技術(shù)總結(jié)
硒化鎵的多晶合成方法和單晶生長(zhǎng)方法，它涉及中遠(yuǎn)紅外非線性材料的多晶合成和單晶生長(zhǎng)方法。它是要解決現(xiàn)有的GaSe多晶合成的化學(xué)計(jì)量偏移大和產(chǎn)率低及自發(fā)成核階段易形成無(wú)效晶核與單晶生長(zhǎng)方向不確定的技術(shù)問(wèn)題。多晶合成：把單質(zhì)Ga放在小舟中，再把它放到石英管的一端，Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平雙溫區(qū)管式電阻爐中合成，得到GaSe多晶，其化學(xué)計(jì)量比為1：(1～1.05)，產(chǎn)率大于97％。單晶生長(zhǎng)：將GaSe多晶加入到PBN坩堝中，然后將PBN坩堝豎直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直雙溫區(qū)管式電阻爐中，單晶生長(zhǎng)結(jié)束后獲得GaSe單晶?？捎米髦羞h(yuǎn)紅外激光材料實(shí)現(xiàn)8～10μm激光輸出。

技術(shù)研發(fā)人員：楊春暉;馬天慧;朱崇強(qiáng);雷作濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610669690
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.15
技術(shù)公布日：2016.11.23