技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種高純石英晶體的生長(zhǎng)方法，包括以下步驟：選擇鋁含量＜20ppm的石英作為原料，對(duì)其進(jìn)行清洗，得清洗后石英原料；利用氫氧化鈉溶液對(duì)高壓釜內(nèi)壁以及位于高壓釜內(nèi)的原料筐、內(nèi)擋板及帶有籽晶片的籽晶架進(jìn)行表面防護(hù)層處理；將清洗后石英原料放入表面防護(hù)層處理后的原料筐內(nèi)，然后向高壓釜內(nèi)加入晶體生長(zhǎng)工藝溶液，控制溶解區(qū)與生長(zhǎng)區(qū)的溫差為20～30℃，控制晶體每天生長(zhǎng)速率為0.23～0.37mm、生長(zhǎng)時(shí)間為60±5天；采用電清洗技術(shù)，在高溫高電場(chǎng)下對(duì)上述生成所得的石英晶體進(jìn)行排除雜質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：劉盛浦;蔣文山;郭興忠;吳蘭;楊輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江博達(dá)光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.14
技術(shù)公布日：2017.07.04