基底是玻璃。玻璃基底上已涂覆膜的指標(biāo)能通過常規(guī)手段，如真空、平臺(table)和/或軋輥、分揀(pick)和放置(place)來完成。玻璃基底可以是平展或彎曲的。對于圓柱形或其它彎曲基底，真空或靜電軋輥分揀和轉(zhuǎn)移機制對于精密指標(biāo)被認為是最有效的。其他基底物質(zhì)包括硼硅酸玻璃、熔凝石英、玻璃陶瓷和耐火陶瓷。無機物質(zhì)，如鋁硅酸鹽和已知的摻雜半導(dǎo)體物質(zhì)也可被用作基底。為了本發(fā)明被完全了解并投入應(yīng)用，因而下面將參考附圖對實施例進行描述。圖1.在實施例中加熱室的示意性正視圖；圖2.多層涂層的示意性截面正視圖；圖3.多層涂層的示意性透視圖；和圖4.另一多層涂層的示意性截面正視圖。優(yōu)選實施方案的詳細說明實施例1按精密勾劃的圖案將導(dǎo)體金屬層涂覆在熱揮發(fā)膜上。這個膜是單硬酯酸二甘醇酯、聚乙烯醇、與淀粉相連的纖維素交聯(lián)基料，或其他合適物質(zhì)的薄層。導(dǎo)體涂層包含懸浮于粘合劑/墨介質(zhì)中的細金屬粉末，如銅顆粒，該涂層是按絲網(wǎng)法涂覆在膜上的?？蓪⒁粋€或多個涂層薄層涂覆在膜上。導(dǎo)體層的圖案能被選來提供特殊的電子元件，或產(chǎn)生一個在最終產(chǎn)品所需要的電磁場。涂過的膜被置于基底上，如玻璃圓柱體上。玻璃圓柱體然后被放在高溫真空室1中，如圖1所示。室1的內(nèi)容物是由外部加熱元件2來加熱的。室1同時設(shè)有進氣口3、排氣/抽真空口4和離子化氣體口5。玻璃圓柱體(未顯示)被放在基底樣品容器6上并被置于室1中。該室然后被可密封的凸緣零件7密封，它包括一個可旋轉(zhuǎn)的真空密封零件8。觀察窗9安在室1上面。加熱室1由不銹鋼套和零件以及高溫陶瓷/耐火襯里建造。盡管該室之一般的加熱可由加熱元件2來完成，但精密的定點加熱可由經(jīng)在加熱室和襯里上的合適定位的觀察口的聚焦激光來完成。高頻感應(yīng)加熱可作為進一步和/或可選擇的熱源。另一優(yōu)選加熱方式是通道式高伏等離子火焰。在室1中于控制條件下使用的氣體包括氮氣、氫氣、乙炔、丙烷、氧氣、氟或這些氣體制備的混合物。其他可選擇的氣體也可用來在特殊基底上產(chǎn)生表面蝕刻和增敏作用。玻璃圓柱體放進室1，并密封該室后，該室內(nèi)溫度以每分鐘5℃速率升溫，從室溫到120℃，以除去濕氣。在除去濕氣期間，以每分100ml的典型流速將干燥氮氣流經(jīng)加熱室，將濕氣吹出。接著在低壓(25mb)干燥氮氣環(huán)境中，于每分鐘10℃的速率將溫度升至620℃，以揮發(fā)掉膜。(膜從在揮發(fā)時基本上不留殘余物的物質(zhì)中選擇)。此后，溫度維持在620℃大約15分鐘(盡管這個時間決定于使用的物質(zhì)和基底遷移的深度。)上述加熱是在氧化環(huán)境中進行，該環(huán)境是將干燥空氣或氧氣混合物(例如80％氧氣20％氮氣，或80％氧氣20％氟)以每分鐘100ml的典型速率通過加熱室來達到的。在氧化步驟后，溫度從620℃升至1200℃并且維持“金屬熱處理時間”(soaktime)約15分鐘(盡管這個時間可改變，決定于使用的物質(zhì)、基底和內(nèi)層遷移的深度)。在高溫過程期間，會出現(xiàn)基底涂層的燒結(jié)。該燒結(jié)步驟發(fā)生在還原環(huán)境下，該環(huán)境典型的是通過將氫氣以每分鐘100ml的速率流過加熱室來完成的?；兹缓罄鋮s到約580℃，在這個溫度保持約20分鐘(盡管時間可根據(jù)特殊的基底物質(zhì)而改變)。接著在4小時的時間內(nèi)將溫度逐漸降到20℃。冷卻過程是在中性環(huán)境中，典型的是在每分鐘100ml流速的干燥氮氣環(huán)境中進行的。在最終產(chǎn)品中，導(dǎo)體金屬層和玻璃基底的牢固粘合形成了。實施例2利用實施例1中描述的方法的改變，將幾種導(dǎo)體層涂覆在基底上。如圖2所示，導(dǎo)體層B被置于合適的膜A上。導(dǎo)體層B被融合劑C涂層，C再被導(dǎo)體層D涂層。交替的導(dǎo)體物質(zhì)，如半導(dǎo)體層E，被置于導(dǎo)體層D上。最后，絕緣體F被置于交替的導(dǎo)體物質(zhì)E上。經(jīng)多涂層的膜A然后被置于合適的基底G上，再經(jīng)如實施例1所述的熱循環(huán)進行熱處理。根據(jù)特殊應(yīng)用，每層厚度可在0.25微米到超過1,000微米之間改變。如圖2所示的多層的交替排列中，A是組成膜的融合物質(zhì)層，B是導(dǎo)體物質(zhì)層，C是半導(dǎo)體物質(zhì)層，D是電—色相物質(zhì)層，E是導(dǎo)體物質(zhì)層，F(xiàn)是半導(dǎo)體層，和G是玻璃基底。導(dǎo)體層的物質(zhì)可適當(dāng)?shù)匕月然镄问酱嬖诘慕饘佟Ｔ诳刂频臈l件下，從氧化到中性，再到還原，如此進行熱處理，經(jīng)在不同層之間的燒結(jié)，在多涂層基底上產(chǎn)生牢固的層間粘合。在依次的實施方案中，如圖3所示，A是合適的膜物質(zhì)，B是基底，C是半導(dǎo)體物質(zhì)層，D是導(dǎo)體物質(zhì)層，E是絕緣物質(zhì)層，F(xiàn)是電—色相物質(zhì)層，和G是導(dǎo)體物質(zhì)層。經(jīng)對每層的合適設(shè)計，在最終發(fā)明物中可形成導(dǎo)體或半導(dǎo)體的不連續(xù)帶，其不同層互相交聯(lián)和滲透。利用層制備技術(shù)，如光刻法等，實際上任何圖案或設(shè)計都可作為涂覆在基膜上的薄層而形成。復(fù)雜集成化和/或雜化電路因而可以形成。實施例3膜被置于玻璃基底上。膜是一制備復(fù)合物，該物質(zhì)在化學(xué)和物理上和基底物相容。經(jīng)后面的熱和/或化學(xué)處理，和基底形成粘合?！爸苽鋸?fù)合物”是常規(guī)制備的、研成玻璃料并且粘在有機粘合劑中的鉛/硼硅酸鹽玻璃基料。此復(fù)合物也可通過硅膠凝膠法制成高純物。另一“制備復(fù)合物”物是常規(guī)制備的、研成玻璃料并且粘在有機粘合劑中的鋇/硼硅酸鹽玻璃基料。。同樣，此復(fù)合物也可通過硅膠凝膠法制成高純物。實施例4幾個涂層薄層沉積于膜上，膜然后涂覆在基底上。有利的是，和基底相接觸之膜物質(zhì)的熱膨脹系數(shù)在基底物的5.0×10-6cm/℃之內(nèi)。膜含有玻璃和/或玻璃/陶瓷物質(zhì)，其熱膨脹特性在基底物的0.4×10-6cm/℃之內(nèi)。合適的玻璃/陶瓷基底接觸膜含下列成分(按重量計)二氧化硅5％氧化硼24％一氧化鉛60％氧化鋅11％另一合適的半導(dǎo)體基底接觸玻璃狀膜含下列成分(按重量計)五氧化二釩83％五氧化二磷10％氧化鋇7％膜可摻入半導(dǎo)體和/或電—色相物質(zhì)。實施例5經(jīng)涂覆的膜被涂覆在蘇打/石灰玻璃基底上，如通常用于建筑用途且一般用“浮法玻璃”法生產(chǎn)的玻璃板。平板玻璃厚度主要在2mm和30mm之間，更好的是，其膨脹系數(shù)在7.5×10-6cm/℃和8.5×10-6cm/℃之間。涂層包含電—色相半導(dǎo)體層化合物，如在凝膠或方便制備的玻璃/陶瓷基料中的二氧化鈦和/或三氧化鎢。實施例6大的太陽能電池，盡管是低到中等的效率，可被覆于高層建筑上，以產(chǎn)生能量以補償局部能量消耗。標(biāo)準生產(chǎn)能力可使涂層涂覆在定制堅硬薄片上。大面積光電池有p和n，pn結(jié)半導(dǎo)體玻璃/陶瓷接觸輪廓線(delineation)，其使用硅和/或n型半導(dǎo)體，如In2O3，Cd2SnO4，它們在熱處理期間在玻璃狀介質(zhì)中攙雜或結(jié)晶。實施例7另一個適合大面積基底的光電池層結(jié)構(gòu)含以下物質(zhì)[a]基底物—建筑用平板玻璃，按重量計具熱膨脹系數(shù)7.9-8.0×10-6/cm℃。[b]基底接觸膜含二氧化硅5％，三氧化硼15％，一氧化鉛64％，氧化鋅16％。[c]金屬接觸層包含在揮發(fā)性膠體懸浮液中和/或經(jīng)濺射/CVD方法沉積的金屬氯化物。合適的金屬包括鋁、銀、銅、鉑、金。[d]p&n，pn結(jié)半導(dǎo)體玻璃/陶瓷接觸輪廓線。[e]中間層物質(zhì)包含凝膠—溶膠和/或常規(guī)制備的玻璃，此玻璃含加有Al2O3、La2O3Ta2O5、CeO2、TiO2和WO3的Li2O-ZnO-B2O3-SiO2。[f]另一中間層物質(zhì)可包含晶形Si、Ge、CaAs、CdSe、InP，它們是在常規(guī)制備的Li2OZnOB2O3SiO2玻璃和/或溶膠—凝膠成核的。[g]金屬接觸薄層包含揮發(fā)性膠體懸浮液和/或經(jīng)濺射/CVD方法沉積的金屬氯化物。合適的金屬包括鋁、銀、銅、鉑、金。[h]優(yōu)選的基底和膜相連，膜包含SiO25％，B2O315％，PbO64％，ZnO16％。層[c]、[d]、[e]、[f]和[g]在其相對位置上可互換。實施例8一被涂層的基底，在處理前含下列層基底[b]揮發(fā)性的基底接觸物質(zhì)[c]玻璃粉[和合適的玻璃基底相容并且粒度大小約50mm]。導(dǎo)體物質(zhì)[如銅、銀、鉑、金、鎢、鈦等][e]玻璃粉[和合適的玻璃基底相容并且粒度大小約50mm]。半導(dǎo)體物質(zhì)[如TiO2、WO2、Se等][g]玻璃粉[和合適的玻璃基底相容并且粒度大小約50mm]?；捉佑|物質(zhì)可是金箔。實施例9在熱處理前，基底接觸膜包含有玻璃粉(如粉碎的玻璃料)的金箔。玻璃粉和玻璃基底相容且粒度大小約50mm。上述涂層和/或電路可在彎曲表面或復(fù)雜形狀表面的基底上形成。與現(xiàn)有技術(shù)不同，在本發(fā)明中導(dǎo)體/半導(dǎo)體層先作用于膜上而不是直接作用于基底上。這樣可使復(fù)雜的、內(nèi)部互相聯(lián)通的多層膜設(shè)計方便地、精確地在平展膜上形成。經(jīng)暫時的膜介質(zhì)，多層設(shè)計被完全置于基底上。根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)的涂層產(chǎn)品，在大多數(shù)情況下，可經(jīng)受較高操作溫度且具較好的物理\化學(xué)耐受性。本發(fā)明的方法被在廣泛的工業(yè)和科技領(lǐng)域應(yīng)用。不限制本發(fā)明的范圍，一些特殊應(yīng)用如下所述。1此方法可應(yīng)用在形成復(fù)雜電極上，其可在NMR應(yīng)用上產(chǎn)生所需形狀和強度的電磁場。2此方法也可用于生產(chǎn)高收集器—導(dǎo)體功效的太陽能電池。此方法還可用于制造程控電泳電池、遙敏/控裝置和微型激光裝置。3電-色相閘裝置用本發(fā)明方法可制造出。上述裝置可用在纖維光學(xué)信號和控制、不同的窗口和分配著色。例如，電-色相層被置于玻璃基底上，所得結(jié)構(gòu)的透明度可通過向電-色相層施加合適電壓來改變。別的應(yīng)用包含光—色相涂層?？赡骊柟饣罨繉涌捎迷诮ㄖ?guī)格玻璃板上。如此大規(guī)模的外部應(yīng)用包含陽光活化光學(xué)變暗/輻射控制拋光和加金屬層。4此方法也適用于后沉積和浸滲技術(shù)、激光沉積/蝕刻和布圖，例如生產(chǎn)高級導(dǎo)體膜研究的裝置。5此方法也可用于管狀玻璃容器的涂層以提供微機控制的加熱和/催化裝置，例如微小分餾和蒸餾。6此方法適于建造大規(guī)模多層集成電路，如，為建造大塊的平板玻璃屏(典型的是2m×3m)，引入的電致色變物質(zhì)的象素規(guī)格點以如此方式連接以至于它們能夠單個或多數(shù)被活化。電—色相、計算機控制、單或多層涂層可應(yīng)用在顯示屏上，如平面電視和音像設(shè)備。最大拋光片產(chǎn)品被涂層，并且以標(biāo)準形式連接，生產(chǎn)出超過10m×10m的屏幕。7厚的涂層鏡子應(yīng)用在苛刻的外部環(huán)境。堅硬玻璃安全屏應(yīng)用。8涂層方法可用在化學(xué)上堅硬的玻璃片上。涂層中可加入化合物，當(dāng)進行高溫時，該化合物對表面進行調(diào)理，給出和現(xiàn)有的浸泡離子交換方法相同的最終效果。將化學(xué)上堅硬的大玻璃板和電—色相和/或光電池性質(zhì)結(jié)合起來與現(xiàn)有方法相比具有重大優(yōu)點，更不用說規(guī)模上了。上述只是本發(fā)明的部分實施方案，不脫離下述權(quán)利要求的發(fā)明范圍，可以做對本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯的改進。例如，在本發(fā)明的進一步實施方案中，膜以和圖4所示的相反形式使用。膜物質(zhì)A是一種在單或多層涂層B，C，D，E，F(xiàn)上形成粘合“傘罩”的物質(zhì)。在此實施方案中，膜物質(zhì)A和基底G化學(xué)上粘合，產(chǎn)生牢固粘附。層物質(zhì)不熔融或彼此之間或和基底化學(xué)上不粘合，這正是所需的。膜物質(zhì)A的作用象“皮膚”連續(xù)的光滑層，其將涂層B，C，D，E，F(xiàn)緊密結(jié)合在一起并置于基底表面G上。此實施方案十分有用，高熔點金屬粉末(如鎢)和礦物質(zhì)被用來在基底上精確描繪和永久保存。權(quán)利要求1.將涂層涂覆在非導(dǎo)體基底上的方法，包含下列步驟將涂層涂覆在膜表面上，將膜置于基底上，在控制條件下處理基底、膜和涂層的復(fù)合體，以除去膜并使涂層和基底粘合。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層是導(dǎo)體或半導(dǎo)體物質(zhì)。3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包含加熱膜使其揮發(fā)而在基底上基本上不留下任何殘余物。4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，膜在連續(xù)的中性、氧化和還原環(huán)境中被加熱。5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，處理步驟包含逐漸升高中性環(huán)境的溫度到約620℃以使膜揮發(fā)，改變條件為氧化條件，在預(yù)定時間內(nèi)保持溫度約620℃，還原環(huán)境中升高溫度至約1200℃，在預(yù)定時間內(nèi)保持，然后在中性環(huán)境中冷卻。6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，處理步驟在真空室中進行。7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，膜包含單硬酯酸二甘醇酯或聚乙烯醇。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，膜包含和淀粉相連的纖維素交聯(lián)基料。9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包含將基底溶解在溶劑溶液中。10.據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層以細金屬粉末在液體或凝膠中的形式涂覆在基底上。11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中，涂層以絲網(wǎng)或模版印刷的形式沉積在膜上。12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層以膠體形式涂覆在基底上。13.據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層以照光刻法涂覆在膜上。14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層是多層涂層。15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，按預(yù)定圖案，以真空蒸發(fā)和/或濺射技術(shù)，將涂層依次涂覆在多個導(dǎo)體、半導(dǎo)體和/或絕緣體層的膜上。16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，涂層以多層涂層涂覆在膜上。17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，涂層包含融合物質(zhì)，而且處理步驟包含加熱此復(fù)合體，使融合物質(zhì)和涂層的層，和/或基底的涂層相互粘合。18.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，涂層包含光敏和/或電—色相化合物，基底是一玻璃片。19.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，基底是具彎曲表面的玻璃，膜涂覆在彎曲表面上。20.將涂層涂覆在非導(dǎo)體基底上的方法，包含下列步驟將涂層沉積在膜上，將膜置于基底上，膜有一基底接觸物質(zhì)，此物質(zhì)在化學(xué)和/或物理上和基底物質(zhì)相容，在化學(xué)上和熱上處理膜使其和基底形成粘合。21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，膜是硅膠凝膠。22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中，涂層界于膜和基底之間。23.據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中，基底是玻璃。24.根據(jù)權(quán)利要求1的方法形成的被涂層基底。25.根據(jù)權(quán)利要求20的方法形成的被涂層基底。全文摘要用一種中間膜將涂層涂覆在基底上。典型的涂層是導(dǎo)體或半導(dǎo)體，典型的基底是玻璃。在一種方式下，涂層是涂覆在一層或多層的平展柔軟膜上，膜然后放在基底上，這個復(fù)合體先被置于中性環(huán)境中加熱，將不需要的膜揮發(fā)掉，再連續(xù)置于氧化和還原環(huán)境中以加強涂層和基底之間的粘合。在另一種方式下，不必除去的膜和基底表面的結(jié)合在物理和化學(xué)上都是相容的，經(jīng)過化學(xué)和熱處理，和基底粘接起來。文檔編號H01L21/205GK1147805SQ95192954公開日1997年4月16日申請日期1995年4月5日優(yōu)先權(quán)日1994年4月5日發(fā)明者雷蒙德·彼得·加農(nóng)申請人:昆士蘭大學(xué)