技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種調(diào)整外延機(jī)臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，包括步驟，對在外延機(jī)臺腔體內(nèi)生長的外延層檢測，如某一個檢測點(diǎn)的多晶層厚度與圓心位置生長的多晶層厚度不一致，則調(diào)整該檢測點(diǎn)的溫度。本發(fā)明根據(jù)以上方法調(diào)整外延機(jī)臺腔體內(nèi)的溫度均勻性，以此減小硅片放入外延機(jī)臺內(nèi)產(chǎn)生翹曲。根據(jù)前述方法確定調(diào)整外延機(jī)臺腔體內(nèi)溫度均勻性，根據(jù)檢測獲得的腔體內(nèi)的溫度均勻性調(diào)整外延機(jī)臺腔體內(nèi)的溫度，使硅片受熱均勻。

技術(shù)研發(fā)人員：陳海波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海晶盟硅材料有限公司
文檔號碼：201611216458
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.05.31