技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有層狀結(jié)構(gòu)的化合物晶體定向生長(zhǎng)的方法，所述方法是一種非化學(xué)方法，可批量制備定向生長(zhǎng)的具有層狀結(jié)構(gòu)的硫族化合物Ⅴ2Ⅵ3（Ⅴ=Sb,Bi;Ⅵ=S,Se,Te）晶體。即借助玻璃光纖拉絲的方法，將晶體化合物前軀體填充到玻璃管中，然后拉絲。在拉絲過(guò)程中，包層玻璃處于粘彈性狀態(tài)；晶體前軀體處于熔融狀態(tài)。隨著包層玻璃從熔融態(tài)快速冷卻至室溫，然后將包層玻璃用合適的酸溶液腐蝕掉，即得到沿光纖軸向方向定向生長(zhǎng)的具有層狀結(jié)構(gòu)的硫族化合物晶體。本方法適用性廣，尺寸可控，產(chǎn)率高，成本低，且無(wú)副產(chǎn)品污染環(huán)境。制備的定向生長(zhǎng)的硫族化合物晶體微米線有望應(yīng)用于徑向結(jié)太陽(yáng)能電池和熱電轉(zhuǎn)換三維的微型器件。

技術(shù)研發(fā)人員：楊中民;唐國(guó)武;錢奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華南理工大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610383343
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.01
技術(shù)公布日：2016.11.30