本發(fā)明涉及一種陶瓷大壇制作方法，屬于陶瓷技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有陶瓷酒壇多為小容量，容量大的陶瓷酒壇不易成型，且性能大大降低，故市場(chǎng)上還未見能裝50斤酒以上的陶瓷酒壇。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的是大容量陶瓷酒壇工藝復(fù)雜，成品質(zhì)量較差的問題。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種陶瓷大壇制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)：雕刻：根據(jù)設(shè)計(jì)圖車石膏原型，將不易脫模的部分分解為獨(dú)立部分，將其作為附件；
步驟2)：開模：將模分為上、下、左、右、前、后、夾心七個(gè)部分，模分好后烤模至100℃～150℃，保溫48小時(shí)以上；
步驟3)：注漿：將烘烤好的模具組裝好開始注漿，注漿時(shí)漿成圓形旋轉(zhuǎn)加快注入速度，漿的液面接近?？跁r(shí)，放慢注漿速度防止氣泡；石膏模吸漿后，將多余的漿抽出；脫模時(shí)用力均勻，脫模順序?yàn)椋荷夏！⒆?右/前/后模、夾心模，若有開裂處及時(shí)修補(bǔ)；脫模后將所有附件粘接好，成型后將坯脫離底模并將壇底墊高，使底部保持干燥；
步驟4)：整修：脫模后在壇身上打排氣孔；接壇口時(shí)，將壇口邊旋轉(zhuǎn)邊接，以增加牢固度，所有附件的粘接處用泥漿壓平；壇接好后將壇口用紙蓋好，防止壇內(nèi)干燥過快，將壇底墊高，使其底部空氣流通；待壇自然干白后，將表面的紋路修正；
步驟5)：素?zé)?/p>
步驟6)：上釉：將壇內(nèi)清潔干凈并上釉；然后再上壇外釉；
步驟7)：氧化燒；
步驟8)：施釉：根據(jù)需要在壇身部分區(qū)域上隔離膠膜，膠膜干后噴透明釉，壇口和壇底均要施釉，然后撕掉隔離膠；
步驟9)：燒成；
步驟10)：根據(jù)需要貼花和描金；
步驟11)：烤花、烤金。
優(yōu)選地，所述步驟5)中的素?zé)木唧w方法為：先將壇升溫至350℃，保溫5h，然后升溫至550℃，保溫4h，再升溫至750℃，保溫4h，接著降溫至550℃，保溫5h，再降溫至350℃，保溫4h，最后自然冷卻至100℃即可出窯。
優(yōu)選地，所述步驟7)中氧化燒的具體方法為：將壇依次升溫至500℃，保溫4h；700℃，保溫2h；900℃，保溫2h；1100℃，保溫2h；1196℃，保溫2h，恒溫30分鐘后降溫至1000℃，保溫3h，再降溫至800℃，保溫2h，最后關(guān)火自然冷卻至100℃即可出窯。
優(yōu)選地，所述步驟9)中燒成的具體方法為：先將壇升溫至350℃，保溫4h，然后升溫至700℃，保溫3h，再升溫至1050℃，保溫2.5h，再保溫30分鐘后降溫至650℃，保溫5h，接著降溫至350℃，保溫4h，最后自然冷卻到100℃即可出窯。
優(yōu)選地，所述步驟11)中烤花、烤金的具體方法為：先將壇升溫至350℃，保溫4h，然后升溫至550℃，保溫3h，接著升溫至680℃，保溫2.5h，再保溫20分鐘后降溫至480℃，保溫4h，再降溫至300℃，保溫3h，最后自然冷卻至100℃即可出窯。
采用本發(fā)明提供的制作方法，能制備大容量的酒壇，例如50斤、100斤的陶瓷大壇，且性能與現(xiàn)有小容量陶瓷酒壇相同。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明更明顯易懂，茲以優(yōu)選實(shí)施例，作詳細(xì)說明如下。
實(shí)施例
一種陶瓷大壇的制作方法，所制備的大壇壇身高為60cm，直徑最大處為46cm，壇口高度為40cm，且外部有龍形裝飾，具體步驟如下：
1)雕刻：
①工程部出工程圖并且計(jì)算好容量；
②車石膏原型后將龍單獨(dú)分解，龍頭因過高無法脫模故需切附件；
③要求所有浮雕不能有倒角且紋路清晰；
④要求在第一個(gè)注漿坯出來后檢查泥坯是否有卡?，F(xiàn)象，如有請(qǐng)直接將卡模處修圓到不卡模為止；
2)開模：
①為方便注漿不卡模，模需分上下兩片、左右兩片、前后兩片及夾心模；
②模分好后烤模至120℃，48小時(shí)方可注漿；
3)注漿：
①將烘烤好的模具組裝好開始注漿，注漿時(shí)漿成圓形旋轉(zhuǎn)快速注漿，漿滿快至模口時(shí)速度放慢以防氣泡；
②石膏模吸漿時(shí)間為2h，抽漿速度不可太快，壇底漿必修抽干凈以防開裂；
③脫模時(shí)用力均勻，先脫上模，再左右模，后脫夾心模；如壇有開裂及時(shí)修補(bǔ)；
④脫模后將所有附件粘接好，3小時(shí)后將坯脫離底模并用泡沫將壇底墊高方便底部干燥；
4)整修：
①脫模后整修人員將龍頭對(duì)應(yīng)接好并打排氣孔；
②接壇口時(shí)要在將壇口旋轉(zhuǎn)增加牢固度，所有附件接好后將接漿處泥漿壓平；
③壇接好后將壇口用紙蓋好意防壇內(nèi)干燥過快，將壇底用泡沫墊高以保底部空氣流通防止干燥或拉裂；
④待壇自然干白后，耗時(shí)7天方可整修，經(jīng)雕刻師將紋路修正后再將壇整修好素?zé)?/p>
5)素?zé)?/p>
①升溫階段：0～350℃，5h；350～550℃，4h；550～750℃，4h；
②降溫階段：750～550℃，5h；550～350℃，4h；自然冷卻至100℃方可出窯；
6)上釉：
①首先檢查素坯是否有不良現(xiàn)象，再將壇內(nèi)清潔干凈并上內(nèi)釉；
②將龍的部分全部畫隔離膠膜；
③待膠膜干燥后噴帝王黃色料，不可過厚和積累色；
④將膠膜撕掉并彩繪龍的部分，注意彩色不可粘污帝王黃色；
7)氧化燒：
①升溫階段：0～500℃，4h；500～700℃，2h；700～900℃，2h；900～1100℃，2h；1100～1196℃，2h；恒溫30分鐘；
②降溫階段：1196～1000℃，3h；1000～800℃，2h；關(guān)火自然冷卻至100℃方可出窯；
8)施釉：
①檢查高溫瓷坯是有不良或需要補(bǔ)色；
②將龍的部分全部畫隔離膠膜；
③膠膜干后噴1185#1050℃釉，壇口和底也要施釉；
④撕掉膠膜并檢查是否需要補(bǔ)釉；
9)燒成：
①升溫階段：0～350℃，4h；350～700℃，3h；700～1050℃，2.5h；保溫30分鐘；
②降溫階段：1050～650℃，5h；650～350℃，4h；自然冷卻到100℃方可出窯；
10)貼花和描金：
①檢查壇身是否不良；
②貼780鍍花紙，注意浮雕的套位要正；
③將龍的部分按要求描780鍍金，不可積金、漏畫，注意帝王黃色粘金；
11)烤花：
①升溫階段：0～350℃，4h；350～550℃，3h；550～680℃，2.5h；保溫20分鐘；
②降溫階段：680～480℃，4h；480～300℃，3h；自然冷卻至100℃方可出窯。