專利名稱：：高分子化合物和高分子發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及高分子化合物和使用該高分子化合物的高分子發(fā)光元件(高分子LED)。
背景技術(shù)：
：高分子量的發(fā)光材料通常因在溶劑中可溶而能利用涂布法形成發(fā)光元件中的有機(jī)層，符合元件大面積化等要求。因此，近年來已提出各種能成為高分子發(fā)光材料的高分子化合物以及使用該高分子化合物的高分子發(fā)光元件(例如AdvancedMaterialsVoU21737-1750(2000))。發(fā)光元件最好具有高穩(wěn)定性即壽命長以及發(fā)光效率高即單位電流的發(fā)光亮度高。但是，將迄今為止的高分子化合物用于發(fā)光元件時(shí)，該元件的效率和壽命之間的平衡并不令人滿意。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供當(dāng)作為發(fā)光元件的材料使用時(shí)能得到均衡地具有長壽命與高發(fā)光效率的發(fā)光元件的高分子化合物。艮口，本發(fā)明提供作為第1形態(tài)的含有共軛系高分子主鏈和選自以下的(a)、(b)及(c)中的l種以上的側(cè)鏈的高分子化合物，(a)為具有電子輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。(b)為具有空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。(c)為具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，且該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。另外，本發(fā)明提供作為第2形態(tài)的含有下述通式(4)表示的且具有下述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元的高分子化合物。:N——Ar6——N'上述式(4)中，A環(huán)和B環(huán)表示的芳香烴環(huán)分別獨(dú)立地為苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)等。這些環(huán)可具有取代基。上述式(4)中，作為Y，可列舉例如含有碳原子、氧原子、氮原子、硫原子的基團(tuán)，具體可列舉-C(Q4)(Q5)-、-C(=0)-、-O-、-S-、-S02-、-1^((56)-等2價(jià)基團(tuán)以及選自它們中的2個(gè)基團(tuán)結(jié)合而成的-0(:((^4)(Q5)-、-N(Q6)C(Q4)(Q6)-等2價(jià)基團(tuán)。Q4、Q5、(^分別獨(dú)立地表示氫原子、CVC。垸基、C6-C26芳基或C3-C2o雜芳基。作為C,-Q2垸基(CrC,2表示碳原子數(shù)為112)，可以是直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的任一種，可例示甲基、乙基、丙基、2-丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、2-甲基丁基、異戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、辛基、壬基、癸基等。作為Q4、Q5、(^表示的CrC,2烷基，從溶解性的觀點(diǎn)出發(fā)，其中優(yōu)選2-甲基丁基、己基、辛基等C5-Cs烷基。作為C6-C26芳基，可例示苯基、4-甲苯基、4-己基苯基、4-辛基苯基、l-萘基、2-萘基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、4-己氧基苯基、4-(2-乙9氧基乙基氧基)苯基、9-蒽基等。芳基可具有縮合環(huán)。作為Q4、Q5、(^表示的C6-C26芳基，從溶解性的觀點(diǎn)出發(fā)，其中優(yōu)選4-己基苯基、4-辛基苯基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、4-己氧基苯基、4-(2-乙氧基乙基氧基)苯基等被烷基、烷氧基取代的苯基。作為C3-C2。雜芳基，可例示2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-噻吩基等。雜芳基可具有縮合環(huán)。作為上述式(4)表示的重復(fù)單元，可列舉例如可具有取代基的銜二基、苯并芴二基、二苯并呋喃二基、二苯并噻吩二基、咔唑二基、二苯并吡喃二基、菲二基等，優(yōu)選可具有取代基的芴二基或可具有取代基的苯并新二基。本發(fā)明的高分子化合物的第1形態(tài)除了具有上述共軛系高分子主鏈外，還具有選自以下的(a)、(b)及(c)中的l種以上的側(cè)鏈。(a)為具有電子輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。其差的絕對值優(yōu)選在0.2eV以下，更優(yōu)選在0.15eV以下。另外，該絕對值優(yōu)選在0.01eV以上，更優(yōu)選在0.05eV以上。(b)為具有空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。其差的絕對值優(yōu)選在0.2eV以下，更優(yōu)選在0.15eV以下。另外，該絕對值優(yōu)選在0.01eV以上，更優(yōu)選在0.05eV以上。(c)為具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，及該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。其差的絕對值優(yōu)選在0.2eV以下，更優(yōu)選在0.15eV以下。另外，該絕對值優(yōu)選在O.OleV以上，更優(yōu)選在0.05eV以上。本發(fā)明的高分子化合物可具有2種以上選自上述(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈。本發(fā)明的高分子化合物可具有選自上述(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈以外的側(cè)鏈。10作為本發(fā)明的高分子化合物所具有的選自上述(a)、(b)及(c)中的l種以上的側(cè)鏈，優(yōu)選(a)或(c)的側(cè)鏈，其中更優(yōu)選(c)的側(cè)鏈。另外，LUMO(最低空軌道、LowestUnoccupiedMolecularOrbital)是指電子未占有的分子軌道中能量最低的分子軌道，同樣地HOMO(最高占有軌道、HighestOccupiedMolecularOrbital)是指電子占有的軌道中能量最高的分子軌道，上述(a)、(b)和(c)中的側(cè)鏈的LUMO和HOMO能量的值是指通過對在該側(cè)鏈附加氫原子所得到的模型化合物進(jìn)行分子軌道計(jì)算而求出的能量的值。分子軌道計(jì)算可按如下方法進(jìn)行。艮P，對上述模型化合物，用半經(jīng)驗(yàn)分子軌道法MOPAC2002Version1.00，利用AM1法(Dewar,M丄S.etal,J.Am,Chem.Soc"107,3902(1985))進(jìn)行求最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的計(jì)算(關(guān)鍵詞通過AMIPRECISEEF反復(fù)計(jì)算直至最終達(dá)到收斂)，由此可得到該模型化合物的LUMO和HOMO的分布及能量值。共軛系高分子主鏈的LUMO和HOMO能量的值是通過對如下確定的模型化合物用與上述相同的方法進(jìn)行分子軌道計(jì)算而求得的能量的值。共軛系高分子主鏈的LUMO和HOMO能量的值的計(jì)算中使用的模型化合物是根據(jù)計(jì)算對象的高分子化合物所具有的所有側(cè)鏈被氫原子取代而得到的聚合物的結(jié)構(gòu)，按照以下的方式確定的。(i)當(dāng)該聚合物是均聚物、交替共聚物、3種以上的次單元規(guī)則排列而成的共聚物的周期共聚物時(shí)3個(gè)構(gòu)成主鏈的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元相連而成的2價(jià)基團(tuán)與2個(gè)氫原子結(jié)合而成的化合物由結(jié)構(gòu)單元A形成的均聚物(...-A-A-A-A-A-...)時(shí):模型化合物H-A-A-A-H(結(jié)構(gòu)重復(fù)單元為A)由次單元A和B形成的交替共聚物(…-A-B-A-B-A-B-…)時(shí):模型化合物H-A-B-A-B-A-B-H(結(jié)構(gòu)重復(fù)單元為-A-B-)(ii)該聚合物為無規(guī)共聚物時(shí)與構(gòu)成無規(guī)共聚物的次單元的比例同等的最小單元(次單元的組合)以同一成分之間相隔最遠(yuǎn)的方式配置的單元為重復(fù)單元，3個(gè)該重復(fù)單元相連而成的2價(jià)基團(tuán)與2個(gè)氫原子結(jié)合而成的化合物。[例]A:B為1:2的無規(guī)共聚物時(shí):模型化合物H-A-B-A-A-B-A-A-B-A-H(與次單元的比例相等的最小單元(次單元的組合)以同一成分之間相隔最遠(yuǎn)的方式配置而成的重復(fù)單元為-A-B-A-)(iii)該聚合物為嵌段共聚物時(shí)關(guān)于選自(a)、(b)和(c)中的側(cè)鏈所結(jié)合的主鏈中的次單元所屬的嵌段，當(dāng)該嵌段由均聚物、交替共聚物、3種以上的次單元規(guī)則排列而成的共聚物的周期共聚物中的任一種形成時(shí)，根據(jù)上述(a)確定模型化合物，當(dāng)由無規(guī)共聚物形成時(shí)，根據(jù)(b)確定模型化合物。當(dāng)該側(cè)鏈結(jié)合的嵌段為多種時(shí)，關(guān)于所有這些嵌段，將用同樣的方法計(jì)算的LUMO能量的值中與側(cè)鏈的LUMO能量的值最接近的值作為主鏈的LUMO能量。另外，關(guān)于所有這些嵌段，將用同樣的方法計(jì)算的HOMO能量的值中與側(cè)鏈的HOMO能量的值最接近的值作為主鏈的HOMO能量的值。上述(a)中的具有電子輸送性的側(cè)鏈?zhǔn)侵妇哂杏休斔碗娮拥墓δ艿牟糠纸Y(jié)構(gòu)的側(cè)鏈(包括基團(tuán))，可列舉具有由2個(gè)以上具有非定域化LUMO分布的芳香環(huán)共軛而成的結(jié)構(gòu)的側(cè)鏈，廣義上電子注入性基團(tuán)、空穴阻止性基團(tuán)也屬于電子輸送性基團(tuán)?？墒褂靡酝Ｓ米麟娮拥碾姾勺⑷胼斔筒牧匣駿L元件的電子注入層、電子輸送層中使用的公知的化合部的部分結(jié)構(gòu)。作為其具體結(jié)構(gòu)，可列舉具有含有例如吡啶環(huán)、噁二唑環(huán)、三唑環(huán)等含氮芳香環(huán)的共軛結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，更具體而言，可列舉具有下示化合物的部分結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。(這里，在下示化合物的任一原子部位設(shè)置結(jié)合鍵，成為具有電子輸送性的側(cè)鏈。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>上述(b)中的具有空穴輸送性的側(cè)鏈?zhǔn)侵妇哂杏休斔涂昭ǖ墓δ艿牟糠纸Y(jié)構(gòu)的側(cè)鏈(包括基團(tuán))，可列舉具有由2個(gè)以上具有非定域化HOMO分布的芳香環(huán)共軛而成的結(jié)構(gòu)的側(cè)鏈，廣義上空穴注入性基團(tuán)、電子阻止性基團(tuán)也屬于空穴輸送性基團(tuán)。可使用具有以往常用作空穴的電荷注入輸送材料或EL元件的空穴注入層、空穴輸送層中使用的公知的化合物的部分結(jié)構(gòu)的側(cè)鏈。作為其具體結(jié)構(gòu)，可列舉具有芳香族胺骨架的基團(tuán)、具有咔唑骨架的基團(tuán)，更具體而言，可列舉具有下示化合物的部分結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。(這里，在下示化合物中的任一原子部位設(shè)置結(jié)合鍵，成為具有空穴輸送性的側(cè)鏈)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>上述(C)中的具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈?zhǔn)侵妇哂杏休斔碗娮雍涂昭ǖ墓δ艿牟糠纸Y(jié)構(gòu)的側(cè)鏈(包括基團(tuán))，具有由2個(gè)以上具有非定域化HOMO分布的芳香環(huán)共軛而成的結(jié)構(gòu)以及由2個(gè)以上具有非定域化LUMO分布的芳香環(huán)共軛而成的結(jié)構(gòu)。作為具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈，具體可例示含有下式表示的作為具有電子輸送性和空穴輸送性這兩個(gè)性質(zhì)的化合物而已知的(4，4，-雙(9-咔唑基)聯(lián)苯)(CBP)的結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。在本發(fā)明的高分子化合物具有的選自(a)、(b)和(c)中的側(cè)鏈中，優(yōu)選下述通式(1)表示的化合物的至少1個(gè)氫原子的結(jié)合部位為結(jié)合鍵的化合物殘基或該殘基與-z-表示的基團(tuán)結(jié)合而成的化合物殘基。構(gòu)成上式(1)中Ar1、Ar2、Ar3、A盧和Ar5表示的C6-C26亞芳基的環(huán)的碳原子數(shù)為626。作為該亞芳基的具體例子，可列舉亞苯基、聯(lián)苯二基、三聯(lián)苯二基、萘二基、蒽二基、菲二基、戊搭烯二基(pentalenediyl)、茚二基、庚搭烯二基(heptalenediyl)、苯并二茚二基(indacenediyl)、9，10-苯并菲二基(triphenylenediyl)、聯(lián)萘二基、苯基萘二基、芪二基、芴二基等。Ar1、Ar2、Ar3、Ar4禾dAr5表示的亞芳基可具有取代基，包含其取代基在內(nèi)的碳原子數(shù)為660左右。構(gòu)成Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5表示的2價(jià)的C3-C2。雜芳基的環(huán)的碳原子數(shù)為320。這里，2價(jià)的雜芳基是指從芳香族雜環(huán)化合物中除去2個(gè)氫原子后殘留的原子團(tuán)。作為該2價(jià)雜環(huán)基的具體例子，可列舉吡啶二基、二氮雜亞苯基(diazaphenylene)、喹啉二基、喹喔啉二基、吖啶二基、聯(lián)吡啶二基、鄰菲羅啉二基(phe腿throlinediyl)等。Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和A—表示的2價(jià)的C3-C2。雜芳基可具有取代基，包含其取代基在內(nèi)的碳原子數(shù)為360左右。作為Ar1、Ar2、Ar3、A/和Af5表示的(^6-(:26亞芳基以及2價(jià)的C3-C20雜芳基可具有的取代基，可列舉鹵原子、Crd2垸基、Q-C26芳基、C3-C20雜芳基、C廣d2烷基氧基、CVC26芳基氧基、C3-C20雜芳基氧基、C廣Ci2烷基硫基、C6-C26芳基硫基、C3-C20雜芳基硫基、C2-C12鏈烯基、C2-C12炔基、-N(Q2)(Q3)(其中，Q2和Q3分別獨(dú)立地表示氫原子、(VC,2烷基、C6-C26芳基或C3-C20雜芳基)、-C=N、-N02。作為鹵原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為d-C,2垸基，可例示與上述Q4、Q5、Q4勺說明中所述的C廣C,2烷基相同的基團(tuán)。作為(VC26芳基，可例示與上述Q4、Q5、(^的說明中所述的C6-C26芳基相同的基團(tuán)。作為CVC2。雜芳基，可例示與上述Q4、Q5、Ql勺說明中所述的C3-C20雜芳基相同的基團(tuán)。作為CVCu烷基氧基，可以是直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀中的任一種，可列舉甲氧基、乙氧基、丙基氧基、2-丙基氧基、丁基氧基、仲丁基氧基、叔丁基氧基、戊基氧基、2-甲基丁基氧基、異戊基氧基、己基氧基、環(huán)己基氧基、環(huán)己基甲基氧基、辛基氧基、壬基氧基、癸基氧基等。作為(VC26芳基氧基，可例示苯氧基、l-萘基氧基、2-萘基氧基等。作為CVC2。雜芳基氧基，可例示2-噻吩基氧基等。作為C,-d2垸基硫基，可例示將上述C,-d2烷基氧基的例示中的氧原子置換成硫原子后的基團(tuán)。作為CVC26芳基硫基，可例示將上述C6-C26芳基氧基的例示中的氧原子置換成硫原子后的基團(tuán)。作為C3-C2。雜芳基硫基，可例示將上述C3-C2Q雜芳基氧基的例示中的氧原子換成硫原子后的基團(tuán)。作為C2-d2鏈烯基，可例示乙烯基、丙烯基、l-苯乙烯基、2-苯乙烯基等。17作為CVd2炔基，可例示乙炔基、丙炔基、苯基乙炔基等。作為-N(Q2)(Q3)表示的基團(tuán)，可例示氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、二(4-甲苯基)氨基、二(4-甲氧基苯基)氨基、芐基氨基等。作為Ar1、Ar2、Ar3、aZ和A—表示的(36-026亞芳基以及2價(jià)的C3-C20雜芳基可具有的取代基，優(yōu)選C廣C,2垸基、Q-C26芳基、-N(Q2)(Q3)表示的基團(tuán)。在A—表示的基團(tuán)中，從將本發(fā)明的高分子化合物用于高分子發(fā)光元件時(shí)的效率、壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選可被取代的亞苯基、可被取代的聯(lián)苯二基或下述結(jié)構(gòu)式(3):表示的基團(tuán)。上述式(3)中，a環(huán)和b環(huán)表示的芳香族烴環(huán)分別獨(dú)立地為苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)等。這些環(huán)可具有取代基。上述式(3)中，作為X，可列舉含有例如碳原子、氧原子、氮原子、硫原子的基團(tuán)，具體可列舉-C(Q7)(Q8)-、-C(=0)-、-O-、-S-、-S02-、-N(Q9)-等2價(jià)基團(tuán)以及選自其中的2個(gè)基團(tuán)結(jié)合而成的2價(jià)基團(tuán)。Q7、Q8、(^分別獨(dú)立地表示氫原子、Crd2烷基、Q-C26芳基或C3-C20雜芳基。作為CVd2烷基，可例示與上述Q4、Q5、(/的說明中所述的CVC12烷基相同的基團(tuán)。作為C6-C26芳基，可例示與上述Q4、Q5、(^的說明中所述的C6-C26芳基相同的基團(tuán)。作為C3-C2o雜芳基，可例示與上述Q4、Q5、QS的說明中所述的C3-C20雜芳基相同的基團(tuán)。作為上式(3)表示的基團(tuán)，可列舉例如可具有取代基的芴二基、二苯并呋喃二基、二苯并噻吩二基、咔唑二基、二苯并吡喃二基、菲二基等。其中，從合成的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選下述通式(1)表示的化合物的1個(gè)氫原子被結(jié)合鍵或-Z-(Z表示2價(jià)的基團(tuán))取代的基團(tuán)。作為-Z-表示的2價(jià)基團(tuán)，從合成的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選直鏈、支鏈或環(huán)狀的C!-C20亞垸基、CVC26亞芳基、2價(jià)的C3-C2Q雜芳基、-O-、-S-、-N(Q1Q)-、-C(=0)-或選自其中的2個(gè)以上基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)。Q^表示氫原子、可具有取代基的Crd2垸基、可具有取代基的CVC26芳基、或可具有取代基的C3-C2。雜芳基。作為CrC,2垸基，可例示與上述Q4、Q5、Q4勺說明中所述的CrC12烷基相同的基團(tuán)。作為C6-C26芳基，可例示與上述Q4、Q5、Ql勺說明中所述的C6-C26芳基相同的基團(tuán)。作為CVC2o雜芳基，可例示與上述Q4、Q5、QS的說明中所述的C3-C2。雜芳基相同的基團(tuán)。作為C廣C20亞烷基，可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀中的任一種，可例示亞甲基、1，2-乙二基、1，l-乙二基、1，3-丙二基、1，2-丙二基、1，4-丁二基、1，2-環(huán)戊二基、1，6-己二基、1，4-環(huán)己二基、1，2-環(huán)己二基、1，8-辛二基、1，10-癸二基等。上式(1)中，Xa表示直接結(jié)合或用于與Ar2、Ar3、氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)，Xb表示直接結(jié)合或與Ar4、Ar5、氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)。作為與Ar2、Ar3、氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)；與Ar4、A一及氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)，可列舉-O-、-S-、-N(Q11)-等。Q"表示氫原子、可具有取代基的Q-d2烷基、可具有取代基的C6-C26芳基、或可具有取代基的C3-C20雜芳基。作為Crd2垸基，可例示與上述Q4、Q5、(56的說明中所述的C廣C12烷基相同的基團(tuán)。作為Q-C26芳基，可例示與上述Q4、Q5、(^6的說明中所述的C6-C26芳基相同的基團(tuán)。作為C3-C2。雜芳基，可例示與上述Q4、Q5、QS的說明中所述的C3-C20雜芳基相同的基團(tuán)。作為Xa、Xb，優(yōu)選直接結(jié)合。上式(1)表示的基團(tuán)中，優(yōu)選下述通式(2)表示的基團(tuán)。RlaR8a、R"R8b表示的鹵原子、C廠Q2垸基、C6-C26芳基、C3-C20雜芳基、CrC12烷基氧基、C6-C26芳基氧基、C3-C2Q雜芳基氧基、Q-C,2烷基硫基、c6-c26芳基硫基、C3-C2Q雜芳基硫基、c2-c12鏈烯基、c2-c12炔基、-N(Q12)(Q13)分別與上述Ar1、Ar2、Ar3、A/禾口A/表示的C6-C26亞芳基以及2價(jià)的C3-C2。雜芳基可具有的取代基中說明的鹵原子、C廣Cj2垸基、C6-C26芳基、C3-C2。雜芳基、CVC!2烷基氧基、C6-C26芳基氧基、C3-C20雜芳基氧基、Crd2烷基硫基、Q-C26芳基硫基、C3-C20雜芳基硫基、C2-C12鏈烯基、C2-Cu炔基、-N(Q12)(Q13)相同的基團(tuán)。作為RlaR8a、R"RSb表示的基團(tuán)，優(yōu)選氫原子、d-C,2烷基、C6-C26芳基、-N(Q12)(Q13)表示的基團(tuán)。RlaR8a、R"RSb表示的基團(tuán)中，作為-Z'-表示的2價(jià)基團(tuán)，從合成的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選直鏈、支鏈或環(huán)狀的Q-C20亞烷基、C6-C26f芳基、2價(jià)的Q-C2o雜芳基、-0-以及選自其.中的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)。作為C廣C20亞垸基，可例示與上述-Z-的說明中的C-C20亞垸基相同的基團(tuán)。作為CVC26亞芳基，可例示與上述Ar1、Ar2、Ar3、A/和Ai^表示的Q-C26亞芳基相同的基團(tuán)。作為2價(jià)的CVC2。雜芳基，可例示與上述Ar1、Ar2、Ar3、A/和Ar5表示的2價(jià)的C3-C20雜芳基相同的基團(tuán)。作為選自上述的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)，可例示-Rk-0-、-R2c-0-R3c-、-0-R4c-0-、-R5c-R6c-(Rlc、R2c、R化和R化分別獨(dú)立地表示C廣C20亞垸基或C6-C26亞芳基，RSe表示d-C2。亞烷基，R^表示C6-C26亞芳基。)表示的2價(jià)基團(tuán)。式(2)表示的側(cè)鏈中，優(yōu)選RhRSa、R^RSb中僅有一個(gè)為結(jié)合鍵或-Z'-，更優(yōu)選R氣R3b、R6a、R"中的任一個(gè)為結(jié)合鍵或-Z'-。結(jié)合鍵、-Z，-中，優(yōu)選結(jié)合鍵、-O-、C,-C2o亞烷基或以-R"-0-R^-表示的基團(tuán)，更優(yōu)選C廣C2Q亞烷基或以-R氣0-R、表示的基團(tuán)。作為-R"-0-R、表示的基團(tuán)，更具體而言，可例示l，3-亞苯基氧基-l，3-丙二基、1，4-亞苯基氧基-1,3-丙二基、1，4-亞苯基氧基-l，6-己二基、1，l-乙二基氧基-l，3-丙二基、1，l-乙二基氧基-l，6-己二基等基團(tuán)。在本發(fā)明的高分子化合物中，當(dāng)共軛系高分子主鏈內(nèi)含有上述通式(4)表示的重復(fù)單元時(shí)，優(yōu)選選自(a)、(b)及(c)中的l種以上的側(cè)鏈與上述通式(4)表示的重復(fù)單元結(jié)合。此時(shí)，選自(a)、(b)及(c)的1種以上的側(cè)鏈可以與A環(huán)或B環(huán)結(jié)合，也可以與Y結(jié)合。作為本發(fā)明的高分子化合物中的選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈的含量(總計(jì))，當(dāng)以高分子化合物總體為100重量份時(shí)，通常為0.01重量份99.9重量份的范圍。作為本發(fā)明的高分子化合物中的上述通式(1)表示的側(cè)鏈的含量，當(dāng)以高分子化合物總體為100重量份時(shí)，通常為0.01重量份99.9重量份的范圍。作為其下限，優(yōu)選為0.1重量份以上，更優(yōu)選為10重量份以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40重量份以上。作為其上限，沒有特殊限制，優(yōu)選為99重量份以下，從合成的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為95重量份以下，進(jìn)一步優(yōu)選為91重量份以下。本發(fā)明的高分子化合物的第2形態(tài)是含有上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元的高分子化合物。本發(fā)明的高分子化合物的以聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量從溶解性、成膜性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為103108，進(jìn)一步優(yōu)選為3xl03106，更優(yōu)選為5xl035xl05。另外，以聚苯乙烯換算的重均分子量優(yōu)選為103108,從成膜性的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為3xl03107，更優(yōu)選為5xl035xl06。作為本發(fā)明的高分子化合物，可列舉由具有選自(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈的重復(fù)單元形成的均聚物、含有具有選自(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈的重復(fù)單元以及其他重復(fù)單元的無規(guī)共聚物、交替共聚物或嵌段共作為本發(fā)明的高分子化合物，還可列舉由上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元形成的均聚物、含有上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元以及其他重復(fù)單元的無規(guī)共聚物、交替共聚物、或嵌段共聚物等。作為具有選自(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈的重復(fù)單元、或上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元，優(yōu)選具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的芴二基、或具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的苯并芴二基，進(jìn)一步優(yōu)選下式(U-Ol、U-02、U-03、U-05、U-ll、U-12、U-13、U-15)表示的重復(fù)單元，22U-11U-12U-13U-15從合成的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選上式U-Ol、U-05、U-ll、U-15表示的重復(fù)單元。作為上式(U-Ol、U-02、U-03、U-05、U-ll、U-12、U-13、U-15)中的R表示的基團(tuán)，優(yōu)選CVC,2垸基、CVC26芳基。作為上式(U-Ol、U-02、U-03、U-05、U-ll、U-12、U-13、U-15)中的R表示的Crd2烷基，可例示與上述Q4、Q5、Q6的說明中所述的CrC12垸基相同的基團(tuán)，從溶解性的觀點(diǎn)出發(fā)，其中優(yōu)選2-甲基丁基、己基、辛基等C5-Cs烷基。作為上式(U-Ol、U-02、U-03、U-05、U-ll、U-12、U-13、U-15)中的R表示的C6-C26芳基，可例示與上述Q4、Q5、Q6的說明中所述的C6-C26芳基相同的基團(tuán)，從溶解性的觀點(diǎn)出發(fā)，其中優(yōu)選4-己基苯基、4-辛基苯基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、4-己基氧基苯基、4-(2-乙氧基乙基氧基)苯基等被垸基、烷氧基取代的苯基。作為上式(U-Ol、U-02、U-03、U-05、U-ll、U-12、U-13、U-15)中的R表示的C3-C2。雜芳基，可例示與上述Q4、Q5、Q4勺說明中所述的C3-C20雜芳基相同的基團(tuán)。作為具有選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈的重復(fù)單元或上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元，更優(yōu)選下述通式表示的重復(fù)單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>[式中，R表示與上述相同的意思，Rx表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的CrC20亞烷基、CVC26亞芳基、2價(jià)的CVC2。雜芳基以及選自它們中的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)。多個(gè)Rx可以相同也可以不同]作為具有選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈的重復(fù)單元或上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元，更具體而言，優(yōu)選例示以下重復(fù)單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>本發(fā)明的高分子化合物中，無規(guī)共聚物、交替共聚物或嵌段共聚物優(yōu)選含有下述通式(5)表示的、不含選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈或上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元，作為具有選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈的重復(fù)單元或上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>上式(5)中，a環(huán)和(3環(huán)表示的芳香族烴環(huán)分別獨(dú)立地為苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)等。這些環(huán)可具有取代基。上式(5)中，作為W，可列舉例如含有碳原子、氧原子、氮原子、硫原子的基團(tuán)，具體可列舉-C(Q11)(Q12)-、-C(-0)-、-O-、-S-、-S02-、-N(Q13)-等2價(jià)基團(tuán)以及選自其中的2個(gè)基團(tuán)結(jié)合而成的2價(jià)基團(tuán)。Q11、Q12、Q"分別獨(dú)立地表示氫原子、可具有取代基的Crd2垸基、可具有取代基的CVC26芳基或可具有取代基的CrC加雜芳基。作為上式(5)表示的重復(fù)單元，可列舉例如可具有取代基的芴二基、苯并芴二基、二苯并呋喃二基、二苯并噻吩二基、咔唑二基、二苯并吡喃二基、菲二基等，優(yōu)選可具有取代基的芴二基或可具有取代基的苯并芴二基。本發(fā)明的高分子化合物如本說明書所例示，在具有選自(a)、(b)及(c)中的側(cè)鏈的重復(fù)單元或上述通式(4)表示的且具有上述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元中，代替該重復(fù)單元所具有的與其他重復(fù)單元的結(jié)合鍵，合成具有適合所采用的聚合反應(yīng)的官能團(tuán)的單體(monomer)后，根據(jù)需要溶解于有機(jī)溶劑中，利用例如使用堿、適當(dāng)?shù)拇呋瘎?、配體的公知的芳基偶聯(lián)等聚合方法進(jìn)行聚合，或進(jìn)一步加入其他單體進(jìn)行共聚來合成。另外，也可以通過將事先合成的高分子主鏈鹵化、甲?；Ⅴ；群?，使其與具有能與這些基團(tuán)反應(yīng)成鍵的官能團(tuán)的選自(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈或上述通式(2)表示的基團(tuán)的前體反應(yīng)來合成。關(guān)于利用芳基偶聯(lián)的聚合方法，沒有特殊限制，例如將具有作為適合上述聚合反應(yīng)的官能團(tuán)的硼酸基或硼酸酯基的單體和具有作為官能團(tuán)的溴原子、碘原子、氯原子等鹵原子或三氟甲磺酸酯基、對甲苯磺酸酯基等磺酸酯基的單體在碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、磷酸三鉀、氟化鉀等無機(jī)堿、四丁基氟化銨、四丁基氯化銨、四丁基溴化銨、四乙基氫氧化銨等有機(jī)堿的存在下、采用由鈀[四(三苯基膦)]、[三(二亞芐基丙酮)]二鈀、乙酸鈀、雙(三苯基膦)二氯化鈀、雙(環(huán)辛二烯)鎳等Pd或Ni絡(luò)合物和根據(jù)需要使用的三苯基膦、三(2-甲基苯基)膦、三(2-甲氧基苯基)膦、二苯基膦基丙烷、三(環(huán)己基)膦、三(叔丁基)膦等配體構(gòu)成的催化劑通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)而聚合的方法、將具有鹵原子或三氟甲磺酸酯基等磺酸酯基的單體用由雙(環(huán)辛二烯)鎳等鎳O價(jià)絡(luò)合物和聯(lián)吡啶等配體構(gòu)成的催化劑、或使用由[雙(二苯基膦基)乙垸]二氯化鎳、[雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳等Ni絡(luò)合物以及根據(jù)需要使用的三苯基膦、二苯基膦基丙垸、三(環(huán)己基)膦、三(叔丁基)膦等配體構(gòu)成的催化劑和鋅、鎂等還原劑，根據(jù)需要在脫水條件下反應(yīng)通過Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng)而聚合的方法、將具有鹵化鎂基的化合物和具有鹵原子的化合物用[雙(二苯基膦基)乙烷]二氯化鎳、[雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳等Ni催化劑在脫水條件下反應(yīng)，利用芳基偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行聚合的通過Kumada-Tamao偶聯(lián)反應(yīng)而聚合的方法、以氫原子作為官能團(tuán)并利用FeCl3等氧化劑進(jìn)行聚合的方法、電化學(xué)氧化聚合的方法等。關(guān)于反應(yīng)溶劑，應(yīng)根據(jù)所采用的聚合反應(yīng)、單體及聚合物的溶解性等來作選擇，可例示四氫呋喃、甲苯、1，4-二噁垸、二甲氧基乙垸、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、它們中的2種以上的混合溶劑等有機(jī)溶劑或它們與水的二相溶劑。在Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)中，優(yōu)選四氫呋喃、甲苯、1，4-二噁烷、二甲氧基乙垸、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、它們的2種以上的混合溶劑等有機(jī)溶劑或它們與水的二相溶劑。通常為了抑制副反應(yīng)，反應(yīng)溶劑優(yōu)選進(jìn)行脫氧處理。在Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng)中，優(yōu)選例示四氫呋喃、甲苯、1，4-二噁垸、二甲氧基乙垸、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、它們中的2種以上的混合溶劑等有機(jī)溶劑。通常為了抑制副反應(yīng)，反應(yīng)溶劑優(yōu)選進(jìn)行脫氧處理。關(guān)于反應(yīng)溫度，只要在反應(yīng)溶劑保持液態(tài)的溫度范圍內(nèi)即可，沒有特殊限制，作為其下限，從反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，一般優(yōu)選在-10(TC以上，進(jìn)一步優(yōu)選在-2(TC以上，更優(yōu)選在0'C以上。作為其上限，從單體和高分子化合物的穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在20(TC以下，進(jìn)一步優(yōu)選在15(TC以下，更優(yōu)選在12(TC以下。上述芳基偶聯(lián)反應(yīng)中，從反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)、Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng)，進(jìn)一步優(yōu)選Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)和采用了鎳0價(jià)絡(luò)合物的Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng)。更詳細(xì)而言，關(guān)于利用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)的聚合，可參考例如在JournalofPolymerScience:PartA:PolymerChemistry,Vol.39，1533-1556(2001)中記載的公知方法。關(guān)于利用Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng)的聚合，可參考例如在Macromolecules1992,25,1214-1223中記載的公知方法。另外，作為將事先合成的高分子主鏈進(jìn)行鹵化等后，使其與具有能與這些基團(tuán)反應(yīng)成鍵的官能團(tuán)的側(cè)鏈或基團(tuán)的前體反應(yīng)的合成方法，沒有特殊限制，例如可例示如下方法利用在溶液中、在酸性條件下與溴反應(yīng)等方法進(jìn)行溴化后，通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)與具有硼酸基或硼酸酯基的前體反應(yīng)的方法。高分子化合物的提取可按照公知的方法來進(jìn)行。例如，通過在甲醇等低級醇中加入反應(yīng)溶液，將析出的沉淀過濾、干燥，可得到高分子化合物。當(dāng)經(jīng)上述后處理得到的高分子化合物的純度較低時(shí)，可用重結(jié)晶、利用索式提取器連續(xù)提取、柱色譜法等普通方法來精制。接著對本發(fā)明的高分子化合物的用途進(jìn)行說明。本發(fā)明的高分子化合物通常在固體狀態(tài)下發(fā)出熒光或磷光，可作為高分子發(fā)光體(高分子量的發(fā)光材料)使用。另外，該高分子化合物具有優(yōu)異的電荷輸送能力，能優(yōu)選用作高分子發(fā)光元件用材料、電荷輸送材料。使用了該高分子化合物的高分子發(fā)光元件是能以低電壓、高效率驅(qū)動(dòng)的高性能的高分子發(fā)光元件。因此，該高分子發(fā)光元件可應(yīng)用于液晶顯示器的背光源或照明用的曲面狀或平面狀光源、段式型顯示元件、點(diǎn)陣式平板顯示器等裝置。另外，本發(fā)明的高分子化合物還可作為激光用色素、有機(jī)太陽電池用材料、有機(jī)晶體管用導(dǎo)電性薄膜、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜等導(dǎo)電性薄膜用材料使用。此外，也可作為發(fā)出熒光或磷光的發(fā)光性薄膜材料使用。使用含有本發(fā)明的高分子化合物和溶劑的溶液時(shí)，通?？捎猛坎挤▉硇纬砂l(fā)光元件的發(fā)光層。因此，含有本發(fā)明的高分子化合物和溶劑的溶液優(yōu)選含有溶劑，且通常在-4040'C、1.0xl()Spa的壓力下為溶液的狀態(tài)。作為上述溶劑，可例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氫呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫化萘、十氫萘、正丁基苯、氯苯、鄰二氯苯等。當(dāng)使用這些溶劑時(shí)，雖然也取決于高分子化合物的分子量等，但通常可以相對于該溶劑溶解0.1重量％以上的高分子化合物。另外，這些溶劑可以單獨(dú)使用l種或2種以上合用。含有本發(fā)明的高分子化合物和溶劑的溶液中，該溶劑的量是相對于該溶液中的該溶劑以外的成分的總計(jì)100重量份通常為1000100000重量份左右。用本發(fā)明的溶液制成的薄膜是含有本發(fā)明的高分子化合物的薄膜，作為其例子，可例示發(fā)光性薄膜、導(dǎo)電性薄膜、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明的發(fā)光性薄膜是含有本發(fā)明的高分子化合物的發(fā)光性薄膜。作為該發(fā)光性薄膜，從在高分子發(fā)光元件上應(yīng)用的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為通過施加電壓而發(fā)出熒光或磷光的發(fā)光性薄膜。本發(fā)明的導(dǎo)電性薄膜是含有本發(fā)明的高分子化合物的導(dǎo)電性薄膜。作為該導(dǎo)電性薄膜，優(yōu)選表面電阻為lKQ/口以下。通過在薄膜摻入路易斯酸、離子性化合物等，能提高導(dǎo)電率。進(jìn)一步優(yōu)選表面電阻為100Q/::以下，更優(yōu)選為10Q/口以上。本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜是含有本發(fā)明的高分子化合物的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。該有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電子移動(dòng)度或空穴移動(dòng)度中任一較大一方優(yōu)選為10—ScmVV/秒以上。進(jìn)一步優(yōu)選為10、n^/V/秒以上，更優(yōu)選為10"cmVv/秒以上。通過在形成了Si02等絕緣膜和門電極的Si基板上形成該有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，用Au等形成源電極和漏電極，可制成有機(jī)晶體管。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件是含有本發(fā)明的高分子化合物的元件，更具體而言，例如是具有由陽極和陰極構(gòu)成的電極和設(shè)于該電極間且含有上述高分子化合物的發(fā)光層的元件。該高分子發(fā)光元件可用任何方法來制成，例如可由含有上述本發(fā)明的高分子化合物和溶劑的溶液來制作。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件例如包含(1)在陰極與發(fā)光層間設(shè)有電子輸送層的高分子發(fā)光元件、(2)在陽極與發(fā)光層間設(shè)有空穴輸送層的高分子發(fā)光元件、(3)在陰極與發(fā)光層間設(shè)有電子輸送層并在陽極與發(fā)光層間設(shè)有空穴輸送層的高分子發(fā)光元件等。作為本發(fā)明的高分子發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，可例示例如以下的a)d)。a)陽極/發(fā)光層/陰極b)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極C)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(這里，/表示各層鄰接層疊。下同。)發(fā)光層指具有發(fā)光功能的層?？昭ㄝ斔蛯又妇哂休斔涂昭ǖ墓δ艿膶?。電子輸送層指具有輸送電子的功能的層。另外，將空穴輸送層和電子輸送層總稱為電荷輸送層。發(fā)光層、空穴輸送層、電子輸送層可分別獨(dú)立地存在2層以上。與電極鄰接而設(shè)的空穴輸送層、電子輸送層中，將具有改善從電極的電荷注入效率的功能、具有降低元件的驅(qū)動(dòng)電壓的效果的層通常分別特稱為空穴注入層、電子注入層(以下有時(shí)將這兩層總稱為"電荷注入層")。此外，為了提高與電極的密合性或改善來自電極的電荷注入，可以與電極鄰接地設(shè)置上述電荷注入層或膜厚2nm以下的絕緣層，而且為了提高界面的密合性或防止混合等，可在電荷輸送層或發(fā)光層的界面插入薄緩沖層。層疊的層的種類、順序、層數(shù)以及各層的厚度可根據(jù)發(fā)光效率、元件壽命等來做適當(dāng)調(diào)整和選擇。關(guān)于發(fā)光層，例如當(dāng)用含有本發(fā)明的高分子化合物的溶液來成膜時(shí)，只要將該溶液涂布后通過干燥除去溶劑即可，而且在含有該高分子化合物的溶液中混入電荷輸送材料或發(fā)光材料時(shí)，也可使用同樣的方法，制造上非常方便。溶液成膜可采用例如旋轉(zhuǎn)涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴霧涂布法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布方法。發(fā)光層的厚度根據(jù)使用材料的不同，最佳值不同，調(diào)節(jié)成使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率為合適的值即可，例如從lnm到lpm，優(yōu)選為2nm600nm，更優(yōu)選為5nm400nm。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件中，在發(fā)光層可混合上述高分子化合物以外的發(fā)光材料。而且，這種含有高分子化合物以外的發(fā)光材料的發(fā)光層可與含有上述高分子化合物的發(fā)光層層疊。作為上述發(fā)光材料，可使用公知的材料。若是低分子化合物，例如可使用萘衍生物、蒽及其衍生物、茈及其衍生物、聚甲炔類、咕噸類、香豆素類、花青類等色素類、8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物、三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物、芳香胺、四苯基環(huán)戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物等。具體而言，可使用例如在日本專利特開昭57-51781號公報(bào)、日本專利特開昭59-194393號公報(bào)等中記載的材料等公知的材料。作為三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物，可列舉例如以銦為中心金屬的Ir(ppy)3、Btp2Ir(acac)、以鉬為中心金屬的PtOEP、以銪為中心金屬的Eu(TTA)3phen等。作為三重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物，具體例如在Nature,(1998),395,151、Appl.Phys.Lett.(1999),75(1),4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001),4105(OrganicLight-EmittingMaterialsandDevicesIV)，119、J.Am.Chem.Soc.,(2001),123，4304、Appl.Phys.Lett.,(1997),71(18)，2596、Syn.Met.，(1998),94(1)，103、Syn.Met"(1999)，99(2)，1361、Adv.Mater"(1999),11(10)，852、Jpn丄Appl.Phys.,34,1883(1995)等中有記載。當(dāng)本發(fā)明的高分子發(fā)光元件具有空穴輸送層時(shí)，通常該空穴輸送層使用空穴輸送材料(包括低分子材料、高分子材料。)。作為空穴輸送材料，可例示聚乙烯咔唑及其衍生物、聚硅垸及其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香胺的聚硅氧垸衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(對苯乙炔)及其衍生物、聚(2，5-噻吩乙炔)及其衍生物等。具體而言，作為該空穴輸送材料，可例示在日本專利特開昭63-70257號公報(bào)、日本專利特開昭63-175860號公報(bào)、日本專利特開平2-135359號公報(bào)、日本專利特開平2-135361號公報(bào)、日本專利特開平2-209988號公報(bào)、日本專利特開平3-37992號公報(bào)、日本專利特開平3-152184號公報(bào)中記載的材料等。其中，作為空穴輸送材料，優(yōu)選聚乙烯咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香胺化合物的殘基的聚硅氧垸衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(對苯乙炔)及其衍生物、聚(2，5-噻吩乙炔)及其衍生物等高分子的空穴輸送材料，更優(yōu)選聚乙烯咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、側(cè)鏈或主鏈具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物。當(dāng)采用低分子的空穴輸送材料時(shí)，優(yōu)選在高分子粘合劑中分散使用。聚乙烯咔唑及其衍生物例如可由乙烯基單體通過陽離子聚合或自由基聚合來得到。作為聚硅垸及其衍生物，可例示Chem.Rev.第89巻、1359頁(1989年)、英國專利GB2300196號公開說明書中記載的化合物等。合成方法也可采用其中記載的方法，特別優(yōu)選采用Kipping法?？昭ㄝ斔蛯拥某赡し椒]有特殊限制，若是低分子的空穴輸送材料，則可例示由與上述高分子粘合劑的混合溶液來成膜的方法，若是高分子的空穴輸送材料，則可例示利用溶液成膜的方法。作為溶液成膜中使用的溶劑，只要能溶解空穴輸送材料和/或高分子粘合劑即可，沒有特殊限制。作為該溶劑，可例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯類溶劑、四氫呋喃等醚類溶劑、甲苯、二甲苯等芳香烴類溶劑、丙酮、甲乙酮等酮類溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯類溶劑。溶液成膜可采用溶液的旋轉(zhuǎn)涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴霧涂布法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布方法。作為上述高分子粘合劑，優(yōu)選不極度阻礙電荷輸送的粘合劑，還優(yōu)選使用對可見光的吸收不強(qiáng)的粘合劑。作為高分子粘合劑，可例示聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。空穴輸送層的厚度根據(jù)使用材料的不同，最佳值不同，調(diào)節(jié)成使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率為合適的值即可，必須至少是不產(chǎn)生針孔的厚度，若過厚，則元件的驅(qū)動(dòng)電壓提高，不理想。因此，作為該空穴輸送層的膜厚，例如為lnmlfim，優(yōu)選為2nm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件通過使用特別是具有由芳香胺衍生的結(jié)構(gòu)單元的聚胺的空穴輸送層，可獲得更高的發(fā)光效率。本發(fā)明的高分子發(fā)光元件具有電子輸送材料層時(shí)，通常該電子輸送層采用電子輸送材料(包括低分子材料、高分子材料)。作為電子輸送材料，可使用公知的材料，可例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲垸(anthraquinodimethane)及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲垸及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。作為該電子輸送材料，具體可例示在日本專利特開昭63-70257號公報(bào)、日本專利特開昭63-175860號公報(bào)、日本專利特開平2-135359號公報(bào)、日本專利特開平2-135361號公報(bào)、日本專利特開平2-209988號公報(bào)、日本專利特開平3-37992號公報(bào)、日本專利特開平3-152184號公報(bào)中記載的材料等。其中，優(yōu)選噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物、8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，更優(yōu)選2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉醇)鋁、聚喹啉。作為電子輸送層的成膜方法，沒有特殊限制，若是低分子的電子輸送材料，則可例示粉末狀態(tài)的真空蒸鍍法、以及從溶液或熔融狀態(tài)成膜的方法，若是高分子電子輸送材料，則可例示從溶液或熔融狀態(tài)成膜的方法。從溶液或熔融狀態(tài)成膜時(shí)，可合用高分子粘合劑。作為溶液成膜中使用的溶劑，優(yōu)選能使電子輸送材料和/或高分子粘合劑溶解或均勻分散的溶劑。具體而言，可列舉在上述空穴輸送層的內(nèi)容中作為空穴輸送層的溶液成膜中使用的溶劑所例示的溶劑。該溶劑可以單獨(dú)使用1種，也可以2種以上合用。作為從溶液或熔融狀態(tài)的成膜方法，可列舉在上述空穴輸送層的內(nèi)容中作為空穴輸送層的溶液成膜方法所例示的方法。電子輸送層的厚度根據(jù)使用的材料的不同，最佳值不同，選擇使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率為合適的值的厚度即可，必須至少是不產(chǎn)生針孔的厚度，若過厚，則元件的驅(qū)動(dòng)電壓提高，不理想。因此，電子輸送層的膜厚通常為lnmljim，優(yōu)選為2nm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm。從溶液或熔融狀態(tài)的成膜可釆用旋轉(zhuǎn)涂布法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、線棒涂布法、浸漬涂布法、噴霧涂布法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等涂布方法。作為上述高分子粘合劑，優(yōu)選不極度阻礙電荷輸送的粘合劑，且優(yōu)選使用對可見光的吸收不強(qiáng)的粘合劑。作為高分子粘合劑，可例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(對苯乙炔)及其衍生物、聚(2，5-噻吩乙炔)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚硅氧烷等。電子輸送層的厚度根據(jù)使用的材料的不同，最佳值不同，調(diào)節(jié)成使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率為合適的值即可，必須至少是不產(chǎn)生針孔的厚度，若過厚，則元件的驅(qū)動(dòng)電壓提高，不理想。因此，電子輸送層的膜厚通常為l腿lpm,優(yōu)選為2腿500謹(jǐn)，更優(yōu)選為5謹(jǐn)200nm。作為陽極的材料，采用導(dǎo)電性的金屬氧化物膜、半透明的金屬薄膜等。具體而言，使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、以及它們的復(fù)合體氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等形成的用導(dǎo)電性玻璃制作的膜(NESA等)、金、鉑、銀、銅等，優(yōu)選ITO、氧化銦鋅、氧化錫。作為陽極的制作方法，可列舉真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、鍍敷法等。另外，作為陽極，也可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機(jī)的透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚可根據(jù)透光性和導(dǎo)電率來做適當(dāng)調(diào)整，通常為10nm10,，優(yōu)選為20腿l)Lim，更優(yōu)選為50腿500腿。為了易于注入電荷，在陽極上可設(shè)置由酞菁衍生物、導(dǎo)電性高分子、碳等形成的層、或由金屬氧化物或金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等形成的平均膜厚為2nm以下的層。作為陰極的材料，優(yōu)選功函數(shù)小的材料。例如，使用鋰、鈉、鉀、銣、36銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、鈀、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬以及它們中的2種以上的合金或它們中的1種以上和金、銀、鉬、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的l種以上的合金、石墨或石墨層間化合物等。作為合金的例子，可列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等?？蓪㈥帢O制成2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。陰極的膜厚可根據(jù)導(dǎo)電率和耐久性而做適當(dāng)調(diào)整，例如為10nm10pm，優(yōu)選為20nml|im，更{尤選為50nm500nm。作為陰極的制作方法，采用真空蒸鍍法、濺射法或?qū)⒔饘俦∧釅航拥膶訅悍ǖ?。另外，在陰極與有機(jī)層之間可設(shè)置由導(dǎo)電性高分子形成的層、或由金屬氧化物、金屬氟化物、有機(jī)絕緣材料等形成的平均膜厚為2nm以下的層，在陰極制作后，可設(shè)置保護(hù)該高分子發(fā)光元件的保護(hù)層。為了長期穩(wěn)定地使用高分子發(fā)光元件，優(yōu)選設(shè)置保護(hù)層和/或保護(hù)罩以從外部保護(hù)元件。作為保護(hù)層，可使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。作為保護(hù)罩，可使用玻璃板、表面經(jīng)低透水率處理的塑料板等，優(yōu)選采用如下方法將該罩用熱固化樹脂或光固化樹脂與元件基板貼合來密封。若用隔離物維持空間，則易于防止元件損傷。若在該空間內(nèi)封入氮或氬等惰性氣體，則可防止陰極的氧化，通過進(jìn)一步在該空間內(nèi)設(shè)置氧化鋇等干燥劑，易于抑制在制造工序中吸附的水分對元件造成損害。優(yōu)選采取其中任一個(gè)以上的方法。在本發(fā)明中，作為設(shè)有電荷注入層的高分子發(fā)光元件，可列舉例如與陰極鄰接設(shè)置電荷注入層的高分子發(fā)光元件、與陽極鄰接設(shè)置電荷注入層的高分子發(fā)光元件。具體而言，可列舉以下的e)p)的結(jié)構(gòu)。e)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極f)陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極i)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極1)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極0)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注人層/陰極p)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極作為電荷注入層的具體例子，可列舉含有導(dǎo)電性高分子的層、設(shè)于陽極與空穴輸送層之間且含有電離能為陽極材料和空穴輸送層中含有的空穴輸送材料的中間值的材料的層、設(shè)于陰極與電子輸送材料層之間且含有親電性為陰極材料和電子輸送層中含有的電子輸送材料的中間值的材料的層。當(dāng)電荷注入層是含有導(dǎo)電性高分子的層時(shí)，該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率優(yōu)選為10'5S/cm以上103S/cm以下，為了減少發(fā)光像素間漏電流，進(jìn)一步優(yōu)選為l(T5S/cm以上102S/cm以下，更優(yōu)選為l(T5S/cm以上10'S/cm以下。通常，為了使該導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率為1(T5S/Cm以上103S/cm以下，在該導(dǎo)電性高分子中摻入適量的離子。關(guān)于摻入的離子的種類，若是空穴注入層，則為陰離子，若是電子注入層，則為陽離子。作為陰離子的例子，可列舉聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等。作為陽離子的例子，可列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。電荷注入層的膜厚通常為lnm100nm，優(yōu)選2nm50nm。電荷注入層使用的材料可根據(jù)電極或鄰接的層的材料來做適當(dāng)選擇，可例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主鏈或側(cè)鏈含有芳香胺結(jié)構(gòu)的聚合物等導(dǎo)電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。膜厚2nm以下的絕緣層具有易于注入電荷的功能。作為絕緣層的材料，可列舉金屬氟化物、金屬氧化物、有機(jī)絕緣材料等。作為設(shè)有膜厚2nm以下的絕緣層的高分子發(fā)光元件，可列舉與陰極鄰接設(shè)置膜厚2nm以下的絕緣層的高分子發(fā)光元件、與陽極鄰接設(shè)置膜厚2nm以下的絕緣層的高分子發(fā)光元件。具體而言，可列舉以下的q)ab)的結(jié)構(gòu)。q)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/陰極r)陽極/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極s)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極t)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極u)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極v)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極w)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極x)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極y)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極z)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極aa)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極ab)陽極/膜厚2nm以下的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚2nm以下的絕緣層/陰極本發(fā)明的高分子發(fā)光元件通常在基板上形成。該基板只要是在形成電極、形成有機(jī)物的層時(shí)不發(fā)生變化的基板即可。作為基板的材料，可列舉例如玻璃、塑料、高分子膜、硅酮基板等。若是不透明的基板，則相反的電極(即離基板較遠(yuǎn)的電極)優(yōu)選為透明或半透明。通常，本發(fā)明的高分子發(fā)光元件所具有的陽極和陰極中的至少一方為透明或半透明。優(yōu)選陽極側(cè)為透明或半透明。本發(fā)明的高分子化合物、高分子發(fā)光元件可用于例如曲面狀光源、平面狀光源等面狀光源(例如照明等)；段式顯示裝置(例如段式顯示元件等)、點(diǎn)陣式顯示裝置(例如點(diǎn)陣平板顯示器等)、液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置、液晶顯示器的背光源等)等顯示裝置等。為了使用本發(fā)明的高分子發(fā)光元件得到面狀的發(fā)光，只要將面狀的陽極和陰極重疊配置即可。為了得到圖案狀的發(fā)光，有如下方法在面狀的發(fā)光元件的表面設(shè)置設(shè)有圖案狀開口的掩模的方法；使非發(fā)光部的有機(jī)物層非常厚而實(shí)質(zhì)上不發(fā)光的方法；將陽極或陰極的任一方或雙方電極圖案狀形成的方法。用上述任一種方法形成圖案，將多個(gè)電極以能獨(dú)立On/OFF的方式配置，即可得到能顯示數(shù)字或文字、簡單的符號等的段式顯示元件。此外，為了制成點(diǎn)陣元件，只要將陽極和陰極一起形成條狀并正交配置即可。利用將多種發(fā)光色不同的高分子熒光體分涂的方法或使用濾色器或熒光轉(zhuǎn)換濾光片的方法，能實(shí)現(xiàn)局部顏色顯示、彩色顯示。點(diǎn)陣元件可以被動(dòng)驅(qū)動(dòng)，也可以與TFT等組合而主動(dòng)驅(qū)動(dòng)。這些顯示元件可用作電腦、電視機(jī)、攜帶終端、手機(jī)、汽車導(dǎo)航儀、攝像機(jī)的取景器等的顯示裝置。面狀的發(fā)光元件為自發(fā)光的薄型元件，可適用于液晶顯示裝置的背光源用面狀光源或面狀的照明用光源。若使用柔性基板，則還可作為曲面狀的光源或顯示裝置使用。以下，列舉實(shí)施例以更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些。(數(shù)均分子量及重均分子量)這里，關(guān)于數(shù)均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)，利用GPC求出聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)。<GPC測定法>利用GPC(東曹制HLC-8220GPC)，使用3根TSKgelSuperHM-H(東曹制)串聯(lián)連接而成的柱子，以四氫呋喃為展開溶劑，以0.5mL/min的流速流過，在4(TC下測定。檢測器采用差示折射率檢測器。<合成例1>(化合物E、化合物F的合成)-化合物A的合成-在惰性氛圍氣下，向300ml三口燒瓶中加入l-萘硼酸5.00(29mmo1)、2-溴苯甲醛6.46gG5mmo1)、碳酸鉀10.0g(73mmo1)、甲苯36ml以及離子交換水36ml，在室溫下攪拌的同時(shí)，吹氬20分鐘。然后，加入四(三苯基膦)鈀16.8mg(0.15mmo1)，再在室溫下攪拌的同時(shí)吹氬10分鐘。升溫至10(TC，反應(yīng)25小時(shí)。冷卻至室溫后，用甲苯提取有機(jī)層，將得到的有機(jī)層用硫酸鈉干燥后，餾去溶劑。將如此得到的化合物用以甲苯環(huán)己烷=1:2(容積比)的混合溶劑為展開溶劑的硅膠柱進(jìn)行精制，得到下式化合物ACHO表示的白色結(jié)晶狀化合物A5.18g(收率86%)。'H-腹R(300MHz/CDCl3):S7.397.62(m、5H)、7.70(m、2H)、7.94(d、2H)、8.12(dd、2H)、9.63(s、1H)MS(APCI(+)):(M+H)+233-化合物B的合成-在惰性氛圍氣下向300ml的三口燒瓶中加入與上述同樣地合成的化合物A8.00g(34.4mmo1)和脫水THF46ml，冷卻至-78t:。然后，花30分鐘滴加正辛基溴化鎂(1.0mol/lTHF溶液)52ml。滴加結(jié)束后，升溫至0°C。攪拌1小時(shí)后，升溫至室溫，攪拌45分鐘。進(jìn)行冰浴并加入1N鹽酸20ml結(jié)束反應(yīng)，用乙酸乙酯提取有機(jī)層，將得到的有機(jī)層用硫酸鈉干燥。餾去溶劑后，用以甲苯己烷=10:1(容積比)的混合溶劑為展開溶劑的硅膠柱進(jìn)行精制，得到下式化合物B表示的淡黃色油狀化合物B7.64g(收率64%)。HPLC(高效液相色譜法)測定時(shí)可見2個(gè)峰，LC/MS(液相色譜法/質(zhì)量分析法)測定時(shí)為同一質(zhì)量數(shù)，因此推測是異構(gòu)體的混合物。-化合物C的合成-在惰性氛圍氣下，向500ml三口燒瓶中加入化合物B(異構(gòu)體的混合物)5.00g(14.4mmo1)和脫水二氯甲烷74ml，在室溫下攪拌溶解。然后，在室溫下花l小時(shí)滴加三氟化硼的乙醚絡(luò)合物，滴加結(jié)束后，在室溫下攪拌4小時(shí)。邊攪拌邊緩慢加入乙醇125ml,不發(fā)熱后用氯仿提取有機(jī)層，將得到的有機(jī)層水洗2次，用硫酸鎂干燥。餾去溶劑后，用以己垸為展開溶劑的硅膠柱進(jìn)行精制，得到下式表示的無色油狀化合物C3.22g(收率68%)。'H-麗R(300MHz/CDCl3):SO.卯(t、3H)、1.031.26(m、14H)、2.13(m、2H)、4.05(t、1H)、7.35(dd、1H)、7.467.50(m、2H)、7.597,65(m、3H)、7.82(d、1H)、7,94(d、1H)、8.35(d、1H)、8.75(d、1H)MS(APCI(+)):(M+H)+329-化合物D的合成-在惰性氛圍氣下向200ml三口燒瓶中加入離子交換水20ml，邊攪拌邊少量添加氫氧化鈉l&9g(0.47md)，使其溶解。將得到的水溶液冷卻至室溫后，加入甲苯20ml、與上述同樣地合成的化合物C5.17g(15.7mmo1)以及三丁基溴化銨1.52g(4.72mmo1)，升溫至5(TC。滴加正辛基溴，滴加結(jié)束后，在5(TC下反應(yīng)9小時(shí)。反應(yīng)結(jié)束后，用甲苯提取有機(jī)層，將得到的有機(jī)層水洗2次，用硫酸鈉干燥。餾去溶劑后，用以己烷為展開溶劑的硅膠柱進(jìn)行精制，得到下式表示的黃色油狀化合物D5.13g(收率74%)。!H-NMR(300MHz/CDCl3):S0.52(m、2H)、0.79(t、6H)、1.001.20(m、22H)、2.05(t、4H)、化合物C7.34(d、1H)、7.407.53(m、2H)、7.63(m、3H)、7.83(d、1H)、7.94(d、1H)、8.31(d、1H)、8.75(d、1H)MS(APCI(+)):(M+H)+441-化合物E的合成-在空氣氛圍氣下，向50ml的三口燒瓶中加入化合物D4.00g(9.08mmo1)和乙酸二氯甲烷=1:1(容積比)的混合溶劑57ml，在室溫下攪拌，使其溶解。然后，加入芐基三甲基三溴化銨7.79g(20.0mmo1)，邊攪拌邊加入氯化鋅直至芐基三甲基三溴化銨完全溶解。在室溫下攪拌20小時(shí)后，加入5重量％亞硫酸氫鈉水溶液10ml停止反應(yīng)，用氯仿提取有機(jī)層，將得到的有機(jī)層用碳酸鉀水溶液洗滌2次，用硫酸鈉干燥。用以己烷為展開溶劑的快速柱色譜精制2次后，用乙醇己烷=1:1(容積比)的混合溶劑重結(jié)晶，然后，用乙醇己烷=10:1(容積比)的混合溶劑進(jìn)行重結(jié)晶，得到下式化合物E表示的白色結(jié)晶狀化合物E4.13g(收率76%)。!H-畫R(300MHz/CDCl3):50.60(m、4H)、0.91(t、6H)、1.011.38(m、20H)、2.09(t、4H)、7.627.75(m、4H)、7.89(s、1H)、8.20(d、1H)、8.47(d、1H)、8,72(d、1H)MS(APPI(+)):M+596-化合物F的合成-將100mL的四口圓底燒瓶用氬氣置換后，裝入化合物E(3.2g、5.3mmo1)、雙戊酰二硼(bispinacolatodiboron)(3.8g、14.8mmol)、PdCl2(dppf)(0.39g、0.45mmol)、雙(二苯基膦)二茂鐵(bis(diphenylphosphinoferrocene))(0.27g、0.45mmoD以及乙酸鉀(3.1g、32mmol)，加入脫水二噁垸45ml。在氬氛圍氣下升溫至IO(TC，反應(yīng)3643小時(shí)。放冷后，預(yù)涂硅藻土2g進(jìn)行過濾，濃縮后得到黑色液體。將該黑色液體與己烷50g混合，將如此得到的混合溶液通過預(yù)涂鈉沸石5g進(jìn)行過濾、用活性炭除去著色成分，得到37g淡黃色液體。在該淡黃色液體中加入乙酸乙酯6g、脫水甲醇12g以及己烷2g，浸到干冰-甲醇浴中進(jìn)行晶析，過濾、干燥，得到下式表示的無色結(jié)晶狀化合物F2.1g。合成例2<聚合物1的合成>在氬氛圍氣下，向連接有Dimroth冷凝器的1L三口燒瓶中加入與上述同樣地合成的化合物E17.0g(28.4mmo1)、與上述同樣地合成的化合物F19.4g(28.0mmo1)以及甲苯311mL，然后通過吹氮?dú)鈱⑷萜鲀?nèi)的氣體進(jìn)行氮置換。升溫至45"后，加入乙酸鈀19mg及三(鄰甲氧基苯基)膦118mg，在45。C下攪拌5分鐘后，加入33重量％的雙(四乙基銨)碳酸鹽水溶液25.9mL，在114。C下攪拌24小時(shí)。然后，加入4-溴甲苯5.27g(30.8mmo1)，在114'C下攪拌1小時(shí)，然后加入4-叔丁基苯基硼酸5.48g(30.8mmo1)，在114。C下攪拌1小時(shí)。冷卻至65°C，用5重量％二乙基二硫代氨基甲酸鈉水溶液洗2次，用2N鹽酸洗2次，用10重量％乙酸鈉水溶液洗2次，用水洗滌6次后，將得到的有機(jī)層進(jìn)行硅藻土過濾，減壓濃縮，向甲醇中滴加，使聚合物沉淀。將得到的沉淀物過濾，減壓干燥得到粉末后，再溶于甲苯中，滴加到甲醇中沉淀，反復(fù)此操作2次。將如此得到的沉淀減壓干燥，得到具有下式化合物F表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(從裝入原料推測)(以下稱為"聚合物l")22.4g(收率90.3%)。另外，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量Mn為7.9xl04，聚苯乙烯換算的重均分子量Mw為1.7xl05。合成例3<聚合物2的合成聚合物1的溴化>在氬氣氛圍氣下，向lOOmL燒瓶中裝入聚合物1(l.Og、以苯并芴重復(fù)單元換算為2.28mmo1)、氯仿50mL，在室溫下攪拌溶解后，依次裝入三氟乙酸3.5mL、溴91(iL(1.78mmo1、相對于苯并芴單元為78摩爾％)，遮光下攪拌6小時(shí)。將反應(yīng)物在攪拌下滴入甲醇250mL，使其沉淀。將得到的沉淀過濾，用甲醇洗滌，減壓干燥，得到聚合物1.09g。將該聚合物在氬氣氛圍氣下裝入100mL燒瓶中，向其中裝入氯仿50mL，在室溫下攪拌溶解后，依次加入三氟乙酸3.4mL、溴41)iL(0.80mmo1、相對于苯并藥單元為36摩爾％)，在遮光下攪拌17小時(shí)。將反應(yīng)物在攪拌下滴入甲醇250mL，使其沉淀。將得到的沉淀過濾，用甲醇洗滌，減壓干燥，得到聚合物1.08g。將得到的聚合物稱為聚合物2。得到的聚合物2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量Mn=7.4xl04，重均分子量Mw=1.6xl05，分散度Mw/Mn=2.2。元素分析的結(jié)果可知，具有Br基的重復(fù)單元(式P-2)和不含Br的重復(fù)單元(式P-1)的比例相當(dāng)于(P-l)/(P-2)=35/65，(總苯并芴重復(fù)單元)版基=61/39。元素分析測定值C80.20%、H8.40%、N<0.3%、BrlO.56%元素分析計(jì)算值C80.92%、H8.51%、N0%、BrlO.56%((P-l)/(P-2)=35/65時(shí)的計(jì)算值)合成例4<化合物G的合成>化合物Ga化合物Gb在氮氛圍氣下，向50ml的三口燒瓶中裝入化合物Ga1.32g(6mmo1)、脫水二甲基甲酰胺26.4g，在室溫下攪拌溶解后，冷卻至0。C。然后在14°C花35分鐘裝入分散于礦物油中的氫化鈉(含量60%)0.29g(7.2mmol)，在12T:下攪拌2.5小時(shí)。然后，在1.52.5匸下花5分鐘以5成比例裝入化合物Gb2.42g(4mmo1)。在1.52。C下攪拌1小時(shí)，在室溫下攪拌2小時(shí)。然后在室溫下追加化合物Ga0.44(2mmo1)g、氫化鈉0.15g(3.8mmo1)，在室溫下攪拌1.5小時(shí)。在300ml三口燒瓶中加水100ml，邊攪拌邊向其中緩慢加入反應(yīng)液。將該液體從燒瓶移至300ml分液漏斗，用氯仿100ml提取3次。將氯仿層移至500ml分液漏斗，用水100ml洗滌3次。用蒸發(fā)器在75。C下將氯仿層減壓濃縮，得到濃縮物3.95g。用硅膠色譜法精制4次{展開溶劑氯仿/正己烷/三乙胺(1/1/0.002，容積比例)}，得到無色固體的化合物G1.64g(收率55.0%)。^-麗R(270MHz/CDCl3):51.33(s、12H)、2.232.26(m、2H)、3.003.05(t、2H)、4.034.08(t、2H)、6.916.95(d、2H)、7.287.35(m、4H)、7.427.53(m、7H)、7.687.78(m、6H)、7.897.93(m、4H)、7.998.11(s、1H)、8.138.19(m、2H)化合物G實(shí)施例1<高分子化合物1的合成>將聚合物2(500mg、以苯并芴重復(fù)單元換算為1.56mmo1)、化合物G(731mg、0.98mmo1)、乙酸鈀(II)(1.5mg)、三環(huán)己基膦(3.7mg)裝入100mL燒瓶，用氬氣置換后，裝入市售脫水甲苯60mL，在室溫下攪拌溶解。裝入四乙基氫氧化銨水溶液(1.4mol/L、2.4mL)，升溫至ll(TC后，在11(TC下攪拌3小時(shí)，然后裝入4-叔丁基-4，4，5，5-四甲基-[1，3，2]二氧硼戊環(huán)-2-基苯532mg、乙酸鈀(II)(0.4mg)、三環(huán)己基膦(l.lmg)、四乙基氫氧化銨水溶液(1.4mol/L、0.7mL)，在ll(TC下攪拌3小時(shí)。冷卻至室溫后，用甲苯稀釋，用15%鹽水洗滌，將得到的有機(jī)層進(jìn)行硅藻土過濾，減壓濃縮，滴入丙酮中，使其沉淀。將得到的沉淀過濾，用丙酮洗滌，減壓干燥，得到粗聚合物815mg。將上述粗聚合物814mg在室溫下溶解于甲苯167mL，使溶液流過事先流過甲苯的硅膠柱和氧化鋁柱，然后用甲苯洗脫后，依次用3重量％氨水溶液、水進(jìn)行洗滌，減壓濃縮，得到15g的溶液。將其滴入丙酮中，再沉淀。將沉淀過濾，用丙酮洗滌，減壓干燥，得到聚合物794mg。將得到的聚合物稱為高分子化合物1。得到的高分子化合物1的以聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量Mn=8.7xl04，重均分子量Mw=1.7xl05，分散度Mw/Mn=2.0。元素分析的結(jié)果可知，重復(fù)單元(式P-1)、具有Br基的重復(fù)單元(式P-2)、具有側(cè)鏈的重復(fù)單元(P-3)的比例相當(dāng)于(P-l)/(P-2)/(P-3)=35/0/65，苯并新重復(fù)單元和側(cè)鏈的比例相當(dāng)于苯并芴/側(cè)鏈=61/39。元素分析測定值C88.92%、H7.57%、N2.05%、Br<0.1%元素分析計(jì)算值:C89.06%、H7.55%、N2.16%、BrO%((P-l)/(P-2)/(P-3)=35/0/65時(shí)的計(jì)算值)(P-1)(P-2)(p—3)合成例5(化合物H的合成)化合物Ha化合物Hb在氮氛圍氣下，向50ml的三口燒瓶中裝入33%氫氧化鈉水14.3g、化合物Ha0.65g(2mmo1)、四正丁基溴化銨0.39g(1.2mmo1)、甲苯6.5g，升溫至45i:。然后，在455(TC下裝入化合物Hb3.03g(5mmo1)，在相同溫度下攪拌4小時(shí)。攪拌后冷卻至室溫，將反應(yīng)液移至300ml分液漏斗。裝入甲苯50ml，用水100ml洗滌甲苯層3次。用蒸發(fā)器在75"C下將甲苯層減壓濃縮，得到3.77g濃縮物。用硅膠色譜法精制2次{展開溶劑氯仿/正己烷(1/1，容積比例)}，得到淡紅色固體2.42g。在該固體中加入氯仿30g，攪拌回流0.5小時(shí)。然后，加入正己垸45g，攪拌回流0.5小時(shí)。冷卻至室溫后過濾，將濾餅用正己烷10ml洗滌。重復(fù)此攪拌回流操作2次，得到淡黃紅色固體2.06g。將該固體用硅膠色譜法精制(展開溶劑氯仿/正己垸(1/1，容積比例)}，得到淡黃色固體1.67g。將該固體在5(TC下溶于氯仿100ml,加活性炭1.7g,在5(TC45t:下攪拌1小時(shí)，冷卻至室溫后，濾除活性炭。將濾液用蒸發(fā)器在75"C下減壓濃縮，得到化合物H1.40g(收率50.9%)。'H-麗R(270MHz/CDCl3):Sl.03~l.06(m、4H)、1.992.05(m、4H)、2.552.60(t、4H)、6.997.012(d、2H)、7.287.56(m、24H)、7.657.71(m、9H)、7.75(s、2H)、7.857.91(m、9H)、8.108.19(m、6H)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>實(shí)施例2<高分子化合物2的合成>在氬氣氛圍氣下，向50mL燒瓶中使9，9-二辛基-2，7-二溴芴33mg(0.06mmol)、化合物H291mg(0.24mmol)、2，2，-聯(lián)吡啶103mg(0.66mmo1)溶于脫水四氫呋喃23mL后，吹氬氣15分鐘。升溫至6(TC后，加入雙(l，5-環(huán)辛二烯)鎳(0){Ni(cod)2}182mg(0.66mmol)，攪拌3小時(shí)使其反應(yīng)。反應(yīng)后，將該反應(yīng)液冷卻至室溫(約25°C)，滴入25%氨水5.5g/甲醇22g/蒸餾水28g的混合溶液中，使聚合物沉淀。將得到的沉淀過濾，用甲醇洗滌，減壓干燥，得到粗聚合物277mg。將上述粗聚合物277mg在40。C下溶于四氫呋喃50mL中，以鈉沸石為過濾助劑進(jìn)行過濾，進(jìn)而用四氫呋喃洗脫后，使溶液通過事先流過四氫呋喃的硅膠柱和氧化鋁柱，進(jìn)而用四氫呋喃洗脫后，減壓濃縮，得到10g的溶液。將其滴入甲醇中，再沉淀。將沉淀過濾，用甲醇洗滌，減壓干燥，得到聚合物209mg。將得到的聚合物稱為高分子化合物2。得到的高分子化合物2的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量Mn=6.8xl04，重均分子量Mw=1.9xl05，分散度Mw/Mr^2.8。從裝料比例推測的高分子化合物2中的重復(fù)單元(式P-4)、(P-5)的比例為(P-4)/(P-5)=20/80。<高分子化合物1和2的主鏈、側(cè)鏈的HOMO能量和LUMO能量的值><模型化合物>實(shí)施例1的高分子化合物的側(cè)鏈如上所述，為所示的化合物。實(shí)施例1的高分子化合物的側(cè)鏈全部用氫原子取代后的聚合物是由H'、H形成的均聚物。因此，共軛系高分子主鏈的模型化合物如下。主鏈3聚體1[實(shí)施例2的高分子化合物2]實(shí)施例2的高分子化合物2的側(cè)鏈如下,//、—OCH2—因此，側(cè)鏈的模型化合物如下。側(cè)鏈2;施例2的高分子化合物2的側(cè)鏈用氫原子取代后的聚合物是由下述形成的均聚物。因此，共軛系高分子主鏈的模型化合物如下。^7^^^主鏈3聚體2<分子軌道計(jì)算>對上述各模型化合物，用半經(jīng)驗(yàn)分子軌道法MOPAC2002Version1.00，利用AM1法(Dewar，M丄S.etal，J.Am,Chem.Soc.,107,3902(1985))進(jìn)行求最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的計(jì)算(關(guān)鍵詞通過AMIPRECISEEF反復(fù)計(jì)算直至最終達(dá)到收斂)，由此可得到高分子化合物1和2的主鏈、側(cè)鏈的LUMO和HOMO的分布和能量值。結(jié)果如表l所示。(表l:分子軌道計(jì)算結(jié)果)<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table><高分子化合物3的合成>將化合物E22.5g和2，2'-聯(lián)吡啶17.6g裝入反應(yīng)容器后，將反應(yīng)體系內(nèi)用氮?dú)庵脫Q。向其中加入事先吹氬氣而脫氣后的四氫呋喃(脫水溶劑)1500g。然后，在該混合溶液中加入31g雙(1，5-環(huán)辛二烯)鎳(0)，在室溫下攪拌10分鐘后，在6(TC下反應(yīng)3小時(shí)。另外，在氮?dú)夥諊鷼庵羞M(jìn)行反應(yīng)。反應(yīng)后，將該反應(yīng)溶液冷卻，然后在該溶液中注入25%氨水200m1/甲醇900ml/離子交換水900ml混合溶液，攪拌約1小時(shí)。然后，將生成的沉淀過濾，回收。將該沉淀減壓干燥后，溶于甲苯。將該甲苯溶液過濾，除去不溶物后，使該甲苯溶液通過填充了二氧化鋁的柱子進(jìn)行精制。然后，將該甲苯溶液用1N鹽酸水溶液洗滌，靜置，分液后，回收甲苯溶液。然后，將該甲苯溶液用約3%氨水洗滌，靜置，分液后，回收甲苯溶液。然后，將該甲苯溶液用離子交換水洗滌，靜置，分液后，回收甲苯溶液。然后，將該甲苯溶液注入甲醇中，生成再沉淀。然后，回收生成的沉淀，用甲醇洗滌后，將該沉淀減壓干燥，得到聚合物6.0g。將該聚合物稱為高分子化合物2。得到的高分子化合物2的以聚苯乙烯換算重均分子量為8.2xl06，數(shù)均分子量為1.0x105。高分子化合物3由重復(fù)單元(式P-1)形成。(P-1)比較例2<高分子化合物4的合成>將2，7-二溴-9，9-二正辛基芴65.8g、2，7-二溴-9，9-雙(2-甲基丁基)芴14.0g和2，2，-聯(lián)吡啶55.0g溶于脫水的四氫呋喃4000mL后，吹氮將體系內(nèi)進(jìn)行氮置換。在氮氛圍氣下，向該溶液中加入雙(l，5-環(huán)辛二烯)鎳(0){Ni(COD)2}(10U6g)，升溫至6(TC，邊攪拌邊反應(yīng)8小時(shí)。反應(yīng)后，將該反應(yīng)液冷卻至室溫(約25°0，滴入25。/。氨水3000mL/甲醇3000mL/離子交換水3000mL混合溶液中，攪拌0.5小時(shí)后，將析出的沉淀過濾，減壓干燥2小時(shí)，然后溶于甲苯2775mL進(jìn)行過濾，在濾液中加入甲苯，制成約7000mL的溶液，用1N鹽酸水5000ml洗漆1小時(shí)、用4%氨水5500mL洗滌1小時(shí)、用離子交換水2500mL洗滌10分鐘、進(jìn)而用離子交換水2500mL洗滌10分鐘，洗滌有機(jī)層。將有機(jī)層在5(TC下減壓濃縮至1481g后，滴入甲醇8300mL，攪拌0.5小時(shí)，將析出的沉淀過濾，用甲醇1250mL洗滌2次后，在5(TC下減壓干燥5小時(shí)。得到的聚合物的收量為52.9g。將該共聚物稱為高分子化合物4。聚苯乙烯換算的重均分子量為Mw=4.7><105。由裝料比例推測的高分子化合物4中的重復(fù)單元(式P-4)、(P-6)的比例為(P-4)/(P陽6)=80/20。合成例6<高分子化合物5的合成>在惰性氛圍氣下，將N，N，-雙(4-溴苯基)-N，N，-雙(4-正丁基苯基)1，4-苯二胺(1.911g)、N，N，-雙(4-溴苯基)苯基胺(0.484g)、2，2'-聯(lián)吡啶(1.687g)溶于事先吹氬的脫水四氫呋喃109mL。將該溶液升溫至60。C后，加入雙(1，5-環(huán)辛二烯)鎳(0){Ni(COD)2}(2.971g)，攪拌，反應(yīng)5小時(shí)。將該反應(yīng)液冷卻至室溫，滴入25%氨水14mL/甲醇109mL/離子交換水109mL混合溶液中，攪拌1小時(shí)后，將析出的沉淀過濾并減壓干燥，溶于甲苯120ml。溶解后，加入鈉沸石0.48g，攪拌30分鐘，過濾不溶物。使得到的濾液通過二氧化鋁柱進(jìn)行精制。然后加入4%氨水236mL，攪拌2小時(shí)后除去水層。然后在有機(jī)層加入離子交換水約236mL，攪拌1小時(shí)候，除去水層。然后，將有機(jī)層加入甲醇376ml中，攪拌0.5小時(shí)，將析出的沉淀過濾，減壓干燥。得到的聚合物(以后稱為高分子化合物5)的收量為1.54g。另外，聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量和重均分子量分別為Mn=7.4xl03，Mw=7.6xl04。<空穴注入層的制作〉將高分子化合物5和交聯(lián)劑DPHA(二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥制KAYARADDPHA))以80/20的比例混入甲苯并溶解。然后，用0.2微米徑的鐵氟龍(注冊商標(biāo))過濾器過濾，制備涂布溶液。在用濺射法以150nm的厚度形成ITO膜的玻璃基板上，將上述溶液通過旋轉(zhuǎn)涂布來制膜，在氮氛圍氣下，以30(TC/20分鐘的條件進(jìn)行烘烤，制作空穴注入層。用探針式膜厚計(jì)(Veeco公司制DEKTAK)測定烘烤后的空穴注入層的膜厚，結(jié)果約為50nm。<發(fā)光層用溶液組合物的制備>將高分子化合物溶于表2所示的涂布溶劑中。然后，用0.2微米徑的鐵氟龍(注冊商標(biāo))過濾器進(jìn)行過濾，制備涂布溶液。實(shí)施例3<元件的制作和評價(jià)>在空穴注入層之上用制好的高分子發(fā)光體涂布溶液通過旋轉(zhuǎn)涂布來形成約70nm厚的膜。然后，將其在減壓下于90。C干燥1小時(shí)后，蒸鍍4nm氟化鋰作為陰極緩沖層、5nm鈣作為陰極、100nm鋁，制作高分子發(fā)光元件。蒸鍍時(shí)的真空度均為19xlO-STorr。對得到的發(fā)光部為2mmx2mm(面積4mm2)的元件階段性施加電壓，測定高分子發(fā)光體的EL發(fā)光的亮度，由此得到發(fā)光效率值。得到的元件的發(fā)光效率的最大值、PL熒光強(qiáng)度的最大值如表2所示。壽命試驗(yàn)在10mA的恒定電流驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行。初期亮度和亮度半衰期如表2所示。另外，作為發(fā)光效率和壽命的平衡的指標(biāo)，最大效率和亮度半衰期之積(項(xiàng)目效率x壽命)如表2所示。(表2:元件結(jié)果一覽)<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>如表2所示，將高分子化合物1和3、高分子化合物2和4分別進(jìn)行比較可知，用實(shí)施例的高分子化合物制作的元件與采用比較例的高分子化合物的情況相比，是在壽命試驗(yàn)中顯示長壽命，且發(fā)光效率和壽命的平衡也很好的高分子發(fā)光元件。工業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的高分子化合物用作發(fā)光元件的材料時(shí)，能使該發(fā)光元件的壽命與發(fā)光效率達(dá)到較高的平衡。因此，含有本發(fā)明的高分子化合物的高分子發(fā)光元件可適用于液晶顯示器的背光源或照明用的曲面狀或平面狀光源、段式顯示元件、點(diǎn)陣平板顯示器等裝置。權(quán)利要求1.一種高分子化合物，其含有共軛系高分子主鏈和選自以下的(a)、(b)及(c)中的1種以上的側(cè)鏈，(a)為具有電子輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，(b)為具有空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，(c)為具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，且該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子化合物，其具有所述(a)的側(cè)鏈。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的高分子化合物，其具有所述(b)的側(cè)鏈。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子化合物，其具有所述(c)的側(cè)鏈。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其特征在于，選自所述(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈?zhǔn)窍率鐾ㄊ?1)表示的化合物中的至少1個(gè)氫原子的結(jié)合部位為結(jié)合鍵的化合物殘基或該殘基進(jìn)而與-z-表示的基團(tuán)結(jié)合而成的化合物殘基，式中，A—表示Q-C26亞芳基、2價(jià)的C3-C2o雜芳基、三苯基胺-4，4，-二基、或者選自這些基團(tuán)中的2個(gè)以上的基團(tuán)直接地或經(jīng)由以-N(Q1)-表示的2價(jià)基團(tuán)結(jié)合而成的2價(jià)芳香族基，其中，(^表示氫原子、Q-d2垸基、Q-C26芳基或C3-C2o雜芳基，Ar2、Ar3、Ar4以及Ar5分別獨(dú)立地表示C6-C26亞芳基或2價(jià)的CrC2o雜芳基，該Ar1、Ar2、Ar3、A/及Ar5可具有取代基，Xa表示用于與Ar2、Ar3以及氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)或直接結(jié)合，Xb表示用于與Ar4、Ar5以及氮原子一起形成六元環(huán)的原子或原子團(tuán)或直接結(jié)合，Z表示2價(jià)的基團(tuán)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高分子化合物，其特征在于，選自所述(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈?zhǔn)窍率鐾ㄊ?2)表示的基團(tuán)，式中，A,表示聯(lián)苯-4，4，-二基、芴-2，7-二基、菲-3，8-二基、三苯基胺-4，4，-二基或從它們中獨(dú)立地選擇的2個(gè)以上的基團(tuán)相互結(jié)合而成的2價(jià)基團(tuán)，該A一可具有取代基，RlaR8a、RibRSb分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、Ct-C,2烷基、C6-C26芳基、CVC2()雜芳基、d-Cn烷基氧基、C6-C26芳基氧基、CVC2。雜芳基氧基、Crd2烷基硫基、C6-C26芳基硫基、C3-C20雜芳基硫基、C2-Cu鏈烯基、CVd2炔基、-N(Q2)(Q3)、-C三N、-N02、結(jié)合鍵或以-Z，-表示的基團(tuán)，其中，-N(Q2)(Q3)中的(52和(^分別獨(dú)立地表示氫原子、C,-d2烷基、Q-C26芳基或C3-C2Q雜芳基，Z'是直鏈、支鏈或環(huán)狀的C,-C2o亞垸基、CVC26亞芳基、2價(jià)的(33-(32()雜芳基、-O-、-S-、-C(=0)-或從這些基團(tuán)中選擇的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)，RlaR8a、RlbRSb中的至少一個(gè)為結(jié)合鍵或以-Z'-表示的基團(tuán)。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其特征在于，共軛系高分子主鏈內(nèi)含有下述通式(4)表示的重復(fù)單元，式中，A環(huán)和B環(huán)分別獨(dú)立地表示可具有取代基的芳香烴環(huán)，2個(gè)結(jié)合鍵分別存在于A環(huán)和B環(huán)上，Y表示與A環(huán)上的2個(gè)原子及B環(huán)上的2個(gè)原子一起形成五元環(huán)或六元環(huán)的原子或原子團(tuán)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高分子化合物，其中，選自所述(a)、(b)及(c)的側(cè)鏈與所述通式(4)表示的重復(fù)單元結(jié)合。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的高分子化合物，其特征在于，所述通式(4)表示的重復(fù)單元是可具有取代基的藥二基、或可具有取代基的苯并芴二基。10.根據(jù)權(quán)利要求59中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中，以高分子化合物總體為100重量份時(shí)高分子化合物中所述通式(1)表示的側(cè)鏈的含量為0.199重量份。11.一種共軛系高分子化合物，其特征在于，含有所述通式(4)表示的且具有所述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元。12.根據(jù)權(quán)利要求911中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其特征在于，所述通式(4)表示的重復(fù)單元是具有所述通式(2)表示的基團(tuán)的芴二基、或具有所述通式(2)表示的基團(tuán)的苯并芴二基。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高分子化合物，其特征在于，所述通式(4)表示的重復(fù)單元以如下述通式(U-01x)、(U-05x)、(U-llx)或(U-15x)所示，式中，S表示所述通式(2)表示的基團(tuán)，R表示氫原子、C]-d2烷基、C6-C2(芳基或C3-C2。雜芳基，多個(gè)R和S可以彼此相同或不同。14.根據(jù)權(quán)利要求613中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其特征在于，所述通式(2)中，以-Z'-表示的2價(jià)基團(tuán)是直鏈、支鏈或環(huán)狀的CrC2(亞烷基、Q-C26亞芳基、2價(jià)的C3-C加雜芳基、-O-、或選自它們中的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的高分子化合物，其特征在于，所述通式(4)表示的重復(fù)單元是下述通式中的任一種，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中，R表示與上述相同的意思，Rx表示直鏈、支鏈或環(huán)狀的d-C2o亞烷基、Q-C26亞芳基、2價(jià)的C3-C2。雜芳基、或選自它們中的2個(gè)以上的基團(tuán)組合而成的2價(jià)基團(tuán)，多個(gè)Rx可以相同也可以不同。16.根據(jù)權(quán)利要求1115中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中，以高分子化合物總體為100重量份時(shí)，所述以通式(4)表示的具有所述通式(2)表示的基團(tuán)的重復(fù)單元在高分子化合物中的含量為0.1100重量份。17.根據(jù)權(quán)利要求116中任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其以聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103108。18.—種溶液，其含有權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的高分子化合物和溶劑。19.一種發(fā)光性薄膜，其含有權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。20.—種導(dǎo)電性薄膜，其含有權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。21.—種有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，其含有權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。22.—種高分子發(fā)光元件，其發(fā)光層含有權(quán)利要求117中任一項(xiàng)所述的高分子化合物。23.—種面狀光源，其含有權(quán)利要求22所述的高分子發(fā)光元件。24.—種段式顯示裝置，其含有權(quán)利要求22所述的高分子發(fā)光元件。25.—種點(diǎn)陣式顯示裝置，其含有權(quán)利要求22所述的高分子發(fā)光元件。26.—種液晶顯示裝置，其含有權(quán)利要求22所述的高分子發(fā)光元件。全文摘要本發(fā)明提供一種含有共軛系高分子主鏈和選自以下的(a)、(b)及(c)中的1種以上的側(cè)鏈的高分子化合物。(a)為具有電子輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。(b)為具有空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。(c)為具有電子輸送性和空穴輸送性的側(cè)鏈，該側(cè)鏈的LUMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的LUMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下，且該側(cè)鏈的HOMO能量的值與該共軛系高分子主鏈的HOMO能量的值互不相同，其差的絕對值在0.3eV以下。文檔編號C08G61/02GK101454372SQ20078001986公開日2009年6月10日申請日期2007年5月30日優(yōu)先權(quán)日2006年5月31日發(fā)明者上谷保則,中園明子,大內(nèi)一榮申請人:住友化學(xué)株式會(huì)社