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一種鈦酸鋇基X8R陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器與流程

文檔序號:11685167閱讀:309來源:國知局
一種鈦酸鋇基X8R陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器與流程

本發(fā)明屬于陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器。



背景技術(shù):

隨著汽車電子工業(yè)的發(fā)展,多層陶瓷電容器(mlcc)開始在汽車電子領(lǐng)域中得到廣泛的使用,諸如防抱死制動系統(tǒng)(abs)、燃油噴射控制模塊(pgmfi)、發(fā)動機(jī)控制單元(ecu)等。但是,這些電子產(chǎn)品工作時溫度較高,例如ecu常規(guī)工作溫度高達(dá)130℃以上,當(dāng)其滿載工作時溫度可達(dá)150℃,而現(xiàn)在市場中廣泛使用的x7r型mlcc(-55℃~125℃,△c/c≤±15%)無法在如此苛刻的環(huán)境下穩(wěn)定地工作,因此電子控制單元使用的mlcc必須具有eiax8r特性(-55℃~150℃,△c/c≤±15%)。

據(jù)文獻(xiàn)報道,獲得溫度穩(wěn)定型x8r電容器的關(guān)鍵之一是在batio3基陶瓷中形成化學(xué)非均勻“核-殼”結(jié)構(gòu),即鐵電相的純batio3晶粒芯被順電相的摻雜batio3晶粒殼包裹,形成核-殼結(jié)構(gòu)。形成核-殼結(jié)構(gòu)陶瓷晶粒的關(guān)鍵在于制作陶瓷粉體時,用摻雜氧化物包覆鈦酸鋇粉末,陶瓷粉末壓成陶瓷片后,經(jīng)過高溫煅燒,摻雜離子將擴(kuò)散進(jìn)鈦酸鋇內(nèi)部,形成具有一定摻雜離子濃度梯度的殼層。

為了燒結(jié)出“核-殼”結(jié)構(gòu)的batio3基x8r陶瓷,必須先對batio3粉體進(jìn)行金屬氧化物包覆,再將粉體燒結(jié)出陶瓷。目前包覆batio3粉體制備鈦酸鋇基x8r型陶瓷大多利用傳統(tǒng)的固相包覆法所制備,指將batio3與金屬氧化物或者金屬鹽類通過球磨充分混合后,而使氧化物包覆再batio3顆粒表面。雖然該法工藝步驟簡單,但燒結(jié)制備出的陶瓷平均晶粒尺寸較大,沒法適應(yīng)電子器件小型化發(fā)展的趨勢。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器,該方法制備的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的粒徑均勻且較小。

本發(fā)明提供了一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:

s1)將batio3粉體與溶劑混合,進(jìn)行滾磨處理,得到懸浮液;

s2)將鈥鹽、鎂鹽與錳鹽加至懸浮液中滾磨,得到反應(yīng)液;

s3)在反應(yīng)液中加入氨水至反應(yīng)液的ph值為9~11,陳化后得到前驅(qū)體;

s4)將所述前驅(qū)體先進(jìn)行預(yù)燒結(jié),成型后,燒結(jié),得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。

優(yōu)選的,所述batio3粉體與溶劑的質(zhì)量比為1∶(1~5)。

優(yōu)選的,所述步驟s1)中滾磨處理時磨球的直徑為1~5mm;磨球的質(zhì)量為batio3粉體質(zhì)量的4~10倍。

優(yōu)選的,所述步驟s1)中滾磨處理的時間為2~10h;所述步驟s2)中滾磨的時間為1~3h。

優(yōu)選的,所述鈥鹽中鈥離子的摩爾數(shù)為batio3粉體摩爾數(shù)的1.5%~10%;所述鎂鹽中鎂離子的摩爾數(shù)為batio3粉體摩爾數(shù)的2%~10%;所述錳鹽中錳離子的摩爾數(shù)為batio3粉體摩爾數(shù)的0.1%~1.5%。

優(yōu)選的,所述步驟s3)具體為:

在加熱攪拌的條件下,在反應(yīng)液中滴加氨水,反應(yīng)液的ph值每增加0.5~1.5,停止滴加氨水0.5~1.5min,再繼續(xù)滴加氨水,直至反應(yīng)液的ph值為9~11,繼續(xù)攪拌0.5~1.5h后,陳化,得到前驅(qū)體。

優(yōu)選的,所述預(yù)燒結(jié)的溫度為500℃~800℃;所述預(yù)燒結(jié)的時間為1~3h。

優(yōu)選的,所述步驟s4)中燒結(jié)具體為:

以5~15℃/min的升溫速率升溫至1100℃~1500℃,保溫0~10min,然后以15~25℃/min的速率降溫至800℃~1000℃,保溫5~20h,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。

本發(fā)明還提供了一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料,所述鈦酸鋇基x8r陶瓷材料包括核與殼;所述核為batio3;所述殼由氧化鈥、氧化鎂與氧化錳組成。

本發(fā)明還提供了一種陶瓷電容器,包括上述的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。

本發(fā)明提供了一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:s1)將batio3粉體與溶劑混合,進(jìn)行滾磨處理,得到懸浮液;s2)將鈥鹽、鎂鹽與錳鹽加至懸浮液中滾磨,得到反應(yīng)液;s3)在反應(yīng)液中加入氨水至反應(yīng)液的ph值為9~11,陳化后得到前驅(qū)體;s4)將所述前驅(qū)體先進(jìn)行預(yù)燒結(jié),成型后,燒結(jié),得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用液相化學(xué)包覆法使氧化鈥、氧化鎂與氧化錳均勻的包覆在batio3外,使得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的粒徑均勻且較小,并且也具有較好的電容溫度穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中得到的被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體的掃描電鏡照片;

圖2為本發(fā)明實施例1中得到的被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體的掃描電鏡照片;

圖3為本發(fā)明實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的掃描電鏡照片;

圖4為本發(fā)明實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的晶粒尺寸分布圖;

圖5為本發(fā)明實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料及比較例1~4中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的介溫曲線圖;

圖6為本發(fā)明實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料及比較例1~4中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的電容量變化率溫度曲線;

圖7為本發(fā)明實施例2中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的介溫曲線圖;

圖8為本發(fā)明實施例2中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的電容量變化率溫度曲線圖;

圖9為本發(fā)明實施例3中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的介溫曲線圖;

圖10為本發(fā)明實施例3中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的電容量變化率溫度曲線圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供了一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:s1)將batio3粉體與溶劑混合,進(jìn)行滾磨處理,得到懸浮液;s2)將鈥鹽、鎂鹽與錳鹽加至懸浮液中滾磨,得到反應(yīng)液;s3)在反應(yīng)液中加入氨水至反應(yīng)液的ph值為9~11,陳化后得到前驅(qū)體;s4)將所述前驅(qū)體先進(jìn)行預(yù)燒結(jié),成型后,燒結(jié),得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。

本發(fā)明對所有原料的來源并沒有特殊的限制,為市售即可。

將batio3粉體與溶劑混合,進(jìn)行滾磨處理,得到懸浮液;所述batio3粉體為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的batio3粉體即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為水熱法合成的batio3粉體;所述batio3粉體的平均粒徑優(yōu)選為80~120nm,更優(yōu)選為90~110nm,再優(yōu)選為100nm;所述溶劑為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的有機(jī)溶劑即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為醇溶劑,更優(yōu)選為異丙醇;所述batio3粉體與溶劑的質(zhì)量比1:(1~5),更優(yōu)選為1:(1~4),再優(yōu)選為1:(2~3),最優(yōu)選為1:2;所述滾磨處理時磨球的直徑優(yōu)選為1~5mm,更優(yōu)選為2~4mm,再優(yōu)選為3mm;所述磨球的質(zhì)量優(yōu)選為batio3粉體質(zhì)量的4~10倍,更優(yōu)選為5~8倍,再優(yōu)選為6~7倍,最優(yōu)選為6倍;所述滾磨的時間優(yōu)選為2~10h,更優(yōu)選為4~8h,再優(yōu)選為4~6h,最優(yōu)選為5h。

將鈥鹽、鎂鹽與錳鹽加至懸浮液中滾磨,得到反應(yīng)液;所述鈥鹽為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的鈥鹽即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為硝酸鈥和和/或醋酸鈥;所述鈥鹽中鈥離子的摩爾數(shù)優(yōu)選為batio3粉體摩爾數(shù)的1.5%~10%,更優(yōu)選為1.5%~8%,再優(yōu)選為1.5%~6%,再優(yōu)選為1.5%~4%,再優(yōu)選為1.5%~2%,最優(yōu)選為2%;所述鎂鹽為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的鎂鹽即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為醋酸鎂和/硝酸鎂;所述鎂鹽中鎂離子的摩爾數(shù)優(yōu)選為batio3粉體摩爾數(shù)的2%~10%,更優(yōu)選為3%~8%,再優(yōu)選為3%~6%,再優(yōu)選為3%~4%,最優(yōu)選為3%;所述錳鹽為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的錳鹽即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為醋酸錳和/或氯化錳;所述錳鹽中錳離子的摩爾數(shù)優(yōu)選為batio3粉體摩爾數(shù)的0.1%~1.5%,更優(yōu)選為0.3%~1.5%,再優(yōu)選為0.5%~1.5%,最優(yōu)選為0.5%或1.5%,且當(dāng)錳離子的摩爾數(shù)為batio3粉體摩爾數(shù)的0.5%時鈥鹽中鈥離子的摩爾數(shù)優(yōu)選大于batio3粉體摩爾數(shù)1.5%,;在本發(fā)明中所述鈥鹽、鎂鹽與錳鹽優(yōu)選以水溶液的形式加入;所述水溶液中鈥離子的濃度優(yōu)選為0.01~0.1mol/l,更優(yōu)選為0.05~0.1mol/l,再優(yōu)選為0.06~0.09mol/l,最優(yōu)選為0.0643~0.0857mol/l;所述水溶液中鎂離子的濃度優(yōu)選為0.1~0.2mol/l,更優(yōu)選為0.12~0.18mol/l,再優(yōu)選為0.1286~0.1715mol/l;所述水溶液中錳離子的濃度優(yōu)選為0.01~0.1mol/l,更優(yōu)選為0.02~0.08mol/l,再優(yōu)選為0.0214~0.0643mol/l;所述滾磨的時間優(yōu)選為1~3h,更優(yōu)選為2~3h,再優(yōu)選為2h。

在反應(yīng)液中加入氨水至反應(yīng)液的ph值為9~11,更優(yōu)選為10~11,再優(yōu)選為10,陳化后,得到前驅(qū)體;按照本發(fā)明,此步驟優(yōu)選具體為:在加熱攪拌的條件下,在反應(yīng)液中滴加氨水,反應(yīng)液的ph值每增加0.5~1.5,停止滴加氨水0.5~1.5min,再繼續(xù)滴加氨水,直至反應(yīng)液的ph值為9~11,繼續(xù)攪拌0.5~1.5h后,陳化,得到前驅(qū)體;更優(yōu)選為具體為:在加熱攪拌的條件下,在反應(yīng)液中滴加氨水,反應(yīng)液的ph值每增加0.8~1.2,停止滴加氨水0.8~1.2min,再繼續(xù)滴加氨水,直至反應(yīng)液的ph值為9~11,繼續(xù)攪拌0.5~1.5h后,陳化,得到前驅(qū)體;再優(yōu)選為具體為:在加熱攪拌的條件下,在反應(yīng)液中滴加氨水,反應(yīng)液的ph值每增加1,停止滴加氨水1min,再繼續(xù)滴加氨水,直至反應(yīng)液的ph值為9~11,繼續(xù)攪拌0.5~1.5h后,陳化,得到前驅(qū)體;所述加熱攪拌的溫度優(yōu)選為30℃~50℃,更優(yōu)選為35℃~45℃,再優(yōu)選為40℃;所述繼續(xù)攪拌的時間優(yōu)選為0.8~1.2h,更優(yōu)選為1h;在此過程中batio3粉體表面生成相應(yīng)的氫氧化物沉淀,沉淀反應(yīng)式為:mn++nnh3·h2o→m(oh)n↓+nnh4+;所述陳化的時間優(yōu)選為10~30h,更優(yōu)選為10~25h,再優(yōu)選為10~20h,最優(yōu)選為15h;陳化后,過濾,水洗,優(yōu)選用去離子水洗至洗出液的ph值為中性;水洗后,干燥;所述干燥的溫度優(yōu)選為60℃~100℃,更優(yōu)選為70℃~90℃,再優(yōu)選為80℃;所述干燥的時間優(yōu)選為10~40h,更優(yōu)選為15~30h,再優(yōu)選為15~25h,最優(yōu)選為20h;干燥后,優(yōu)選經(jīng)研磨、過篩后得到前驅(qū)體。氨水捉奸加入可使摻雜劑中的ho3+、mg2+與mn2+分別得到各自適合的沉淀反應(yīng)化學(xué)環(huán)境,使氫氧化物對鈦酸鋇的包覆將更完全。

將所述前驅(qū)體進(jìn)行預(yù)燒結(jié);所述預(yù)燒結(jié)的溫度優(yōu)選為500℃~800℃,更優(yōu)選為550℃~750℃,再優(yōu)選為600℃~700℃,最優(yōu)選為600℃;所述預(yù)燒結(jié)的時間優(yōu)選為1~3h,更優(yōu)選為1.5~2.5h,再優(yōu)選為2h。此過程中反應(yīng)式為:預(yù)燒結(jié)可確保包覆的氫氧化物在主晶相batio3顆粒表面上完成晶化,生成相應(yīng)的氧化物。

預(yù)燒結(jié)后,進(jìn)行成型;所述成型的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為將預(yù)燒結(jié)后的粉體與粘結(jié)劑混合造粒,壓制成型;所述粘結(jié)劑為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的粘結(jié)劑即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為聚乙烯醇縮丁醛(pvb)和/或聚乙烯醇(pva);所述粘結(jié)劑的質(zhì)量優(yōu)選為預(yù)燒結(jié)后的粉體的質(zhì)量的1%~10%,更優(yōu)選為2%~8%,再優(yōu)選為3%~6%,最優(yōu)選為5%;所述壓制成型優(yōu)選為冷等靜壓;所述冷等靜壓的壓力優(yōu)選為100~400mpa,更優(yōu)選為200~300mpa,再優(yōu)選為200~250mpa,最優(yōu)選為200mpa。

成型后,再進(jìn)行燒結(jié),得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;所述燒結(jié)的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可,并無特殊的限制,本發(fā)明中優(yōu)選為以5~15℃/min的升溫速率升溫至1100℃~1500℃,保溫0~10min,然后以15~25℃/min的速率降溫至800℃~1000℃,保溫5~20h,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;更優(yōu)選為以8~12℃/min的升溫速率升溫至1150℃~1400℃,保溫0~8min,然后以18~25℃/min的速率降溫至900℃~1000℃,保溫5~15h,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;再優(yōu)選為以10℃/min的升溫速率升溫至1200℃~1300℃,保溫0~5min,然后以20~23℃/min的速率降溫至900℃~1000℃,保溫5~15h,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;最優(yōu)選為以10℃/min的升溫速率升溫至1250℃,保溫0~5min,然后以20℃/min的速率降溫至950℃,保溫10h,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;保溫后,更優(yōu)選隨爐降溫,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。燒結(jié)過程使用兩步煅燒法,先快速升溫至較高的溫度以得到75%以上的陶瓷致密度,然后快速降溫,并保持一段時間,維持晶界傳質(zhì)擴(kuò)散處于活躍的狀態(tài),直到陶瓷樣品完全致密。

本發(fā)明采用液相化學(xué)包覆法使氧化鈥、氧化鎂與氧化錳均勻的包覆在batio3外,使得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的粒徑均勻且較小,并且也具有較好的電容溫度穩(wěn)定性。

本發(fā)明還提供了一種上述方法制備的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料;所述鈦酸鋇基x8r陶瓷材料包括核與殼;所述核為batio3;所述殼由氧化鈥、氧化鎂與氧化錳組成。所述氧化鈥中鈥離子、氧化鎂中鎂離子與氧化錳中的錳離子的摩爾量均同上所述,在此不再贅述。

本發(fā)明還提供了一種陶瓷電容器,包括上述方法制備的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料。

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明,以下結(jié)合實施例對本發(fā)明提供的一種鈦酸鋇基x8r陶瓷材料及其制備方法、陶瓷電容器進(jìn)行詳細(xì)描述。

以下實施例中所用的試劑均為市售。

實施例1

以水熱法合成的batio3粉體為原料,其中ba2+與ti4+的摩爾比為1.00,平均粒徑為100nm;采用分析純ho(no3)3、mg(ch3coo)2和mn(ch3coo)2為原料。首先將納米級batio3粉體加入到一定量的異丙醇溶劑中并滾磨5h,其中控制異丙醇與batio3粉體的質(zhì)量比為2:1,磨球直徑為3mm且質(zhì)量為粉體的6倍,制備出分散良好的穩(wěn)定懸浮液。

然后按2.0mol%ho(no3)3、3.0mol%mg(ch3coo)2、0.5mol%mn(ch3coo)2,將摻雜原料溶于一定量的去離子水中,其中ho3+濃度為0.0857mol/l,mg2+濃度為0.1286mol/l,mn2+濃度為0.0214mol/l,并加入到懸浮液中滾磨2h,并在40℃的恒溫水浴磁力攪拌下往懸浮液中緩慢逐滴加入氨水至溶液的ph=10,其詳細(xì)過程是ph值每增加1,停止滴加氨水1分鐘,直到ph值達(dá)到10為止,攪拌過程持續(xù)1h后batio3粉體表面將生成相應(yīng)的氫氧化物沉淀,待陳化15h后,將粉體過濾、用去離子水洗多次直到洗出液ph值等于7為止,然后在80℃環(huán)境下干燥20h,經(jīng)研磨、過篩后得到淡紫色的復(fù)合前驅(qū)粉體。

將前驅(qū)粉體置于600℃的馬弗爐中預(yù)燒2h得到被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體,包覆后的粉體以5%的pvb為粘合劑進(jìn)行造粒,經(jīng)200mpa的冷等靜壓得到φ10mm×1mm的圓片樣品。在馬弗爐中以兩步法燒結(jié),具體燒結(jié)程序是:以10℃/min的速度快速升溫到1250℃,保溫0分鐘,再以20℃/min的速度降溫到950℃,并保溫10個小時后隨爐降溫,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料,然后雙面涂覆銀電極后以備性能測試。

實施例1中鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的組成見表1。

利用掃描電子顯微鏡對實施例1中得到的被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體進(jìn)行分析,得到其掃描電鏡照片如圖1與圖2所示;圖2為局部放大的掃描電鏡照片。

利用掃描電子顯微鏡對實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料進(jìn)行分析,得到其掃描電鏡照片,如圖3所示;圖4為實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的晶粒尺寸分布圖。

對實施例1中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到測試結(jié)果見表2;得到其介溫曲線圖如圖5所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖6所示。

比較例1

按照實施例1的方法制備,只是ho(no3)3的量為0mol%,得到鈦酸鋇基陶瓷材料。

比較例1中鈦酸鋇基陶瓷材料的組成見表1。

對比較例1中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到測試結(jié)果見表2;得到其介溫曲線圖如圖5所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖6所示。

比較例2

按照實施例1的方法制備,只是ho(no3)3的量為0.5mol%,得到鈦酸鋇基陶瓷材料。

比較例2中鈦酸鋇基陶瓷材料的組成見表1。

對比較例2中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到測試結(jié)果見表2;得到其介溫曲線圖如圖5所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖6所示。

比較例3

按照實施例1的方法制備,只是ho(no3)3的量為1.0mol%,得到鈦酸鋇基陶瓷材料。

比較例3中鈦酸鋇基陶瓷材料的組成見表1。

對比較例3中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到測試結(jié)果見表2;得到其介溫曲線圖如圖5所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖6所示。

比較例4

按照實施例1的方法制備,只是ho(no3)3的量為1.5mol%,得到鈦酸鋇基陶瓷材料。

比較例4中鈦酸鋇基陶瓷材料的組成見表1。

對比較例4中得到的鈦酸鋇基陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到測試結(jié)果見表2;得到其介溫曲線圖如圖5所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖6所示。

表1實施例1、比較例1~4中樣品的組成

表2實施例1、比較例1~4中樣品的電學(xué)性能測試結(jié)果

由上述實施例及比較例可知,陶瓷煅燒過程中ho3+往鈦酸鋇晶粒內(nèi)部擴(kuò)散,形成合適的“核-殼”結(jié)構(gòu),致使batio3基陶瓷的介溫曲線更加平坦。當(dāng)ho3+含量為1.5mol%與1.0mol%時,兩個樣品的高溫△c/c均大于20%,致使陶瓷電容溫度穩(wěn)定性明顯變差,只能達(dá)到x7r標(biāo)準(zhǔn);當(dāng)ho的包覆量達(dá)到2.0mol%時,batio3基陶瓷的室溫介電常數(shù)為1612,tanδ<0.7%,ir=7.7×1012ω·cm,△c/c(-55~150℃)<±13%,滿足eiax8r的標(biāo)準(zhǔn)。

實施例2

以水熱法合成的batio3粉體為原料,其中ba2+與ti4+的摩爾比為1.00,平均粒徑為100nm;采用分析純ho(no3)3、mg(ch3coo)2和mn(ch3coo)2為原料。首先將納米級batio3粉體加入到一定量的異丙醇溶劑中并滾磨5h,其中控制異丙醇與batio3粉體的質(zhì)量比為2:1,磨球直徑為3mm且質(zhì)量為粉體的6倍,制備出分散良好的穩(wěn)定懸浮液。

然后按1.5mol%ho(no3)3、4.0mol%mg(ch3coo)2、1.0mol%mn(ch3coo)2,將摻雜原料溶于一定量的去離子水中,其中ho3+濃度為0.0643mol/l,mg2+濃度為0.1715mol/l,mn2+濃度為0.0428mol/l,并加入到懸浮液中滾磨2h,并在40℃的恒溫水浴磁力攪拌下往懸浮液中緩慢逐滴加入氨水至溶液的ph=9,其詳細(xì)過程是ph值每增加1,停止滴加氨水1分鐘,直到ph值達(dá)到9為止,攪拌過程持續(xù)1h后batio3粉體表面將生成相應(yīng)的氫氧化物沉淀,待陳化15h后,將粉體過濾、用去離子水洗多次直到洗出液ph值等于7為止,然后在80℃環(huán)境下干燥20h,經(jīng)研磨、過篩后得到淡紫色的復(fù)合前驅(qū)粉體。

將前驅(qū)粉體置于700℃的馬弗爐中預(yù)燒2h得到被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體,包覆后的粉體以5%的pvb為粘合劑進(jìn)行造粒,經(jīng)200mpa的冷等靜壓得到φ10mm×1mm的圓片樣品。在馬弗爐中以兩步法燒結(jié),具體燒結(jié)程序是:以10℃/min的速度快速升溫到1230℃,保溫0分鐘,再以15℃/min的速度降溫到1000℃,并保溫15個小時后隨爐降溫,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料,然后雙面涂覆銀電極后以備性能測試。

對實施例2中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到其介溫曲線圖如圖7所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖8所示。

當(dāng)ho的包覆量為到1.5mol%,mg的包覆量為4.0%和mn的包覆量為1.0%時,batio3基陶瓷的室溫介電常數(shù)為1716,tanδ<0.75%,ir=7.1×1012ω·cm,△c/c(-55~150℃)<±11%,滿足eiax8r的標(biāo)準(zhǔn)。

實施例3

以水熱法合成的batio3粉體為原料,其中ba2+與ti4+的摩爾比為1.00,平均粒徑為100nm;采用分析純ho(ch3coo)3、mg(no3)2和mn(cl)2為原料。首先將納米級batio3粉體加入到一定量的異丙醇溶劑中并滾磨5h,其中控制異丙醇與batio3粉體的質(zhì)量比為2:1,磨球直徑為3mm且質(zhì)量為粉體的6倍,制備出分散良好的穩(wěn)定懸浮液。

然后按1.5mol%ho(ch3coo)3、3.5mol%mg(no3)2、1.5mol%mn(cl)2,將摻雜原料溶于一定量的去離子水中,其中ho3+濃度為0.0643mol/l,mg2+濃度為0.15mol/l,mn2+濃度為0.0643mol/l,并加入到懸浮液中滾磨2h,并在40℃的恒溫水浴磁力攪拌下往懸浮液中緩慢逐滴加入氨水至溶液的ph=10.5,其詳細(xì)過程是ph值每增加1,停止滴加氨水1分鐘,直到ph值達(dá)到10.5為止,攪拌過程持續(xù)1h后batio3粉體表面將生成相應(yīng)的氫氧化物沉淀,待陳化15h后,將粉體過濾、用去離子水洗多次直到洗出液ph值等于7為止,然后在80℃環(huán)境下干燥20h,經(jīng)研磨、過篩后得到淡紫色的復(fù)合前驅(qū)粉體。

將前驅(qū)粉體置于650℃的馬弗爐中預(yù)燒3h得到被金屬氧化物均勻包覆的納米級batio3基粉體,包覆后的粉體以5wt%的聚乙烯醇(pva)為粘合劑進(jìn)行造粒,經(jīng)200mpa的冷等靜壓得到φ10mm×1mm的圓片樣品。在馬弗爐中以兩步法燒結(jié),具體燒結(jié)程序是:以10℃/min的速度快速升溫到1200℃,保溫10分鐘,再以20℃/min的速度降溫到900℃,并保溫20個小時后隨爐降溫,得到鈦酸鋇基x8r陶瓷材料,然后雙面涂覆銀電極后以備性能測試。

對實施例3中得到的鈦酸鋇基x8r陶瓷材料的電學(xué)性能進(jìn)行測試,得到其介溫曲線圖如圖9所示;得到其電容量變化率溫度曲線如圖10所示。

當(dāng)ho的包覆量為到1.5mol%,mg的包覆量為3.5%和mn的包覆量為1.5%時,batio3基陶瓷的室溫介電常數(shù)為1993,tanδ<0.8%,ir=6.8×1012ω·cm,△c/c(-55~150℃)<±13%,滿足eiax8r的標(biāo)準(zhǔn)。

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