本發(fā)明涉及確定調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性的方法。

背景技術(shù)：

硅片進(jìn)入工藝腔體前處于常溫狀態(tài)，通過(guò)機(jī)械手臂(包括Wand)從硅片上方吸取硅片進(jìn)入800℃-900℃外延機(jī)臺(tái)腔體后，被放置到基座托盤內(nèi)，然后機(jī)械手臂退出。硅片由于溫度的急劇變化，邊緣會(huì)向上翹曲，從而會(huì)碰擦到此時(shí)還未離開(kāi)腔體的機(jī)械手臂引起邊緣刮傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性的方法。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，所述外延機(jī)臺(tái)腔體包括前部、左側(cè)部、右側(cè)部和尾部；其特征在于，包括步驟，

A、提供一基板片；

B、將基板片放入外延機(jī)臺(tái)內(nèi)，在基板片上生長(zhǎng)一層多晶層；在基板上生長(zhǎng)多晶層，多晶層的生長(zhǎng)溫度為600℃-950℃，多晶層生長(zhǎng)過(guò)程中，基板片不旋轉(zhuǎn)；

C、多晶層生長(zhǎng)完成后，測(cè)定多晶層的厚度分布，根據(jù)多晶層的厚度分布可得出外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度分布；如各點(diǎn)厚度一致，則腔體內(nèi)各處的溫度相同；若各點(diǎn)厚度不一致，則多晶層厚度越厚，對(duì)應(yīng)外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)該處的溫度越高；多晶層厚度越薄，則對(duì)應(yīng)外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)該處的溫度越低；

D、如某一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的多晶層厚度與與圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度不一致，則調(diào)整該檢測(cè)點(diǎn)的溫度；尾部的溫度調(diào)整度數(shù)為(R-C)/25，R為基板片后端位置生長(zhǎng)的多晶層的厚度，C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；左側(cè)部與右側(cè)部補(bǔ)償值調(diào)整度數(shù)為【(S_左+S_右)/2-C】/25，S_左和S_右分別為基板片左側(cè)位置及右側(cè)位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；前部的補(bǔ)償值調(diào)整度數(shù)為：(F-C)/25，其中F代表基板片前端位置生長(zhǎng)的多晶層厚度；C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性為基板片放置于所述外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)后受熱的均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性為外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)在600℃-950℃區(qū)間的溫度均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟C中，采用三氯氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為800℃-900℃；或者采用硅烷長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為600℃-700℃，或者采用二氯二氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為700℃-800℃。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述基板片為摻硼單晶拋光片，電阻率為5-100ohm.cm。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟A中，使所述基板片表面生成一層封底層，所述封底層厚度為800-1200埃。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述封底層為單晶拋光片在氧氣氣氛中生長(zhǎng)而成的低溫氧化層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟A中，在所述封底層上生長(zhǎng)一層籽晶層；所述步驟B中，在所述籽晶層上生長(zhǎng)所述多晶層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，封底層厚度為800-1200埃；籽晶層厚度200-500埃。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，以多晶層表面選取多個(gè)點(diǎn)檢測(cè)其厚度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，以圓形的基板片圓心為中心，均勻分布選取多個(gè)點(diǎn)檢測(cè)其厚度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，選取基板片的前端、圓心、左側(cè)、右側(cè)及后端的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)測(cè)定其厚度；并根據(jù)前端、中心、左側(cè)、右側(cè)和后端的厚度判定外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，以垂直于氣體進(jìn)氣方向的圓形基板片的直徑為分界，氣體未越過(guò)該直徑之前的基板片上的位置的多晶層厚度用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體前部的溫度；位于該直徑上的圓心兩側(cè)的位置用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體側(cè)部的溫度；氣體越過(guò)該直徑之后的基板片上的位置的多晶層厚度用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體尾部的溫度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，以基板片圓心處生長(zhǎng)的多晶層厚度作為標(biāo)準(zhǔn)值，將各位置生長(zhǎng)的多晶層厚度與標(biāo)準(zhǔn)值對(duì)比，如一致，則判斷溫度均勻，如不一致，則判斷溫度不均勻。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，，所述機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)通過(guò)熱電偶加熱，如某一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的多晶層厚度與與圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度不一致，則調(diào)整該檢測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的熱電偶輸出功率。

如圖1所示，箭頭為外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的氣體進(jìn)氣方向，以垂直于氣體進(jìn)氣方向的圓形基板片10的直徑12為分界，氣體未越過(guò)該直徑12之前的基板片10上的位置為前端位置；位于該直徑12上的圓心11左側(cè)位置和右側(cè)位置；氣體越過(guò)該直徑12之后的基板片10上的位置為后端位置。外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)分為前部、左側(cè)部、右側(cè)部和尾部，并在以上位置分別設(shè)置有熱電偶。前部熱電偶主要為基板片的前端位置提供熱量以生長(zhǎng)多晶層。左側(cè)部熱電偶主要為基板片的左側(cè)位置提供熱量以生長(zhǎng)多晶層。右側(cè)部熱電偶主要為基板片的右側(cè)位置提供熱量以生長(zhǎng)多晶層。尾部熱電偶主要為基板片的后端位置提供熱量以生長(zhǎng)多晶層?；迤胖糜谖挥谇惑w內(nèi)的基座上，基座發(fā)熱為基板片生長(zhǎng)多晶層提供熱量。

發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，外延片的邊緣翹曲主要由于在700℃-950℃，尤其是800℃-900℃溫度下放片過(guò)程中受熱不均勻所致。故該溫度區(qū)間的外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度均勻性至關(guān)重要。

外延機(jī)臺(tái)的整體溫度由位于基座正下方的中心熱電偶控制，其余還有前部熱電偶，左側(cè)部熱電偶、右側(cè)部熱電偶及尾部熱電偶提供熱量，分別控制腔體前部、側(cè)部及尾部的溫度分布。在工作之前，各部位的熱電偶均預(yù)先設(shè)定工作值。在有些情況下，也會(huì)設(shè)置一定的補(bǔ)償值，以修正之前的設(shè)定工作值。

外延生長(zhǎng)過(guò)程中的溫度一般為1100℃-1180℃，對(duì)此溫度區(qū)間內(nèi)外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)各點(diǎn)的溫度監(jiān)控主要通過(guò)離子注入片實(shí)現(xiàn)。但在取放片過(guò)程中，外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度為600℃-950℃，尤其是800℃-900℃區(qū)間，在此溫度區(qū)間是監(jiān)控的盲點(diǎn)。但由于在此溫度區(qū)間內(nèi)放片，如不能保證在此區(qū)間內(nèi)的溫度均勻性，則易造成基板片邊緣翹曲。在取放片過(guò)程中，如基板片邊緣翹曲，則機(jī)械手臂在行走過(guò)程中會(huì)刮傷基板片，造成最終生產(chǎn)的外延片劃傷，降低外延片的合格率。

本發(fā)明利用了在700℃-950℃溫度區(qū)間內(nèi)生長(zhǎng)多晶層時(shí)，反應(yīng)速率處于溫度控制而非流量控制區(qū)域，故可通過(guò)多晶層的厚度分布對(duì)應(yīng)到硅片在該溫度區(qū)間的溫度分布，從而可利用多晶層的厚度分布是否均勻判斷外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度是否均勻，借此可判斷基板片在外延機(jī)臺(tái)內(nèi)的受熱是否均勻。根據(jù)各個(gè)檢測(cè)位置的多晶層厚度與標(biāo)準(zhǔn)值的差值，可調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度分布。而針對(duì)不同規(guī)格的基板，則可從硅片傳送腔窗口或從安裝的高溫?cái)z像機(jī)觀察形變量，再對(duì)各區(qū)域溫度均勻性進(jìn)行微調(diào)，達(dá)到硅片受熱均勻，硅片邊緣與手臂無(wú)接觸，達(dá)到無(wú)卷邊刮傷的目的。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明選取的檢測(cè)位置示意圖。

圖2為實(shí)施例1中的外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度未調(diào)整前生產(chǎn)的外延片的表面缺陷光學(xué)掃描圖。

圖3為實(shí)施例1中的外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度調(diào)整后生產(chǎn)的外延片的表面缺陷光學(xué)掃描圖。

圖4為實(shí)施例2中的外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度未調(diào)整前生產(chǎn)的外延片的表面缺陷光學(xué)掃描圖。

圖5為實(shí)施例2中的外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度調(diào)整后生產(chǎn)的外延片的表面缺陷光學(xué)掃描圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述：

確定外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，所述外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性為基板片放置于所述外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)后受熱的均勻性。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明尤其是用于測(cè)定外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)在600℃-950℃區(qū)間的溫度均勻性。尤其適用于外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)在800℃-900℃區(qū)間的溫度均勻性。

本發(fā)明所述的方法包括步驟，

A、提供一基板片；所述基板片為摻硼單晶拋光片，電阻率為5-100ohm.cm，使其表面先生長(zhǎng)一層封底層。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，還可以在封底層上生長(zhǎng)一層籽晶層，所述籽晶層為多晶層。籽晶層厚度200-500埃。

B、將基板片放入外延機(jī)臺(tái)內(nèi)，在籽晶層上生長(zhǎng)一層多晶層；所述封底層為采用單晶拋光片在氧氣氣氛中生長(zhǎng)而成的低溫氧化層，封底層厚度為800-1200埃。在所述籽晶層上生長(zhǎng)多晶層，多晶層的生長(zhǎng)溫度為600℃-950℃，多晶層生長(zhǎng)過(guò)程中，基板片不旋轉(zhuǎn)；所述步驟C中，采用三氯氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為800℃-900℃；或者采用硅烷長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為600℃-700℃，或者采用二氯二氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為700℃-800℃。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以理解，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況，在以上的各溫度范圍內(nèi)均可以調(diào)整，均能夠生長(zhǎng)多晶層。

C、多晶層生長(zhǎng)完成后，測(cè)定多晶層的厚度分布，根據(jù)多晶層的厚度分布可得出外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度分布；如各點(diǎn)厚度一致，則腔體內(nèi)各處的溫度相同；若各點(diǎn)厚度不一致，則多晶層厚度越厚，對(duì)應(yīng)外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)該處的溫度越高；多晶層厚度越薄，則對(duì)應(yīng)外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)該處的溫度越低。

以多晶層表面選取多個(gè)點(diǎn)檢測(cè)其厚度。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，以圓形的基板片圓心為中心，均勻分布選取多個(gè)點(diǎn)檢測(cè)其厚度。選取基板片的前端、圓心、左側(cè)、右側(cè)及后端的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)測(cè)定其厚度；并根據(jù)前端、中心、左側(cè)、右側(cè)和后端的厚度判定外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度均勻性。如圖1所示為一具體實(shí)施例，箭頭為外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的氣體進(jìn)氣方向，以垂直于氣體進(jìn)氣方向的圓形基板片10的直徑12為分界，氣體未越過(guò)該直徑12之前的基板片10上的位置為前端位置，前端位置的多晶層厚度用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體前部的溫度；位于該直徑12上的圓心11左側(cè)位置和右側(cè)位置分別用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體左側(cè)部和右側(cè)部的溫度；氣體越過(guò)該直徑12之后的基板片10上的位置為后端位置，后端位置的多晶層厚度用于判斷外延機(jī)臺(tái)腔體尾部的溫度。在如圖所示的示例中，本發(fā)明選取測(cè)定兩個(gè)前端位置點(diǎn)16的厚度，兩個(gè)左側(cè)位置點(diǎn)13的厚度，兩個(gè)右側(cè)位置點(diǎn)14的厚度，兩個(gè)后端位置點(diǎn)15的厚度。

外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)通過(guò)熱電偶加熱，根據(jù)前述的方法確定外延機(jī)臺(tái)內(nèi)的溫度是否均勻，如均勻，則無(wú)需調(diào)整熱電偶的功率；如某一位置的多晶層厚度與其他位置的多晶層厚度相同，則調(diào)整該位置相對(duì)應(yīng)的外延機(jī)臺(tái)腔體處的熱電偶工作效果。

本發(fā)明將基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度作為標(biāo)準(zhǔn)值，然后將其它檢測(cè)點(diǎn)的多晶層厚度與標(biāo)準(zhǔn)值對(duì)比，如一致，則判斷該處溫度合適，對(duì)應(yīng)該位置的熱電偶工作無(wú)需調(diào)整；如不一致，則判斷該處溫度不合適，則調(diào)整該處位置對(duì)應(yīng)的熱電偶，降低或增高該處的溫度。

本發(fā)明中所述的厚度，其單位均為埃，各計(jì)算公式中僅代入數(shù)值，不代入單位。

以下以基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度作為標(biāo)準(zhǔn)值為例說(shuō)明，并根據(jù)其他位置多晶層厚度與圓心位置的多晶層厚度差值計(jì)算對(duì)應(yīng)該檢測(cè)位置的熱電偶的調(diào)整溫度度數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述外延機(jī)臺(tái)腔體包括前部、左側(cè)部、右側(cè)部和尾部；尾部的溫度調(diào)整度數(shù)為(R-C)/25，R為基板片后端位置生長(zhǎng)的多晶層的厚度，C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；左側(cè)部與右側(cè)部補(bǔ)償值調(diào)整度數(shù)為【(S_左+S_右)/2-C】/25，S_左和S_右分別為基板片左側(cè)位置及右側(cè)位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；前部的補(bǔ)償值調(diào)整度數(shù)為：(F-C)/25，其中F代表基板片前端位置生長(zhǎng)的多晶層厚度；C代表基板片圓心位置生長(zhǎng)的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加。

實(shí)施例1

本發(fā)明所述的方法包括步驟，

A、提供一基板片；所述基板片為摻硼單晶拋光片，電阻率為5-100ohm.cm，使其表面先生成一層封底層；所述封底層為采用單晶拋光片在氧氣氣氛中生長(zhǎng)而成的低溫氧化層，再在封底層上生長(zhǎng)一層籽晶層。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述籽晶層為多晶層。籽晶層厚度500埃。

B、將基板片放入外延機(jī)臺(tái)內(nèi)，在籽晶層上生長(zhǎng)一層多晶層；封底層厚度為1000埃。在籽晶層上生長(zhǎng)多晶層，多晶層生長(zhǎng)過(guò)程中，基板片不旋轉(zhuǎn)；所述步驟C中，采用三氯氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為900℃。

C、多晶層生長(zhǎng)完成后，測(cè)定各位置多晶層的厚度。并根據(jù)各檢測(cè)位置的多晶層厚度與圓心位置多晶層厚度的差值計(jì)算熱電偶的補(bǔ)償值。

表1為采用本發(fā)明方法調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性性的計(jì)算實(shí)例。

表1

實(shí)施例2

本發(fā)明所述的方法包括步驟，

A、提供一基板片；所述基板片為摻硼單晶拋光片，電阻率為5-100ohm.cm，使其表先生成一層封底層。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，還可以在封底層上生長(zhǎng)一層籽晶層，所述籽晶層為多晶層。籽晶層厚度400埃。

B、將基板片放入外延機(jī)臺(tái)內(nèi)，在籽晶層上生長(zhǎng)一層多晶層；所述封底層為采用單晶拋光片在氧氣氣氛中生長(zhǎng)而成的低溫氧化層，封底層厚度為1100埃。在籽晶層上生長(zhǎng)多晶層，多晶層生長(zhǎng)過(guò)程中，基板片不旋轉(zhuǎn)；所述步驟C中，采用二氯二氫硅長(zhǎng)多晶層，生長(zhǎng)溫度為800℃。

C、多晶層生長(zhǎng)完成后，測(cè)定各位置多晶層的厚度。并根據(jù)各檢測(cè)位置的多晶層厚度與圓心位置多晶層厚度的差值計(jì)算熱電偶的補(bǔ)償值。

表2為采用本發(fā)明方法調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性性的計(jì)算實(shí)例。

表2

發(fā)明人經(jīng)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在以上所列的各工藝參數(shù)數(shù)值范圍內(nèi)選擇具體的數(shù)值，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的。

本發(fā)明根據(jù)以上方法調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度均勻性，以此減小硅片放入外延機(jī)臺(tái)內(nèi)產(chǎn)生翹曲。根據(jù)前述方法確定調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)溫度均勻性，根據(jù)檢測(cè)獲得的腔體內(nèi)的溫度均勻性調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度，使硅片受熱均勻。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度均勻性后，利用高溫?cái)z像機(jī)拍攝硅片放入外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的基座上時(shí)的形變量，根據(jù)拍攝的圖像分析硅片的形變量，調(diào)整形變量較大位置附近的熱電偶輸出功率。

圖2與圖3的生產(chǎn)條件除腔體內(nèi)的溫度均勻性是否調(diào)整之外，其余條件相同。圖2為調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性之前生產(chǎn)的外延片20視圖，從圖中可以看出，其存在明顯的劃傷區(qū)域21。圖3為按照實(shí)施例的數(shù)據(jù)調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性之后生成的外延片20視圖，從圖中可以看出，其不存在明顯的劃傷。

圖4與圖5的生產(chǎn)條件除腔體內(nèi)的溫度均勻性是否調(diào)整之外，其余條件相同。圖4為調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性之前生產(chǎn)的外延片20視圖，從圖中可以看出，其存在明顯的劃傷區(qū)域22。圖5為按照實(shí)施例的數(shù)據(jù)調(diào)整腔體內(nèi)溫度均勻性之后生成的外延片20視圖，從圖中可以看出，其不存在明顯的劃傷。

根據(jù)本發(fā)明方法調(diào)整外延機(jī)臺(tái)腔體內(nèi)的溫度后，調(diào)整溫度均勻性前因基板邊緣翹曲造成劃傷的比例為0.4％，調(diào)整溫度均勻性后因基板邊緣翹曲造成劃傷的比例為0.01％。

本發(fā)明中的實(shí)施例僅用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，并不構(gòu)成對(duì)權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其它實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。