技術編號：11811524
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及中遠紅外非線性材料的多晶合成和單晶生長方法。背景技術中遠紅外激光(特別是3-5μm和8-10μm紅外波段)無論在軍事領域還是民用領域都具有非常重要的應用,硒化鎵(GaSe)晶體具有非線性系數(shù)大(d22＝54pm/V)、透光波段寬(0.65-18μm)、雙折射率大(Δn＝0.36)等優(yōu)異的非線性光學性能，是中遠紅外激光頻率轉化最佳介質(zhì)材料，可以實現(xiàn)8-10μm激光輸出。目前，合成GaSe多晶原料的方法有單溫區(qū)法和雙溫區(qū)法。單溫區(qū)法只需設置一個恒溫區(qū)域，工藝簡單，操作方便。雙溫區(qū)法由于設置...
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