技術(shù)特征：

1.一種第13族氮化物晶體，其具有六方晶體結(jié)構(gòu)，并包含至少一個(gè)氮原子和至少一個(gè)從B、Al、Ga、In和Tl組成的組中選擇的金屬原子，其中

平行于c-軸的橫截面中的底面位錯(cuò)的位錯(cuò)密度為10⁴cm^-2或更大，并且是c-面的螺旋位錯(cuò)的位錯(cuò)密度的1000倍或更多。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第13族氮化物晶體，其中，螺旋位錯(cuò)的位錯(cuò)密度為10³cm^-2或更小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的第13族氮化物晶體，所述第13族氮化物晶體包括堿金屬。

4.一種第13族氮化物晶體襯底，其具有由根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的第13族氮化物晶體的c-面形成的主表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的第13族氮化物晶體襯底，所述第13族氮化物晶體襯底包括堿金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的第13族氮化物晶體襯底，其中，在從表面到10微米以內(nèi)的區(qū)域中不包含堿金屬。

7.一種制備第13族氮化物晶體的方法，包括：使在c-軸方向上也就是使c-面的橫截面面積擴(kuò)大的方向上延伸的第13族氮化物的針狀籽晶晶體生長(zhǎng)的晶體生長(zhǎng)工藝，其中

晶體生長(zhǎng)工藝中籽晶的a-軸方向的晶體生長(zhǎng)速率高于23微米/小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備第13族氮化物晶體的方法，還包含

熱處理工藝，以便在m-軸方向上去除包含的堿金屬。