1.調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，所述外延機臺腔體包括前部、左側(cè)部、右側(cè)部和尾部；其特征在于，包括步驟，
A、提供一基板片；
B、將基板片放入外延機臺內(nèi)，在基板片上生長一層多晶層；在基板上生長多晶層，多晶層的生長溫度為600℃-950℃，多晶層生長過程中，基板片不旋轉(zhuǎn)；
C、多晶層生長完成后，測定多晶層的厚度分布，根據(jù)多晶層的厚度分布可得出外延機臺腔體內(nèi)的溫度分布；如各點厚度一致，則腔體內(nèi)各處的溫度相同；若各點厚度不一致，則多晶層厚度越厚，對應(yīng)外延機臺腔體內(nèi)該處的溫度越高；多晶層厚度越薄，則對應(yīng)外延機臺腔體內(nèi)該處的溫度越低；
D、如某一個檢測點的多晶層厚度與與圓心位置生長的多晶層厚度不一致，則調(diào)整該檢測點的溫度；尾部的溫度調(diào)整度數(shù)為(R-C)/25，R為基板片后端位置生長的多晶層的厚度，C代表基板片圓心位置生長的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；左側(cè)部與右側(cè)部補償值調(diào)整度數(shù)為【(S左+S右)/2-C】/25，S左和S右分別為基板片左側(cè)位置及右側(cè)位置生長的多晶層厚度，C代表基板片圓心位置生長的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加；前部的補償值調(diào)整度數(shù)為：(F-C)/25，其中F代表基板片前端位置生長的多晶層厚度；C代表基板片圓心位置生長的多晶層厚度，得數(shù)為“+”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上降低，得數(shù)為“-”表示需要在原設(shè)定值基礎(chǔ)上增加。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性為基板片放置于所述外延機臺腔體內(nèi)后受熱的均勻性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性為外延機臺腔體內(nèi)在600℃-950℃區(qū)間的溫度均勻性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述步驟C中，采用三氯氫硅長多晶層，生長溫度為800℃-900℃；或者采用硅烷長多晶層，生長溫度為600℃-700℃，或者采用二氯二氫硅長多晶層，生長溫度為700℃-800℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述基板片為摻硼單晶拋光片，電阻率為5-100ohm.cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述步驟A中，使所述基板片表面生成一層封底層，所述封底層厚度為800-1200埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述封底層為單晶拋光片在氧氣氣氛中生長而成的低溫氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述步驟A中，在所述封底層上生長一層籽晶層；所述步驟B中，在所述籽晶層上生長所述多晶層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，封底層厚度為800-1200埃；籽晶層厚度200-500埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，以多晶層表面選取多個點檢測其厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，以圓形的基板片圓心為中心，均勻分布選取多個點檢測其厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，選取基板片的前端、圓心、左側(cè)、右側(cè)及后端的一個或多個點測定其厚度；并根據(jù)前端、中心、左側(cè)、右側(cè)和后端的厚度判定外延機臺腔體內(nèi)的溫度均勻性。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，以垂直于氣體進氣方向的圓形基板片的直徑為分界，氣體未越過該直徑之前的基板片上的位置的多晶層厚度用于判斷外延機臺腔體前部的溫度；位于該直徑上的圓心兩側(cè)的位置用于判斷外延機臺腔體側(cè)部的溫度；氣體越過該直徑之后的基板片上的位置的多晶層厚度用于判斷外延機臺腔體尾部的溫度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，以基板片圓心處生長的多晶層厚度作為標準值，將各位置生長的多晶層厚度與標準值對比，如一致，則判斷溫度均勻，如不一致，則判斷溫度不均勻。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)整外延機臺腔體內(nèi)溫度均勻性的方法，其特征在于，所述機臺腔體內(nèi)通過熱電偶加熱，如某一個檢測點的多晶層厚度與與圓心位置生長的多晶層厚度不一致，則調(diào)整該檢測點對應(yīng)的熱電偶輸出功率。