本發(fā)明涉及光伏產(chǎn)品制造領(lǐng)域，特別是涉及一種硅錠的鑄造方法。

背景技術(shù)：

太陽能電池的主要原料為硅晶體，包括單晶硅和多晶硅。單晶硅主要采用直拉法制備，其特點是晶體結(jié)構(gòu)完整，晶體缺陷數(shù)量低，制備的硅電池光電轉(zhuǎn)換效率高。但是采用該方法制備的硅電池成本較高，生產(chǎn)效率較低。由于其生產(chǎn)技術(shù)特點，直拉法生產(chǎn)的單晶硅錠呈圓柱形，在切割成方形電池片的過程中，材料的利用率較低。

多晶硅一般采用定向凝固的方法制備，采用方形坩堝，生產(chǎn)效率高，材料利用率高。其缺點是生產(chǎn)出的硅晶體含大量的晶界、位錯等缺陷，導(dǎo)致其制備的硅電池光晶轉(zhuǎn)換效率明顯低于單晶硅電池。

采用鑄造的方法生產(chǎn)出單晶硅電池是一種很有效的解決硅電池成本與轉(zhuǎn)換效率之間的矛盾的方法。由于固態(tài)硅的密度低于液態(tài)硅，放置于坩堝底部的固態(tài)硅在與液態(tài)硅接觸潤濕后，可能會發(fā)生上浮，導(dǎo)致誘導(dǎo)長晶失敗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種硅錠的鑄造方法，能提高硅錠的晶粒尺寸、提高由硅錠制成的硅電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，能降低生產(chǎn)成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的硅錠的鑄造方法，包含以下幾個步驟：

步驟一、在坩堝中進(jìn)行裝料：首先、在坩堝的底部表面鋪設(shè)底層原料， 所述底層原料包括多晶硅粉；其次、在所述底層原料上鋪設(shè)中間層原料，所述中間層原料由多塊單晶硅片拼接而成；再次、在所述中間層原料上填充上層原料，所述上層原料由多晶硅料組成；所述多晶硅料經(jīng)過提純并且根據(jù)將要形成的硅錠的目標(biāo)電阻率添加了摻雜劑。

步驟二、將裝料后的所述坩堝置于鑄錠爐中、并對所述鑄錠爐抽真空；對所述坩堝的底部進(jìn)行加熱并到達(dá)一定溫度，該溫度使所述坩堝底部的所述多晶硅粉燒結(jié)、并形成燒結(jié)層；所述燒結(jié)層上面與所述單晶硅片粘結(jié)、所述燒結(jié)層的下面與所述坩堝底部粘結(jié)，從而固定住所述單晶硅片。

步驟三、保持所述底層原料的所述多晶硅粉為固態(tài)，使所述單晶硅片的上部部分熔化，并使所述上層原料的所述多晶硅料熔化。

步驟四、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的所述單晶硅片向上生長，最后得到與所述單晶硅片相同尺寸的硅錠。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中所述多晶硅粉的粒度為500目～5000目，所述底層原料的厚度為0.1毫米～5毫米。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一所述底層原料還包括添加劑粉，所述添加劑粉為硅溶膠，或所述添加劑粉為氟硅酸和二氧化硅的混合物，所述添加劑粉的粒度為1000目～20000目，純度為99.999％以上。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中所述單晶硅片為從單晶硅棒上截取形成的，所述單晶硅片的尺寸為6寸、8寸或12寸，所述單晶硅片的厚度為5毫米～30毫米。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中所述抽真空的真空度為10-1Pa～105Pa，對所述坩堝底部的所述多晶硅粉進(jìn)行燒結(jié)的溫度為1380℃～1405℃。

進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟三中對所述單晶硅片進(jìn)行加熱的溫度為 1380℃～1415℃，所述單晶硅片的上部熔化的部分的厚度為所述單晶硅片的熔化前的總厚度的10～90％。

本發(fā)明的有益效果為：

1、本發(fā)明方法通過在坩堝底部形成一燒結(jié)層將作為籽晶的單晶硅片固定住，使晶粒生長過程中單晶硅片不上浮，能夠消除現(xiàn)有鑄造方法形成硅錠的長晶過程中單晶硅片會上浮而使長晶失敗的缺陷，從而能夠采用鑄造的方法制備出由超大晶粒組成的硅錠，使晶粒的尺寸大大增加。

2、本發(fā)明所述添加劑粉在坩堝底部受熱過程中有利于底層原料的燒結(jié)，從而更有效的固定作為籽晶的單晶硅片。

3、由于硅錠的晶粒增大且硅錠中的多晶硅得到減少，將硅錠按采用的籽晶即單晶硅片尺寸切方制成硅電池片，能得到接近或完全的單晶硅電池片，最后制成的硅電池片的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到平均17.5％～18％，比現(xiàn)有采用定向凝固的方法形成的多晶硅電池片提高1～2％，等同于采用現(xiàn)有直拉法形成的單晶硅電池片的效率。

4、本發(fā)明方法的生產(chǎn)成本與現(xiàn)有采用定向凝固的方法制備多晶硅電池片的成本接近，但要大大低于采用現(xiàn)有直拉法形成的單晶硅電池片的成本。

具體實施方式

一種硅錠的鑄造方法，包含以下幾個步驟：

步驟一、在坩堝中進(jìn)行裝料：首先、在坩堝的底部表面鋪設(shè)底層原料，所述底層原料包括多晶硅粉；其次、在所述底層原料上鋪設(shè)中間層原料，所述中間層原料由多塊單晶硅片拼接而成；再次、在所述中間層原料上填充上層原料，所述上層原料由多晶硅料組成；所述多晶硅料經(jīng)過提純并且 根據(jù)將要形成的硅錠的目標(biāo)電阻率添加了摻雜劑。

步驟二、將裝料后的所述坩堝置于鑄錠爐中、并對所述鑄錠爐抽真空；對所述坩堝的底部進(jìn)行加熱并到達(dá)一定溫度，該溫度使所述坩堝底部的所述多晶硅粉燒結(jié)、并形成燒結(jié)層；所述燒結(jié)層上面與所述單晶硅片粘結(jié)、所述燒結(jié)層的下面與所述坩堝底部粘結(jié)，從而固定住所述單晶硅片。

步驟三、保持所述底層原料的所述多晶硅粉為固態(tài)，使所述單晶硅片的上部部分熔化，并使所述上層原料的所述多晶硅料熔化。

步驟四、控制所述鑄錠爐的爐內(nèi)的垂直溫度梯度，使晶粒沿著未熔化的所述單晶硅片向上生長，最后得到與所述單晶硅片相同尺寸的硅錠。

步驟一中所述多晶硅粉的粒度為500目～5000目，所述底層原料的厚度為0.1毫米～5毫米。

步驟一所述底層原料還包括添加劑粉，所述添加劑粉為硅溶膠，或所述添加劑粉為氟硅酸和二氧化硅的混合物，所述添加劑粉的粒度為1000目～20000目，純度為99.999％以上。

步驟一中所述單晶硅片為從單晶硅棒上截取形成的，所述單晶硅片的尺寸為6寸、8寸或12寸，所述單晶硅片的厚度為5毫米～30毫米。

步驟二中所述抽真空的真空度為10-1Pa～105Pa，對所述坩堝底部的所述多晶硅粉進(jìn)行燒結(jié)的溫度為1380℃～1405℃。

步驟三中對所述單晶硅片進(jìn)行加熱的溫度為1380℃～1415℃，所述單晶硅片的上部熔化的部分的厚度為所述單晶硅片的熔化前的總厚度的10～90％。