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一種晶體生長(zhǎng)坩堝、裝置及其生長(zhǎng)方法與流程

文檔序號(hào):12416661閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種晶體生長(zhǎng)坩堝、裝置及其生長(zhǎng)方法。一種晶體生長(zhǎng)坩堝,包括坩堝本體,還包括排液系統(tǒng)。坩堝本體包括側(cè)壁和與側(cè)壁連接的長(zhǎng)晶平臺(tái),長(zhǎng)晶平臺(tái)兩端分別設(shè)置有一頂面和一底面。頂面用于放置籽晶及晶體原料。排液系統(tǒng)與底面連接并穿設(shè)于頂面與坩堝本體連通。晶體生長(zhǎng)裝置,包括生長(zhǎng)爐。生長(zhǎng)爐包括爐體和腔室,坩堝設(shè)置于腔室內(nèi),坩堝與爐體之間設(shè)置有保溫層。生長(zhǎng)方法為先預(yù)熱,預(yù)熱結(jié)束后使晶體原料完全融化,完全融化后生長(zhǎng)形成晶體,再將未形成晶體的溶液排出,排液結(jié)束后使晶體形成完全,最后將晶體降至室溫。本發(fā)明能減少晶體內(nèi)部缺陷、降低晶體開裂幾率和增加晶體良率,同時(shí)能夠增加坩堝使用次數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員:戴銳鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者:伯恩露笑藍(lán)寶石有限公司
文檔號(hào)碼:201611234028
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.28
技術(shù)公布日:2017.05.31

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