技術(shù)編號：12794628
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高純石英晶體的生長方法，特別涉及一種低鋁含量石英晶體的生長方法。背景技術(shù)石英晶體是壓電和光學(xué)晶體，主要以其壓電特性和光學(xué)透過、旋光性、雙折射效等應(yīng)用來制造振蕩器、濾波器等壓電頻率器件和光學(xué)棱鏡、透鏡、光學(xué)波片、以及數(shù)碼相機(jī)中的光學(xué)低通濾波器等產(chǎn)品。石英晶體一般采用水熱溫差法進(jìn)行晶體生長，在高壓釜內(nèi)裝入一定充滿度的氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，同時(shí)釜內(nèi)裝入熔煉石英(二氧化硅)作為原料，籽晶片懸掛在籽晶架上，并通過一定開孔率的內(nèi)擋板將高壓釜內(nèi)分成原料溶解區(qū)(簡稱溶解區(qū))和晶體生長區(qū)(簡稱生長區(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。