本公開涉及蒸鍍技術領域，具體而言，涉及一種坩堝、蒸鍍裝置及蒸鍍方法。

背景技術：

現(xiàn)今制作oled(organiclight-emittingdiode，有機發(fā)光二極管)產品多是采用蒸鍍方法。線源蒸發(fā)使用包含多個蒸發(fā)口的線性容器，同一時間材料從多個蒸發(fā)口出來并沉積到基板上，因此線源蒸發(fā)具有較高的材料利用率。但是由于線源蒸發(fā)裝置具有多個蒸發(fā)口，在蒸鍍工藝中，基板中間部分沉積的材料來自至少兩個蒸發(fā)口或源蒸發(fā)點，基板邊緣部分沉積的材料明顯少于中間部分沉積的材料，導致通常沉積在基板中間部分的膜厚比邊緣部分的膜后要厚一些，因此膜厚不均勻。

目前，為解決膜厚不均勻的問題，主要通過控制電源功率輸出，進而控制加熱裝置的溫度變化，達到控制蒸鍍速率的目的。但是，對于溫度的控制穩(wěn)定性差，而且溫度控制鍍率變化實現(xiàn)起來很慢，通常需要很長時間達到穩(wěn)定的溫度，調整過程中坩堝內的材料就不可避免的會被浪費掉。

因此，現(xiàn)有技術中的技術方案還存在有待改進之處。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種坩堝、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的一個方面，提供一種坩堝，包括：坩堝本體、傳感機構、控制機構和調節(jié)機構，坩堝本體具有多個蒸發(fā)口以及腔體，所述腔體用于容置蒸鍍材料；傳感機構設置在所述蒸發(fā)口周圍，用于檢測不同區(qū)域所述蒸鍍材料的實際鍍率；控制機構與所述傳感機構連接，用于根據所述實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數，將所述調節(jié)參數發(fā)送給所述調節(jié)機構，所述調節(jié)參數為所述擋板的旋轉角度；調節(jié)機構與所述控制機構連接，所述調節(jié)機構設置在所述腔體內，用于根據所述調節(jié)參數調節(jié)對應區(qū)域所述蒸鍍材料的鍍率。

在本公開的一種示例性實施例中，所述調節(jié)機構包括m個分布在不同區(qū)域內分段式的擋板，所述擋板能夠在所述腔體內旋轉90度，其中m大于等于2。

在本公開的一種示例性實施例中，所述調節(jié)機構還包括m個同心軸，分別與所述擋板連接，通過所述同心軸的轉動帶動所述擋板旋轉，所述同心軸為兩個以上且同一圓心的軸承套裝在一起形成。

在本公開的一種示例性實施例中，所述調節(jié)機構還包括驅動組件，與所述m個同心軸和所述控制機構連接，用于根據所述調節(jié)參數來驅動所述同心軸。

在本公開的一種示例性實施例中，所述控制機構還與所述傳感機構連接，所述控制機構根據所述實際鍍率與目標鍍率進行比較得到差值，并根據所述差值計算調節(jié)參數。

在本公開的一種示例性實施例中，所述多個蒸發(fā)口為線性排列地布設在所述腔體頂部的出口。

在本公開的一種示例性實施例中，所述傳感機構包括m個傳感器，分別布置在不同區(qū)域內所述擋板所對應區(qū)域的蒸發(fā)口處，以檢測所述蒸發(fā)口處的實際鍍率。

根據本公開的另一個方面，還提供一種蒸鍍裝置，包括以上所述的坩堝和加熱源。

根據本公開的再一個方面，還提供一種利用上述坩堝的蒸鍍方法，包括：

檢測不同區(qū)域蒸鍍材料的實際鍍率；

根據所述實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數，其中所述調節(jié)參數為所述擋板的旋轉角度；

根據所述調節(jié)參數調節(jié)對應區(qū)域所述蒸鍍材料的鍍率。

在本公開的一種示例性實施例中，根據所述實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數包括：

根據所述實際鍍率與所述目標鍍率進行比較得到差值，并根據所述差值計算所述調節(jié)參數。

本公開的某些實施例的坩堝、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，其中該坩堝采用對坩堝不同區(qū)域蒸發(fā)口處的實際鍍率進行檢測，并根據實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數以實現(xiàn)快速調整鍍率，從而可以提高坩堝內材料的利用率。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出本公開示例性實施例中提供的一種坩堝的框圖。

圖2示出本公開示例性實施例中提供的一種坩堝的結構示意圖。

圖3示出本公開示例性實施例中提供的一種蒸鍍裝置的框圖。

圖4示出本公開示例性實施例中提供的一種蒸鍍方法的流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實施方式使得本公開將更加全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。附圖僅為本公開的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標記表示相同或類似的部分，因而將省略對它們的重復描述。

此外，所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而省略所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結構、方法、裝置、實現(xiàn)、材料或者操作以避免喧賓奪主而使得本公開的各方面變得模糊。

附圖中所示的一些方框圖是功能實體，不一定必須與物理或邏輯上獨立的實體相對應。可以采用軟件形式來實現(xiàn)這些功能實體，或在一個或多個硬件模塊或集成電路中實現(xiàn)這些功能實體，或在不同網絡和/或處理器裝置和/或微控制器裝置中實現(xiàn)這些功能實體。

圖1示出本公開示例性實施例中提供的一種坩堝的框圖，如圖1所示，該坩堝10包括：坩堝本體110、傳感機構120、控制機構130和調節(jié)機構140。

在本實施例中，坩堝本體110與傳統(tǒng)的蒸鍍坩堝結構類似，具有多個蒸發(fā)口以及腔體，腔體用于容置蒸鍍材料，蒸發(fā)口作為蒸鍍材料的出口，使蒸鍍材料加熱后可以從此噴射而出并鍍在基板等待蒸鍍結構上。

傳感機構120設置在蒸發(fā)口周圍，用于檢測不同區(qū)域蒸鍍材料的實際鍍率?？刂茩C構130與傳感機構120連接，用于根據實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數，并將調節(jié)參數發(fā)送給調節(jié)機構140。調節(jié)機構140與控制機構130連接，調節(jié)機構140設置在腔體內，用于根據調節(jié)參數調節(jié)對應區(qū)域蒸鍍材料的鍍率。

圖2示出本公開示例性實施例中提供的一種坩堝的結構示意圖，如圖2所示，坩堝10中包括多個蒸發(fā)口111以及一個腔體112，這些蒸發(fā)口為線性排列地布設在腔體112頂部的出口，即圖2中所示的蒸發(fā)口陣列包括20個蒸發(fā)口。需要說明的是，本實施例圖2中所示僅為示例，并不限定蒸發(fā)口的數目，在實際應用中可以根據需要設置合適數目的蒸發(fā)口。

在本實施例中，傳感機構120包括m個傳感器，分別布置在不同區(qū)域內擋板所對應區(qū)域的蒸發(fā)口處，以檢測蒸發(fā)口處的實際鍍率。為了能夠針對較長的蒸發(fā)口陣列進行精細化調節(jié)與控制，將其劃分為幾個區(qū)域，以圖2所示為例，將其劃分為5個區(qū)域，即m＝5。相應的，通常針對一個區(qū)域至少設置一個傳感器，因此在5個區(qū)域內分別選一個蒸發(fā)口設置一個傳感器，并將檢測得到的蒸發(fā)口實際鍍率作為該區(qū)域的實際鍍率。

其中傳感器可以設置在蒸發(fā)口的出口處，圖2中僅以一個傳感器121為例進行說明。另外，由于傳感器設置在蒸發(fā)口的結構較為細微，在結構示意圖中無法清楚呈現(xiàn)，而且在實際使用中如何在蒸發(fā)口設置傳感器較為常見，并且不是本實施例的設計要點，因此在圖2中僅以小圓圈代替。

在本公開的一種示例性實施例中，調節(jié)機構140包括m個分布在不同區(qū)域內分段式的擋板、同心軸和驅動組件，其中m大于等于2。本實施例中以m＝5為例，即設置5個擋板，分別用1411、1412、1413、1414和1415表示。擋板的寬度與腔體112內徑大小接近，通常略小于腔體112內徑即可，而且擋板能夠在腔體112內旋轉90度。由于腔體112下面還需要設置加熱源，腔體112內的蒸鍍材料經加熱后從蒸發(fā)口111噴到基板上完成鍍膜。通過旋轉腔體112內的擋板的角度，可以改變蒸鍍材料從腔體112內蒸發(fā)出來的速率，調節(jié)原理如下：

當擋板為水平(即旋轉0度)時，蒸鍍材料蒸發(fā)后只有少量會通過擋板與腔體112內壁的間隙并從蒸發(fā)口噴出，這樣可以大大減少蒸鍍材料的蒸發(fā)量，此時鍍率最??；當擋板為垂直(即旋轉90度)時，蒸鍍材料蒸發(fā)后可以幾乎不受阻擋就能從蒸發(fā)口噴出，此時蒸鍍材料的蒸發(fā)量與傳統(tǒng)不設置擋板的結構幾乎差不多，此時鍍率最大；當擋板從水平旋轉到垂直的過程中(即旋轉角度從0～90度)，蒸鍍材料的蒸發(fā)量逐漸增大，鍍率也逐漸增大。

在本實施例中，為了控制各個擋板的旋轉，還需要與m個擋板相對應的m個同心軸，分別與m個擋板連接，通過同心軸的轉動帶動擋板旋轉。其中本實施例中的同心軸為兩個以上且同一圓心的軸承套裝在一起形成的結構，仍以圖2所示的5個擋板為例，相應的5個同心軸分別為：1421、1422、1423、1424和1425，同心軸的設置方式為：一側為三個同心軸(1421、1422、1423)套裝，即1421、1422和1423從外向內依次套裝，另一側為兩個同心軸(1424和1425)套裝，即1425和1424從外向內依次套裝。

另外，5個同心軸是可以獨立控制的，因此除了同心軸，還需要驅動組件對同心軸進行驅動，以圖2為例，驅動組件包括兩個分別設置在腔體兩端的馬達1431和1432，其中一個馬達與m個同心軸中的n個連接，另一個馬達與m個同心軸中的剩余同心軸連接。如圖2所示，馬達1431與5個同心軸中的前三個(1421、1422、1423)連接，馬達1432與剩余的同心軸(1424和1425)連接。馬達1431和1432分別與5個同心軸和控制機構130連接，用于接收調節(jié)參數并根據調節(jié)參數來調整驅動組件的轉速，以達到通過同心軸控制相應擋板的旋轉角度的目的。

如圖2所示，控制機構130與傳感機構120和調節(jié)機構140(具體是與調節(jié)機構140中的馬達1431和1432)連接，根據傳感機構120檢測的實際鍍率與目標鍍率進行比較得到差值，并根據差值計算調節(jié)參數。假設如果傳感器121檢測第一區(qū)域的實際鍍率小于目標鍍率，則計算得到實際鍍率與目標鍍率的差值為負值，相應的調節(jié)參數為增大擋板的旋轉角度，即在目前基礎上增大鍍率；反之，如果傳感器121檢測第一區(qū)域的實際鍍率大于目標鍍率，則計算得到實際鍍率與目標鍍率的差值為正值，相應的調節(jié)參數為減小擋板的旋轉角度，即在目前基礎上增大鍍率，因此馬達根據控制機構的調節(jié)參數來調節(jié)旋轉角度，以便能夠通過同心軸達到調節(jié)擋板旋轉角度的目的。其他區(qū)域調節(jié)鍍率的方式類似，此處不再一一贅述。

由于鍍率是由蒸發(fā)材料的蒸發(fā)速率決定的，通常兩者具有一定的比例關系，因此本實施例中的實際鍍率是通過傳感器對蒸發(fā)材料從蒸發(fā)口處噴出的速率進行檢測，并根據速率與鍍率的比例關系進行換算得到。

在本實施中，控制機構130可以是具有可編程邏輯電路的芯片或單片機等，具有數據處理以及運算等功能。

基于上述坩堝結構，可以將加熱源設置在一定溫度(例如300℃左右)后，通過調節(jié)擋板的角度實現(xiàn)快速調節(jié)鍍率的目的，其中一定溫度通常需要根據蒸鍍材料的種類進行確定，不能過高，也不能過低，需要保證蒸鍍材料在該溫度下不會發(fā)生蒸發(fā)速率過小或過大的現(xiàn)象即可，此處“蒸發(fā)速率過小”是指溫度低到蒸發(fā)速率很慢甚至不能蒸發(fā)；而“蒸發(fā)速率過大”是指即便不管如何調節(jié)擋板的角度也依然有大量蒸鍍材料蒸發(fā)出來。

需要說明的是，本實施例中圖2所示的蒸發(fā)口的數目、擋板的數目以及相應的同心軸和馬達的連接方式僅為示例，并不因此限定其具體結構，因此在實際應用中可以根據蒸發(fā)源長度等具體的工藝要求進行調整，此處不再贅述。

綜上所述，本實施例通過對傳統(tǒng)坩堝結構進行改進，采用對坩堝不同區(qū)域蒸發(fā)口處的實際鍍率進行檢測，并根據實際鍍率與目標鍍率計算調節(jié)參數以實現(xiàn)快速調整鍍率，從而可以提高坩堝內材料的利用率。另外，通過對各個區(qū)域的鍍率根據目標鍍率進行調整，以使整個坩堝的鍍率趨于相同，從而形成的鍍膜也更加均勻。

圖3還示出本公開示例性實施例中提供的一種蒸鍍裝置的框圖，如圖3所示，該蒸鍍裝置20包括以上的坩堝10和加熱源11，而且為了與坩堝10的線性蒸發(fā)口相適應，加熱源11一般也是線性加熱源。

該蒸鍍裝置能夠實現(xiàn)與上述實施例中的坩堝相同的技術效果，此處不再重復。

圖4還示出本公開示例性實施例中提供的一種蒸鍍方法的流程圖，該蒸鍍方法利用上述實施例提供的坩堝實現(xiàn)。

如圖4所示，在步驟s41中，檢測不同區(qū)域蒸鍍材料的實際鍍率。通過在各個區(qū)域的蒸發(fā)口處設置的傳感器檢測得到該區(qū)域蒸鍍材料的蒸發(fā)速率，再換算成相應的實際鍍率。

如圖4所示，在步驟s42中，根據實際鍍率與目標鍍率計算得到調節(jié)參數。在本實施例中，具體為根據實際鍍率與目標鍍率進行比較得到差值，并根據差值計算調節(jié)參數。

如圖4所示，在步驟s43中，根據調節(jié)參數調節(jié)對應區(qū)域蒸鍍材料的鍍率。

假設如果實際鍍率小于目標鍍率，則計算得到實際鍍率與目標鍍率的差值為負值，相應的調節(jié)參數為增大擋板的旋轉角度，即在目前基礎上增大鍍率；反之，如果實際鍍率大于目標鍍率，則計算得到實際鍍率與目標鍍率的差值為正值，相應的調節(jié)參數為減小擋板的旋轉角度，即在目前基礎上增大鍍率，因此馬達根據控制機構的調節(jié)參數來調節(jié)旋轉角度，以便能夠通過同心軸達到調節(jié)擋板旋轉角度的目的。

該蒸鍍方法也能夠實現(xiàn)與上述實施例中的坩堝相同的技術效果，此處不再重復。

本領域技術人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由所附的權利要求指出。