技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種硅錠的鑄造方法，包括步驟：在坩堝中進(jìn)行裝料，底層原料包括多晶硅粉、中間層原料由單晶硅片拼接而成、上層原料為多晶硅料；將坩堝置于鑄錠爐中并抽真空，將多晶硅粉燒結(jié)使單晶硅片固定；控制爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使單晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的單晶硅片向上生長(zhǎng)并得到硅錠。本發(fā)明能提高硅錠的晶粒尺寸、提高由硅錠制成的硅電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，能降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：黃亞楠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：青島格潤(rùn)得新型材料有限公司
文檔號(hào)碼：201510830413
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.25
技術(shù)公布日：2017.05.31